JPH0625512A - 絶縁樹脂ペースト - Google Patents
絶縁樹脂ペーストInfo
- Publication number
- JPH0625512A JPH0625512A JP17974192A JP17974192A JPH0625512A JP H0625512 A JPH0625512 A JP H0625512A JP 17974192 A JP17974192 A JP 17974192A JP 17974192 A JP17974192 A JP 17974192A JP H0625512 A JPH0625512 A JP H0625512A
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- JP
- Japan
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- compound
- insulating resin
- silica
- paste
- silica filler
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- Epoxy Resins (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 一次粒子の平均粒径が２〜５０nmで表面のシ
ラノール基の５０％以上を有機珪素化合物（Ｓｉ（Ｒ）
ｍ（Ｘ）ｎ ｍ＋ｎ＝４（Ｒ：ＣＨ3 ，Ｃ2Ｈ5，Ｃ4
Ｈ7 ，Ｃ5 Ｈ11、Ｘ：Ｃｌ，Ｂｒ，ＯＣＨ3 ，ＯＨ）と
反応させた疎水性の超微粒子シリカ粉末を平均粒径１〜
２０μｍで最大粒径５０μｍ以下のシリカフィラー中に
１０〜５０重量％含有し、常温で液状のエポキシ樹脂、
ビスフェノールＦと潜在性アミン化合物、エポキシ基を
有するポリブタジエン化合物を必須成分とし、全組成分
中にシリカフィラーを１０〜３０重量％、エポキシ基を
有するポリブタジエン化合物を３〜２０重量％含有する
半導体素子接着用絶縁樹脂ペースト。 【効果】 揺変度が高く塗布作業性に優れ、かつその経
時変化が小さく、又生産性が良好で接着性、耐湿性に優
れ、硬化物の弾性率が低いため、銅フレームとシリコン
チップとの熱膨張率の差に基づくチップ歪が非常に少な
く応力緩和性に優れている。
ラノール基の５０％以上を有機珪素化合物（Ｓｉ（Ｒ）
ｍ（Ｘ）ｎ ｍ＋ｎ＝４（Ｒ：ＣＨ3 ，Ｃ2Ｈ5，Ｃ4
Ｈ7 ，Ｃ5 Ｈ11、Ｘ：Ｃｌ，Ｂｒ，ＯＣＨ3 ，ＯＨ）と
反応させた疎水性の超微粒子シリカ粉末を平均粒径１〜
２０μｍで最大粒径５０μｍ以下のシリカフィラー中に
１０〜５０重量％含有し、常温で液状のエポキシ樹脂、
ビスフェノールＦと潜在性アミン化合物、エポキシ基を
有するポリブタジエン化合物を必須成分とし、全組成分
中にシリカフィラーを１０〜３０重量％、エポキシ基を
有するポリブタジエン化合物を３〜２０重量％含有する
半導体素子接着用絶縁樹脂ペースト。 【効果】 揺変度が高く塗布作業性に優れ、かつその経
時変化が小さく、又生産性が良好で接着性、耐湿性に優
れ、硬化物の弾性率が低いため、銅フレームとシリコン
チップとの熱膨張率の差に基づくチップ歪が非常に少な
く応力緩和性に優れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリカフィラー、エポキ
シ樹脂、硬化剤、及び可撓性付与剤よりなる絶縁樹脂ペ
ーストでＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子を金属フレーム等
に接着する絶縁樹脂ペーストに関するものである。
シ樹脂、硬化剤、及び可撓性付与剤よりなる絶縁樹脂ペ
ーストでＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子を金属フレーム等
に接着する絶縁樹脂ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクス業界の最近の著しい発
展により、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩと
進化してきており、これらの半導体素子に於ける回路の
集積度が急激に増大すると共に大量生産が可能となり、
これらを用いた半導体製品の普及に伴って、その量産に
於ける作業性の向上並びにコストダウンが重要な問題と
なってきた。従来は半導体素子を金属フレームなどの導
体にＡｕ−Ｓｉ共晶法により接合し、次いでハーメチッ
クシールによって封止して、半導体製品とするのが普通
であった。しかし量産時の作業性、コストの面より、樹
脂封止法が開発され、現在は、一般化されている。これ
に伴い、マウント工程に於けるＡｕ−Ｓｉ共晶法の改良
としてハンダ材料や樹脂ペースト即ちマウント用樹脂に
よる方法が取り上げられるようになった。
展により、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩと
進化してきており、これらの半導体素子に於ける回路の
集積度が急激に増大すると共に大量生産が可能となり、
これらを用いた半導体製品の普及に伴って、その量産に
於ける作業性の向上並びにコストダウンが重要な問題と
なってきた。従来は半導体素子を金属フレームなどの導
