JPH06248241A - 複合接着シ−トの製造法 - Google Patents
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- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
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- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードフレーム、金属板、セラミック板、有機
配線板等の被着体上に接着可能な複合シートの製造法を
提供する。 【構成】４、４’−ジアミノ−３、３’、５、５’−テ
トライソプロピルジフェニルメタン（ＩＰＤＤＭ）と
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）ビスフェノー
ルＡビストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）反応させ
てポリアミド酸を合成し、得られたポリアミド酸のワニ
スに無水酢酸及びピリジンを加え、反応させてポリイミ
ドを合成し、ポリイミドのＮＭＰワニスをプラズマ処理
したユーピレックスＳフィルム上に塗布した後、１００
℃で１０分、さらに３００℃で１０分乾燥して複合シー
トを得た。この複合シートを４２アロイに重ねて３５０
℃、３ＭＰａで５秒押し付けた後、９０度引き剥がし強
さを測定したところ、０．８ｋＮ／ｍであった。 【効果】この複合シートを用いて図１のように半導体チ
ップをパッケージした後、８５℃、８５％ＲＨの条件で
４８ｈ吸湿処理した後、２６０℃のはんだ浴につけたが
クラックは発生しなかった。
配線板等の被着体上に接着可能な複合シートの製造法を
提供する。 【構成】４、４’−ジアミノ−３、３’、５、５’−テ
トライソプロピルジフェニルメタン（ＩＰＤＤＭ）と
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）ビスフェノー
ルＡビストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）反応させ
てポリアミド酸を合成し、得られたポリアミド酸のワニ
スに無水酢酸及びピリジンを加え、反応させてポリイミ
ドを合成し、ポリイミドのＮＭＰワニスをプラズマ処理
したユーピレックスＳフィルム上に塗布した後、１００
℃で１０分、さらに３００℃で１０分乾燥して複合シー
トを得た。この複合シートを４２アロイに重ねて３５０
℃、３ＭＰａで５秒押し付けた後、９０度引き剥がし強
さを測定したところ、０．８ｋＮ／ｍであった。 【効果】この複合シートを用いて図１のように半導体チ
ップをパッケージした後、８５℃、８５％ＲＨの条件で
４８ｈ吸湿処理した後、２６０℃のはんだ浴につけたが
クラックは発生しなかった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレーム、金属
板、セラミック板、有機配線板等の被着体上に接着可能
な複合シートの製造法に関する。特に本発明は、耐熱性
が優れ、吸水率の低い、半導体チップなどの接着に適し
た複合シートの製造法に関する。
板、セラミック板、有機配線板等の被着体上に接着可能
な複合シートの製造法に関する。特に本発明は、耐熱性
が優れ、吸水率の低い、半導体チップなどの接着に適し
た複合シートの製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体用リードフレームとチップ
の接続にはエポキシ系の熱硬化性接着剤や耐熱性ホット
メルト接着剤が使用されていた。近年、チップが大きく
なるにつれ、パッケージ中に占めるチップの割合が高く
なってきた。そのため接着剤や封止材が吸湿した場合、
はんだ接続時の熱により吸湿された水分が膨張し、その
結果パッケージにクラックが生じる現象が多発するよう
になった。この現象を防止するためには、接着剤の低吸
湿化とはんだ接続時の温度に耐えられるように高耐熱化
が必要である。
の接続にはエポキシ系の熱硬化性接着剤や耐熱性ホット
メルト接着剤が使用されていた。近年、チップが大きく
なるにつれ、パッケージ中に占めるチップの割合が高く
なってきた。そのため接着剤や封止材が吸湿した場合、
はんだ接続時の熱により吸湿された水分が膨張し、その
結果パッケージにクラックが生じる現象が多発するよう
になった。この現象を防止するためには、接着剤の低吸
湿化とはんだ接続時の温度に耐えられるように高耐熱化
が必要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は吸湿率が低
く、耐熱性が高い接着剤層を有する複合シートを提供す
るものである。
く、耐熱性が高い接着剤層を有する複合シートを提供す
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第一の発明は、
表面処理した耐熱フィルムの片面または両面に、一般式
が化１または化２で表わされる構成単位を含み、ガラス
転移温度が２５０℃以上となるポリアミド酸またはポリ
イミドのワニスを塗布した後加熱して接着剤層を形成さ
せることを特徴とする複合接着シ−トの製造法である。
表面処理した耐熱フィルムの片面または両面に、一般式
が化１または化２で表わされる構成単位を含み、ガラス
転移温度が２５０℃以上となるポリアミド酸またはポリ
イミドのワニスを塗布した後加熱して接着剤層を形成さ
せることを特徴とする複合接着シ−トの製造法である。
【０００５】
【化９】
【０００６】
【化１０】
【０００７】〔化９、化１０において、Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ独立に水素もしくは炭素数１〜４の
アルキル基またはアルコキシ基であってこれらのうち少
なくとも２個以上はアルキル基またはアルコキシ基であ
り、Ｒ5 は水素または炭素数１〜４のアルキル基であ
り、Ｘは−ＣＨ2 −、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｏ−、−Ｓ
Ｏ２−、−ＣＯ−または−ＮＨＣＯ−で表わされる基で
あり、Ａｒ１ は４価の芳香族基である。〕
Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ独立に水素もしくは炭素数１〜４の
アルキル基またはアルコキシ基であってこれらのうち少
なくとも２個以上はアルキル基またはアルコキシ基であ
り、Ｒ5 は水素または炭素数１〜４のアルキル基であ
り、Ｘは−ＣＨ2 −、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｏ−、−Ｓ
Ｏ２−、−ＣＯ−または−ＮＨＣＯ−で表わされる基で
あり、Ａｒ１ は４価の芳香族基である。〕
【０００８】本発明の第二の発明は、表面処理した耐熱
フィルムの片面または両面に、一般式が化３で表わされ
る構成単位を含む耐熱性樹脂のワニスを塗布した後加熱
して接着剤層を形成させるものであって、接着剤層の樹
脂は化４、化５、化６、化７、化８の芳香族基に連結す
る基の１０〜９０モル％がアミド基でありかつガラス転
移温度が２５０℃以上のものであることを特徴とする複
合接着シ−トの製造法である。
フィルムの片面または両面に、一般式が化３で表わされ
る構成単位を含む耐熱性樹脂のワニスを塗布した後加熱
して接着剤層を形成させるものであって、接着剤層の樹
脂は化４、化５、化６、化７、化８の芳香族基に連結す
る基の１０〜９０モル％がアミド基でありかつガラス転
移温度が２５０℃以上のものであることを特徴とする複
合接着シ−トの製造法である。
【０００９】
【化１１】
【００１０】〔化１１において、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9は
それぞれ独立に水素もしくは炭素数１〜４のアルキル基
またはアルコキシ基であってこれらのうち少なくとも２
個以上はアルキル基またはアルコキシ基であり、Ｘは−
ＣＨ2 −、−Ｃ（ＣＨ3 ）2−、−Ｏ−、−ＳＯ2 −、
−ＣＯ−または−ＮＨＣＯ−で表わされる基であり、Ｚ
は化１２、化１３、化１４、化１５、化１６
それぞれ独立に水素もしくは炭素数１〜４のアルキル基
またはアルコキシ基であってこれらのうち少なくとも２
個以上はアルキル基またはアルコキシ基であり、Ｘは−
ＣＨ2 −、−Ｃ（ＣＨ3 ）2−、−Ｏ−、−ＳＯ2 −、
−ＣＯ−または−ＮＨＣＯ−で表わされる基であり、Ｚ
は化１２、化１３、化１４、化１５、化１６
【００１１】
【化１２】
【００１２】
【化１３】
【００１３】
【化１４】
【００１４】
【化１５】
【００１５】
【化１６】
【００１６】（化１２、化１３、化１４、化１５、化１
６においてＡｒ2 は２〜４価の芳香族基、Ｒ10は水素ま
たは炭素数１〜４のアルキル基である。）で表わされる
基である。］
６においてＡｒ2 は２〜４価の芳香族基、Ｒ10は水素ま
たは炭素数１〜４のアルキル基である。）で表わされる
基である。］
【００１７】第一の発明について説明する。第一の発明
において用いられる接着剤は、一般式が化１７または化
１８で表わされる構成単位を含み、ガラス転移温度が２
５０℃以上となるポリアミド酸またはポリイミドのワニ
スより形成される。
において用いられる接着剤は、一般式が化１７または化
１８で表わされる構成単位を含み、ガラス転移温度が２
５０℃以上となるポリアミド酸またはポリイミドのワニ
スより形成される。
【００１８】
【化１７】
【００１９】
【化１８】
