JPH06252639A - 発振器回路 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 放射波を低減する改善された発振器を提供す
る。 【構成】 ＦＥＴ（８８）のゲートに結合されてＦＥＴ
の出力に基本周波数発振信号を生じる出力を含む共振器
タンク（６１）と、前記共振器タンクとＦＥＴのゲート
との間に結合されてＦＥＴのゲートにおける電圧変動を
制限してＦＥＴの飽和と遮断状態を低減する双方向性ク
ランプ（７４）とを含む発振器回路を提供する。双方向
性クランプは、ＦＥＴのゲートに入る電流の流れを許容
するように結合された第１のダイオード（７６）と、Ｆ
ＥＴのゲートから出る電流の流れを許容するように結合
された第２のダイオード（８０）とを含む。発振器は、
低レベルの放射高調波を含む出力を生じることができ
る。
る。 【構成】 ＦＥＴ（８８）のゲートに結合されてＦＥＴ
の出力に基本周波数発振信号を生じる出力を含む共振器
タンク（６１）と、前記共振器タンクとＦＥＴのゲート
との間に結合されてＦＥＴのゲートにおける電圧変動を
制限してＦＥＴの飽和と遮断状態を低減する双方向性ク
ランプ（７４）とを含む発振器回路を提供する。双方向
性クランプは、ＦＥＴのゲートに入る電流の流れを許容
するように結合された第１のダイオード（７６）と、Ｆ
ＥＴのゲートから出る電流の流れを許容するように結合
された第２のダイオード（８０）とを含む。発振器は、
低レベルの放射高調波を含む出力を生じることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】発振回路は、正弦波の如き周期的電気波
形を固有の構成値により決定される周波数で生じる。発
振器は電子的用途、特に無線受信機において無線周波エ
ネルギ・ソースとして広く用いられている。局部発振器
と呼ばれる無線受信機の発振器は内部ミキサ回路におい
て動作し、この回路は入力する無線信号を増幅し検波し
後で可聴信号にするため固定中間周波数に変換する。無
線周波レンジにおける如き高い周波数で動作する典型的
な発振器は、望ましからざる電気的ノイズを生じる傾向
を有する。このノイズは、局部発振器の周波数と調波的
に関連し、受信機の外部に出て他の近くのラジオ、セル
ラー電話、市民バンド・ラジオなどと干渉する。
形を固有の構成値により決定される周波数で生じる。発
振器は電子的用途、特に無線受信機において無線周波エ
ネルギ・ソースとして広く用いられている。局部発振器
と呼ばれる無線受信機の発振器は内部ミキサ回路におい
て動作し、この回路は入力する無線信号を増幅し検波し
後で可聴信号にするため固定中間周波数に変換する。無
線周波レンジにおける如き高い周波数で動作する典型的
な発振器は、望ましからざる電気的ノイズを生じる傾向
を有する。このノイズは、局部発振器の周波数と調波的
に関連し、受信機の外部に出て他の近くのラジオ、セル
ラー電話、市民バンド・ラジオなどと干渉する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような望ましから
ざる放射波を低減することは、付近の他の諸装置との干
渉の機会を最小限に抑えて、米国内および他国の双方に
おける管轄官庁により確立された放射波制限を遵守する
ことが要求される。放射波を低減する公知の方法は、発
振器が用いられる装置に対して金属製遮蔽およびフィル
タ付きコネクタを付加することを含む。一般に、これら
は要求される付加的なハードウエアによる高価な要求と
なる。
ざる放射波を低減することは、付近の他の諸装置との干
渉の機会を最小限に抑えて、米国内および他国の双方に
おける管轄官庁により確立された放射波制限を遵守する
ことが要求される。放射波を低減する公知の方法は、発
振器が用いられる装置に対して金属製遮蔽およびフィル
タ付きコネクタを付加することを含む。一般に、これら
は要求される付加的なハードウエアによる高価な要求と
なる。
【０００４】本発明は、改善された発振器回路の提供を
探求するものである。
探求するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、特許請
求の範囲１項に記載される如き発振器回路が提供され
る。
求の範囲１項に記載される如き発振器回路が提供され
る。
【０００６】望ましい実施態様は、高調波放射が少ない
ＦＥＴ発振器を提供し、ＦＥＴ発振器にラジオ、市民バ
ンド・ラジオ、セルラー電話などの他の付近の電子装置
との干渉の少ない可能性を提供することにより、局部発
振器の遮蔽の必要およびＦＥＴ発振器の放射波を低減す
