JPH06252211A - Bonding machine - Google Patents

Bonding machine

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Publication number
JPH06252211A
JPH06252211A JP6462593A JP6462593A JPH06252211A JP H06252211 A JPH06252211 A JP H06252211A JP 6462593 A JP6462593 A JP 6462593A JP 6462593 A JP6462593 A JP 6462593A JP H06252211 A JPH06252211 A JP H06252211A
Authority
JP
Japan
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bonding
bonding tool
tool
control
heating
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP6462593A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toru Terada
透 寺田
Yasuhisa Matsumoto
康久 松本
Tatsuharu Kobayashi
樹治 小林
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Shibuya Corp
Original Assignee
Shibuya Kogyo Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH06252211A publication Critical patent/JPH06252211A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a thermocompression bonding machine capable of preventing defective bonds to bumps by controlling the pressure of a bonding tool against a semiconductor chip while controlling the position of the bonding tool. CONSTITUTION:A bonding machine comprises a bonding tool 4 having means for chucking a semiconductor chip and means for heating the chip; and a drive mechanism for moving the bonding tool along the z-axis. After a bonding operation is started, the pressure to the chip from the bonding tool is controlled. At the same time, the drive mechanism is controlled by a first timer to set the bonding tool to a predetermined position. A second timer is used to control a heater 6 on the bonding tool. According to this method, melted bumps suffer no pressure so that they may not spread and cause short circuits.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップをリード
又は基板へボンディングするボンディング装置の改良に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement of a bonding device for bonding a semiconductor chip to a lead or a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体チップと基板をボンディン
グするには、図6に示すように半導体チップ1と基板2
の間にバンプ3を位置させ、加圧と加熱を加える手段が
取られていた。この際、金バンプを用いた半導体チップ
と基板とのボンディングにおいては、ボンディングツー
ルを常時加熱しておき、所定圧力にて半導体チップと基
板を加圧し、接続していた。しかも、金バンプを用いた
ボンディングにおいて従来の方法では図6のように接続
することしかできず、理想の接続形である図7に示すよ
うな鼓形のバンプ形状にすることはできなかった。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to bond a semiconductor chip and a substrate, as shown in FIG.
A means for arranging the bump 3 between them and applying pressure and heat was taken. At this time, in the bonding of the semiconductor chip and the substrate using the gold bump, the bonding tool is always heated, and the semiconductor chip and the substrate are pressed with a predetermined pressure to be connected. Moreover, in the bonding using the gold bumps, the conventional method can only make the connection as shown in FIG. 6, and it is not possible to form the ideal connection type of the drum-shaped bump shape as shown in FIG.

【0003】これに対し、半田バンプを用いたボンディ
ングにおいては、ボンディングツールでの半導体チップ
への加圧と加熱を同時に行うと半田バンプが潰れてしま
いバンプ間のショートが発生した。このため特開昭61
ー289964号公報記載のようにボンディングツール
の変位量を検知して半導体チップへの加圧を停止する手
段や、特開平2ー235352号公報記載のように半導
体チップとリードとの間に弾性体を介在させ、必要以上
の変位を防止したりしていた。
On the other hand, in the bonding using the solder bumps, when the semiconductor chip is pressed and heated by the bonding tool at the same time, the solder bumps are crushed and a short circuit occurs between the bumps. Therefore, JP-A-61
No. 289964, means for detecting the amount of displacement of the bonding tool to stop the pressurization to the semiconductor chip, and an elastic body between the semiconductor chip and the lead as described in JP-A-2-235352. To prevent excessive displacement.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開昭61−
289964号に示されるような変位量を検知し制御す
る手段では、バンプの接続形状を鼓形にすることができ
ないのみならず、バンプ形状のばらつきにより接続不良
を生じる危険があった。他方、特開平2−235352
号に弾性体を介在させる方法では、バンプの接続形状を
鼓形にすることはできても、弾性体の取り付けにより半
導体が高価になるとともにリードの形状によっては使用
できないものが存在した。
However, JP-A-61-161
The means for detecting and controlling the amount of displacement as shown in Japanese Patent No. 289964 is not only incapable of making the connection shape of the bumps into a drum shape, but also has a risk of causing connection failure due to variations in the bump shape. On the other hand, JP-A-2-235352
In the method of interposing an elastic body in the signal, although the bumps can be connected in a drum shape, the attachment of the elastic body makes the semiconductor expensive and cannot be used depending on the shape of the leads.

