JPH0624411B2 - 過電圧保護電源スイツチング回路 - Google Patents

過電圧保護電源スイツチング回路

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JPH0624411B2
JPH0624411B2 JP62137836A JP13783687A JPH0624411B2 JP H0624411 B2 JPH0624411 B2 JP H0624411B2 JP 62137836 A JP62137836 A JP 62137836A JP 13783687 A JP13783687 A JP 13783687A JP H0624411 B2 JPH0624411 B2 JP H0624411B2
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JP
Japan
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power supply
thyristor
zener diode
switching circuit
npn transistor
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JP62137836A
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JPS63302719A (ja
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真 村瀬
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、スイツチング回路に関し、特に、入力電源電
圧印加において、ON電圧範囲が設定可能な過電圧保護
の機能を持つ電源スイツチング回路に関するものであ
る。
従来の技術 従来、この種のスイツチング回路としてはトランジスタ
を用いた電源スイツチがあり、過電圧保護としてツエナ
ーダイオードを用い一定電圧以上の入力をクリツピング
するという方式、複数個のトランジスタ、リニアICを
用いて構成した負帰還回路あるいは専用ICにより過電
圧にリミツタをかける方式が用いられてきた。
発明が解決しようとする問題点 上述した従来の過電圧保護電源スイツチング回路では、
過電圧印加時にツエナーダイオードによるクリツピング
作用が働いている状態での連続電源供給となつている。
過電圧印加という異常事態にもかかわらず、電源は供給
され、ツエナーダイオード破壊時には、過電圧保護の機
能は果たされない。また、過電圧を検出しリミツタをか
ける方式では複数個のIC、もしくは専用ICを必要と
し、複雑で高価であるという欠点がある。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従つて本発明の目的は、従来の技術に内在する上記諸欠
点を解消することを可能とした新規なスイツチング回路
を提供することにある。
問題点を解決するための手段 上記目的を達成する為に、本発明に係る過電圧保護電源
スイツチング回路は、サイリスタ(SCR)の“ON”、“OF
F”を電源スイツチとして利用して構成されるものであ
る。
入力電圧範囲を設定した2つのツエナダイオード及びト
ランジスタにより、入力電圧が要求電圧内にある時にの
みサイリスタ(SCR)は“ON”となり、入力電圧が要求電
圧を超える、または達しない時にはサイリスタ(SCR)は
“OFF”となる。このように、入力電圧が要求電圧外の
場合に電源供給側と被供給側は完全に絶縁となり、過電
圧印加にする電源被供給側の破壊、異常事態による大き
な電源変動の検出等が可能である。また、サイリスタ(S
CR)、ツエナダイオード、トランジスタ、抵抗等の簡単
な回路構成であり、廉価であり、所期の目的を達成して
いる。
実施例 次に本発明をその好ましい一実施例について図面を参照
して具体的に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す等価回路構成図であ
る。
第1図を参照するに、直流電源入力端子10より入力され
た電圧が第1のツェナダイオード2のツェナ電圧値+第
1のNPNトランジスタ5のベース、エミッタ間順方向
電圧値を超えた際に、NPNトランジスタ5が“ON”
となり、サイリスタ(SCR)1が“ON”する。サイ
リスタ(SCR)1の“ON”により、出力端子11は
電源入力端子10とほぼ同電位となり、NPNトランジ
スタ6が“ON”となる。NPNトランジスタ6の“O
N”によりNPNトランジスタ5は“OFF”となる
が、サイリスタ(SCR)1の“ON”状態は維持さ
れ、出力端子11より電圧は供給される。
一方、第2のツェナダイオード3のツェナ電圧値+PN
Pトランジスタ4のエミッタ、ベース間順方向電圧値を
入力電圧が超えた場合には、PNPトランジスタ4は“O
N”となる。サイリスタ(SCR)1のアノード、ゲート間電
位はPNPトランジスタ4のエミツタ、コレクタ電圧PNPTr
VECとなり、約0.7V以下になるようにツエナダイオ
ード3、抵抗7を設定することにより、サイリスタ(SC
R)1は“OFF”となる。
以上のように要求入力範囲は第1のツエナダイオード2
の順方向電圧ZD1VFと第2のツエナダイオード3の
順方向電圧ZD2VFによりほぼ決定され、この電圧範
囲を脱した場合には自動的にサイリスタ(SCR)1は“OF
F”となり、入力端子10、出力端子11間は絶縁となる。
発明の効果 以上説明したように、本発明によれば2つのツエナダイ
オードにより設定されるある電圧範囲を脱すると自動的
にサイリスタ(SCR)が“OFF”となり、入出力間を絶縁す
ることができる。これにより、過電圧による破壊の防
止、電源異常の検出等様々の効果が期待できる。
また、TTL、リニアIC等の半導体集積回路においても
過電圧破壊防止のために電源ラインに同上回路のパター
ンを起すことにより信頼性の向上が期待できる。
更にまた、ツエナダイオード、抵抗値の設定により電圧
範囲の変更も容易であり、廉価で汎用性のある過電圧保
護電源スイツチング回路の提供が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る過電圧保護スイツチング回路の一
実施例を示す回路構成図である。 1……サイリスタ(SCR)、2……ツエナダイオード(ZD
1)、3……ツエナダイオード(ZD2)、4……PNPトランジ
スタ(PNPTr)、5……NPNトランジスタ(NPNTr1)、6……
NPNトランジスタ(NPNTr2)、7、8、9……抵抗、10…
…直流電源入力端子、11……出力端子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】直流電源入力端子がサイリスタのアノード
    に接続され、該アノードが第1のツェナダイオードのカ
    ソードとPNPトランジスタのエミッタに接続され、前
    記第1のツェナダイオードのアノードが第1のNPNト
    ランジスタのベースに接続され、該第1のNPNトラン
    ジスタ及び前記PNPトランジスタのコレクタが共通に
    前記サイリスタのゲートに接続され、前記PNPトラン
    ジスタのベースは第2のツェナダイオードのカソードに
    接続され、該第2のツェナダイオードのアノードは第1
    の抵抗を通してGNDへ接続され、前記サイリスタのカ
    ソードは出力端子、第2のNPNトランジスタのコレク
    タ及び第2の抵抗を通して該第2のNPNトランジスタ
    のベースに共通に接続され、前記第1のNPNトランジ
    スタ及び第2のNPNトランジスタのエミッタが共通と
    なり、第3の抵抗を通してGNDに接続される構成を持
    つことを特徴とする過電圧保護電源スイッチング回路。
JP62137836A 1987-05-31 1987-05-31 過電圧保護電源スイツチング回路 Expired - Lifetime JPH0624411B2 (ja)

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JPS63302719A JPS63302719A (ja) 1988-12-09
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US6046896A (en) * 1995-08-11 2000-04-04 Fijitsu Limited DC-to-DC converter capable of preventing overvoltage

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