るため特別なフィルタの必要を取除くことができる。
ＦＥＴ発振器を提供し、ＦＥＴ発振器にラジオ、市民バ
ンド・ラジオ、セルラー電話などの他の付近の電子装置
との干渉の少ない可能性を提供することにより、局部発
振器の遮蔽の必要およびＦＥＴ発振器の放射波を低減す
るため特別なフィルタの必要を取除くことができる。
【０００７】放射波が厳しく調節され約５０デシベルだ
けセルラー電話レンジにおける放射波レベルを低減し得
る場所において使用可能なＦＥＴ発振器が提供されるこ
とが望ましい。
けセルラー電話レンジにおける放射波レベルを低減し得
る場所において使用可能なＦＥＴ発振器が提供されるこ
とが望ましい。
【０００８】一実施態様は、発振器のＦＥＴのゲート電
圧における双方向性クランプと、発振器のミラー（Ｍｉ
ｌｌｅｒ）・キャパシタンスの変化率を制限するための
回路を含むものである。
圧における双方向性クランプと、発振器のミラー（Ｍｉ
ｌｌｅｒ）・キャパシタンスの変化率を制限するための
回路を含むものである。
【０００９】望ましい一実施態様は、１つのゲートとＦ
ＥＴの１つのドレーンとの間に結合されたタンク回路
と、ＦＥＴゲート電圧の総変動を制限するためＦＥＴの
ゲートに結合された双方向性クランプとを含んでいる。
この双方向性クランプは、ゲートとグラウンド間に結合
された第１および第２のダイオードを含むことが望まし
く、第１のダイオードはゲートへの電流の流れを許容す
るように結合され、第２のダイオードはゲートから出て
行く電流の流れを許容するように結合され、２つのダイ
オードがＦＥＴのゲートにおける電圧の変動を略々（±
０．７＋Ａ）ボルトに制限する。
ＥＴの１つのドレーンとの間に結合されたタンク回路
と、ＦＥＴゲート電圧の総変動を制限するためＦＥＴの
ゲートに結合された双方向性クランプとを含んでいる。
この双方向性クランプは、ゲートとグラウンド間に結合
された第１および第２のダイオードを含むことが望まし
く、第１のダイオードはゲートへの電流の流れを許容す
るように結合され、第２のダイオードはゲートから出て
行く電流の流れを許容するように結合され、２つのダイ
オードがＦＥＴのゲートにおける電圧の変動を略々（±
０．７＋Ａ）ボルトに制限する。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施態様について、添付図面に関
して以下に例示としてのみ記述する。
して以下に例示としてのみ記述する。
【００１１】図１は、図２に示された単一スペクトル周
波数１４を有する理想的な正弦波信号１２を示す。図１
および図２に示された理想的な正弦波の場合、ノイズを
発する望ましからざる高調波は存在しない。
波数１４を有する理想的な正弦波信号１２を示す。図１
および図２に示された理想的な正弦波の場合、ノイズを
発する望ましからざる高調波は存在しない。
【００１２】図３は、典型的な発振器の出力に生じる変
形された正弦波１６を示す。図４は、変形された正弦波
１６のスペクトル形態１８を示す。周波数ｆ0は正弦波
１６の所要の周波数であり、周波数ｆ1〜ｆnは、予防措
置が存在しない場合に望ましからざる放射波として発振
器から放射する望ましからざる高調波である。
形された正弦波１６を示す。図４は、変形された正弦波
１６のスペクトル形態１８を示す。周波数ｆ0は正弦波
１６の所要の周波数であり、周波数ｆ1〜ｆnは、予防措
置が存在しない場合に望ましからざる放射波として発振
器から放射する望ましからざる高調波である。
【００１３】図５において、典型的な従来技術の局部発
振器回路が示される。この回路の周波数は、集まってタ
ンク２１を形成する誘導子２０、コンデンサ２２、およ
びバラクタ２４により制御される。発振器の周波数は、
図示されたように抵抗４８とコンデンサ５０とによりバ
ラクタ２４の同調入力に接続される線４９に設定された
電圧レベルによって同調される。
振器回路が示される。この回路の周波数は、集まってタ
ンク２１を形成する誘導子２０、コンデンサ２２、およ
びバラクタ２４により制御される。発振器の周波数は、
図示されたように抵抗４８とコンデンサ５０とによりバ
ラクタ２４の同調入力に接続される線４９に設定された
電圧レベルによって同調される。
【００１４】タンク２１は、コンデンサ２６、２８を介
してトランジスタ３４に接続されている。トランジスタ
３４は、そのベースが抵抗３０、３２により活性領域に
なるようにバイアスされており、そのコレクタは電源に
接続された抵抗３６によりハイにバイアスされている。
コンデンサ４２は、電源からの電流スパイクを濾波す