【0005】そこで、本発明は、バンプの接続形状を鼓
形に形成することができると同時に、バンプ形状による
接続不良のない、半田バンプ用ボンディング装置である
と同時に、異方性導電膜や金バンプにも対応可能なボン
ディング装置を提供するものである。
Therefore, the present invention is a solder bump bonding apparatus which can form the connection shape of the bumps in a drum shape and has no connection failure due to the bump shape. A bonding apparatus that can handle bumps is provided.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するため、半導体チップの吸着手段と半導体チップ
の加熱手段を有するボンディングツールとボンディング
ツールのZ軸駆動手段とを具備するボンディング装置に
おいて、ボンディング動作スタート後ボンディングツー
ルの半導体チップへの加圧を行なう圧力制御からボンデ
ィングツールの加圧停止及び所定微小上昇位置での保持
という位置制御への切替手段と該切替時又は切替前に加
熱する手段とを有することを特徴とするボンディング装
置を提供する。
In order to solve the above problems, the present invention provides a bonding apparatus having a bonding tool having a semiconductor chip suction means, a semiconductor chip heating means, and a Z-axis driving means for the bonding tool. In the above, the switching means from the pressure control for pressing the semiconductor chip of the bonding tool after the start of the bonding operation to the position control for stopping the pressing of the bonding tool and holding it at a predetermined minute elevated position, and heating at the time of switching or before switching. There is provided a bonding device.

【0007】[0007]

【実施例】以下図示の実施例に従い説明する。図1は、
ボンディング装置を示す部分側面図であり、ボンディン
グ装置は、半導体チップの吸着手段と半導体チップの加
熱手段を有するボンディングツール4とボンディングツ
ール4のZ軸駆動手段とを具備している。
Embodiments will be described below with reference to the illustrated embodiments. Figure 1
FIG. 3 is a partial side view showing a bonding device, which is provided with a bonding tool 4 having a semiconductor chip suction means and a semiconductor chip heating means, and a Z-axis driving means for the bonding tool 4.

【0008】ボンディングツール4における半導体チッ
プの吸着手段は、ボンディングツール4の半導体チップ
との接触面に形成されたバキュウーム孔へ別設の吸引装
置より負圧をあたえる通常の吸引手段で良く、半導体チ
ップの加熱手段も従来より用いられている公知の各種手
段で良い。尚、ボンディングツール4には、制御用セン
サとして図1に示される圧力センサ5と図2に示される
熱電対6とが取り付けられている。
The semiconductor chip suction means in the bonding tool 4 may be a normal suction means for applying a negative pressure to a vacuum hole formed in the contact surface of the bonding tool 4 with the semiconductor chip by a suction device provided separately. The heating means may be various known means which have been conventionally used. A pressure sensor 5 shown in FIG. 1 and a thermocouple 6 shown in FIG. 2 are attached to the bonding tool 4 as control sensors.

【0009】ボンディングツール4のZ軸駆動装置は、
図2に詳細が示されているように駆動モータ7にて回転
するボールねじ8に、雌ねじ部が形成されたツール取付
体9を装着し、該取付体9にボンディングツール4を取
り付けたものであり、駆動モータ7の制御により、ボン
ディングツール4のZ軸駆動、すなわち半導体チップ1
と基板2との接近及び隔離方向(図2中矢印方向)への
駆動を行なうものである。
The Z-axis drive unit of the bonding tool 4 is
As shown in detail in FIG. 2, a ball screw 8 rotated by a drive motor 7 is attached with a tool attachment 9 having a female screw portion, and the bonding tool 4 is attached to the attachment 9. Yes, the Z axis of the bonding tool 4 is driven by the control of the drive motor 7, that is, the semiconductor chip 1
The substrate 2 is driven toward and away from the substrate 2 (in the direction of the arrow in FIG. 2).

【0010】ボンディングツール4のZ軸駆動機構及び
加熱機構の制御には、第1のタイマー及び第2のタイマ
ー、圧力センサ5が用いられる。第1のタイマーはボン
ディングツール4のZ軸駆動機構の制御(圧力制御及び
位置制御)のため用いられるもので、第2のタイマーは
ボンディングツール4の加熱機構の制御(加熱開始遅延
時間制御及び加熱時間制御)に用いられるものである。
A first timer, a second timer and a pressure sensor 5 are used to control the Z-axis drive mechanism and the heating mechanism of the bonding tool 4. The first timer is used to control the Z-axis drive mechanism of the bonding tool 4 (pressure control and position control), and the second timer controls the heating mechanism of the bonding tool 4 (heating start delay time control and heating). It is used for time control).