体にＡｕ−Ｓｉ共晶法により接合し、次いでハーメチッ
クシールによって封止して、半導体製品とするのが普通
であった。しかし量産時の作業性、コストの面より、樹
脂封止法が開発され、現在は、一般化されている。これ
に伴い、マウント工程に於けるＡｕ−Ｓｉ共晶法の改良
としてハンダ材料や樹脂ペースト即ちマウント用樹脂に
よる方法が取り上げられるようになった。
【０００３】しかし、ハンダ法では信頼性が低いこと、
素子の電極の汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高
熱伝導性を要するパワートランジスター、パワーＩＣの
素子に使用が限られている。これに対しマウント用樹脂
はハンダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いて
も優れており、中でもフィラーとしてシリカ粉末を用い
た絶縁樹脂ペーストは貴金属を全く用いていないため、
安価であり特に絶縁性を要する用途での需要が増大して
いる。
素子の電極の汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高
熱伝導性を要するパワートランジスター、パワーＩＣの
素子に使用が限られている。これに対しマウント用樹脂
はハンダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いて
も優れており、中でもフィラーとしてシリカ粉末を用い
た絶縁樹脂ペーストは貴金属を全く用いていないため、
安価であり特に絶縁性を要する用途での需要が増大して
いる。
【０００４】一方近年、従来用いられてきたリードフレ
ームである４２合金フレームが高価なことよりコストダ
ウンの目的から銅フレームが用いられるようになり、
また、ＩＣ等の集積度の高密度化により、チップが大型
化してきており、チップの大きさが約４〜５mm角より大
きくなると、ＩＣ等の組立工程での加熱により、チップ
の熱膨張率と銅フレームの熱膨張率との差からの歪によ
りチップのクラックや反りによる特性不良が問題となっ
てきている。
ームである４２合金フレームが高価なことよりコストダ
ウンの目的から銅フレームが用いられるようになり、
また、ＩＣ等の集積度の高密度化により、チップが大型
化してきており、チップの大きさが約４〜５mm角より大
きくなると、ＩＣ等の組立工程での加熱により、チップ
の熱膨張率と銅フレームの熱膨張率との差からの歪によ
りチップのクラックや反りによる特性不良が問題となっ
てきている。
【０００５】即ちこれは、チップの材料であるシリコン
等の熱膨張率が３×１０-6／℃であるのに対し、４２合
金フレームでは８×１０-6／℃であるが、銅フレームで
は２０×１０-6／℃と大きくなる為である。これに対
し、マウント法としてエポキシ系絶縁樹脂ペーストで
は、弾性率が大きく、チップと銅フレームとの歪を吸収
するに至らなかった。この対策として絶縁樹脂ペースト
中のシリカフィラー量を少なくし、低弾性率化を図る方
法があるがペーストの揺変度が低くなり、デスペンス塗
布時にペーストのたれや糸引きが発生し作業性が悪くな
る。作業性改良方法としてシリカフィラーに超微粒子の
シリカ粉末を併用すると、初期の作業性は改良できる
が、表面のシラノール基が樹脂成分と徐々に水素結合し
粘度及び揺変度の低下が起こり時間の経過と共に作業性
が悪化してくる欠点があった。
等の熱膨張率が３×１０-6／℃であるのに対し、４２合
金フレームでは８×１０-6／℃であるが、銅フレームで
は２０×１０-6／℃と大きくなる為である。これに対
し、マウント法としてエポキシ系絶縁樹脂ペーストで
は、弾性率が大きく、チップと銅フレームとの歪を吸収
するに至らなかった。この対策として絶縁樹脂ペースト
中のシリカフィラー量を少なくし、低弾性率化を図る方
法があるがペーストの揺変度が低くなり、デスペンス塗
布時にペーストのたれや糸引きが発生し作業性が悪くな
る。作業性改良方法としてシリカフィラーに超微粒子の
シリカ粉末を併用すると、初期の作業性は改良できる
が、表面のシラノール基が樹脂成分と徐々に水素結合し
粘度及び揺変度の低下が起こり時間の経過と共に作業性
が悪化してくる欠点があった。
【０００６】また可撓性付与剤であるエポキシ基を有す
るポリブタジエン化合物を添加して、硬化物の弾性率を
小さくすることはすでに知られている（特開昭６３−１
６１０１５号公報）が、エポキシ基を有するポリブタジ
エン化合物は粘度が高く、これを添加した配合物の粘度
は高くなる欠点があり、配合物の生産性を低下させ、か
つ接着性、耐湿性が悪いので、用いるポリブタジエン化
合物の添加量には限界があった。
るポリブタジエン化合物を添加して、硬化物の弾性率を
小さくすることはすでに知られている（特開昭６３−１
６１０１５号公報）が、エポキシ基を有するポリブタジ
エン化合物は粘度が高く、これを添加した配合物の粘度
は高くなる欠点があり、配合物の生産性を低下させ、か
つ接着性、耐湿性が悪いので、用いるポリブタジエン化
合物の添加量には限界があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は揺変度が高
く、ディスペンサ塗布時の作業性に優れ、かつ作業時の
経時変化がなく、ＩＣ等の大型チップと銅フレームとの