る。トランジスタ３４の出力は、図示の如く、誘導子３
８と抵抗４０を介してタンク回路２１にフィードバック
される。トランジスタ３４のコレクタにおける出力信号
は、誘導子４４およびコンデンサ４６により濾波され、
線４５において要求される使用のため出力される。
してトランジスタ３４に接続されている。トランジスタ
３４は、そのベースが抵抗３０、３２により活性領域に
なるようにバイアスされており、そのコレクタは電源に
接続された抵抗３６によりハイにバイアスされている。
コンデンサ４２は、電源からの電流スパイクを濾波す
る。トランジスタ３４の出力は、図示の如く、誘導子３
８と抵抗４０を介してタンク回路２１にフィードバック
される。トランジスタ３４のコレクタにおける出力信号
は、誘導子４４およびコンデンサ４６により濾波され、
線４５において要求される使用のため出力される。
【００１５】図６は、図５に示された従来技術の局部発
振器のスペクトル応答５４を示し、このスペクトル応答
５４を所要の最大の高調波ノイズ・レベル５２に比較さ
れる。明らかなように、従来技術の発振器は、特にセル
ラー電話周波数レンジに該当する高い周波数において、
一貫してレベル５２を越える。ＦＥＴ発振器の高調波放
射を低減する１つの公知の方法は、ゲートをクランプす
るため発振器のゲートに跨ってダイオードを設けること
である。
振器のスペクトル応答５４を示し、このスペクトル応答
５４を所要の最大の高調波ノイズ・レベル５２に比較さ
れる。明らかなように、従来技術の発振器は、特にセル
ラー電話周波数レンジに該当する高い周波数において、
一貫してレベル５２を越える。ＦＥＴ発振器の高調波放
射を低減する１つの公知の方法は、ゲートをクランプす
るため発振器のゲートに跨ってダイオードを設けること
である。
【００１６】図７において、軌跡６は、レベル６０によ
り示されるその遮断とレベル５８により示されるその飽
和点との間でアクティブ状態となる典型的なＦＥＴの動
作領域にわたって重なる理想的な正弦波を示す。軌跡５
６の如きレベル５８、６０を越える正弦波は、図３に示
された方法で変形される。
り示されるその遮断とレベル５８により示されるその飽
和点との間でアクティブ状態となる典型的なＦＥＴの動
作領域にわたって重なる理想的な正弦波を示す。軌跡５
６の如きレベル５８、６０を越える正弦波は、図３に示
された方法で変形される。
【００１７】ＦＥＴの入力における正弦波５７を減じる
と、ＦＥＴをそのアクティブな線形領域に保持し、これ
により正弦波の歪みを減少しかつ放射しようとする高調
波の生成を減じる。
と、ＦＥＴをそのアクティブな線形領域に保持し、これ
により正弦波の歪みを減少しかつ放射しようとする高調
波の生成を減じる。
【００１８】図８において、図示されたＦＥＴ発振器の
実施例は、誘導子６２、９０と、コンデンサ６４、６
８、７０、８４、９２および９６と、バラクタ６６と、
抵抗７２、７８、８２、８６および９４と、ダイオード
７６、８０と、ＦＥＴ８８とを含んでいる。誘導子６
２、コンデンサ６４およびバラクタ６６は、図示された
方法でコンデンサ７０と抵抗７２を介してバラクタ６６
の同調入力に結合された線７１上の電圧入力により同調
される共振器タンク６１を形成する。ＦＥＴ８８のドレ
ーンは、図示の如く抵抗９４とコンデンサ９６から形成
されたフィルタ９５を介して誘導子６２のタップに結合
されて、ＦＥＴ８８のドレーンとグラウンド間にオフセ
ットを生じる。
実施例は、誘導子６２、９０と、コンデンサ６４、６
８、７０、８４、９２および９６と、バラクタ６６と、
抵抗７２、７８、８２、８６および９４と、ダイオード
７６、８０と、ＦＥＴ８８とを含んでいる。誘導子６
２、コンデンサ６４およびバラクタ６６は、図示された
方法でコンデンサ７０と抵抗７２を介してバラクタ６６
の同調入力に結合された線７１上の電圧入力により同調
される共振器タンク６１を形成する。ＦＥＴ８８のドレ
ーンは、図示の如く抵抗９４とコンデンサ９６から形成
されたフィルタ９５を介して誘導子６２のタップに結合
されて、ＦＥＴ８８のドレーンとグラウンド間にオフセ
ットを生じる。
【００１９】共振器回路６１の出力は、コンデンサ６８
を介して双方向性クランプ回路７４に結合される。双方
向性クランプ回路７４は、図示の如く、抵抗８２と抵抗
７８との間に並列に接続されたダイオード７６と８０を
含む。ダイオード７６は、正の電流がＦＥＴ８８のゲー
トに向かって流れることを許容し、一方ダイオード８０
は正の電流がＦＥＴ８８の減じるから出て行くように流
れることを許容するよう接続される。図示の如く、ＦＥ
