JPH06251902A - Ｐｔｃサーミスタ - Google Patents
ＰｔｃサーミスタInfo
- Publication number
- JPH06251902A JPH06251902A JP3594893A JP3594893A JPH06251902A JP H06251902 A JPH06251902 A JP H06251902A JP 3594893 A JP3594893 A JP 3594893A JP 3594893 A JP3594893 A JP 3594893A JP H06251902 A JPH06251902 A JP H06251902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ptc thermistor
- conductor film
- voltage
- resistance
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い電圧が印加された場合でも温度制御を行
うことができる、小型かつ低原価で安全性、信頼性、耐
電圧性、生産性に優れたＰＴＣサーミスタの提供を目的
とする。 【構成】 ＢａＴｉＯ3 系セラミックスからなる円柱ま
たは多角柱状等の素子８と、素子８に被着されＮｉ，Ｚ
ｎ，Ｃｕのうち少なくとも１種以上の金属からなる導体
膜９と、導体膜９の一部を研削して形成された抵抗ギャ
ップと、導体膜９の少なくとも一端に嵌合された金属キ
ャップ４と、導体膜９等を被覆する耐熱性塗料７と、金
属キャップ４に接続され実装時に端子として用いられる
リード線５を備えた構成を有している。
うことができる、小型かつ低原価で安全性、信頼性、耐
電圧性、生産性に優れたＰＴＣサーミスタの提供を目的
とする。 【構成】 ＢａＴｉＯ3 系セラミックスからなる円柱ま
たは多角柱状等の素子８と、素子８に被着されＮｉ，Ｚ
ｎ，Ｃｕのうち少なくとも１種以上の金属からなる導体
膜９と、導体膜９の一部を研削して形成された抵抗ギャ
ップと、導体膜９の少なくとも一端に嵌合された金属キ
ャップ４と、導体膜９等を被覆する耐熱性塗料７と、金
属キャップ４に接続され実装時に端子として用いられる
リード線５を備えた構成を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器の回路等に広く
利用することのできるＰｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒ
ａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ（以下ＰＴＣと略
す）サーミスタに関するものである。
利用することのできるＰｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒ
ａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ（以下ＰＴＣと略
す）サーミスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、テレビ等の電子機器の異常加熱を
出火原因とする火災が相次ぎ、抵抗器等の発熱する電子
部品の安全性が更に求められるようになった。
出火原因とする火災が相次ぎ、抵抗器等の発熱する電子
部品の安全性が更に求められるようになった。
【０００３】従来から使用されている抵抗器としては、
大別して炭素皮膜抵抗器，金属酸化物皮膜抵抗器，金属
皮膜抵抗器が知られており、いずれもアルミナ等からな
る碍子の表面にこれらの薄い抵抗膜を形成し、電極を設
けたものであった。これらの抵抗器の抵抗−温度特性は
約８００℃の高温まであまり変化せず、温度２０℃を基
準とした温度８００℃におけるこれらの抵抗器の抵抗変
化率は±５００％程度である。一方、抵抗器の発熱量は
Ｖ2 ／Ｒで表されるため、抵抗器の発熱量は印加された
電圧の２乗に略比例することとなる。従って、何らかの
原因によってこれらの抵抗器に異常に高い電圧が印加さ
れた場合、抵抗器の温度上昇を防ぐことができず、抵抗
器が高温となってその本体及びその周辺に実装された部
品等を破損することがあった。
大別して炭素皮膜抵抗器，金属酸化物皮膜抵抗器，金属