組合せでもチップクラックや反りによるＩＣ等の特性不
良が起こらず、かつポリブタジエン化合物添加による併
用効果を最大限有効に活用した絶縁樹脂ペーストを提供
するものである。
く、ディスペンサ塗布時の作業性に優れ、かつ作業時の
経時変化がなく、ＩＣ等の大型チップと銅フレームとの
組合せでもチップクラックや反りによるＩＣ等の特性不
良が起こらず、かつポリブタジエン化合物添加による併
用効果を最大限有効に活用した絶縁樹脂ペーストを提供
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は（Ａ）一次粒子
の平均粒径が２〜５０nmで表面のシラノール基の５０％
以上を下記式（１）で示される有機珪素化合物と反応さ
せた疎水性の超微粒子シリカ粉末を平均粒径１〜２０μ
ｍで最大粒径５０μｍ以下のシリカフィラー中に１０〜
５０重量％含有するシリカフィラー、（Ｂ）ビスフェノ
ールＦ及び潜在性アミン化合物、（Ｃ）常温で液状のエ
ポキシ樹脂及び（Ｄ）エポキシ基を有するポリブタジエ
ン化合物を必須成分とし、全組成物中にシリカフィラー
（Ａ）を１０〜３０重量％、エポキシ基を有するポリブ
タジエン化合物（Ｄ）を３〜２０重量％含有する絶縁樹
脂ペーストである。 Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｘ）ｎ （１） ｍ＋ｎ＝４ Ｒ：メチル、エチル、ブチル、オクチル基 Ｘ：Ｃｌ，Ｂｒ，ＯＣＨ3 ，ＯＨ
の平均粒径が２〜５０nmで表面のシラノール基の５０％
以上を下記式（１）で示される有機珪素化合物と反応さ
せた疎水性の超微粒子シリカ粉末を平均粒径１〜２０μ
ｍで最大粒径５０μｍ以下のシリカフィラー中に１０〜
５０重量％含有するシリカフィラー、（Ｂ）ビスフェノ
ールＦ及び潜在性アミン化合物、（Ｃ）常温で液状のエ
ポキシ樹脂及び（Ｄ）エポキシ基を有するポリブタジエ
ン化合物を必須成分とし、全組成物中にシリカフィラー
（Ａ）を１０〜３０重量％、エポキシ基を有するポリブ
タジエン化合物（Ｄ）を３〜２０重量％含有する絶縁樹
脂ペーストである。 Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｘ）ｎ （１） ｍ＋ｎ＝４ Ｒ：メチル、エチル、ブチル、オクチル基 Ｘ：Ｃｌ，Ｂｒ，ＯＣＨ3 ，ＯＨ
【０００９】本発明に用いるシリカフィラーは一次粒子
の平均粒径が２〜５０nmでシラノール基の５０％以上を
式（１）の有機珪素化合物で表面処理した疎水性の超微
粒子シリカ粉末を平均粒径１〜２０μｍで最大粒径５０
μｍ以下の全シリカフィラー中に１０〜５０重量％含有
するものである。一次粒子の平均粒径が２nm未満だとか
さ密度が小さくなるため空気中に舞い易く秤量などの仕
込みが困難であり、ペースト混練時においても均一に混
練できず、かたまりのまま残存しやすいため好ましくな
い。５０nmを超えると揺変度があがらずペーストのた
れ、糸引き等の作業性の向上が望めない。又使用する超
微粒子シリカ粉末が表面処理を施していない通常のシリ
カ粉末又は５０％以上が式（１）の有機珪素化合物で表
面処理を施していないシリカ粉末だと表面のシラノール
基が樹脂ペースト中の樹脂成分と徐々に水素結合を取り
はじめ、粘度及び揺変度の低下が起こり作業性の低下に
つながるため好ましくない。又全シリカフィラー中の疎
水性超微粒子シリカ粉末が１０重量％より少ないと、ペ
ーストの揺変度が小さすぎるのため、ペーストのたれや
糸引が発生し作業性が悪くなる。５０重量％より多いと
ペーストの粘度が上がりすぎ、実用的でない。全組成物
中のシリカフィラーの含有量は１０〜３０重量％であ
る。１０重量％未満だとマウント後の接着強度が不足し
３０重量％より多いと硬化物の低弾性率化が望めない。
又シリカフィラーの平均粒径が１μｍ以下だと粘度が高
くなり、２０μｍ以上だと塗布又は硬化時に樹脂分が流
出するのでブリーディングが発生するため好ましくな
い。最大粒径が５０μｍ以上だとディスペンサーでペー
ストを塗布する時ニードルの出口を塞ぎ長時間の連続使
用ができない。
の平均粒径が２〜５０nmでシラノール基の５０％以上を
式（１）の有機珪素化合物で表面処理した疎水性の超微
粒子シリカ粉末を平均粒径１〜２０μｍで最大粒径５０
μｍ以下の全シリカフィラー中に１０〜５０重量％含有
するものである。一次粒子の平均粒径が２nm未満だとか
さ密度が小さくなるため空気中に舞い易く秤量などの仕
込みが困難であり、ペースト混練時においても均一に混
練できず、かたまりのまま残存しやすいため好ましくな
い。５０nmを超えると揺変度があがらずペーストのた
れ、糸引き等の作業性の向上が望めない。又使用する超
微粒子シリカ粉末が表面処理を施していない通常のシリ
カ粉末又は５０％以上が式（１）の有機珪素化合物で表
面処理を施していないシリカ粉末だと表面のシラノール
基が樹脂ペースト中の樹脂成分と徐々に水素結合を取り
はじめ、粘度及び揺変度の低下が起こり作業性の低下に
つながるため好ましくない。又全シリカフィラー中の疎
水性超微粒子シリカ粉末が１０重量％より少ないと、ペ
ーストの揺変度が小さすぎるのため、ペーストのたれや
糸引が発生し作業性が悪くなる。５０重量％より多いと
ペーストの粘度が上がりすぎ、実用的でない。全組成物
中のシリカフィラーの含有量は１０〜３０重量％であ