Ｔ８８のゲートに接続されたこの２つのダイオード７
６、８０は、（（±０．７）＋Ａ）ボルトの総電圧変動
を許容する双方向性クランプを形成し、ここで定数Ａは
抵抗７８の電圧により決定され、±０．７はダイオード
７６、８０に跨る順方向の電圧降下ＶFを表わす。抵抗
７８が省略される、即ち、Ｒ78＝０オームならば、最大
変動は（±０．７）ボルトとなる。通常は、抵抗７８は
７５乃至２Ｋオームの範囲内にある。
を介して双方向性クランプ回路７４に結合される。双方
向性クランプ回路７４は、図示の如く、抵抗８２と抵抗
７８との間に並列に接続されたダイオード７６と８０を
含む。ダイオード７６は、正の電流がＦＥＴ８８のゲー
トに向かって流れることを許容し、一方ダイオード８０
は正の電流がＦＥＴ８８の減じるから出て行くように流
れることを許容するよう接続される。図示の如く、ＦＥ
Ｔ８８のゲートに接続されたこの２つのダイオード７
６、８０は、（（±０．７）＋Ａ）ボルトの総電圧変動
を許容する双方向性クランプを形成し、ここで定数Ａは
抵抗７８の電圧により決定され、±０．７はダイオード
７６、８０に跨る順方向の電圧降下ＶFを表わす。抵抗
７８が省略される、即ち、Ｒ78＝０オームならば、最大
変動は（±０．７）ボルトとなる。通常は、抵抗７８は
７５乃至２Ｋオームの範囲内にある。
【００２０】動作において、ダイオード７６、８０は、
これらがその電圧カーブに対する電流の「屈曲点（ｋｎ
ｅｅ）」に達するまでは導通せず、この屈曲点において
これらダイオードはオンとなり、抵抗７８に流れるタン
ク６１の出力を分路する。この状態は、ロードされた品
質因子Ｑおよびタンク回路６１の利得を有効に引下げ
る。抵抗７８を調整することにより、抵抗７８と直列を
なすダイオード７６、８０により生じるクランプ作用
は、ＦＥＴ８８を図７に軌跡５７で示されるそのアクテ
ィブ領域に維持して、ＦＥＴ８８をその飽和および遮断
レベルを繰返し越えさせることにより利得される高調波
を除去する。
これらがその電圧カーブに対する電流の「屈曲点（ｋｎ
ｅｅ）」に達するまでは導通せず、この屈曲点において
これらダイオードはオンとなり、抵抗７８に流れるタン
ク６１の出力を分路する。この状態は、ロードされた品
質因子Ｑおよびタンク回路６１の利得を有効に引下げ
る。抵抗７８を調整することにより、抵抗７８と直列を
なすダイオード７６、８０により生じるクランプ作用
は、ＦＥＴ８８を図７に軌跡５７で示されるそのアクテ
ィブ領域に維持して、ＦＥＴ８８をその飽和および遮断
レベルを繰返し越えさせることにより利得される高調波
を除去する。
【００２１】抵抗８２が、タンク６１をＦＥＴ８８のゲ
ート入力に結合するように付加されて、特徴的に非線形
接合キャパシタンスを持つバラクタの品質因子Ｑを制限
することにより回路の線形性を改善するように働く。抵
抗８２の値は、バラクタ６６の充電速度および放電速度
を制御して、さもなければバラクタ６６の急激な充電お
よび放電により生じるおそれがある高調波を除去する。
ート入力に結合するように付加されて、特徴的に非線形
接合キャパシタンスを持つバラクタの品質因子Ｑを制限
することにより回路の線形性を改善するように働く。抵
抗８２の値は、バラクタ６６の充電速度および放電速度
を制御して、さもなければバラクタ６６の急激な充電お
よび放電により生じるおそれがある高調波を除去する。
【００２２】ＦＥＴ８８のソースにおける出力は、誘導
子９０およびコンデンサ９２により濾波され、図示され
た発振器の遮蔽を必要とすることなく、また特別なフィ
ルタ接続を必要とせずに、電子システムにおいて使用す
ることができる。更に、図８に示される装置により生じ
る如き高調波の発生を減じることにより、両面回路板設
計を構成することにより導体長さを減じる必要がない。
子９０およびコンデンサ９２により濾波され、図示され
た発振器の遮蔽を必要とすることなく、また特別なフィ
ルタ接続を必要とせずに、電子システムにおいて使用す
ることができる。更に、図８に示される装置により生じ
る如き高調波の発生を減じることにより、両面回路板設
計を構成することにより導体長さを減じる必要がない。
【００２３】図９は、図８に示された発振器により生じ
る高調波周波数のスペクトル形態および目標出力５２と
の関係を示す。図９と図６との比較により、図８の回路
が放送周波数レンジにおける発振器により生じる望まし
からざる高調波を実質的に低減し得ることを明瞭に示
す。
る高調波周波数のスペクトル形態および目標出力５２と
の関係を示す。図９と図６との比較により、図８の回路
が放送周波数レンジにおける発振器により生じる望まし