皮膜抵抗器が知られており、いずれもアルミナ等からな
る碍子の表面にこれらの薄い抵抗膜を形成し、電極を設
けたものであった。これらの抵抗器の抵抗−温度特性は
約８００℃の高温まであまり変化せず、温度２０℃を基
準とした温度８００℃におけるこれらの抵抗器の抵抗変
化率は±５００％程度である。一方、抵抗器の発熱量は
Ｖ2 ／Ｒで表されるため、抵抗器の発熱量は印加された
電圧の２乗に略比例することとなる。従って、何らかの
原因によってこれらの抵抗器に異常に高い電圧が印加さ
れた場合、抵抗器の温度上昇を防ぐことができず、抵抗
器が高温となってその本体及びその周辺に実装された部
品等を破損することがあった。
【０００４】以下に従来の抵抗器について説明する。図
２は従来の抵抗器の断面図である。１は１．７mmφ×
５．５mmｔの円柱形のアルミナ等からなる碍子、２は碍
子１上に８００℃の温度で蒸気析出法（以下ＣＶＤと略
す）等で形成されたＳｎＯ2 皮膜よりなる抵抗膜、３は
抵抗膜２を外側より螺旋状に切削して形成され抵抗器の
抵抗値を所望の値にするための溝部、４は碍子１の両端
の抵抗膜２に嵌合された金属キャップ、５は金属キャッ
プ４に溶接等で配設され実装時に端子として用いられる
リード線、６は抵抗膜２の金属キャップ４との嵌合部以
外の抵抗膜２上に塗着され湿気によるショートを防止す
る耐湿性樹脂、７は抵抗器全体を被覆し抵抗器の耐熱性
を向上させるための耐熱性塗料である。
２は従来の抵抗器の断面図である。１は１．７mmφ×
５．５mmｔの円柱形のアルミナ等からなる碍子、２は碍
子１上に８００℃の温度で蒸気析出法（以下ＣＶＤと略
す）等で形成されたＳｎＯ2 皮膜よりなる抵抗膜、３は
抵抗膜２を外側より螺旋状に切削して形成され抵抗器の
抵抗値を所望の値にするための溝部、４は碍子１の両端
の抵抗膜２に嵌合された金属キャップ、５は金属キャッ
プ４に溶接等で配設され実装時に端子として用いられる
リード線、６は抵抗膜２の金属キャップ４との嵌合部以
外の抵抗膜２上に塗着され湿気によるショートを防止す
る耐湿性樹脂、７は抵抗器全体を被覆し抵抗器の耐熱性
を向上させるための耐熱性塗料である。
【０００５】以上のように構成された従来の抵抗器につ
いて、以下その動作を説明する。従来の抵抗値１０ｋΩ
の抵抗器に電圧を印加していくと、抵抗器に流れる電流
はＶ／Ｒで表されるが、抵抗器の抵抗値がその表面温度
が略８００℃まではあまり変化しないため、電流は電圧
に略比例して増加し、それに伴う発熱によって抵抗器の
表面温度が上昇する。電圧が１００Ｖで抵抗器の表面温
度が１１０℃となり、更に電圧を印加していくと電流が
急激に増加して、抵抗器の表面温度も急激に上昇し、１
７０Ｖで２００℃、２１０Ｖで８００℃となり、更に電
圧を２５０Ｖ印加すると、抵抗膜２が溶断し、抵抗器は
熱破壊された。
いて、以下その動作を説明する。従来の抵抗値１０ｋΩ
の抵抗器に電圧を印加していくと、抵抗器に流れる電流
はＶ／Ｒで表されるが、抵抗器の抵抗値がその表面温度
が略８００℃まではあまり変化しないため、電流は電圧
に略比例して増加し、それに伴う発熱によって抵抗器の
表面温度が上昇する。電圧が１００Ｖで抵抗器の表面温
度が１１０℃となり、更に電圧を印加していくと電流が
急激に増加して、抵抗器の表面温度も急激に上昇し、１
７０Ｖで２００℃、２１０Ｖで８００℃となり、更に電
圧を２５０Ｖ印加すると、抵抗膜２が溶断し、抵抗器は
熱破壊された。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、抵抗器の抵抗値が、その表面温度が室温か
ら略８００℃までの間でほとんど変化しないために、抵
抗器の発熱量が印加された電圧の２乗に略比例し、抵抗
器に異常に高い電圧が印加された場合に、高電力となり
抵抗器の温度制御ができず、抵抗器が過熱して発煙した
り、抵抗器及びその周辺に実装された部品等を破損する
ことがあり安全性、信頼性に欠けるという問題点があっ
た。また、抵抗膜が非常に薄いため、単位断面積当たり
に流すことができる電流密度が小さく高電圧用の抵抗器
を得ることができず、小型化ができないとともに耐電圧
性に欠けるという問題点があった。更に、抵抗膜を形成
するために８００℃の温度でＣＶＤを行わなければなら
ず、原価を上げ生産性に欠けるという問題点があった。