る。１０重量％未満だとマウント後の接着強度が不足し
３０重量％より多いと硬化物の低弾性率化が望めない。
又シリカフィラーの平均粒径が１μｍ以下だと粘度が高
くなり、２０μｍ以上だと塗布又は硬化時に樹脂分が流
出するのでブリーディングが発生するため好ましくな
い。最大粒径が５０μｍ以上だとディスペンサーでペー
ストを塗布する時ニードルの出口を塞ぎ長時間の連続使
用ができない。
【００１０】また、本発明に用いる硬化剤としてのビス
フェノールＦは、エポキシ基と反応する水酸基を１分子
に２個有するいわゆる２官能性硬化剤であるため、例え
ばフェノールノボラックのような多官能性硬化剤と比べ
硬化物の架橋密度が低く、低弾性率である硬化物が得ら
れ、その結果非常に応力緩和性に優れている。ビスフェ
ノールＦの配合物の硬化物の物性を十分に発現するには
多く配合する必要があり、その結果配合物の粘度が高く
なる。従ってビスフェノールＦが有する低弾性率の特性
を最大限発揮し、かつ実用に供せられるペースト粘度に
するにはビスフェノールＦより当量の小さい潜在性アミ
ン化合物を併用すると良い。これにより、配合物の粘度
を低く押さえられ、また潜在性であるため保存性にも優
れた実用に供せられるペーストを得ることができる。潜
在性アミン化合物としては、アジピン酸ヒドラジド、ド
デカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ヒドラジド、Ｐ−
オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボン酸ヒドラジド
やジシアンジアミド等がある。
フェノールＦは、エポキシ基と反応する水酸基を１分子
に２個有するいわゆる２官能性硬化剤であるため、例え
ばフェノールノボラックのような多官能性硬化剤と比べ
硬化物の架橋密度が低く、低弾性率である硬化物が得ら
れ、その結果非常に応力緩和性に優れている。ビスフェ
ノールＦの配合物の硬化物の物性を十分に発現するには
多く配合する必要があり、その結果配合物の粘度が高く
なる。従ってビスフェノールＦが有する低弾性率の特性
を最大限発揮し、かつ実用に供せられるペースト粘度に
するにはビスフェノールＦより当量の小さい潜在性アミ
ン化合物を併用すると良い。これにより、配合物の粘度
を低く押さえられ、また潜在性であるため保存性にも優
れた実用に供せられるペーストを得ることができる。潜
在性アミン化合物としては、アジピン酸ヒドラジド、ド
デカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ヒドラジド、Ｐ−
オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボン酸ヒドラジド
やジシアンジアミド等がある。
【００１１】本発明に用いる可撓性付与剤は、エポキシ
基を有するポリブタジエン化合物である。一般にポリブ
タジエン化合物は弾性率が低く、接着性や耐湿性が劣
る。また粘度が高く配合物の生産性が悪くなり、得られ
るペーストの粘度も高くなる。接着性、耐湿性に優れた
エポキシ樹脂にエポキシ基を有するポリブタジエン化合
物を添加することにより、硬化物の弾性率が低く、応力
緩和性、接着性、耐湿性に優れたペーストが得られる。
ポリブタジエン化合物中にエポキシ基を有していること
が重要であり、エポキシ樹脂の硬化剤であるビスフェノ
ールＦ及び潜在性アミン化合物と反応しないと硬化時に
エポキシ樹脂とポリブタジエン化合物の分離が発生し硬
化物が均一にならない。エポキシ基を有するポリブタジ
エン化合物は全組成物中に３〜２０重量％含有すること
が好ましく、３重量％未満だと応力緩和性が得られず、
２０重量％を越えると配合物の粘度が高くなり生産性が
低下し、接着性、耐湿性も悪くなる。このため可撓性付
与剤のみの添加で得られる硬化物の弾性率には限界があ
り、粘度も高くなる傾向にある。
基を有するポリブタジエン化合物である。一般にポリブ
タジエン化合物は弾性率が低く、接着性や耐湿性が劣
る。また粘度が高く配合物の生産性が悪くなり、得られ
るペーストの粘度も高くなる。接着性、耐湿性に優れた
エポキシ樹脂にエポキシ基を有するポリブタジエン化合
物を添加することにより、硬化物の弾性率が低く、応力
緩和性、接着性、耐湿性に優れたペーストが得られる。
ポリブタジエン化合物中にエポキシ基を有していること
が重要であり、エポキシ樹脂の硬化剤であるビスフェノ
ールＦ及び潜在性アミン化合物と反応しないと硬化時に
エポキシ樹脂とポリブタジエン化合物の分離が発生し硬
化物が均一にならない。エポキシ基を有するポリブタジ
エン化合物は全組成物中に３〜２０重量％含有すること
が好ましく、３重量％未満だと応力緩和性が得られず、
２０重量％を越えると配合物の粘度が高くなり生産性が
低下し、接着性、耐湿性も悪くなる。このため可撓性付
与剤のみの添加で得られる硬化物の弾性率には限界があ
り、粘度も高くなる傾向にある。
【００１２】硬化剤をビスフェノールＦと潜在性アミン
化合物の使用に限定し、エポキシ基を有するポリブタジ
エン化合物の添加と組み合わせることにより、従来の限
界以上の硬化物の低弾性率化がはかれる。またビスフェ
ノールＦと潜在性アミン化合物の硬化剤は粘度が低いた
め、ポリブタジエン化合物の粘度への影響を無くした絶