からざる高調波を実質的に低減し得ることを明瞭に示
す。
【００２４】図１０において、双方向性クランプ回路７
４の変更例が示される。図８における抵抗７８がＦＥＴ
１０２により置換され、このＦＥＴが線１０５上に生じ
抵抗１０４を介してゲートに結合されるゲート電圧を変
化させることにより、ダイオード７６と８０間で接地さ
れる有効抵抗値を変化させるように働く。この回路は、
高調波の放射を最小限度に維持しながら最大許容変動を
生じるように、線１０５における信号をしてクランプ回
路７４′の設定を制御させるのである。
４の変更例が示される。図８における抵抗７８がＦＥＴ
１０２により置換され、このＦＥＴが線１０５上に生じ
抵抗１０４を介してゲートに結合されるゲート電圧を変
化させることにより、ダイオード７６と８０間で接地さ
れる有効抵抗値を変化させるように働く。この回路は、
高調波の放射を最小限度に維持しながら最大許容変動を
生じるように、線１０５における信号をしてクランプ回
路７４′の設定を制御させるのである。
【図１】理想的な正弦波のグラフである。
【図２】図１の正弦波のスペクトル図である。
【図３】発振器回路の典型的な正弦波出力のグラフであ
る。
る。
【図４】図３に示された正弦波出力のスペクトル図であ
る。
る。
【図５】従来技術の発振器回路の回路図である。
【図６】図５の従来技術の発振器回路のスペクトル図で
ある。
ある。
【図７】発振器回路における正弦波の変形グラフであ
る。
る。
【図８】発振器回路の一実施例の回路図である。
【図９】図８の発振器回路のスペクトル図である。
【図１０】発振器回路の第２の実施例の回路図である。
２０ 誘導子 ２１ タンク回路 ２４ バラクタ ３４ トランジスタ ６１ 共振器タンク回路 ６２ 誘導子 ６６ バラクタ ７４ 双方向性クランプ回路 ８８ ＦＥＴ ９０ 誘導子
Claims (7)
- 【請求項１】 出力が電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
（８８）の入力に結合され、該トランジスタの出力に基
本周波数発振信号を生じるよう動作する発振器タンク
（６１）と、前記発振器タンクの出力と前記トランジス
タの入力との間に結合され、トランジスタの飽和領域お
よび遮断領域を越える電圧変動を減じるようにトランジ
スタの入力における電圧の変動を制限する双方向性クラ
ンプ（７４）とを設け、該双方向性クランプが、前記ト
ランジスタの入力に入る電流の流れを許容するように結
合された第１のダイオード（７６）と該トランジスタの
入力から出て行くように電流の流れを許容するように結
合された第２のダイオードとを含む発振器回路。 - 【請求項２】 前記発振器タンクの出力と前記トランジ
スタの入力との間に直列に接続されて、該トランジスタ
の入力に関する電流の出入りを低減する抵抗（８２）を
設ける請求項１記載の発振器回路。 - 【請求項３】 前記双方向性クランプが、前記第１およ
び第２のダイオードとグラウンドとの間に直列に結合さ
れた抵抗（７８）を含み、該双方向性クランプに跨る電
圧変動が実質的に（±ＶF＋Ａ）ボルトであり、Ａは抵
抗の抵抗値に比例し、ＶFは前記第１および第２のダイ
オードの順方向の電圧降下である請求項１または２に記
載の発振器回路。 - 【請求項４】 前記双方向性クランプが、前記第１およ
び第２のダイオードとグラウンドとの間に直列に結合さ
れた制御トランジスタ（１０２）を含み、該トランジス
タの入力は、前記双方向性クランプに跨る電圧の変動を
制御するように動作する請求項１または２に記載の発振
器回路。 - 【請求項５】 前記発振器タンクが、相互に並列に結合
された誘導子（６２）と、コンデンサ（６４）と、同調
可能なバラクタ（６６）とを含む請求項１乃至４のいず
れかに記載の発振器回路。 - 【請求項６】 前記誘導子のタップ間に結合されたフィ
ルタ（９５）を設け、該フィルタ回路が、相互に並列に
結合された抵抗（９４）とコンデンサ（９６）とを含む
請求項５記載の発振器回路。 - 【請求項７】 前記トランジスタ（８８）が電界効果ト
ランジスタであり、前記トランジスタの入力が前記電界
効果トランジスタのゲート入力である請求項１乃至６の
いずれかに記載の発振器回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/011,925 US5327106A (en) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | Local oscillator with reduced harmonic |