の構成では、抵抗器の抵抗値が、その表面温度が室温か
ら略８００℃までの間でほとんど変化しないために、抵
抗器の発熱量が印加された電圧の２乗に略比例し、抵抗
器に異常に高い電圧が印加された場合に、高電力となり
抵抗器の温度制御ができず、抵抗器が過熱して発煙した
り、抵抗器及びその周辺に実装された部品等を破損する
ことがあり安全性、信頼性に欠けるという問題点があっ
た。また、抵抗膜が非常に薄いため、単位断面積当たり
に流すことができる電流密度が小さく高電圧用の抵抗器
を得ることができず、小型化ができないとともに耐電圧
性に欠けるという問題点があった。更に、抵抗膜を形成
するために８００℃の温度でＣＶＤを行わなければなら
ず、原価を上げ生産性に欠けるという問題点があった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、高い電圧が印加された場合でも温度制御を行うこと
ができる、小型かつ低原価で安全性、信頼性、耐電圧
性、生産性に優れたＰＴＣサーミスタを提供することを
目的とする。
で、高い電圧が印加された場合でも温度制御を行うこと
ができる、小型かつ低原価で安全性、信頼性、耐電圧
性、生産性に優れたＰＴＣサーミスタを提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１のＰＴＣサーミスタは、ＢａＴｉＯ
3 系セラミックスからなる円柱または多角柱状等の素子
と、前記素子に被着されＮｉ，Ｚｎ，Ｃｕのうち少なく
とも１種以上の金属からなる導体膜と、前記導体膜の一
部を研削して形成された抵抗ギャップとを備えた構成を
有しており、請求項２のＰＴＣサーミスタは、請求項１
において、前記ＰＴＣサーミスタの少なくとも一端の前
記導体膜に嵌合された金属キャップと、前記ＰＴＣサー
ミスタを被覆する耐熱性塗料とを備えた構成を有してお
り、請求項３のＰＴＣサーミスタは、請求項２におい
て、前記金属キャップに接続され実装時に端子として用
いられるリード線を備えた構成を有している。
に本発明の請求項１のＰＴＣサーミスタは、ＢａＴｉＯ
3 系セラミックスからなる円柱または多角柱状等の素子
と、前記素子に被着されＮｉ，Ｚｎ，Ｃｕのうち少なく
とも１種以上の金属からなる導体膜と、前記導体膜の一
部を研削して形成された抵抗ギャップとを備えた構成を
有しており、請求項２のＰＴＣサーミスタは、請求項１
において、前記ＰＴＣサーミスタの少なくとも一端の前
記導体膜に嵌合された金属キャップと、前記ＰＴＣサー
ミスタを被覆する耐熱性塗料とを備えた構成を有してお
り、請求項３のＰＴＣサーミスタは、請求項２におい
て、前記金属キャップに接続され実装時に端子として用
いられるリード線を備えた構成を有している。
【０００９】ここで、ＢａＴｉＯ3 系セラミックスとし
ては、ＢａＴｉＯ3 、またはＢａＴｉＯ3 とＳｒＴｉＯ
3 、またはＢａＴｉＯ3 とＢａＳｎＯ3 、またはＢａＴ
ｉＯ 3 とＰｂＴｉＯ3 等の固溶体組成物に、半導体化元
素としてＹ2 Ｏ3 ，Ｎｂ2 Ｏ 5 等を添加し、更にＰＴＣ
発現元素としてＭｎＯ2 等を添加したものが好適に用い
られる。
ては、ＢａＴｉＯ3 、またはＢａＴｉＯ3 とＳｒＴｉＯ
3 、またはＢａＴｉＯ3 とＢａＳｎＯ3 、またはＢａＴ
ｉＯ 3 とＰｂＴｉＯ3 等の固溶体組成物に、半導体化元
素としてＹ2 Ｏ3 ，Ｎｂ2 Ｏ 5 等を添加し、更にＰＴＣ
発現元素としてＭｎＯ2 等を添加したものが好適に用い
られる。
【００１０】
【作用】この構成によって、素子がＢａＴｉＯ3 系セラ
ミックスからなるため、素子の温度が低い間はその抵抗
値が略一定なために印加された電圧に比例してＰＴＣサ
ーミスタを流れる電流が増加するが、この電流による発
熱等のために素子の温度が上昇し、ＰＴＣ領域の開始点
となる抵抗値の立ち上がり温度（以下抵抗上昇点と呼
ぶ）に達すると、抵抗値が急激に上昇するため、電圧を
増加させても逆に電流は減少する。そのため、素子の温
度がＰＴＣ領域にある間は電力が略一定に保たれ、ＰＴ
Ｃサーミスタの温度制御ができ、発煙やＰＴＣサーミス
タ及びその周辺に実装された部品等の破損を防ぐことが
できる。また、電流が流れる素子が十分に太いため、単
位断面積当たりに流すことができる電流密度が大きく高