縁樹脂ペーストを得ることができる。本発明に用いるエ
ポキシ樹脂は常温で液状のものに限定しているが、常温
で液状のものでないとシリカフィラーとの混練において
溶剤を必要とするため、気泡発生の原因となり接着強度
を低下させる。
化合物の使用に限定し、エポキシ基を有するポリブタジ
エン化合物の添加と組み合わせることにより、従来の限
界以上の硬化物の低弾性率化がはかれる。またビスフェ
ノールＦと潜在性アミン化合物の硬化剤は粘度が低いた
め、ポリブタジエン化合物の粘度への影響を無くした絶
縁樹脂ペーストを得ることができる。本発明に用いるエ
ポキシ樹脂は常温で液状のものに限定しているが、常温
で液状のものでないとシリカフィラーとの混練において
溶剤を必要とするため、気泡発生の原因となり接着強度
を低下させる。
【００１３】本発明に用いるエポキシ樹脂としては、例
えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノール
ノボラックとエピクロルヒドリンとの反応で得られるジ
グリシジルエーテルで常温で液状のもの、ビニルシクロ
ヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンジオキシ
ド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイトのような
脂環式エポキシ、更にはｎ−ブチルグリシジルエーテ
ル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオ
キサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリ
シジルエーテル、ジシクロペンタジエンジエポキシドの
ような通常エポキシ樹脂の希釈剤として用いられるもの
がある。本発明の製造例としては、各成分を予備混合
し、三本ロールを用いて混練し、ペーストを得、真空下
脱泡する方法等がある。
えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノール
ノボラックとエピクロルヒドリンとの反応で得られるジ
グリシジルエーテルで常温で液状のもの、ビニルシクロ
ヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンジオキシ
ド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイトのような
脂環式エポキシ、更にはｎ−ブチルグリシジルエーテ
ル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオ
キサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリ
シジルエーテル、ジシクロペンタジエンジエポキシドの
ような通常エポキシ樹脂の希釈剤として用いられるもの
がある。本発明の製造例としては、各成分を予備混合
し、三本ロールを用いて混練し、ペーストを得、真空下
脱泡する方法等がある。
【００１４】以下実施例で本発明を具体的に説明する。
配合割合は重量部で示す。
配合割合は重量部で示す。
【００１５】実施例１〜５ 平均粒径が３μｍの球状無定形シリカ粉末（以下球状シ
リカ）と一次粒子の平均粒径が１２nmで、かつ表面のシ
ラノール基の約７０％をジメチルジクロロシランで処理
した疎水性の超微粒子シリカ粉末（以下疎水性シリカ
Ａ）及びビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反
応により得られるジグリシジルエーテル（エポキシ当量
１８０で常温で液状）とビスフェノールＦ及びイソフタ
ル酸ヒドラジド又はジシアンジアミドとエポキシ基を有
するポリブタジエン化合物（品名Ｐoly bd Ｒ−４５Ｅ
ＰＴ：出光石油化学（株））とクレジルグリシジルエー
テルとを表１に示す割合で配合し三本ロールで混練して
絶縁樹脂ペーストを得た。この絶縁樹脂ペーストを真空
チャンバーにて２ｍｍＨｇ、３０分間脱泡した後、以下
の方法により各特性を評価した。評価結果を表１に示
す。
リカ）と一次粒子の平均粒径が１２nmで、かつ表面のシ
ラノール基の約７０％をジメチルジクロロシランで処理
した疎水性の超微粒子シリカ粉末（以下疎水性シリカ
Ａ）及びビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反
応により得られるジグリシジルエーテル（エポキシ当量
１８０で常温で液状）とビスフェノールＦ及びイソフタ
ル酸ヒドラジド又はジシアンジアミドとエポキシ基を有
するポリブタジエン化合物（品名Ｐoly bd Ｒ−４５Ｅ
ＰＴ：出光石油化学（株））とクレジルグリシジルエー
テルとを表１に示す割合で配合し三本ロールで混練して
絶縁樹脂ペーストを得た。この絶縁樹脂ペーストを真空
チャンバーにて２ｍｍＨｇ、３０分間脱泡した後、以下
の方法により各特性を評価した。評価結果を表１に示
す。
【００１６】実施例６ 使用する超微粒子シリカ粉末として一次粒子の平均粒径
が１２nmで、かつ表面のシラノール基の約５５％をオク
チルトリメトキシシランで処理した疎水性の超微粒子シ
リカ粉末（以下疎水性シリカＢ）を用いた。他は実施例
１〜５と同様にして絶縁樹脂ペーストを作製し評価し
