JPH08306507A - 正特性サーミスタ - Google Patents
正特性サーミスタInfo
- Publication number
- JPH08306507A JPH08306507A JP10660295A JP10660295A JPH08306507A JP H08306507 A JPH08306507 A JP H08306507A JP 10660295 A JP10660295 A JP 10660295A JP 10660295 A JP10660295 A JP 10660295A JP H08306507 A JPH08306507 A JP H08306507A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- coefficient thermistor
- positive temperature
- main component
- layer electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体磁器１の両主表面上に、アルミニウム
を主成分とする第１層電極２と、この第１層電極２上
に、ニッケルを主成分とする第２層電極３と、この第２
層電極３上に、銀を主成分とする第３層電極４とを設け
る。 【効果】 鉛を多く含有したキュリー点の高い半導体磁
器１であっても、経時変化における抵抗変化率の増加が
小さい信頼性の高い正特性サーミスタとすることができ
る。
を主成分とする第１層電極２と、この第１層電極２上
に、ニッケルを主成分とする第２層電極３と、この第２
層電極３上に、銀を主成分とする第３層電極４とを設け
る。 【効果】 鉛を多く含有したキュリー点の高い半導体磁
器１であっても、経時変化における抵抗変化率の増加が
小さい信頼性の高い正特性サーミスタとすることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、過電流防止用素子、発
熱体用素子などに使用される正特性サーミスタに関する
ものである。
熱体用素子などに使用される正特性サーミスタに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】チタン酸バリウムを主成分とした正特性
サーミスタは、自己温度制御機能を有する発熱体として
知られている。通常、正特性の開始温度（以下、キュリ
ー点と称する）は、１２０℃付近であるが、チタン酸バ
リウムのバリウムの一部をストロンチウムに置換した
り、或いは、チタンの一部をスズに置換したりしてキュ
リー点が１２０℃より低温度側に移動すること、また、
バリウムの一部を鉛で置換するとキュリー点が１２０℃
よりも高温度側に移動することがドイツ特許第９２９３
５０号明細書に開示されている。
サーミスタは、自己温度制御機能を有する発熱体として
知られている。通常、正特性の開始温度（以下、キュリ
ー点と称する）は、１２０℃付近であるが、チタン酸バ
リウムのバリウムの一部をストロンチウムに置換した
り、或いは、チタンの一部をスズに置換したりしてキュ
リー点が１２０℃より低温度側に移動すること、また、
バリウムの一部を鉛で置換するとキュリー点が１２０℃
よりも高温度側に移動することがドイツ特許第９２９３
５０号明細書に開示されている。
【０００３】正特性サーミスタを発熱体として用いる場
合、発熱温度を高くすることが求められる。そのため、
チタン酸バリウムの鉛の含有量を多くすればキュリー点
が高くなり発熱体として利用できる。
合、発熱温度を高くすることが求められる。そのため、
チタン酸バリウムの鉛の含有量を多くすればキュリー点
が高くなり発熱体として利用できる。
【０００４】しかし、鉛の含有量を増加させた正特性サ
ーミスタは、室温と発熱温度との間で温度変化が繰り返
される経時変化における電気抵抗変化率が大きくなり、
発熱体としての信頼性が低下するという問題を有してい
た。
ーミスタは、室温と発熱温度との間で温度変化が繰り返
される経時変化における電気抵抗変化率が大きくなり、
発熱体としての信頼性が低下するという問題を有してい
た。
【０００５】このような問題を解決するために、従来か
ら様々な対策が講じられてきた。例えば、鉛を含有する
チタン酸バリウムにおいて、そのチタンの一部をスズで
置換して、これにＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 を添加する方法
が特公昭５２−２５５５８号公報に開示されている。ま
た、鉛を含有するチタン酸バリウムにおいて、バリウム
の一部をマグネシウムで置換する方法も特開昭５９−１
３３０１号公報に開示されている。
ら様々な対策が講じられてきた。例えば、鉛を含有する
チタン酸バリウムにおいて、そのチタンの一部をスズで
置換して、これにＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 を添加する方法
が特公昭５２−２５５５８号公報に開示されている。ま
た、鉛を含有するチタン酸バリウムにおいて、バリウム
の一部をマグネシウムで置換する方法も特開昭５９−１