電圧用のＰＴＣサーミスタを容易に得ることができると
ともに小型化することができる。更に、導体膜をメッキ
等により容易に成型できるので原価を下げることができ
る。また、ＰＴＣサーミスタに金属キャップを嵌合させ
耐熱塗料で被覆することによって、耐熱性や断熱性を向
上させることができる。更に、金属キャップにリード線
を接続することによって、ＰＴＣサーミスタの実装を容
易にすることができる。
ミックスからなるため、素子の温度が低い間はその抵抗
値が略一定なために印加された電圧に比例してＰＴＣサ
ーミスタを流れる電流が増加するが、この電流による発
熱等のために素子の温度が上昇し、ＰＴＣ領域の開始点
となる抵抗値の立ち上がり温度（以下抵抗上昇点と呼
ぶ）に達すると、抵抗値が急激に上昇するため、電圧を
増加させても逆に電流は減少する。そのため、素子の温
度がＰＴＣ領域にある間は電力が略一定に保たれ、ＰＴ
Ｃサーミスタの温度制御ができ、発煙やＰＴＣサーミス
タ及びその周辺に実装された部品等の破損を防ぐことが
できる。また、電流が流れる素子が十分に太いため、単
位断面積当たりに流すことができる電流密度が大きく高
電圧用のＰＴＣサーミスタを容易に得ることができると
ともに小型化することができる。更に、導体膜をメッキ
等により容易に成型できるので原価を下げることができ
る。また、ＰＴＣサーミスタに金属キャップを嵌合させ
耐熱塗料で被覆することによって、耐熱性や断熱性を向
上させることができる。更に、金属キャップにリード線
を接続することによって、ＰＴＣサーミスタの実装を容
易にすることができる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例におけるＰＴＣサーミ
スタについて、図面を参照しながら説明する。図１は本
発明の一実施例におけるＰＴＣサーミスタの断面図であ
る。４は金属キャップ、５はリード線、７は耐熱性塗料
であり、これらは従来例と同様なものなので同一の符号
を付して説明を省略する。８はＢａＴｉＯ3 系セラミッ
クスからなる円柱状の素子、９はＮｉからなり素子８上
の全面にメッキ等で被着されその一部を外周研削して形
成される抵抗ギャップによって分断された導体膜、１０
は導体膜９を分断する抵抗ギャップ部分に塗着され湿気
によるショートを防止する耐湿性樹脂である。
スタについて、図面を参照しながら説明する。図１は本
発明の一実施例におけるＰＴＣサーミスタの断面図であ
る。４は金属キャップ、５はリード線、７は耐熱性塗料
であり、これらは従来例と同様なものなので同一の符号
を付して説明を省略する。８はＢａＴｉＯ3 系セラミッ
クスからなる円柱状の素子、９はＮｉからなり素子８上
の全面にメッキ等で被着されその一部を外周研削して形
成される抵抗ギャップによって分断された導体膜、１０
は導体膜９を分断する抵抗ギャップ部分に塗着され湿気
によるショートを防止する耐湿性樹脂である。
【００１２】以上のように構成された本発明の一実施例
におけるＰＴＣサーミスタについて、以下その製造方法
を説明する。まず、組成０．９７ＢａＴｉＯ3 ＋０．０
３ＰｂＴｉＯ3 ＋０．００１Ｎｂ2 Ｏ5 ＋０．００１Ｍ
ｎＯ2 からなる混合物を、焼成温度１３５０℃，保持時
間１ｈ，昇温速度２００℃／ｈ，降温速度３００℃／ｈ
で焼成して、１．７mmφ×５．５mmｔのＢａＴｉＯ3 系
セラミックスよりなる円柱状の素子８を作製する。次
に、この素子８の全面にＮｉをメッキして導体膜９を被
着させ、その側面の一部を機械的に外周研削し、導体膜
９を分断する抵抗ギャップを形成する。次に、素子８の
両端の導体膜９に外側から金属キャップ４を嵌合し、こ
の金属キャップ４にリード線５を溶接する。次に、導体
膜９を分断する抵抗ギャップ部分に耐湿性樹脂１０を塗
着する。次に、ＰＴＣサーミスタ全体を外側から耐熱性
塗料７を焼付塗装することで被覆する。
におけるＰＴＣサーミスタについて、以下その製造方法
を説明する。まず、組成０．９７ＢａＴｉＯ3 ＋０．０
３ＰｂＴｉＯ3 ＋０．００１Ｎｂ2 Ｏ5 ＋０．００１Ｍ
ｎＯ2 からなる混合物を、焼成温度１３５０℃，保持時
間１ｈ，昇温速度２００℃／ｈ，降温速度３００℃／ｈ
で焼成して、１．７mmφ×５．５mmｔのＢａＴｉＯ3 系
セラミックスよりなる円柱状の素子８を作製する。次