た。結果を表１に示す。
が１２nmで、かつ表面のシラノール基の約５５％をオク
チルトリメトキシシランで処理した疎水性の超微粒子シ
リカ粉末（以下疎水性シリカＢ）を用いた。他は実施例
１〜５と同様にして絶縁樹脂ペーストを作製し評価し
た。結果を表１に示す。
【００１７】比較例１〜８ 表１に示す配合割合で実施例と同様にして絶縁樹脂ペー
ストを得た。比較例５では一次粒子の平均粒径が約１２
nmで表面処理を施していない超微粒子シリカ粉末（以下
親水シリカ）を用い、比較例６、８では硬化剤としてフ
ェノールノボラック（軟化点１１０℃、水酸基当量１０
５）を用い、比較例４では可撓性付与剤としてエポキシ
基を有しないポリブタジエン化合物（品名Ｐoly bd Ｒ
−４５ＨＴ：出光石油化学（株）製）を用いた。評価結
果を表１に示す。
ストを得た。比較例５では一次粒子の平均粒径が約１２
nmで表面処理を施していない超微粒子シリカ粉末（以下
親水シリカ）を用い、比較例６、８では硬化剤としてフ
ェノールノボラック（軟化点１１０℃、水酸基当量１０
５）を用い、比較例４では可撓性付与剤としてエポキシ
基を有しないポリブタジエン化合物（品名Ｐoly bd Ｒ
−４５ＨＴ：出光石油化学（株）製）を用いた。評価結
果を表１に示す。
【００１８】〔評価方法〕 チップ歪 銅フレーム上に銀ペーストを塗布したシリコンチップ
（サイズ６×１２×０．３mm）をマウントして２００
℃、１時間オーブン中で硬化した。これを表面粗さ計に
てチップの両端を結ぶ線上から垂直にチップの反りの頂
上までの高さを測定した。 接着強度 銅フレーム上に銀ペーストをデイスペンスし２mm角のシ
リコンチップを載せ、２００℃で１時間オーブン中で硬
化させた後、３５０℃熱盤上で２０秒放置後テンション
ゲージでチップをはじきチップが破壊した強度又は剥が
れた強度を測定した。 Ｅ型粘度 Ｅ型粘度計で温度２５±１℃で回転速度２．５ｒｐｍ．
３度コーンを用いて測定した。 揺変度 次式に従い０．５ｒｐｍと２．５ｒｐｍでの粘度の比を
もって揺変度とした。 揺変度＝０．５ｒｐｍの粘度／２．５ｒｐｍの粘度 糸引き性 サンプル中に直径３mmφのピンを深さ５mmまで沈めてそ
れを３００mm／分の速度で引き上げペーストが切れた時
の高さを測定した。 ペーストのたれ 内径１．０mmのニードルをつけたシリンジにペースト５
mlを入れニードルを下にして試験管立てに垂直に置き３
０分後ニードルの先端にたれたペーストの重量を測定し
た。
（サイズ６×１２×０．３mm）をマウントして２００
℃、１時間オーブン中で硬化した。これを表面粗さ計に
てチップの両端を結ぶ線上から垂直にチップの反りの頂
上までの高さを測定した。 接着強度 銅フレーム上に銀ペーストをデイスペンスし２mm角のシ
リコンチップを載せ、２００℃で１時間オーブン中で硬
化させた後、３５０℃熱盤上で２０秒放置後テンション
ゲージでチップをはじきチップが破壊した強度又は剥が
れた強度を測定した。 Ｅ型粘度 Ｅ型粘度計で温度２５±１℃で回転速度２．５ｒｐｍ．
３度コーンを用いて測定した。 揺変度 次式に従い０．５ｒｐｍと２．５ｒｐｍでの粘度の比を
もって揺変度とした。 揺変度＝０．５ｒｐｍの粘度／２．５ｒｐｍの粘度 糸引き性 サンプル中に直径３mmφのピンを深さ５mmまで沈めてそ
れを３００mm／分の速度で引き上げペーストが切れた時
の高さを測定した。 ペーストのたれ 内径１．０mmのニードルをつけたシリンジにペースト５
mlを入れニードルを下にして試験管立てに垂直に置き３
０分後ニードルの先端にたれたペーストの重量を測定し
た。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【発明の効果】本発明の絶縁樹脂ペーストは揺変度が高
く塗布作業性が良好で、かつ作業時の経時変化がなく生
産性が良好で接着性、耐湿性に優れ、硬化物の弾性率が
低く、銅、４２合金等の金属フレーム、セラミック基
板、ガラス、エポキシ等の有機基板へのＩＣ等の半導体
素子の接着に用いることができる。特に銅フレームへの
大型チップの接着に適しており銅フレームとシリコンチ
ップの熱膨張率の差に基づくＩＣ等の特性不良を防ぐこ
とができ、従来になかった応力緩和性に優れたマウント
用絶縁樹脂ペーストである。
く塗布作業性が良好で、かつ作業時の経時変化がなく生
産性が良好で接着性、耐湿性に優れ、硬化物の弾性率が
低く、銅、４２合金等の金属フレーム、セラミック基
板、ガラス、エポキシ等の有機基板へのＩＣ等の半導体
素子の接着に用いることができる。特に銅フレームへの
大型チップの接着に適しており銅フレームとシリコンチ
ップの熱膨張率の差に基づくＩＣ等の特性不良を防ぐこ
とができ、従来になかった応力緩和性に優れたマウント
用絶縁樹脂ペーストである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｋ 9/06 ＮＬＤ 7242−4Ｊ Ｈ０１Ｂ 3/40 Ｐ 9059−5Ｇ
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）一次粒子の平均粒径が２〜５０nm
で表面のシラノール基の５０％以上を下記式（１）で示
される有機珪素化合物と反応させた疎水性の超微粒子シ
リカ粉末を平均粒径１〜２０μｍで最大粒径５０μｍ以