３３０１号公報に開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、特公昭５２
−２５５５８号公報の方法は、鉛の含有量が最大で２０
モル％であり、キュリー点をさらに高温側に移動させる
ために、鉛の含有量が２０モル％を越えると経時変化に
おける抵抗変化率の増加が３０％以上となり、発熱体と
しての信頼性が低くなるという問題を生じている。
−２５５５８号公報の方法は、鉛の含有量が最大で２０
モル％であり、キュリー点をさらに高温側に移動させる
ために、鉛の含有量が２０モル％を越えると経時変化に
おける抵抗変化率の増加が３０％以上となり、発熱体と
しての信頼性が低くなるという問題を生じている。
【０００７】また、特開昭５９−１３３０１号公報の方
法においても、鉛の含有量が２０モル％（キュリー点２
０９℃）のもので経時変化における抵抗変化率の増加が
２０〜２５％、さらに、鉛の含有量が３０モル％（キュ
リー点２５５℃）を越えると経時変化における抵抗変化
率の増加が３０〜４０％となり、発熱体としての信頼性
が低くなるという問題を生じている。
法においても、鉛の含有量が２０モル％（キュリー点２
０９℃）のもので経時変化における抵抗変化率の増加が
２０〜２５％、さらに、鉛の含有量が３０モル％（キュ
リー点２５５℃）を越えると経時変化における抵抗変化
率の増加が３０〜４０％となり、発熱体としての信頼性
が低くなるという問題を生じている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の正特性サーミスタは、前記正特性サーミ
スタの両主表面上に、アルミニウムを主成分とする第１
層電極と、この第１層電極上に、ニッケルを主成分とす
る第２層電極と、この第２層電極上に、銀を主成分とす
る第３層電極とを有することを特徴としている。
めに、本発明の正特性サーミスタは、前記正特性サーミ
スタの両主表面上に、アルミニウムを主成分とする第１
層電極と、この第１層電極上に、ニッケルを主成分とす
る第２層電極と、この第２層電極上に、銀を主成分とす
る第３層電極とを有することを特徴としている。
【０００９】
【作用】本発明の構成によれば、このように第１層電
極、第２層電極および第３層電極を正特性サーミスタの
両主表面上に有することにより、前述した経時変化にお
ける抵抗変化率の増加が小さい信頼性の高い正特性サー
ミスタとすることができる。
極、第２層電極および第３層電極を正特性サーミスタの
両主表面上に有することにより、前述した経時変化にお
ける抵抗変化率の増加が小さい信頼性の高い正特性サー
ミスタとすることができる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例を図１ないし図３に基づい
て以下に説明する。正特性サーミスタは、図１に示すよ
うに、チタン酸バリウム系の半導体磁器（正特性サーミ
スタ素子）１、正特性サーミスタ素子の両主表面上に、
アルミニウム系の第１層電極２、ニッケル系の第２層電
極３および銀系の第３層電極４を有している。
て以下に説明する。正特性サーミスタは、図１に示すよ
うに、チタン酸バリウム系の半導体磁器（正特性サーミ
スタ素子）１、正特性サーミスタ素子の両主表面上に、
アルミニウム系の第１層電極２、ニッケル系の第２層電
極３および銀系の第３層電極４を有している。
【００１１】次に、上記正特性サーミスタの製造方法に
ついて説明する。市販のＰＴＣ仮焼粉（東邦チタニウム
社製ＴＧ２７、組成は、バリウム、鉛、ストロンチウ
ム、チタン、マンガンおよびシリコンであり、鉛の含有
量は、３５モル％）を１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で直
径約１９ｍｍ、厚さ約２．４ｍｍの円盤状の成形体に加
圧成形したあと、これを１８０℃／ｈｒの昇温速度で１
２２０〜１２５０℃まで加熱して１５分〜２時間この温
度に保持し、続いて２１０℃／ｈｒの割合で室温まで冷
却し、直径約１５．５ｍｍ、厚さ約２．０ｍｍの上記半
導体磁器１が得られた。上記半導体磁器１の両主表面に
オーミックコンタクト性を有する銀電極をそれぞれ焼き
付けて形成し、上記半導体磁器１の抵抗−温度特性を調
べたところ図２に示すような特性が得られ、実測したキ
ュリー点は、２６２℃であった。また、上記両主表面と
は、半導体磁器１における各電極を形成するに適した面
であり、例えば、円盤状の半導体磁器１における互いに
平行な両端面である。
ついて説明する。市販のＰＴＣ仮焼粉（東邦チタニウム
社製ＴＧ２７、組成は、バリウム、鉛、ストロンチウ
ム、チタン、マンガンおよびシリコンであり、鉛の含有
量は、３５モル％）を１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で直
径約１９ｍｍ、厚さ約２．４ｍｍの円盤状の成形体に加
圧成形したあと、これを１８０℃／ｈｒの昇温速度で１
２２０〜１２５０℃まで加熱して１５分〜２時間この温
度に保持し、続いて２１０℃／ｈｒの割合で室温まで冷
却し、直径約１５．５ｍｍ、厚さ約２．０ｍｍの上記半
導体磁器１が得られた。上記半導体磁器１の両主表面に
オーミックコンタクト性を有する銀電極をそれぞれ焼き