に、この素子８の全面にＮｉをメッキして導体膜９を被
着させ、その側面の一部を機械的に外周研削し、導体膜
９を分断する抵抗ギャップを形成する。次に、素子８の
両端の導体膜９に外側から金属キャップ４を嵌合し、こ
の金属キャップ４にリード線５を溶接する。次に、導体
膜９を分断する抵抗ギャップ部分に耐湿性樹脂１０を塗
着する。次に、ＰＴＣサーミスタ全体を外側から耐熱性
塗料７を焼付塗装することで被覆する。
【００１３】以上のように製造された本発明の一実施例
におけるＰＴＣサーミスタと、従来の抵抗器について性
能比較試験を行った。以下その結果について説明する。
におけるＰＴＣサーミスタと、従来の抵抗器について性
能比較試験を行った。以下その結果について説明する。
【００１４】（実験例）実験例として、図１に示すよう
な本発明の一実施例におけるＰＴＣサーミスタのうち、
素子８が１．７mmφ×５．５mmｔの円柱状で、その抵抗
値が１ｋΩ、ＰＴＣ領域の開始点である抵抗上昇点が１
４０℃、ＰＴＣ領域の終了点が２３０℃、この間の抵抗
値上昇幅が６．５桁であるものを用いた。
な本発明の一実施例におけるＰＴＣサーミスタのうち、
素子８が１．７mmφ×５．５mmｔの円柱状で、その抵抗
値が１ｋΩ、ＰＴＣ領域の開始点である抵抗上昇点が１
４０℃、ＰＴＣ領域の終了点が２３０℃、この間の抵抗
値上昇幅が６．５桁であるものを用いた。
【００１５】（比較例）比較例として、図２に示すよう
な従来の抵抗器のうち、碍子１が１．７mmφ×５．５mm
ｔの円柱状で、その抵抗値が１ｋΩである金属酸化物皮
膜抵抗器を用いた。
な従来の抵抗器のうち、碍子１が１．７mmφ×５．５mm
ｔの円柱状で、その抵抗値が１ｋΩである金属酸化物皮
膜抵抗器を用いた。
【００１６】実験例に対して直流電圧を印加していく
と、低電圧時には電圧に略比例して電流が増加し、それ
に伴う発熱によって実験例の表面温度も徐々に上昇す
る。しかし、電圧を１７０Ｖへ上げると、実験例の表面
温度が抵抗上昇点である１４０℃へ達して抵抗値が急激
に上昇するために、これ以上電圧を上げても、実験例に
表面温度がＰＴＣ領域にある限り、電流は逆に減少して
いき、発熱量は低く制御される。実験例の表面温度がＰ
ＴＣ領域の終了点である２３０℃に達するのは、約２３
００Ｖの電圧を印加したときであった。従って実験例の
耐電圧は略２３００Ｖと見なされる。
と、低電圧時には電圧に略比例して電流が増加し、それ
に伴う発熱によって実験例の表面温度も徐々に上昇す
る。しかし、電圧を１７０Ｖへ上げると、実験例の表面
温度が抵抗上昇点である１４０℃へ達して抵抗値が急激
に上昇するために、これ以上電圧を上げても、実験例に
表面温度がＰＴＣ領域にある限り、電流は逆に減少して
いき、発熱量は低く制御される。実験例の表面温度がＰ
ＴＣ領域の終了点である２３０℃に達するのは、約２３
００Ｖの電圧を印加したときであった。従って実験例の
耐電圧は略２３００Ｖと見なされる。
【００１７】一方、比較例に対して実験例と同様に電圧
を印加していくと、低電圧時には電圧に略比例して電流
が増加し、それに伴う発熱によって比較例の表面温度も
徐々に上昇し、電圧を１５０Ｖに上げたときに、比較例
の表面温度は１５０℃となる。しかし、これ以上電圧を
上昇させると、比較例の表面温度は急激に上昇し、電圧
を１８０Ｖへ上げたときに、比較例の表面温度は８００
℃の高温となり、これ以降発煙等が生じる。従って比較
例の耐電圧は略１５０Ｖと見なされる。
を印加していくと、低電圧時には電圧に略比例して電流
が増加し、それに伴う発熱によって比較例の表面温度も
徐々に上昇し、電圧を１５０Ｖに上げたときに、比較例
の表面温度は１５０℃となる。しかし、これ以上電圧を
上昇させると、比較例の表面温度は急激に上昇し、電圧
を１８０Ｖへ上げたときに、比較例の表面温度は８００
℃の高温となり、これ以降発煙等が生じる。従って比較
例の耐電圧は略１５０Ｖと見なされる。
【００１８】以上のようにして、実験例は比較例に対し
て約１５倍の耐電圧を有することがわかった。また、実
験例では抵抗上昇点を１４０℃としているが、これは素
子８中のＰｂＴｉＯ3 の添加量を変更したり、ＳｒＴｉ
Ｏ3 等を添加することによって、約３０℃〜約３００℃
の間の所望の値に設定することができる。
て約１５倍の耐電圧を有することがわかった。また、実