| US011925 | 1993-02-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252639A true JPH06252639A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=21752554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6010421A Pending JPH06252639A (ja) | 1993-02-01 | 1994-02-01 | 発振器回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5327106A (ja) |
| JP (1) | JPH06252639A (ja) |
| DE (1) | DE4403020A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2009124290A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
| JP2010093322A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Fujitsu Ten Ltd | 回路装置、及びレーダ装置 |
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| US6452909B1 (en) | 1998-07-24 | 2002-09-17 | Texas Instruments Israel Ltd. | Time division duplex transceiver utilizing a single oscillator |
| US6218909B1 (en) | 1998-10-23 | 2001-04-17 | Texas Insturments Israel Ltd. | Multiple frequency band voltage controlled oscillator |
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| US20170257066A1 (en) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods for compensating for variation in an amplitude-regulated oscillator |
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| US3137826A (en) * | 1961-08-09 | 1964-06-16 | Gen Precision Inc | Multiple frequency oscillator utilizing plural feedback loops |
| US3513408A (en) * | 1968-08-01 | 1970-05-19 | Tri Metrics | Displacement transducer oscillator with movable tapered magnetic core |
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-
1993
- 1993-02-01 US US08/011,925 patent/US5327106A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-02-01 DE DE4403020A patent/DE4403020A1/de not_active Ceased
- 1994-02-01 JP JP6010421A patent/JPH06252639A/ja active Pending
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| JP2009124290A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5327106A (en) | 1994-07-05 |
| DE4403020A1 (de) | 1994-08-04 |
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