付けて形成し、上記半導体磁器１の抵抗−温度特性を調
べたところ図２に示すような特性が得られ、実測したキ
ュリー点は、２６２℃であった。また、上記両主表面と
は、半導体磁器１における各電極を形成するに適した面
であり、例えば、円盤状の半導体磁器１における互いに
平行な両端面である。
【００１２】前記半導体磁器１の両主表面上に、硼珪酸
鉛等のガラス粉末を５〜１０重量％、アルミニウムを９
０〜９５重量％および塗布時の粘性を付与するための有
機溶剤を少量含有したアルミニウムを主成分とするオー
ミックコンタクト性を有する電極ペーストを塗布し、６
５０℃で５分間焼付けし第１層電極２を形成する。
鉛等のガラス粉末を５〜１０重量％、アルミニウムを９
０〜９５重量％および塗布時の粘性を付与するための有
機溶剤を少量含有したアルミニウムを主成分とするオー
ミックコンタクト性を有する電極ペーストを塗布し、６
５０℃で５分間焼付けし第１層電極２を形成する。
【００１３】この第１層電極２上に、硼珪酸鉛等のガラ
ス粉末を５〜１０重量％、ニッケルを９０〜９５重量％
および塗布時の粘性を付与するための有機溶剤を少量含
有したニッケルを主成分とする電極ペーストを塗布し、
６５０℃で５分間焼付けし第２層電極３を形成する。
ス粉末を５〜１０重量％、ニッケルを９０〜９５重量％
および塗布時の粘性を付与するための有機溶剤を少量含
有したニッケルを主成分とする電極ペーストを塗布し、
６５０℃で５分間焼付けし第２層電極３を形成する。
【００１４】更に、第２層電極３上に、硼珪酸鉛等のガ
ラス粉末を５〜１０重量％、銀を９０〜９５重量％およ
び塗布時の粘性を付与するための有機溶剤を少量含有し
た銀を主成分とする電極ペーストを塗布し、５６０℃で
５分間焼付けし第３層電極４を形成する。
ラス粉末を５〜１０重量％、銀を９０〜９５重量％およ
び塗布時の粘性を付与するための有機溶剤を少量含有し
た銀を主成分とする電極ペーストを塗布し、５６０℃で
５分間焼付けし第３層電極４を形成する。
【００１５】上記有機溶剤としては、粘性を付与でき、
かつ、各電極の形成を阻害しないものであればよく、例
えば、エタノール等のアルコール類を挙げることができ
る。
かつ、各電極の形成を阻害しないものであればよく、例
えば、エタノール等のアルコール類を挙げることができ
る。
【００１６】次に、前記半導体磁器１にアルミニウム、
ニッケルおよび銀を主成分とする上記各電極を形成した
正特性サーミスタについて、断続寿命試験を行ない、上
記正特性サーミスタの経時変化における抵抗変化率を調
べた。その結果、本実施例の正特性サーミスタでは、１
００００サイクルの断続寿命試験終了時の抵抗変化率は
７．７％である。尚、抵抗変化率における正の数値は、
抵抗の増加を示す。
ニッケルおよび銀を主成分とする上記各電極を形成した
正特性サーミスタについて、断続寿命試験を行ない、上
記正特性サーミスタの経時変化における抵抗変化率を調
べた。その結果、本実施例の正特性サーミスタでは、１
００００サイクルの断続寿命試験終了時の抵抗変化率は
７．７％である。尚、抵抗変化率における正の数値は、
抵抗の増加を示す。
【００１７】上記断続寿命試験とは、交流電圧１００ボ
ルトを１０分間印可して耐電圧試験を行ない、この素子
を初期材料として交流電圧１００ボルトを１分間ＯＮ
し、次の５分間ＯＦＦするサイクルを繰り返す試験であ
る。また、抵抗変化率は、前記断続寿命試験を任意サイ
クル繰り返したあとの抵抗の室温時のそれに対する変化
率である。
ルトを１０分間印可して耐電圧試験を行ない、この素子
を初期材料として交流電圧１００ボルトを１分間ＯＮ
し、次の５分間ＯＦＦするサイクルを繰り返す試験であ
る。また、抵抗変化率は、前記断続寿命試験を任意サイ
クル繰り返したあとの抵抗の室温時のそれに対する変化
率である。
【００１８】次に、本発明の効果を説明するために、半
導体磁器１に対する電極材料を代えた比較例１〜３につ
いて説明する。 〔比較例１〕前記半導体磁器１の両主表面上に、硼珪酸
鉛等のガラス粉末を５〜１０重量％、アルミニウムを９
０〜９５重量％および塗布時の粘性を付与するための有
機溶剤を少量含有したアルミニウムを主成分とするオー
ミックコンタクト性を有する電極ペーストを塗布し、６
５０℃で５分間焼付けし電極を形成して、正特性サーミ
スタを得た。この正特性サーミスタは、断続寿命試験に
おいて、２５０サイクルで破壊された。
導体磁器１に対する電極材料を代えた比較例１〜３につ
いて説明する。 〔比較例１〕前記半導体磁器１の両主表面上に、硼珪酸
鉛等のガラス粉末を５〜１０重量％、アルミニウムを９
０〜９５重量％および塗布時の粘性を付与するための有
機溶剤を少量含有したアルミニウムを主成分とするオー
ミックコンタクト性を有する電極ペーストを塗布し、６
５０℃で５分間焼付けし電極を形成して、正特性サーミ
スタを得た。この正特性サーミスタは、断続寿命試験に
おいて、２５０サイクルで破壊された。
【００１９】〔比較例２〕前記半導体磁器１の両主表面
上に、硼珪酸鉛等のガラス粉末を５〜１０重量％、ニッ
ケルを９０〜９５重量％および塗布時の粘性を付与する
ための有機溶剤を少量含有したニッケルを主成分とする
オーミックコンタクト性を有する電極ペーストを塗布