験例では抵抗上昇点を１４０℃としているが、これは素
子８中のＰｂＴｉＯ3 の添加量を変更したり、ＳｒＴｉ
Ｏ3 等を添加することによって、約３０℃〜約３００℃
の間の所望の値に設定することができる。
【００１９】尚、本実施例においては、ＰＴＣサーミス
タに金属キャップ４，リード線５，耐熱性塗料７を配設
しているが、これらはなくともよい。また、導体膜９を
Ｎｉにより形成しているが、この他に、Ｚｎ，Ｃｕある
いはこれらの２種以上を用いてもよい。更に、素子８の
形状を円柱にしているが、多角柱等他の形状にしてもよ
く、筒状に形成すると放熱効率が上昇するため好まし
い。
タに金属キャップ４，リード線５，耐熱性塗料７を配設
しているが、これらはなくともよい。また、導体膜９を
Ｎｉにより形成しているが、この他に、Ｚｎ，Ｃｕある
いはこれらの２種以上を用いてもよい。更に、素子８の
形状を円柱にしているが、多角柱等他の形状にしてもよ
く、筒状に形成すると放熱効率が上昇するため好まし
い。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明は、素子をＢａＴｉ
Ｏ3 系セラミックスとし、これに電流を流すことによ
り、大きな電圧が印加された場合でもＰＴＣサーミスタ
の温度制御ができ、発煙やＰＴＣサーミスタ及びその周
辺に実装された部品等の破損を防ぐことができ、また、
電流が流れる素子が十分に太いため、単位断面積当たり
に流すことができる電流密度が大きく、高電圧用のＰＴ
Ｃサーミスタを容易に得ることができ、導体膜をメッキ
等により容易に成型できるので原価を下げることがで
き、また素子の組成を変えることによって、抵抗上昇点
を所望の温度に設定することができ、また、ＰＴＣサー
ミスタに金属キャップを嵌合させ耐熱性塗料で被覆する
ことによって、耐熱性を向上させることができ、更に、
金属キャップにリード線を接続することによって、ＰＴ
Ｃサーミスタの実装を容易に行うことができる小型かつ
低原価で安全性、信頼性、耐電圧性、生産性、汎用性、
耐熱性、作業性に優れたＰＴＣサーミスタを実現できる
ものである。
Ｏ3 系セラミックスとし、これに電流を流すことによ
り、大きな電圧が印加された場合でもＰＴＣサーミスタ
の温度制御ができ、発煙やＰＴＣサーミスタ及びその周
辺に実装された部品等の破損を防ぐことができ、また、
電流が流れる素子が十分に太いため、単位断面積当たり
に流すことができる電流密度が大きく、高電圧用のＰＴ
Ｃサーミスタを容易に得ることができ、導体膜をメッキ
等により容易に成型できるので原価を下げることがで
き、また素子の組成を変えることによって、抵抗上昇点
を所望の温度に設定することができ、また、ＰＴＣサー
ミスタに金属キャップを嵌合させ耐熱性塗料で被覆する
ことによって、耐熱性を向上させることができ、更に、
金属キャップにリード線を接続することによって、ＰＴ
Ｃサーミスタの実装を容易に行うことができる小型かつ
低原価で安全性、信頼性、耐電圧性、生産性、汎用性、
耐熱性、作業性に優れたＰＴＣサーミスタを実現できる
ものである。
【図１】本発明の一実施例におけるＰＴＣサーミスタの
断面図
断面図
【図２】従来の抵抗器の断面図
１ 碍子 ２ 抵抗膜 ３ 溝部 ４ 金属キャップ ５ リード線 ６，１０ 耐湿性樹脂 ７ 耐熱性塗料 ８ 素子 ９ 導体膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多木 宏光 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】ＢａＴｉＯ3 系セラミックスからなる円柱
または多角柱状等の素子と、前記素子に被着されＮｉ，
Ｚｎ，Ｃｕのうち少なくとも１種以上の金属からなる導
体膜と、前記導体膜の一部を研削して形成された抵抗ギ
ャップとを備えたことを特徴とするＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項２】前記ＰＴＣサーミスタの少なくとも一端の
前記導体膜に嵌合された金属キャップと、前記ＰＴＣサ
ーミスタを被覆する耐熱性塗料とを備えたことを特徴と
する請求項１に記載されたＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項３】前記金属キャップに接続され実装時に端子