【0011】制御手段の第1実施例を図3に従い説明す
る。制御装置は、ツール位置、接合荷重、チップ吸着、
ツール加熱の制御手段を有している。図3中ツール位置
制御に表されたt1は荷重制御時間を示し、t2は位置
制御時間を示している。又、ツール加熱の部分に表され
たt3は加熱開始遅延時間を示し、t4は加熱時間を示
している。
A first embodiment of the control means will be described with reference to FIG. The control device is tool position, bonding load, chip suction,
It has a tool heating control means. In FIG. 3, t1 shown in the tool position control indicates the load control time, and t2 indicates the position control time. Further, t3 shown in the tool heating portion indicates a heating start delay time, and t4 indicates a heating time.

【0012】制御装置は、図3中ツール位置でのA点が
ボンディング開始位置であり、該位置で、あらかじめ決
定されたボンディング開始信号を受けると、ボンディン
グツール4を半導体チップがリード(又は基板)に近接
するよう下降させる。次に、半導体チップとリードが接
触すると圧力センサ5がこれを検知し、ボンディング開
始信号を制御装置に送る。図3中縦の点線で示されたB
点がボンディング開始信号発信時である。この信号とと
もに第1のタイマーと第2のタイマーが作動する。
In the control device, point A at the tool position in FIG. 3 is the bonding start position, and when a predetermined bonding start signal is received at this position, the semiconductor chip leads (or the substrate) to the bonding tool 4. Lower it so that it is close to. Next, when the semiconductor chip and the lead come into contact with each other, the pressure sensor 5 detects this and sends a bonding start signal to the control device. B shown by the vertical dotted line in FIG.
The point is when the bonding start signal is transmitted. With this signal, the first timer and the second timer are activated.

【0013】ボンディングツール4は、図3中ツール加
熱と接合荷重の部分での比較でも示されているように、
加熱開始遅延時間t3経過までの時点では半導体チップ
を加熱せず、加圧のみであるので、半田バンプ3の応力
とボンディングツール4の加圧力が均衡した位置でボン
ディングツール4の下降は停止する。そして、第1のタ
イマーがt1をカウントした時点、すなわち荷重制御時
間経過時点で加圧は停止し、ボンディングツール4は、
当該位置に保持される。この加圧の停止及び当該位置で
の保持が位置制御の第1段階である。
The bonding tool 4, as shown in the comparison of tool heating and bonding load in FIG.
Until the heating start delay time t3 elapses, the semiconductor chip is not heated and only pressure is applied. Therefore, the lowering of the bonding tool 4 is stopped at a position where the stress of the solder bump 3 and the pressure of the bonding tool 4 are balanced. Then, when the first timer counts t1, that is, when the load control time elapses, the pressing is stopped, and the bonding tool 4 is
It is held in that position. Stopping this pressurization and holding at this position is the first step of position control.

【0014】一方、第2のタイマーがt3をカウントし
た時点、すなわち加熱開始遅延時間経過後、ボンディン
グツール4は半導体チップの加熱を開始する。第1のタ
イマーがt1をリセットし、更にt2をカウントした時
点、すなわち位置制御時間を経過した時点で、ボンディ
ングツール4はあらかじめ設定してあった微小距離上昇
し、該位置で保持される。あらかじめ設定してあった微
小距離は、図3中ツール位置にツールシフト量Dとして
示されている。この微小距離上昇及び該位置での保持が
位置制御の第2段階である。なお、この時も図3のチッ
プ吸着及びツール加熱に示されるようにチップ吸着手段
は働いており(図3中チップ吸着部分ON)、すでに加
熱も行われ半田バンプは溶解している。
On the other hand, when the second timer counts t3, that is, after the heating start delay time has elapsed, the bonding tool 4 starts heating the semiconductor chip. When the first timer resets t1 and further counts t2, that is, when the position control time elapses, the bonding tool 4 rises by a preset small distance and is held at that position. The preset small distance is shown as the tool shift amount D at the tool position in FIG. This minute distance increase and holding at that position is the second stage of position control. At this time as well, the chip suction means is operating as shown by the chip suction and tool heating in FIG. 3 (chip suction portion ON in FIG. 3), and heating has already been performed and the solder bumps have melted.