【００２０】〔化１７、化１８において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ
3、Ｒ4はそれぞれ独立に水素もしくは炭素数１〜４のア
ルキル基またはアルコキシ基であってこれらのうち少な
くとも２個以上はアルキル基またはアルコキシ基であ
り、Ｒ5 は水素または炭素数１〜４のアルキル基であ
り、Ｘは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2 −、−Ｏ−、−Ｓ
Ｏ2 −、−ＣＯ−または−ＮＨＣＯ−で表わされる基で
あり、Ａｒ1 は４価の芳香族基である。〕
3、Ｒ4はそれぞれ独立に水素もしくは炭素数１〜４のア
ルキル基またはアルコキシ基であってこれらのうち少な
くとも２個以上はアルキル基またはアルコキシ基であ
り、Ｒ5 は水素または炭素数１〜４のアルキル基であ
り、Ｘは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2 −、−Ｏ−、−Ｓ
Ｏ2 −、−ＣＯ−または−ＮＨＣＯ−で表わされる基で
あり、Ａｒ1 は４価の芳香族基である。〕
【００２１】前記のポリアミド酸またはポリイミドは酸
二無水物と一般式が化１９
二無水物と一般式が化１９
【化１９】 〔化１９においてＹはアミノ基またはイソシアネート基
を示し、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14はそれぞれ独立に水素
もしくは炭素数１〜４のアルキル基またはアルコキシ基
をであって、これらのうち少なくとも２個以上はアルキ
ル基またはアルコキシ基であり、Ｘは−ＣＨ2 −、−Ｃ
（ＣＨ3 ）2−、−Ｏ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−または−
ＮＨＣＯ−で表される基である。〕で表されるジアミン
またはジイシシアネートとから合成される。
を示し、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14はそれぞれ独立に水素
もしくは炭素数１〜４のアルキル基またはアルコキシ基
をであって、これらのうち少なくとも２個以上はアルキ
ル基またはアルコキシ基であり、Ｘは−ＣＨ2 −、−Ｃ
（ＣＨ3 ）2−、−Ｏ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−または−
ＮＨＣＯ−で表される基である。〕で表されるジアミン
またはジイシシアネートとから合成される。
【００２２】化１９で表される化合物のうちＹがアミノ
基であるものとしては４，４’−ジアミノ−３，３’，
５，５’−テトラメチルジフェニルメタン、４，４’−
ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチルジフェニ
ルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−
テトラｎ−プロピルジフェニルメタン、４，４’−ジア
ミノ−３，３’，５，５’−テトライソプロピルジフェ
ニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’
−テトラブチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
−３，３’−ジメチル−５，５’−ジエチルジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−
５，５’−ジイソプロピルジフェニルメタン、４，４’
−ジアミノ−３，３’−ジエチル−５，５’−ジイソプ
ロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，５
−ジメチル−３’，５’−ジエチルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，５−ジメチル−３’，５’−
ジイソプロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
−３，５−ジエチル−３’，５’−ジイソプロピルジフ
ェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，５−ジエチル
−３’，５’−ジブチルジフェニルメタン、４，４’−
ジアミノ−３，５−ジイソプロピル−３’，５’−ジブ
チルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’
−ジイソプロピル−５，５’−ジブチルジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−５，
５’−ジブチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
−３，３’−ジエチル−５，５’−ジブチルジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフ
ェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチ
ルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−
ジｎ−プロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
−３，３’−ジイソプロピルジフェニルメタン、４，
４’−ジアミノ−３，３’−ジブチルジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５−トリメチルジ
フェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５−
トリエチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３，３’，５−トリｎ−プロピルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，３’，５−トリイソプロピル
ジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５
−トリブチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３−メチル−３’−エチルジフェニルメタン、４，４’
−ジアミノ−３−メチル−３’−イソプロピルジフェニ
ルメタン、４，４’−ジアミノ−３−エチル−３’−イ
ソプロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３
−エチル−３’−ブチルジフェニルメタン、４，４’−
ジアミノ−３−イソプロピル−３’−ブチルジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（３，
３’，５，５’−テトラメチルジフェニル）イソプロパ
ン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（３，３’，
５，５’−テトラエチルジフェニル）イソプロパン、
４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（３，３’，５，
５’−テトラｎ−プロピルジフェニル）イソプロパン、
４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（３，３’，５，
５’−テトライソプロピルジフェニル）イソプロパン、
４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（３，３’，５，
５’−テトラブチルジフェニル）イソプロパン、４，
４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラメチルジ
フェニルエーテル、４，４’−ジアミノ−３，３’，
５，５’−テトラエチルジフェニルエーテル、４，４’
−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラｎ−プロピル
ジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノ−３，３’，
５，５’−テトライソプロピルジフェニルエーテル、
４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラブチ
ルジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラメチルジフェニルスルホン、
４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチ
ルジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラｎ−プロピルジフェニルスルホ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラ
イソプロピルジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ
−３，３’，５，５’−テトラブチルジフェニルスルホ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラ
メチルジフェニルケトン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラエチルジフェニルケトン、４，
４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラｎ−プロ