下のシリカフィラー中に１０〜５０重量％含有するシリ
カフィラー、（Ｂ）ビスフェノールＦ及び潜在性アミン
化合物、（Ｃ）常温で液状のエポキシ樹脂及び（Ｄ）エ
ポキシ基を有するポリブタジエン化合物を必須成分と
し、全組成物中にシリカフィラー（Ａ）を１０〜３０重
量％、エポキシ基を有するポリブタジエン化合物（Ｄ）
を３〜２０重量％含有することを特徴とする絶縁樹脂ペ
ースト。 Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｘ）ｎ （１） ｍ＋ｎ＝４ Ｒ：メチル、エチル、ブチル、オクチル基 Ｘ：Ｃｌ，Ｂｒ，ＯＣＨ3 ，ＯＨ
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|---|---|---|---|
| JP17974192A JP3189988B2 (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 絶縁樹脂ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17974192A JP3189988B2 (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 絶縁樹脂ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625512A true JPH0625512A (ja) | 1994-02-01 |
| JP3189988B2 JP3189988B2 (ja) | 2001-07-16 |
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ID=16071060
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|---|---|---|---|
| JP17974192A Expired - Fee Related JP3189988B2 (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 絶縁樹脂ペースト |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0846728A3 (en) * | 1996-12-04 | 1999-08-18 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Liquid epoxy resin potting material |
| WO2004065519A1 (de) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Röhm GmbH & Co. KG | Matter polymerisationsklebstoff |
| JP2004327559A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品固着剤 |
| JP2004359957A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | E I Du Pont De Nemours & Co | コロナ抵抗性複合充填剤を含む耐熱ポリマー材料およびその製造方法 |
| JP2010047696A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、および樹脂組成物を用いて作製した半導体装置 |
| US7700669B2 (en) * | 2006-04-13 | 2010-04-20 | Wacker Chemie Ag | Rheology control of strongly basic liquids |
| US7868435B2 (en) | 2004-12-13 | 2011-01-11 | Tdk Corporation | Adhesive containing a filler, and a method for attaching and manufacturing a thin plate using the same |
| JP2015083663A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-04-30 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | 電気絶縁用樹脂組成物及びその硬化物並びにこれを用いたコイル、固定子、回転機及び高電圧機器 |
| WO2015178359A1 (ja) * | 2014-05-19 | 2015-11-26 | テイ・エス テック株式会社 | 車両用シート |
| US20190085227A1 (en) * | 2015-12-07 | 2019-03-21 | Hitachi, Ltd. | Electrical insulating material for high voltage equipment |
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|---|---|---|---|---|