し、６５０℃で５分間焼付けし電極を形成した後、この
電極上に、硼珪酸鉛等のガラス粉末を５〜１０重量％、
銀を９０〜９５重量％および塗布時の粘性を付与するた
めの有機溶剤を少量含有した銀を主成分とする電極ペー
ストを塗布し、５６０℃で５分間焼付けし電極を形成し
て、正特性サーミスタを得た。この正特性サーミスタ
は、１００００サイクルの断続寿命試験終了時の抵抗変
化率は３１％であった。
上に、硼珪酸鉛等のガラス粉末を５〜１０重量％、ニッ
ケルを９０〜９５重量％および塗布時の粘性を付与する
ための有機溶剤を少量含有したニッケルを主成分とする
オーミックコンタクト性を有する電極ペーストを塗布
し、６５０℃で５分間焼付けし電極を形成した後、この
電極上に、硼珪酸鉛等のガラス粉末を５〜１０重量％、
銀を９０〜９５重量％および塗布時の粘性を付与するた
めの有機溶剤を少量含有した銀を主成分とする電極ペー
ストを塗布し、５６０℃で５分間焼付けし電極を形成し
て、正特性サーミスタを得た。この正特性サーミスタ
は、１００００サイクルの断続寿命試験終了時の抵抗変
化率は３１％であった。
【００２０】〔比較例３〕前記半導体磁器１の両主表面
上に、硼珪酸鉛等のガラス粉末を５〜１０重量％、銀を
９０〜９５重量％および塗布時の粘性を付与するための
有機溶剤を少量含有した銀を主成分とするオーミックコ
ンタクト性を有する電極ペーストを塗布し、５６０℃で
５分間焼付けし電極を形成した後、この電極上に同一成
分の電極ぺーストを塗布し、５６０℃で５分間焼付けし
電極を形成して、正特性サーミスタを得た。この正特性
サーミスタでは、１００００サイクルの断続寿命試験終
了時の抵抗変化率は１２．１％であった。
上に、硼珪酸鉛等のガラス粉末を５〜１０重量％、銀を
９０〜９５重量％および塗布時の粘性を付与するための
有機溶剤を少量含有した銀を主成分とするオーミックコ
ンタクト性を有する電極ペーストを塗布し、５６０℃で
５分間焼付けし電極を形成した後、この電極上に同一成
分の電極ぺーストを塗布し、５６０℃で５分間焼付けし
電極を形成して、正特性サーミスタを得た。この正特性
サーミスタでは、１００００サイクルの断続寿命試験終
了時の抵抗変化率は１２．１％であった。
【００２１】本実施例、比較例１、比較例２および比較
例３の各正特性サーミスタの断続寿命試験における経時
変化の抵抗変化率を測定した結果を図３に示した。ま
た、同図の曲線ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ、本実
施例、比較例１、比較例２および比較例３に示した各正
特性サーミスタの経時変化を示す。
例３の各正特性サーミスタの断続寿命試験における経時
変化の抵抗変化率を測定した結果を図３に示した。ま
た、同図の曲線ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ、本実
施例、比較例１、比較例２および比較例３に示した各正
特性サーミスタの経時変化を示す。
【００２２】このように、上記実施例の構成では、鉛の
含有量を３０〜４０モル％、例えば３５モル％含有させ
て、キュリー点を２６０℃以上に設定したものであって
も、温度変化を繰り返す経時変化における抵抗変化率の
増加が抑制されているので、経時的に用いた際でも、発
熱体として信頼できるものとなっている。
含有量を３０〜４０モル％、例えば３５モル％含有させ
て、キュリー点を２６０℃以上に設定したものであって
も、温度変化を繰り返す経時変化における抵抗変化率の
増加が抑制されているので、経時的に用いた際でも、発
熱体として信頼できるものとなっている。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明の正特性サーミス
タ素子は、正特性サーミスタ素子の両主表面上に、アル
ミニウムを主成分とする第１層電極と、この第１層電極
上に、ニッケルを主成分とする第２層電極と、この第２
層電極上に、銀を主成分とする第３層電極とを有する構
成である。
タ素子は、正特性サーミスタ素子の両主表面上に、アル
ミニウムを主成分とする第１層電極と、この第１層電極
上に、ニッケルを主成分とする第２層電極と、この第２
層電極上に、銀を主成分とする第３層電極とを有する構
成である。
【００２４】これにより、上記構成では、このような３
層の電極を用いることにより、経時変化における抵抗変
化率の増加を極めて小さくでき、経時的に用いた際の信
頼性を向上できるという効果を奏する。
層の電極を用いることにより、経時変化における抵抗変
化率の増加を極めて小さくでき、経時的に用いた際の信
頼性を向上できるという効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例における正特性サーミスタの
断面図である。
断面図である。
【図２】本実施例および各比較例で用いた半導体磁器の
抵抗−温度特性を示すグラフである。
抵抗−温度特性を示すグラフである。
【図３】電極の構成が異なる正特性サーミスタの断続寿
命試験サイクル数−抵抗変化率特性を示すグラフであ
る。
命試験サイクル数−抵抗変化率特性を示すグラフであ
る。
１ 半導体磁器（正特性サーミスタ素子） ２ 第１層電極 ３ 第２層電極 ４ 第３層電極