ピルジフェニルケトン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトライソプロピルジフェニルケト
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラ
ブチルジフェニルケトン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラメチルベンズアニリド、４，
４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチルベ
ンズアニリド、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，
５’−テトラｎ−プロピルベンズアニリド、４，４’−
ジアミノ−３，３’，５，５’−テトライソプロピルベ
ンズアニリド、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，
５’−テトラブチルベンズアニリド等がある。
基であるものとしては４，４’−ジアミノ−３，３’，
５，５’−テトラメチルジフェニルメタン、４，４’−
ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチルジフェニ
ルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−
テトラｎ−プロピルジフェニルメタン、４，４’−ジア
ミノ−３，３’，５，５’−テトライソプロピルジフェ
ニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’
−テトラブチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
−３，３’−ジメチル−５，５’−ジエチルジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−
５，５’−ジイソプロピルジフェニルメタン、４，４’
−ジアミノ−３，３’−ジエチル−５，５’−ジイソプ
ロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，５
−ジメチル−３’，５’−ジエチルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，５−ジメチル−３’，５’−
ジイソプロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
−３，５−ジエチル−３’，５’−ジイソプロピルジフ
ェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，５−ジエチル
−３’，５’−ジブチルジフェニルメタン、４，４’−
ジアミノ−３，５−ジイソプロピル−３’，５’−ジブ
チルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’
−ジイソプロピル−５，５’−ジブチルジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−５，
５’−ジブチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
−３，３’−ジエチル−５，５’−ジブチルジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフ
ェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチ
ルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−
ジｎ−プロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
−３，３’−ジイソプロピルジフェニルメタン、４，
４’−ジアミノ−３，３’−ジブチルジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５−トリメチルジ
フェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５−
トリエチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３，３’，５−トリｎ−プロピルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，３’，５−トリイソプロピル
ジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５
−トリブチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３−メチル−３’−エチルジフェニルメタン、４，４’
−ジアミノ−３−メチル−３’−イソプロピルジフェニ
ルメタン、４，４’−ジアミノ−３−エチル−３’−イ
ソプロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３
−エチル−３’−ブチルジフェニルメタン、４，４’−
ジアミノ−３−イソプロピル−３’−ブチルジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（３，
３’，５，５’−テトラメチルジフェニル）イソプロパ
ン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（３，３’，
５，５’−テトラエチルジフェニル）イソプロパン、
４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（３，３’，５，
５’−テトラｎ−プロピルジフェニル）イソプロパン、
４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（３，３’，５，
５’−テトライソプロピルジフェニル）イソプロパン、
４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（３，３’，５，
５’−テトラブチルジフェニル）イソプロパン、４，
４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラメチルジ
フェニルエーテル、４，４’−ジアミノ−３，３’，
５，５’−テトラエチルジフェニルエーテル、４，４’
−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラｎ−プロピル
ジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノ−３，３’，
５，５’−テトライソプロピルジフェニルエーテル、
４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラブチ
ルジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラメチルジフェニルスルホン、
４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチ
ルジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラｎ−プロピルジフェニルスルホ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラ
イソプロピルジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ
−３，３’，５，５’−テトラブチルジフェニルスルホ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラ
メチルジフェニルケトン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラエチルジフェニルケトン、４，
４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラｎ−プロ
ピルジフェニルケトン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトライソプロピルジフェニルケト
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラ
ブチルジフェニルケトン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラメチルベンズアニリド、４，
４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチルベ
ンズアニリド、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，
５’−テトラｎ−プロピルベンズアニリド、４，４’−
ジアミノ−３，３’，５，５’−テトライソプロピルベ
ンズアニリド、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，
５’−テトラブチルベンズアニリド等がある。
【００２２】前記の化１９で表される化合物のうち、Ｙ
がイソシアネート基であるものとしては、上記に例示し
たジアミンにおいて、アミノ基をイソシアネート基に換
えたものを例示することができる。化１９で表されるジ
アミンと併用するジアミンとしては、パラフェニレンジ
アミン、メタフェニレンジアミン、メタトルイレンジア