として用いられるリード線を備えたことを特徴とする請
求項２に記載されたＰＴＣサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3594893A JPH06251902A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | Ｐｔｃサーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3594893A JPH06251902A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | Ｐｔｃサーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251902A true JPH06251902A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12456217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3594893A Pending JPH06251902A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | Ｐｔｃサーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06251902A (ja) |
-
1993
- 1993-02-25 JP JP3594893A patent/JPH06251902A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3214719A (en) | Thermistor device | |
| JP3768621B2 (ja) | 保護素子の使用方法 | |
| JPH06251902A (ja) | Ｐｔｃサーミスタ | |
| KR20090030127A (ko) | 칩형 퓨즈 저항기 | |
| JPH10116549A (ja) | 保護素子及びその使用方法 | |
| JP2001189229A (ja) | コンデンサ | |
| JP2003229303A (ja) | 電圧非直線性抵抗器及びその製造方法 | |
| JP2020521334A (ja) | フェイルセーフ素子付き電気部品 | |
| JPH05335111A (ja) | Ｐｔｃサーミスタ抵抗器 | |
| US3218594A (en) | Electrical resistor | |
| US2434492A (en) | Electric coil | |
| JPH0992430A (ja) | サージ吸収素子 | |
| JPH025504A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| US1014437A (en) | Electric heater. | |
| KR100324582B1 (ko) | 관통형 구조의 정특성 서미스터 및 그 제조 방법 | |
| JPH025505A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPH07272904A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JPH05275204A (ja) | 正特性サーミスタ装置 | |
| JPH0631102U (ja) | 不燃性バリスタ | |
| JPH08306507A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JP3306114B2 (ja) | セラミックｐｔｃへの導体の固定方法 | |
| JPH07297008A (ja) | 正特性サーミスタおよびこれを用いたサーミスタ装置 | |
| JPH10270145A (ja) | 放電ギャップ素子およびサージ防護デバイス | |
| JPH11353940A (ja) | 厚膜導電材料および負特性サーミスタ | |
| JP2004006517A (ja) | 多端子バリスタ |