【0015】第2のタイマーがt3をリセットし、更に
t4をカウントした時点、すなわち加熱時間経過時点で
加熱は停止される。この加熱停止時点でのツール位置は
第2段階の位置制御の状態であるので、半田固定に至る
までの時間に半田バンプは鼓形の接続形状となる。その
後、ボンディングツール4の温度が半田固定温度まで下
がるか、あるいはあらかじめ定めたボンディング終了時
間t5を検知するとボンディングツール4はチップ吸着
を停止し、上昇する。これにより1サイクルのボンディ
ング動作が終了する。
The heating is stopped when the second timer resets t3 and further counts t4, that is, when the heating time elapses. Since the tool position at the time of stopping heating is in the position control state of the second stage, the solder bumps have a drum-shaped connection shape during the time until the solder is fixed. After that, when the temperature of the bonding tool 4 drops to the solder fixing temperature or when a predetermined bonding end time t5 is detected, the bonding tool 4 stops the chip adsorption and rises. This completes the bonding operation for one cycle.

【0016】次に、制御手段の第2実施例につき図4に
従い説明する。この第2実施例はボンディングツール4
の加熱速度が早い場合、すなわち半田バンプが溶けやす
い場合の制御手段であり、ツール位置、接合荷重、チッ
プ吸着に関する制御は第1実施例と同様であるが、ツー
ル加熱制御のみが異なるものである。すなわち、荷重制
御時間t1と加熱開始遅延時間t3とを同じくし、圧力
制御から位置制御に切り替える時点でツール加熱を開始
するものである。加熱開始後の制御は第1実施例と同じ
である。
Next, a second embodiment of the control means will be described with reference to FIG. The second embodiment is a bonding tool 4
Is a control means when the heating speed is fast, that is, when the solder bumps are easily melted. The control regarding the tool position, the bonding load, and the chip adsorption is the same as that of the first embodiment, but only the tool heating control is different. . That is, the load control time t1 and the heating start delay time t3 are the same, and the tool heating is started when the pressure control is switched to the position control. The control after the start of heating is the same as in the first embodiment.

【0017】又、上記制御手段の第1実施例(図3)で
は、スタートポイントが加圧開始点で、圧力制御及び加
熱制御が1段階のものであるが、図5に示す制御手段の
ようにスタートポイントを加圧開始前の任意設定ポイン
トにしても良く、加圧制御及び加熱制御を2段階制御と
することも可能である。
In the first embodiment (FIG. 3) of the control means, the start point is the pressurization start point, and the pressure control and the heating control are in one stage. However, like the control means shown in FIG. In addition, the start point may be an arbitrary set point before the start of pressurization, and the pressurization control and the heating control can be two-step control.

【0018】すなわち、図5の第3実施例は、ボンディ
ング開始信号を受け、ボンディングツール4が、ボンデ
ィング開始の高さ(C点位置)まで下降する。このポイ
ントで第1のタイマー第2のタイマーが作動する。第1
のタイマーがツール下降開始遅延時間t0をカウントし
た後ボンディングツールが再度下降し、荷重制御へと移
行するが、該荷重制御時間をt1−1(1st圧時間)
とt1−2(2nd圧時間)と2段階に設定し、各段階
での接合荷重を変化させることができる。又、加熱制御
においても加熱時間をt4−1(1st加熱時間)とt
4−2(2nd加熱時間)との2段階に設定し、各加熱
段階にて異なる熱量にて加熱制御することも可能であ
る。
That is, in the third embodiment shown in FIG. 5, the bonding tool 4 is lowered to the bonding start height (point C position) in response to the bonding start signal. At this point, the first timer and the second timer are activated. First
After counting the tool descent start delay time t0, the bonding tool descends again and shifts to load control, but the load control time is t1-1 (1st pressure time).
And t1-2 (2nd pressure time) can be set in two stages, and the joining load in each stage can be changed. Also, in the heating control, the heating time is t4-1 (1st heating time) and t
It is also possible to set the temperature in two stages such as 4-2 (2nd heating time), and control heating with different amounts of heat in each heating stage.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明は、如上のように構成されるた
め、次のような効果を発揮する。 従来のボンディング装置では、ボンディングツールに
よる半導体チップに対する加熱と加圧が同時に行われる
ため、溶解した状態の半田バンプを加圧することにな
り、半田が潰れてショートしてしまう。従って、ボンデ
ィング装置に半田バンプが利用できないという難点が存
在したが、本発明によればボンディングツール位置制御
t2の時間内でツール加熱が行なわれるため、溶解した
バンプに接合荷重がかからず半田バンプが潰れてショー
トするおそれが無くなりった。
Since the present invention is constructed as described above, it exhibits the following effects. In the conventional bonding apparatus, since the semiconductor chip is heated and pressed simultaneously by the bonding tool, the solder bumps in a melted state are pressed, and the solder is crushed and short-circuited. Therefore, the solder bumps cannot be used in the bonding apparatus. However, according to the present invention, since the tool heating is performed within the time period of the bonding tool position control t2, the bonding load is not applied to the melted bumps and the solder bumps are not applied. There is no longer a risk of crushing and short-circuiting.