ミン、４、４’ージアミノジフェニルエーテル（ＤＤ
Ｅ）、４、４’ージアミノジフェニルメタン、４、４’
ージアミノジフェニルスルホン、３、３’ージアミノジ
フェニルスルホン、４、４’ージアミノベンゾフェノ
ン、３、３’ージアミノベンゾフェノン、１、４ービス
（４ーアミノクミル）ベンゼン（ＢＡＰ），１、３ービ
ス（４ーアミノクミル）ベンゼン，１、３ービス（３ー
アミノフェノキシ）ベンゼン、１、４ービス（３ーアミ
ノフェノキシ）ベンゼン、１、４ービス（４ーアミノフ
ェノキシ）ベンゼン、２、２ービス［４ー（４ーアミノ
フェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、２、２
ービス［４ー（３ーアミノフェノキシ）フェニル］プロ
パン、ビス［４ー（３ーアミノフェノキシ）フェニル］
スルホン（ｍーＡＰＰＳ）、ビス［４ー（４ーアミノフ
ェノキシ）フェニル］スルホン，２、２ービス［４ー
（４ーアミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプ
ロパン、および化２０で表されるシロキサンジアミンが
ある。
がイソシアネート基であるものとしては、上記に例示し
たジアミンにおいて、アミノ基をイソシアネート基に換
えたものを例示することができる。化１９で表されるジ
アミンと併用するジアミンとしては、パラフェニレンジ
アミン、メタフェニレンジアミン、メタトルイレンジア
ミン、４、４’ージアミノジフェニルエーテル（ＤＤ
Ｅ）、４、４’ージアミノジフェニルメタン、４、４’
ージアミノジフェニルスルホン、３、３’ージアミノジ
フェニルスルホン、４、４’ージアミノベンゾフェノ
ン、３、３’ージアミノベンゾフェノン、１、４ービス
（４ーアミノクミル）ベンゼン（ＢＡＰ），１、３ービ
ス（４ーアミノクミル）ベンゼン，１、３ービス（３ー
アミノフェノキシ）ベンゼン、１、４ービス（３ーアミ
ノフェノキシ）ベンゼン、１、４ービス（４ーアミノフ
ェノキシ）ベンゼン、２、２ービス［４ー（４ーアミノ
フェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、２、２
ービス［４ー（３ーアミノフェノキシ）フェニル］プロ
パン、ビス［４ー（３ーアミノフェノキシ）フェニル］
スルホン（ｍーＡＰＰＳ）、ビス［４ー（４ーアミノフ
ェノキシ）フェニル］スルホン，２、２ービス［４ー
（４ーアミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプ
ロパン、および化２０で表されるシロキサンジアミンが
ある。
【００２３】
【化２０】 〔化２０においてＲ15およびＲ18は２価の有機基、Ｒ16
およびＲ17は１価の有機基であり、ｍは１〜１００の整
数である。〕
およびＲ17は１価の有機基であり、ｍは１〜１００の整
数である。〕
【００２４】化２０中のＲ15およびＲ19としてはそれぞ
れ独立にトリメチレン基、テトラメチレン基、フェニレ
ン基、トルイレン基等があり、Ｒ16およびＲ17としては
それぞれ独立にメチル基、エチル基、フェニル基等があ
り、複数個のＲ16および複数個のＲ17はそれぞれ同一で
も異なっていても良い。化２０のシロキサンジアミンに
おいて、Ｒ1 およびＲ4 がどちらもトリメチレン基であ
り、Ｒ2 およびＲ3 がどちらもメチル基である場合に、
ｍが１のもの、平均１０前後のもの、平均２０前後のも
の、平均３０前後のもの、平均５０前後のものおよび平
均１００前後のものは、それぞれＬＰー７１００、Ｘー
２２ー１６１ＡＳ，Ｘー２２ー１６１Ａ、Ｘー２２ー１
６１Ｂ、Ｘー２２ー１６１ＣおよびＸー２２ー１６１Ｅ
（いずれも信越化学工業株式会社商品名）として市販さ
れている。
れ独立にトリメチレン基、テトラメチレン基、フェニレ
ン基、トルイレン基等があり、Ｒ16およびＲ17としては
それぞれ独立にメチル基、エチル基、フェニル基等があ
り、複数個のＲ16および複数個のＲ17はそれぞれ同一で
も異なっていても良い。化２０のシロキサンジアミンに
おいて、Ｒ1 およびＲ4 がどちらもトリメチレン基であ
り、Ｒ2 およびＲ3 がどちらもメチル基である場合に、
ｍが１のもの、平均１０前後のもの、平均２０前後のも
の、平均３０前後のもの、平均５０前後のものおよび平
均１００前後のものは、それぞれＬＰー７１００、Ｘー
２２ー１６１ＡＳ，Ｘー２２ー１６１Ａ、Ｘー２２ー１
６１Ｂ、Ｘー２２ー１６１ＣおよびＸー２２ー１６１Ｅ
（いずれも信越化学工業株式会社商品名）として市販さ
れている。
【００２５】酸無水物としては、ピロメッリット酸二無
水物、３、３’、４、４’ーベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３、３’、４、４’ービ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２、２ービスフタ
ル酸ヘキサフルオロイソプロピリデン二無水物、ビス
（３、４ージカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
ビス（３、４ージカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、４、４’ービス（３、４ージカルボキシフェノキ
シ）ジフェニルスルホン二無水物、２、２ービス［４ー
（３、４ージカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパ
ン二無水物、エチレングリコールビストリメリテート二
無水物（ＥＢＴＡ）、デカメチレングリコールビストリ
メリテート二無水物（ＤＢＴＡ）、ビスフェノールＡビ
ストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ），２、２ービス
［４ー（３、４ージカルボキシフェニルベンゾイルオキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、４、
４’ー［１、４ーフェニレンビス（１ーメチルエチリデ
ン）］ビスフェニルビストリメリテート二無水物等が使
用される。
水物、３、３’、４、４’ーベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３、３’、４、４’ービ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２、２ービスフタ
ル酸ヘキサフルオロイソプロピリデン二無水物、ビス
（３、４ージカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
ビス（３、４ージカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、４、４’ービス（３、４ージカルボキシフェノキ
シ）ジフェニルスルホン二無水物、２、２ービス［４ー
（３、４ージカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパ
ン二無水物、エチレングリコールビストリメリテート二
無水物（ＥＢＴＡ）、デカメチレングリコールビストリ
メリテート二無水物（ＤＢＴＡ）、ビスフェノールＡビ
ストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ），２、２ービス
［４ー（３、４ージカルボキシフェニルベンゾイルオキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、４、
４’ー［１、４ーフェニレンビス（１ーメチルエチリデ
ン）］ビスフェニルビストリメリテート二無水物等が使
用される。
【００２６】これらのジアミン、酸無水物のなかから、
得られるポリイミドのＴｇが２５０℃以上になるように
モノマーを適宜選択する。ポリイミドはポリアミド酸の
熱または化学閉環によって得られる。本発明において用
いられるワニスは必ずしも１００％イミド化されていな
くても良いが、完全にイミド化されていることが望まし
い。
得られるポリイミドのＴｇが２５０℃以上になるように
モノマーを適宜選択する。ポリイミドはポリアミド酸の
熱または化学閉環によって得られる。本発明において用
いられるワニスは必ずしも１００％イミド化されていな
くても良いが、完全にイミド化されていることが望まし
い。
【００２７】本発明において用いられる耐熱フィルム
は、ポリイミド、ポリアミドや、ポリサルフォン、ポリ
フェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリアリレートなどのエンジニアリングプラスチッ
ク等のフィルムが挙げられるが、ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）、吸水率、熱膨張係数の点からポリイミドフィルム
が好ましい。Ｔｇが２５０℃以上、吸水率が２％以下、
熱膨張係数が３ｘ１０−５℃−１以下のフィルムが特に
好ましい。耐熱フィルムは接着剤との接着力を増すため
に表面処理が必要である。表面処理の方法としては、ア
ルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サ
ンドブラスト等の物理処理、プラズマ処理、コロナ処理
等のいずれの処理も使用可能であるが、接着剤の種類に
応じて最も適した処理を用いればよい。本発明の接着剤
については、化学処理またはプラズマ処理が特に適して
いる。接着剤はポリイミド単独でも良いし、ポリイミド
とポリマレイミドとの混合物、あるいは更にエポキシ樹
脂や硬化剤、硬化促進剤などを添加して用いても良い。