Claims (1)
- 【請求項１】正特性サーミスタ素子の両主表面上に、ア
ルミニウムを主成分とする第１層電極と、この第１層電
極上に、ニッケルを主成分とする第２層電極と、この第
２層電極上に、銀を主成分とする第３層電極とを有する
ことを特徴とする正特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10660295A JPH08306507A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10660295A JPH08306507A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 正特性サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306507A true JPH08306507A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14437685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10660295A Pending JPH08306507A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08306507A (ja) |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP10660295A patent/JPH08306507A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04118901A (ja) | 正特性サーミスタおよびその製造方法 | |
| JP2000150204A (ja) | Ｎｔｃサーミスタ及びチップ型ｎｔｃサーミスタ | |
| SE432097B (sv) | Sintrad kropp av halvledande keramikmaterial, forfarande for tillverkning av kroppen samt en anvendning av kroppen | |
| JP3391325B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPS644321B2 (ja) | ||
| JPH08306507A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JP3554786B2 (ja) | 半導体セラミック、消磁用正特性サーミスタ、消磁回路、および半導体セラミックの製造方法 | |
| JPS6255281B2 (ja) | ||
| JP3333441B2 (ja) | 半導体チタン酸バリウム膜の成膜方法およびｐｔｃ薄膜層からなるヒーターミラーへの応用と製造方法 | |
| JP2699716B2 (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
| JP2985527B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JP3166784B2 (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
| JPS6322444B2 (ja) | ||
| JPH0258306A (ja) | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 | |
| JP3841238B2 (ja) | 正特性サーミスタ材料の製造方法 | |
| JPH11353940A (ja) | 厚膜導電材料および負特性サーミスタ | |
| JPH04299803A (ja) | 正特性サーミスタおよびその製造方法 | |
| JPH07272904A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JP2679065B2 (ja) | 半導体磁器物質 | |
| JPH04206603A (ja) | 正特性サーミスタの製造方法 | |
| JPH0476201B2 (ja) | ||
| JPH0478101A (ja) | チタン酸バリウム系正特性サーミスタ及びその製造方法 | |
| JP2813761B2 (ja) | 正特性サーミスタの製造方法 | |
| JPH0538801U (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
| JPH02302001A (ja) | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040517 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040525 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041005 |