【0020】又、本発明によれば、ボンディングツー
ルのZ軸駆動機構に、ツールシフト量Dを設定できるの
で、半田の溶解後半導体チップを上方へシフトすること
により半田バンプを鼓形に加工することが可能となっ
た。これによりチップと基板の熱膨張率の違いで生じる
応力を緩和することが可能となった。又、チップと基板
の隙間のコントロールも可能で、封止樹脂の進入を容易
ならしめることもできるようになった。
Further, according to the present invention, since the tool shift amount D can be set in the Z-axis drive mechanism of the bonding tool, the solder bump is processed into a drum shape by shifting the semiconductor chip upward after melting the solder. It has become possible. This made it possible to reduce the stress caused by the difference in the coefficient of thermal expansion between the chip and the substrate. In addition, the gap between the chip and the substrate can be controlled, and the sealing resin can be easily introduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】ボンディング装置の部分側面図FIG. 1 is a partial side view of a bonding apparatus.

【図2】ボンディングツールのZ軸駆動機構を示す説明
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a Z-axis drive mechanism of a bonding tool.

【図3】第1実施例を示す制御図FIG. 3 is a control diagram showing the first embodiment.

【図4】第2実施例を示す制御図FIG. 4 is a control diagram showing a second embodiment.

【図5】第3実施例を示す制御図FIG. 5 is a control diagram showing a third embodiment.

【図6】通常のバンプ接続形状を示す説明図FIG. 6 is an explanatory view showing a normal bump connection shape.

【図7】鼓形のバンプ接続形状を示す説明図FIG. 7 is an explanatory diagram showing a drum-shaped bump connection shape.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1.....半導体チップ 2.....基板 3.....バンプ 4.....ボンディングツール 5.....圧力センサ 6.....熱電対 7.....駆動モータ 8.....ボールねじ 9.....ツール取付体 1. . . . . Semiconductor chip 2. . . . . Substrate 3. . . . . Bump 4. . . . . Bonding tool 5. . . . . Pressure sensor 6. . . . . Thermocouple 7. . . . . Drive motor 8. . . . . Ball screw 9. . . . . Tool mounting body

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体チップの吸着手段と半導体チップの
加熱手段を有するボンディングツールとボンディングツ
ールのZ軸駆動手段とを具備するボンディング装置にお
いて、ボンディング動作スタート後ボンディングツール
の半導体チップへの加圧を行なう圧力制御からボンディ
ングツールの加圧停止及び所定微小上昇位置での保持と
いう位置制御への切替手段と該切替時又は切替前に加熱
する手段とを有することを特徴とするボンディング装
置。
1. A bonding apparatus comprising a bonding tool having a semiconductor chip suction means, a semiconductor chip heating means, and a Z-axis driving means for the bonding tool, wherein the bonding tool is pressed against the semiconductor chip after the bonding operation is started. A bonding apparatus comprising: switching means for performing pressure control to stop the pressing of the bonding tool and maintaining the bonding tool at a predetermined minute elevated position; and heating means during or before the switching.
JP6462593A 1993-03-01 1993-03-01 Bonding machine Withdrawn JPH06252211A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007214241A (en) * 2006-02-08 2007-08-23 Sony Corp Method and device for mounting semiconductor chip

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Legal Events

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Effective date: 20000509