またセラミック粉、ガラス粉などのフィラーやカップリ
ング剤を添加しても良い。ポリアミド酸ワニスまたはポ
リイミドワニスを耐熱フィルムに塗布する方法は特に制
限はない。ドクターブレードやナイフコーター、ダイコ
ーター等いずれの方法で塗布しても良い。またワニス中
にフィルムを通して塗工しても良いが、厚みの制御が難
しいので好ましくはない。接着剤を塗布したフィルムを
溶剤の除去やイミド化のために熱処理するが、熱処理温
度はポリアミド酸であるかポリイミドであるかで異な
る。ポリアミド酸ワニスの場合にはイミド化させるため
にＴｇ以上の温度が必要であるが、イミドワニスの場合
には溶剤が除去できる温度であればよい。接着剤と耐熱
フィルムの接着力を向上させるためには２５０℃以上の
温度で熱処理することが好ましい。
は、ポリイミド、ポリアミドや、ポリサルフォン、ポリ
フェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリアリレートなどのエンジニアリングプラスチッ
ク等のフィルムが挙げられるが、ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）、吸水率、熱膨張係数の点からポリイミドフィルム
が好ましい。Ｔｇが２５０℃以上、吸水率が２％以下、
熱膨張係数が３ｘ１０−５℃−１以下のフィルムが特に
好ましい。耐熱フィルムは接着剤との接着力を増すため
に表面処理が必要である。表面処理の方法としては、ア
ルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サ
ンドブラスト等の物理処理、プラズマ処理、コロナ処理
等のいずれの処理も使用可能であるが、接着剤の種類に
応じて最も適した処理を用いればよい。本発明の接着剤
については、化学処理またはプラズマ処理が特に適して
いる。接着剤はポリイミド単独でも良いし、ポリイミド
とポリマレイミドとの混合物、あるいは更にエポキシ樹
脂や硬化剤、硬化促進剤などを添加して用いても良い。
またセラミック粉、ガラス粉などのフィラーやカップリ
ング剤を添加しても良い。ポリアミド酸ワニスまたはポ
リイミドワニスを耐熱フィルムに塗布する方法は特に制
限はない。ドクターブレードやナイフコーター、ダイコ
ーター等いずれの方法で塗布しても良い。またワニス中
にフィルムを通して塗工しても良いが、厚みの制御が難
しいので好ましくはない。接着剤を塗布したフィルムを
溶剤の除去やイミド化のために熱処理するが、熱処理温
度はポリアミド酸であるかポリイミドであるかで異な
る。ポリアミド酸ワニスの場合にはイミド化させるため
にＴｇ以上の温度が必要であるが、イミドワニスの場合
には溶剤が除去できる温度であればよい。接着剤と耐熱
フィルムの接着力を向上させるためには２５０℃以上の
温度で熱処理することが好ましい。
【００２８】本発明の第二の発明において用いられる接
着剤は、一般式が化２１で表わされる構成単位を含む耐
熱性樹脂のワニスを耐熱フィルムに塗布した後加熱して
接着剤層を形成させるものであって、接着剤層の樹脂は
化２２、化２３、化２４、化２５、化２６の芳香族基に
連結する基の１０〜９０モル％がアミド基でありかつガ
ラス転移温度が２５０℃以上のものである。
着剤は、一般式が化２１で表わされる構成単位を含む耐
熱性樹脂のワニスを耐熱フィルムに塗布した後加熱して
接着剤層を形成させるものであって、接着剤層の樹脂は
化２２、化２３、化２４、化２５、化２６の芳香族基に
連結する基の１０〜９０モル％がアミド基でありかつガ
ラス転移温度が２５０℃以上のものである。
【００２９】
【化２１】
【００３０】〔化２１において、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ
9 はそれぞれ独立に水素もしくは炭素数１〜４のアルキ
ル基またはアルコキシ基であってこれらのうち少なくと
も２個以上はアルキル基またはアルコキシ基であり、Ｘ
は−ＣＨ2 −、−Ｃ（ＣＨ3）2 −、−Ｏ−、−ＳＯ2
−、−ＣＯ−または−ＮＨＣＯ−で表わされる基であ
り、Ｚは化２２、化２３、化２４、化２５、化２６
9 はそれぞれ独立に水素もしくは炭素数１〜４のアルキ
ル基またはアルコキシ基であってこれらのうち少なくと
も２個以上はアルキル基またはアルコキシ基であり、Ｘ
は−ＣＨ2 −、−Ｃ（ＣＨ3）2 −、−Ｏ−、−ＳＯ2
−、−ＣＯ−または−ＮＨＣＯ−で表わされる基であ
り、Ｚは化２２、化２３、化２４、化２５、化２６
【００３１】
【化２２】
【００３２】
【化２３】
【００３３】
【化２４】
【００３４】
【化２５】
【００３５】
【化２６】
【００３６】（化２２、化２３、化２４、化２５、化２
６においてＡｒ2 は２〜４価の芳香族基、Ｒ10は水素ま
たは炭素数１〜４のアルキル基である。）で表わされる
基である。〕
６においてＡｒ2 は２〜４価の芳香族基、Ｒ10は水素ま
たは炭素数１〜４のアルキル基である。）で表わされる
基である。〕
【００３７】上記の接着剤は酸無水物またはジカルボン
酸またはそのアミド形成性誘導体と化１９で表される第
一の発明で使用されるものと同じジアミンまたはジイシ
シアネートとから合成される。上記ジアミンとは、第一
の発明で化１９で表されるジアミンと併用するジアミン
として例示されたジアミンと同じものが併用される。酸
無水物としては、第一の発明で使用される酸無水物が同
様に使用される。ジカルボン酸またはそのアミド形成性
誘導体としては、テレフタル酸、イソフタル酸、ビフェ
ニルカルボン酸、フタル酸、ナフタレンジカルボン酸、
ジフェニルエーテルジカルボン酸等があり、これらのジ
カルボン酸のアミド形成性誘導体としては、これらのジ
カルボン酸のジクロリド、ジアルキルエステル等があ
る。
酸またはそのアミド形成性誘導体と化１９で表される第
一の発明で使用されるものと同じジアミンまたはジイシ
シアネートとから合成される。上記ジアミンとは、第一
の発明で化１９で表されるジアミンと併用するジアミン
として例示されたジアミンと同じものが併用される。酸
無水物としては、第一の発明で使用される酸無水物が同
様に使用される。ジカルボン酸またはそのアミド形成性
誘導体としては、テレフタル酸、イソフタル酸、ビフェ
ニルカルボン酸、フタル酸、ナフタレンジカルボン酸、
ジフェニルエーテルジカルボン酸等があり、これらのジ
カルボン酸のアミド形成性誘導体としては、これらのジ
カルボン酸のジクロリド、ジアルキルエステル等があ
る。
【００３８】またジアミン、ジカルボン酸の一部をアミ
ノ安息香酸等のアミノカルボン酸で置き換えても良い。
これらのジアミン、酸無水物、ジカルボン酸のなかか
ら、得られる樹脂のＴｇが２５０℃以上になるようにモ
ノマーを適宜選択する。ポリイミドとポリアミドを混合
する場合には混合後の接着剤のＴｇが２５０℃以上にな
れば良い。アミド基は（ａ）〜（ｅ）の基の合計の１０
〜９０モル％であり、好ましくは２０〜７０モル％、よ
り好ましくは３０〜５０モル％である。１０％より少な
いと接着力が小さく、９０％より多いと吸水率が大きく
なる。ポリイミドはポリアミド酸の熱または化学閉環に
よって得られる。本発明において用いられるワニスは必
ずしも１００％イミド化されていなくても良いが、完全
にイミド化されていることが望ましい。接着剤はポリア
ミドイミド単独でも良いし、ポリイミドとポリアミドと
の混合物、あるいは更にエポキシ樹脂や硬化剤、硬化促
進剤などを添加して用いても良い。またセラミック粉、
ガラス粉などのフィラーやカップリング剤を添加しても
良い。
ノ安息香酸等のアミノカルボン酸で置き換えても良い。
これらのジアミン、酸無水物、ジカルボン酸のなかか
ら、得られる樹脂のＴｇが２５０℃以上になるようにモ
ノマーを適宜選択する。ポリイミドとポリアミドを混合
する場合には混合後の接着剤のＴｇが２５０℃以上にな
れば良い。アミド基は（ａ）〜（ｅ）の基の合計の１０
〜９０モル％であり、好ましくは２０〜７０モル％、よ
り好ましくは３０〜５０モル％である。１０％より少な
いと接着力が小さく、９０％より多いと吸水率が大きく
なる。ポリイミドはポリアミド酸の熱または化学閉環に
よって得られる。本発明において用いられるワニスは必
ずしも１００％イミド化されていなくても良いが、完全
にイミド化されていることが望ましい。接着剤はポリア
ミドイミド単独でも良いし、ポリイミドとポリアミドと
の混合物、あるいは更にエポキシ樹脂や硬化剤、硬化促
進剤などを添加して用いても良い。またセラミック粉、
ガラス粉などのフィラーやカップリング剤を添加しても
良い。
【００３９】耐熱性接着剤ワニスを耐熱フィルムに塗布
する方法は特に制限はない。ドクターブレードやナイフ
コーター、ダイコーター等いずれの方法で塗布しても良
い。またワニス中にフィルムを通して塗工しても良い
が、厚みの制御が難しいので好ましくはない。接着剤を
塗布したフィルムを溶剤の除去やイミド化のために熱処
理するが、熱処理温度はポリアミド酸ワニスであるかポ
リイミドワニスであるかで異なる。ポリアミド酸ワニス
の場合にはイミド化させるためにＴｇ以上の温度が必要
であるが、イミドワニスの場合には溶剤が除去できる温
度であれば良い。接着剤と耐熱フィルムの接着力を向上
させるためには２５０℃以上の温度で熱処理することが
好ましい。
する方法は特に制限はない。ドクターブレードやナイフ
コーター、ダイコーター等いずれの方法で塗布しても良
い。またワニス中にフィルムを通して塗工しても良い
が、厚みの制御が難しいので好ましくはない。接着剤を
塗布したフィルムを溶剤の除去やイミド化のために熱処
理するが、熱処理温度はポリアミド酸ワニスであるかポ
リイミドワニスであるかで異なる。ポリアミド酸ワニス