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| WO2015102978A1 (en) * | 2014-01-02 | 2015-07-09 | Henkel IP & Holding GmbH | Film containing nano-particulate filler |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP17974192A patent/JP3189988B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0846728A3 (en) * | 1996-12-04 | 1999-08-18 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Liquid epoxy resin potting material |
| US7790797B2 (en) | 2003-01-21 | 2010-09-07 | Evonik Rohm Gmbh | Matt polymerization glue |
| US7790792B2 (en) | 2003-01-21 | 2010-09-07 | Evonik Rohm Gmbh | Matt polymerization glue |
| CN100355855C (zh) * | 2003-01-21 | 2007-12-19 | 罗姆两合公司 | 无光聚合粘合剂 |
| WO2004065519A1 (de) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Röhm GmbH & Co. KG | Matter polymerisationsklebstoff |
| JP2004327559A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品固着剤 |
| JP2004359957A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | E I Du Pont De Nemours & Co | コロナ抵抗性複合充填剤を含む耐熱ポリマー材料およびその製造方法 |
| US7868435B2 (en) | 2004-12-13 | 2011-01-11 | Tdk Corporation | Adhesive containing a filler, and a method for attaching and manufacturing a thin plate using the same |
| US7700669B2 (en) * | 2006-04-13 | 2010-04-20 | Wacker Chemie Ag | Rheology control of strongly basic liquids |
| JP2010047696A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、および樹脂組成物を用いて作製した半導体装置 |
| JP2015083663A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-04-30 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | 電気絶縁用樹脂組成物及びその硬化物並びにこれを用いたコイル、固定子、回転機及び高電圧機器 |
| EP2848645A3 (en) * | 2013-09-11 | 2015-05-20 | Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. | Resin composition for electric insulation and its hardened products, as well as coils, stators, rotary machines, and high voltage equipment using the products |
| WO2015178359A1 (ja) * | 2014-05-19 | 2015-11-26 | テイ・エス テック株式会社 | 車両用シート |
| US20220135766A1 (en) * | 2015-06-16 | 2022-05-05 | Huntsman International Llc | Epoxy Resin Composition |
| US11926727B2 (en) * | 2015-06-16 | 2024-03-12 | Huntsman International Llc | Epoxy resin composition |
| US20190085227A1 (en) * | 2015-12-07 | 2019-03-21 | Hitachi, Ltd. | Electrical insulating material for high voltage equipment |
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