の場合にはイミド化させるためにＴｇ以上の温度が必要
であるが、イミドワニスの場合には溶剤が除去できる温
度であれば良い。接着剤と耐熱フィルムの接着力を向上
させるためには２５０℃以上の温度で熱処理することが
好ましい。
【００４０】以上本発明の第一の発明、第二の発明で得
られた複合接着シートは、リードフレーム、セラミック
板、金属板、金属箔、プラスチックフィルム、プラスチ
ック板、積層板などの被着体に重ねるか、被着体の間に
挟んで接着剤の溶融温度以上の温度で加熱、加圧するこ
とによって接着される。図１は本発明の複合接着シ−ト
によってＬＳＩチップ２とリ−ドフレ−ム３を接着させ
た断面図で、５はワイヤ、６は封止材である。
られた複合接着シートは、リードフレーム、セラミック
板、金属板、金属箔、プラスチックフィルム、プラスチ
ック板、積層板などの被着体に重ねるか、被着体の間に
挟んで接着剤の溶融温度以上の温度で加熱、加圧するこ
とによって接着される。図１は本発明の複合接着シ−ト
によってＬＳＩチップ２とリ−ドフレ−ム３を接着させ
た断面図で、５はワイヤ、６は封止材である。
【００４１】
実施例１ 攪拌機、温度計、窒素ガス導入管、塩化カルシウム管を
備えた四つ口フラスコに、４、４’ージアミノー３、
３’、５、５’ーテトライソプロピルジフェニルメタン
（ＩＰＤＤＭ）３．６６ｇ（１０ミリモル），および
Ｎ，Ｎージメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２８．３ｇを
入れ、溶解した。次に、５℃を越えないように冷却しな
がらビスフェノールＡビストリメリテート二無水物（Ｂ
ＡＢＴ）５．７６ｇ（１０ミリモル）を少しずつ加えた
後、５℃を越えないように冷却しながら１時間、次い
で、室温で６時間反応させてポリアミド酸を合成した。
得られたポリアミド酸のワニスに無水酢酸２．５５ｇお
よびピリジン１．９８ｇを加え、室温で３時間反応させ
てポリイミドを合成した。得られたポリイミドのワニス
を水に注いで得られる沈殿を分離、粉砕、乾燥してポリ
イミド粉末を得た。このポリイミド粉末をＤＭＦに０．
１ｇ／ｄｌの濃度で溶解し、３０℃で測定したときの還
元粘度は０．５７ｄｌ／ｇであった。また、このポリイ
ミド粉末を種々の有機溶剤に５ｗｔ％の濃度になるよう
に添加して室温で溶解状態を観察することによって溶解
性試験を行なった。その結果、該ポリイミド粉末は、Ｄ
ＭＦ、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、塩化メチレ
ン、ジオキサン、ＴＨＦ、トルエンに可溶であった。さ
らに、このポリイミド粉末をＤＭＦに溶解し、得られた
ワニスをガラス板上に流延した。１００℃で１０分乾燥
した後、剥離し、鉄枠にとめて２５０℃で１時間乾燥し
てフィルムを得た。このようにして得られたフィルムを
用いてペネトレーション法により荷重２５ｋｇ／ｃｍ
2 、昇温速度１０℃／分の条件でポリイミドのガラス転
移温度（Ｔｇ）を測定したところ２６１℃であった。熱
分解温度は４０５℃であった。フィルムを２５℃の水中
に２４時間浸漬したときの吸水率は０．３％であった。
また得られたフィルムを１８０度の角度に折り曲げて可
とう性試験を行なったところ、フィルムは割れず良好な
可とう性を示した。ポリミドのＮＭＰワニスをプラズマ
処理したユーピレックスＳフィルム上に塗布した後、１
００℃で１０分、さらに３００℃で１０分乾燥して複合
シートを得た。この複合シートを４２アロイに重ねて３
５０℃、３ＭＰａで５秒おしつけた後、９０度引きはが
し強さを測定したところ、０．８ｋＮ／ｍであった。こ
の複合シートを用いて図１のように半導体チップをパッ
ケージした後、８５℃、８５％ＲＨの条件で４８ｈ吸湿
処理した後、２６０℃のはんだ浴につけたがクラックは
発生しなかった。
備えた四つ口フラスコに、４、４’ージアミノー３、
３’、５、５’ーテトライソプロピルジフェニルメタン
（ＩＰＤＤＭ）３．６６ｇ（１０ミリモル），および
Ｎ，Ｎージメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２８．３ｇを
入れ、溶解した。次に、５℃を越えないように冷却しな
がらビスフェノールＡビストリメリテート二無水物（Ｂ
ＡＢＴ）５．７６ｇ（１０ミリモル）を少しずつ加えた
後、５℃を越えないように冷却しながら１時間、次い
で、室温で６時間反応させてポリアミド酸を合成した。
得られたポリアミド酸のワニスに無水酢酸２．５５ｇお
よびピリジン１．９８ｇを加え、室温で３時間反応させ
てポリイミドを合成した。得られたポリイミドのワニス
を水に注いで得られる沈殿を分離、粉砕、乾燥してポリ
イミド粉末を得た。このポリイミド粉末をＤＭＦに０．
１ｇ／ｄｌの濃度で溶解し、３０℃で測定したときの還
元粘度は０．５７ｄｌ／ｇであった。また、このポリイ
ミド粉末を種々の有機溶剤に５ｗｔ％の濃度になるよう
に添加して室温で溶解状態を観察することによって溶解
性試験を行なった。その結果、該ポリイミド粉末は、Ｄ
ＭＦ、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、塩化メチレ
ン、ジオキサン、ＴＨＦ、トルエンに可溶であった。さ
らに、このポリイミド粉末をＤＭＦに溶解し、得られた
ワニスをガラス板上に流延した。１００℃で１０分乾燥
した後、剥離し、鉄枠にとめて２５０℃で１時間乾燥し
てフィルムを得た。このようにして得られたフィルムを
用いてペネトレーション法により荷重２５ｋｇ／ｃｍ
2 、昇温速度１０℃／分の条件でポリイミドのガラス転
移温度（Ｔｇ）を測定したところ２６１℃であった。熱
分解温度は４０５℃であった。フィルムを２５℃の水中
に２４時間浸漬したときの吸水率は０．３％であった。
また得られたフィルムを１８０度の角度に折り曲げて可
とう性試験を行なったところ、フィルムは割れず良好な
可とう性を示した。ポリミドのＮＭＰワニスをプラズマ
処理したユーピレックスＳフィルム上に塗布した後、１
００℃で１０分、さらに３００℃で１０分乾燥して複合
シートを得た。この複合シートを４２アロイに重ねて３
５０℃、３ＭＰａで５秒おしつけた後、９０度引きはが
し強さを測定したところ、０．８ｋＮ／ｍであった。こ
の複合シートを用いて図１のように半導体チップをパッ
ケージした後、８５℃、８５％ＲＨの条件で４８ｈ吸湿
処理した後、２６０℃のはんだ浴につけたがクラックは
発生しなかった。
【００４２】実施例２ ビス（３、４ージカルボキシフェニル）スルホン二無水
物（ＤＳＤＡ）３．５８ｇ（１０ミリモル）、ＩＰＤＤ
Ｍ １．８３ｇ（５ミリモル）、２、２ービス［４ー
（４ーアミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰ
Ｐ）２．０５ｇ（５ミリモル）を用いる以外は実施例１
と同様にしてポリアミド酸ワニスを得た。このポリアミ
ド酸ワニスを実施例１と同様にしてポリイミド粉末を得
た。還元粘度は１．３９dl/g，Ｔｇは２６８℃、熱分解
温度は４１０℃であった。また吸水率は０．７％であっ
た。上記ポリアミド酸ワニスを用いて、１００℃１０
分、３００℃１５分熱処理する以外は実施例１と同様に
して複合シートを得た。４２アロイとの接着力は１．２
kN/mであり、実施例１と同様にして得た半導体パッケー
ジは吸湿後のはんだ処理によってクラックは発生しなか
った。
物（ＤＳＤＡ）３．５８ｇ（１０ミリモル）、ＩＰＤＤ
Ｍ １．８３ｇ（５ミリモル）、２、２ービス［４ー
（４ーアミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰ
Ｐ）２．０５ｇ（５ミリモル）を用いる以外は実施例１
と同様にしてポリアミド酸ワニスを得た。このポリアミ
ド酸ワニスを実施例１と同様にしてポリイミド粉末を得
た。還元粘度は１．３９dl/g，Ｔｇは２６８℃、熱分解
温度は４１０℃であった。また吸水率は０．７％であっ
た。上記ポリアミド酸ワニスを用いて、１００℃１０
分、３００℃１５分熱処理する以外は実施例１と同様に
して複合シートを得た。４２アロイとの接着力は１．２
kN/mであり、実施例１と同様にして得た半導体パッケー
ジは吸湿後のはんだ処理によってクラックは発生しなか
った。
【００４３】実施例３ ＢＡＢＴのかわりに３、３’、４、４’ーベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）３．２２ｇ
（１０ミリモル）、ＤＭＦのかわりにＮＭＰ２０．６ｇ
を使用する以外は実施例１と同様にしてポリアミド酸ワ
ニスを得た。このワニスにキシレン １０ｇを添加して
１８０℃で５時間加熱してポリイミドワニスを得た。還
元粘度は０．４８dl/g，Ｔｇは３００℃、熱分解温度は
４０５℃であった。また吸水率は１．０％であった。ア
ルカリ処理後、シランカップリング処理したカプトンフ
ィルムに上記ポリイミドワニスを塗布し、１００℃１０
分、２７５℃１０分熱処理して複合シートを得た。４２
アロイとの接着力は０．９２kN/mであり、実施例１と同
様にして得た半導体パッケージは吸湿後のはんだ処理に
よってクラックは発生しなかった。
ンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）３．２２ｇ
（１０ミリモル）、ＤＭＦのかわりにＮＭＰ２０．６ｇ
を使用する以外は実施例１と同様にしてポリアミド酸ワ
ニスを得た。このワニスにキシレン １０ｇを添加して
１８０℃で５時間加熱してポリイミドワニスを得た。還
元粘度は０．４８dl/g，Ｔｇは３００℃、熱分解温度は
４０５℃であった。また吸水率は１．０％であった。ア
ルカリ処理後、シランカップリング処理したカプトンフ
ィルムに上記ポリイミドワニスを塗布し、１００℃１０
分、２７５℃１０分熱処理して複合シートを得た。４２
アロイとの接着力は０．９２kN/mであり、実施例１と同
様にして得た半導体パッケージは吸湿後のはんだ処理に
よってクラックは発生しなかった。
【００４４】実施例４ ＢＡＢＴ ５．７６ｇ（１０ミリモル）、ＩＰＤＤＭ
２．３８ｇ（６．５ミリモル）、メタトルイレンジアミ
ン（ＭＴＤＡ）０．４３ｇ（３．５ミリモル）を用いる
以外は実施例１と同様にしてポリイミド粉末を得た。還
元粘度は０．６１dl/g，Ｔｇは２７５℃、熱分解温度は
４１５℃であった。また吸水率は０．５％であった。上
記ポリミドのＮＭＰワニスをアルカリ処理したユーピレ
ックスＳフィルム上に塗布した後、１００℃で１０分、
さらに３００℃で１０分乾燥して複合シートを得た。４
２アロイとの接着力は０．８５kN/mであり、実施例１と
同様にして得た半導体パッケージは吸湿後のはんだ処理
によってクラックは発生しなかった。
２．３８ｇ（６．５ミリモル）、メタトルイレンジアミ
ン（ＭＴＤＡ）０．４３ｇ（３．５ミリモル）を用いる
以外は実施例１と同様にしてポリイミド粉末を得た。還
元粘度は０．６１dl/g，Ｔｇは２７５℃、熱分解温度は
４１５℃であった。また吸水率は０．５％であった。上
記ポリミドのＮＭＰワニスをアルカリ処理したユーピレ
ックスＳフィルム上に塗布した後、１００℃で１０分、
さらに３００℃で１０分乾燥して複合シートを得た。４
２アロイとの接着力は０．８５kN/mであり、実施例１と
同様にして得た半導体パッケージは吸湿後のはんだ処理
によってクラックは発生しなかった。
【００４５】実施例５ ＤＳＤＡ ３．５８ｇ（１０ミリモル）、ＩＰＤＤＭ
０．９２ｇ（２．５ミリモル）、ＢＡＰＰ ３．０８ｇ
（７．５ミリモル）を用いる以外は実施例３と同様にし
てポリイミド粉末を得た。還元粘度は１．１６dl/g，Ｔ
ｇは２５６℃、熱分解温度は４４０℃であった。また吸
水率は１．２％であった。上記ポリミドのＤＭＡｃワニ
スをプラズマ処理したユーピレックスＳフィルム上に塗
布した後、１００℃で１０分、さらに２５０℃で１０分
乾燥して複合シートを得た。４２アロイとの接着力は
１．３５kN/mであり、実施例１と同様にして得た半導体
パッケージは吸湿後のはんだ処理によってクラックは発
生しなかった。
０．９２ｇ（２．５ミリモル）、ＢＡＰＰ ３．０８ｇ
（７．５ミリモル）を用いる以外は実施例３と同様にし
てポリイミド粉末を得た。還元粘度は１．１６dl/g，Ｔ
ｇは２５６℃、熱分解温度は４４０℃であった。また吸
水率は１．２％であった。上記ポリミドのＤＭＡｃワニ
スをプラズマ処理したユーピレックスＳフィルム上に塗
布した後、１００℃で１０分、さらに２５０℃で１０分
乾燥して複合シートを得た。４２アロイとの接着力は
１．３５kN/mであり、実施例１と同様にして得た半導体
パッケージは吸湿後のはんだ処理によってクラックは発
生しなかった。
【００４６】比較例１ ＤＳＤＡ ３．５８ｇ（１０ミリモル）、ＩＰＤＤＭ
０．５５ｇ（１．５ミリモル）、ｍ−ＡＰＰＳ ３．６
７ｇ（８．５ミリモル）を用いる以外は実施例１と同様
にしてポリイミド粉末を得た。還元粘度は０．６５dl/
g，Ｔｇは２３２℃、熱分解温度は４５５℃であった。
また吸水率は２．２％であった。上記ポリミドのＮＭＰ
ワニスをプラズマ処理したユーピレックスＳフィルム上
に塗布した後、１００℃で１０分、さらに３００℃で１
０分乾燥して複合シートを得た。４２アロイとの接着力
は１．０５kN/mであった。実施例１と同様にして得た半
導体パッケージは吸湿後のはんだ処理によってクラック
が発生した。
０．５５ｇ（１．５ミリモル）、ｍ−ＡＰＰＳ ３．６
７ｇ（８．５ミリモル）を用いる以外は実施例１と同様
にしてポリイミド粉末を得た。還元粘度は０．６５dl/
g，Ｔｇは２３２℃、熱分解温度は４５５℃であった。
また吸水率は２．２％であった。上記ポリミドのＮＭＰ
ワニスをプラズマ処理したユーピレックスＳフィルム上
に塗布した後、１００℃で１０分、さらに３００℃で１
０分乾燥して複合シートを得た。４２アロイとの接着力
は１．０５kN/mであった。実施例１と同様にして得た半
導体パッケージは吸湿後のはんだ処理によってクラック
が発生した。
【００４７】比較例２ ＢＡＰＰ ４．１０ｇ（１０ミリモル）をＤＭＦ ２
４．５ｇに溶解し、トリエチルアミン ２．０２ｇ（２
０ミリモル）を添加した後、５℃以下に冷やしながらイ
ソフタル酸クロリド ２．０３ｇ（１０ミリモル）を少
しづつ添加した。５℃以下で５時間反応した後、実施例
１と同様にしてポリアミド粉末を得た。還元粘度は０．
５０dl/g，Ｔｇは２１９℃、熱分解温度は４２５℃であ
った。また吸水率は２．２％であった。上記ポリミドの
ＮＭＰワニスをプラズマ処理したユーピレックスＳフィ
ルム上に塗布した後、１００℃で１０分、さらに３００
℃で１０分乾燥して複合シートを得た。４２アロイとの
接着力は１．５５kN/mであった。実施例１と同様にして
得た半導体パッケージは吸湿後のはんだ処理によってク
ラックが発生した。
４．５ｇに溶解し、トリエチルアミン ２．０２ｇ（２
０ミリモル）を添加した後、５℃以下に冷やしながらイ
ソフタル酸クロリド ２．０３ｇ（１０ミリモル）を少
しづつ添加した。５℃以下で５時間反応した後、実施例
１と同様にしてポリアミド粉末を得た。還元粘度は０．
５０dl/g，Ｔｇは２１９℃、熱分解温度は４２５℃であ
った。また吸水率は２．２％であった。上記ポリミドの
ＮＭＰワニスをプラズマ処理したユーピレックスＳフィ
ルム上に塗布した後、１００℃で１０分、さらに３００
℃で１０分乾燥して複合シートを得た。４２アロイとの
接着力は１．５５kN/mであった。実施例１と同様にして
得た半導体パッケージは吸湿後のはんだ処理によってク
ラックが発生した。
【００４８】合成例１ 攪拌機、温度計、窒素ガス導入管、塩化カルシウム管を
備えた四つ口フラスコに、４、４’ージアミノー３、
３’、５、５’ーテトライソプロピルジフェニルメタン
（ＩＰＤＤＭ）３．６６ｇ（１０ミリモル），および
Ｎ，Ｎージメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２８．３ｇを
入れ、溶解した。次に、５℃を越えないように冷却しな
がらビスフェノールＡビストリメリテート二無水物（Ｂ
ＡＢＴ）５．７６ｇ（１０ミリモル）を少しずつ加えた
後、５℃を越えないように冷却しながら１時間、次い
で、室温で６時間反応させてポリアミド酸を合成した。
得られたポリアミド酸のワニスに無水酢酸２．５５ｇお
よびピリジン１．９８ｇを加え、室温で３時間反応させ
てポリイミドを合成した。得られたポリイミドのワニス
を水に注いで得られる沈殿を分離、粉砕、乾燥してポリ
イミド粉末を得た。このポリイミド粉末をＤＭＦに０．
１ｇ／ｄｌの濃度で溶解し、３０℃で測定したときの還
元粘度は０．５７ｄｌ／ｇであった。さらに、このポリ
イミド粉末をＤＭＦに溶解し、得られたワニスをガラス
板上に流延した。１００℃で１０分乾燥した後、剥離
し、鉄枠にとめて２５０℃で１時間乾燥してフィルムを
得た。このようにして得られたフィルムを用いてペネト
レーション法により荷重２５ｋｇ／ｃｍ2 、昇温速度１
０℃／分の条件でポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）
を測定したところ２６１℃であった。熱分解温度は４０
５℃であった。フィルムを２５℃の水中に２４時間浸漬
したときの吸水率は０．３％であった。
備えた四つ口フラスコに、４、４’ージアミノー３、
３’、５、５’ーテトライソプロピルジフェニルメタン
（ＩＰＤＤＭ）３．６６ｇ（１０ミリモル），および
Ｎ，Ｎージメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２８．３ｇを
入れ、溶解した。次に、５℃を越えないように冷却しな
がらビスフェノールＡビストリメリテート二無水物（Ｂ
ＡＢＴ）５．７６ｇ（１０ミリモル）を少しずつ加えた
後、５℃を越えないように冷却しながら１時間、次い
で、室温で６時間反応させてポリアミド酸を合成した。
得られたポリアミド酸のワニスに無水酢酸２．５５ｇお
よびピリジン１．９８ｇを加え、室温で３時間反応させ
てポリイミドを合成した。得られたポリイミドのワニス
を水に注いで得られる沈殿を分離、粉砕、乾燥してポリ
イミド粉末を得た。このポリイミド粉末をＤＭＦに０．
１ｇ／ｄｌの濃度で溶解し、３０℃で測定したときの還
元粘度は０．５７ｄｌ／ｇであった。さらに、このポリ
イミド粉末をＤＭＦに溶解し、得られたワニスをガラス
板上に流延した。１００℃で１０分乾燥した後、剥離
し、鉄枠にとめて２５０℃で１時間乾燥してフィルムを
得た。このようにして得られたフィルムを用いてペネト
レーション法により荷重２５ｋｇ／ｃｍ2 、昇温速度１
０℃／分の条件でポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）
を測定したところ２６１℃であった。熱分解温度は４０
５℃であった。フィルムを２５℃の水中に２４時間浸漬
したときの吸水率は０．３％であった。
【００４９】合成例２ ２、２ービス［４ー（４ーアミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン（ＢＡＰＰ）４．１０ｇ（１０ミリモル）
をＤＭＦ２４．５ｇに溶解し、トリエチルアミン２．０
２ｇ（２０ミリモル）を添加した後、５℃以下に冷やし
ながらイソフタル酸クロリド２．０３ｇ（１０ミリモ
ル）を少しづつ添加した。５℃以下で５時間反応した
後、合成例１と同様にしてポリアミド粉末を得た。還元
粘度は０．５０dl/g，Ｔｇは２１９℃、熱分解温度は４
２５℃であった。また吸水率は２．２％であった。
ル］プロパン（ＢＡＰＰ）４．１０ｇ（１０ミリモル）
をＤＭＦ２４．５ｇに溶解し、トリエチルアミン２．０
２ｇ（２０ミリモル）を添加した後、５℃以下に冷やし
ながらイソフタル酸クロリド２．０３ｇ（１０ミリモ
ル）を少しづつ添加した。５℃以下で５時間反応した
後、合成例１と同様にしてポリアミド粉末を得た。還元
粘度は０．５０dl/g，Ｔｇは２１９℃、熱分解温度は４
２５℃であった。また吸水率は２．２％であった。
【００５０】合成例３ ４、４’ージアミノジフェニルスルホン１．７４ｇ（７
ミリモル）、ＢＡＰＰ１．２３ｇ（３ミリモル）をＤＭ
Ｆ２０ｇに溶解し、トリエチルアミン２．０２ｇ（２０
ミリモル）を添加した後、５℃以下に冷やしながらイソ
フタル酸クロリド２．０３ｇ（１０ミリモル）を少しづ
つ添加した。５℃以下で５時間反応した後、合成例１と
同様にしてポリアミド粉末を得た。還元粘度は０．４５
dl/g，Ｔｇは２６０℃、熱分解温度は４３５℃であっ
た。また吸水率は２．５％であった。
ミリモル）、ＢＡＰＰ１．２３ｇ（３ミリモル）をＤＭ
Ｆ２０ｇに溶解し、トリエチルアミン２．０２ｇ（２０
ミリモル）を添加した後、５℃以下に冷やしながらイソ
フタル酸クロリド２．０３ｇ（１０ミリモル）を少しづ
つ添加した。５℃以下で５時間反応した後、合成例１と
同様にしてポリアミド粉末を得た。還元粘度は０．４５
dl/g，Ｔｇは２６０℃、熱分解温度は４３５℃であっ
た。また吸水率は２．５％であった。
【００５１】実施例６ 合成例１のポリイミド８５ｗｔ％と合成例２のポリアミ
ド１５ｗｔ％とを混合したＤＭＦワニスをプラズマ処理
したユーピレックスＳフィルム上に塗布した後、１００
℃で１０分、さらに２５０℃で１０分乾燥して複合シー
トを得た。この複合シートを４２アロイに重ねて３５０
℃、３ＭＰａで５秒おしつけた後、９０度引きはがし強
さを測定したところ、１．２ｋＮ／ｍであった。なお、
ブレンドフィルムのＴｇは２５５℃、吸水率は０．６％
であった。この複合シートを用いて図１のように半導体
チップをパッケージした後、８５℃、８５％ＲＨの条件
で４８ｈ吸湿処理した後、２６０℃のはんだ浴につけた
がクラックは発生しなかった。
ド１５ｗｔ％とを混合したＤＭＦワニスをプラズマ処理
したユーピレックスＳフィルム上に塗布した後、１００
℃で１０分、さらに２５０℃で１０分乾燥して複合シー
トを得た。この複合シートを４２アロイに重ねて３５０
℃、３ＭＰａで５秒おしつけた後、９０度引きはがし強
さを測定したところ、１．２ｋＮ／ｍであった。なお、
ブレンドフィルムのＴｇは２５５℃、吸水率は０．６％
であった。この複合シートを用いて図１のように半導体
チップをパッケージした後、８５℃、８５％ＲＨの条件
で４８ｈ吸湿処理した後、２６０℃のはんだ浴につけた
がクラックは発生しなかった。
【００５２】比較例３ 合成例２のポリアミドのＤＭＦワニスを実施例１と同様
にして複合シートを得た。４２アロイとの接着力は１．
５５kN/mであった。実施例１と同様にして得た半導体パ
ッケージは吸湿後のはんだ処理によってクラックが発生
した。
にして複合シートを得た。４２アロイとの接着力は１．
５５kN/mであった。実施例１と同様にして得た半導体パ
ッケージは吸湿後のはんだ処理によってクラックが発生
した。
【００５３】比較例４ 合成例１のポリイミドのＤＭＦワニスを実施例１と同様
にして複合シートを得た。しかしユーピレックスフィル
ムとの接着力が弱く、ときどき剥離する場合があった。
にして複合シートを得た。しかしユーピレックスフィル
ムとの接着力が弱く、ときどき剥離する場合があった。
【００５４】実施例７ 合成例１のポリイミド６０ｗｔ％と合成例３のポリアミ
ド４０ｗｔ％とを混合したＮＭＰワニスを用い、１００
℃、１０分、さらに３００℃、１０分で熱処理する以外
は実施例１と同様にして複合シートを得た。この複合シ
ートの４２アロイとの接着力は１．６ｋＮ／ｍであっ
た。なお、ブレンドフィルムのＴｇは２６０℃、吸水率
は１．１％であった。この複合シートを用いて実施例１
と同様にして得た半導体パッケージは吸湿後のはんだ処
理によってもクラックが発生しなかった。
ド４０ｗｔ％とを混合したＮＭＰワニスを用い、１００
℃、１０分、さらに３００℃、１０分で熱処理する以外
は実施例１と同様にして複合シートを得た。この複合シ
ートの４２アロイとの接着力は１．６ｋＮ／ｍであっ
た。なお、ブレンドフィルムのＴｇは２６０℃、吸水率
は１．１％であった。この複合シートを用いて実施例１
と同様にして得た半導体パッケージは吸湿後のはんだ処
理によってもクラックが発生しなかった。
【００５５】実施例８ ＩＰＤＤＭ１．８３ｇ（５ミリモル）、ＢＡＰＰ２．０
５ｇ（５ミリモル）、無水トリメリット酸クロリド０．
６４ｇ（３ミリモル）、トリエチルアミン０．３０ｇ
（３ミリモル）、ＮＭＰ３０ｇを用いる以外は合成例２
と同様にしてポリアミド酸ワニスを得た。このワニスに
５℃以下でビス（３、４ージカルボキシフェニル）スル
ホン二無水物（ＤＳＤＡ）２．５１ｇ（７ミリモル）を
少しずつ添加した後、５℃以下で５時間反応した。その
後、無水酢酸、ピリジンを添加して合成例１と同様にし
てポリアミドイミド粉末を得た。このポリアミドイミド
の還元粘度は０．６５dl/g，Ｔｇは２５７℃、熱分解温
度は３８５℃であった。また吸水率は１．０％であっ
た。アルカリ処理後、シランカップリング処理したカプ
トンフィルムに上記のポリアミドイミドをＤＭＡｃに溶
解したワニスを塗布し、１００℃１０分、２７５℃１０
分熱処理して複合シートを得た。４２アロイとの接着力
は１．４kN/mであり、実施例１と同様にして得た半導体
パッケージは吸湿後のはんだ処理によってクラックは発
生しなかった。
５ｇ（５ミリモル）、無水トリメリット酸クロリド０．
６４ｇ（３ミリモル）、トリエチルアミン０．３０ｇ
（３ミリモル）、ＮＭＰ３０ｇを用いる以外は合成例２
と同様にしてポリアミド酸ワニスを得た。このワニスに
５℃以下でビス（３、４ージカルボキシフェニル）スル
ホン二無水物（ＤＳＤＡ）２．５１ｇ（７ミリモル）を
少しずつ添加した後、５℃以下で５時間反応した。その
後、無水酢酸、ピリジンを添加して合成例１と同様にし
てポリアミドイミド粉末を得た。このポリアミドイミド
の還元粘度は０．６５dl/g，Ｔｇは２５７℃、熱分解温
度は３８５℃であった。また吸水率は１．０％であっ
た。アルカリ処理後、シランカップリング処理したカプ
トンフィルムに上記のポリアミドイミドをＤＭＡｃに溶
解したワニスを塗布し、１００℃１０分、２７５℃１０
分熱処理して複合シートを得た。４２アロイとの接着力
は１．４kN/mであり、実施例１と同様にして得た半導体
パッケージは吸湿後のはんだ処理によってクラックは発
生しなかった。
【００５６】
【発明の効果】本発明の複合シートは吸湿率が低く、耐
熱性が高いので、半導体パッケージの信頼性向上に効果
がある。
熱性が高いので、半導体パッケージの信頼性向上に効果
がある。
【図１】複合シ−トの使用状態を示す断面図である。
１．複合シ−ト ２．ＬＳＩチップ ３．リ−ドフレ−ム
Claims (2)
- 【請求項１】表面処理した耐熱フィルムの片面または両
面に、一般式が化１または化２で表わされる構成単位を
含み、ガラス転移温度が２５０℃以上となるポリアミド
酸またはポリイミドのワニスを塗布した後加熱して接着
剤層を形成させることを特徴とする複合接着シ−トの製
造法。 【化１】 【化２】 〔化１、化２において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ
独立に水素もしくは炭素数１〜４のアルキル基またはア
ルコキシ基であってこれらのうち少なくとも２個以上は
アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ5 は水素また
は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｘは−ＣＨ2 −、
−Ｃ（ＣＨ3 ）2−、−Ｏ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−また
は−ＮＨＣＯ−で表わされる基であり、Ａｒ1 は４価の
芳香族基である。〕 - 【請求項２】表面処理した耐熱フィルムの片面または両
面に、一般式が化３で表わされる構成単位を含む耐熱性
樹脂のワニスを塗布した後加熱して接着剤層を形成させ
るものであって、接着剤層の樹脂は化４、化５、化６、
化７、化８の芳香族基に連結する基の１０〜９０モル％
がアミド基でありかつガラス転移温度が２５０℃以上の
ものであることを特徴とする複合接着シ−トの製造法。 【化３】 〔化３において、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9はそれぞれ独立に
水素もしくは炭素数１〜４のアルキル基またはアルコキ
シ基であってこれらのうち少なくとも２個以上はアルキ
ル基またはアルコキシ基であり、Ｘは−ＣＨ2 −、−Ｃ
（ＣＨ3）2−、−Ｏ−、−ＳＯ2 −、−ＣＯ−または−
ＮＨＣＯ−で表わされる基であり、Ｚは化４、化５、化
６、化７、化８ 【化４】 【化５】 【化６】 【化７】 【化８】 （化４、化５、化６、化７、化８においてＡｒ2 は２〜
４価の芳香族基、Ｒ10は水素または炭素数１〜４のアル
キル基である。）で表わされる基である。〕
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