JPH06240451A - 硬質炭素膜被覆部材の製造方法 - Google Patents
硬質炭素膜被覆部材の製造方法Info
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- JPH06240451A JPH06240451A JP2949193A JP2949193A JPH06240451A JP H06240451 A JPH06240451 A JP H06240451A JP 2949193 A JP2949193 A JP 2949193A JP 2949193 A JP2949193 A JP 2949193A JP H06240451 A JPH06240451 A JP H06240451A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 硬質炭素膜被覆部材における硬質炭素膜の硬
度、密着性を向上し、寿命が長く良好な切削性を有する
切削工具等を製造する。 【構成】 電子サイクロトロン共鳴プラズマでターゲッ
トをスパッタリングすることにより基材表面に中間層と
して窒化アルミニウム層、窒化ケイ素層、または炭化ケ
イ素層のいずれかを形成した後、連続して、電子サイク
ロトロン共鳴プラズマＣＶＤ、またはスパッタリングに
より硬質炭素膜を形成し、硬質炭素膜の硬度、密着性を
向上させる。
度、密着性を向上し、寿命が長く良好な切削性を有する
切削工具等を製造する。 【構成】 電子サイクロトロン共鳴プラズマでターゲッ
トをスパッタリングすることにより基材表面に中間層と
して窒化アルミニウム層、窒化ケイ素層、または炭化ケ
イ素層のいずれかを形成した後、連続して、電子サイク
ロトロン共鳴プラズマＣＶＤ、またはスパッタリングに
より硬質炭素膜を形成し、硬質炭素膜の硬度、密着性を
向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】切削工具など、硬質炭素膜被覆部
材の製造方法に関する。
材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術では、中間層を形成せず、直
接基材表面に単層の硬質炭素膜を形成することにより、
硬質炭素膜被覆部材を製造していた。
接基材表面に単層の硬質炭素膜を形成することにより、
硬質炭素膜被覆部材を製造していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、基材
と硬質炭素膜の密着が悪く、たとえば、切削工具では、
切削中に硬質炭素膜が剥離しやすく、実用に供すること
ができなかった。特に超硬材料と呼ばれるコバルト含有
炭化タングステンを素材とする切削工具に硬質炭素膜を
形成した場合、硬質炭素膜の硬度、密着性が悪化する。
と硬質炭素膜の密着が悪く、たとえば、切削工具では、
切削中に硬質炭素膜が剥離しやすく、実用に供すること
ができなかった。特に超硬材料と呼ばれるコバルト含有
炭化タングステンを素材とする切削工具に硬質炭素膜を
形成した場合、硬質炭素膜の硬度、密着性が悪化する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】密着性を向上させるため
には、基材と硬質炭素膜の間に中間層として窒化アルミ
ニウム層、窒化ケイ素層、炭化ケイ素層のいずれかを形
成すれば良い。中間層を形成するには、一般的にスパッ
タリング法あるいは反応性スパッタリング法と呼ばれる
方法を用いれば良い。それぞれ中間層として用いる材料
から成るターゲット、あるいは、窒素または炭化水素な
どの反応性ガス雰囲気中でアルミニウムまたはケイ素タ
ーゲットを電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲプ
ラズマ）によりスパッタリングすることにより、窒化ア
ルミニウム層、窒化ケイ素層、炭化ケイ素層のいずれか
の中間層を形成することができる。
には、基材と硬質炭素膜の間に中間層として窒化アルミ
ニウム層、窒化ケイ素層、炭化ケイ素層のいずれかを形
成すれば良い。中間層を形成するには、一般的にスパッ
タリング法あるいは反応性スパッタリング法と呼ばれる
方法を用いれば良い。それぞれ中間層として用いる材料
から成るターゲット、あるいは、窒素または炭化水素な
どの反応性ガス雰囲気中でアルミニウムまたはケイ素タ
ーゲットを電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲプ
ラズマ）によりスパッタリングすることにより、窒化ア
ルミニウム層、窒化ケイ素層、炭化ケイ素層のいずれか
の中間層を形成することができる。
【０００５】中間層の形成後、真空容器から大気中に取
り出すことなく、連続して硬質炭素膜を形成することに
より中間層表面の酸化、汚染を防止する。硬質炭素膜を
形成するには、電子サイクロトロン共鳴プラズマあるい
は熱フィラメントで炭化水素および水素を分解活性化す
るか、水素雰囲気中で電子サイクロトロン共鳴プラズマ
により水素を分解、活性化し、グラファイトをスパッタ
リングすればよい。
り出すことなく、連続して硬質炭素膜を形成することに
より中間層表面の酸化、汚染を防止する。硬質炭素膜を
形成するには、電子サイクロトロン共鳴プラズマあるい
は熱フィラメントで炭化水素および水素を分解活性化す
るか、水素雰囲気中で電子サイクロトロン共鳴プラズマ
により水素を分解、活性化し、グラファイトをスパッタ
リングすればよい。
【０００６】
【作用】切削工具などに素材として用いられる炭化タン
グステン焼結体はバインダーとしてコバルトを含有して
いる。炭化タングステン焼結体表面に硬質炭素膜を形成
しようとする場合、コバルトの影響により炭素膜中にグ
ラファイト成分が析出し、硬度、密着性が悪化する。し
たがって、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素
のいずれかを中間層として形成し、その表面に硬質炭素
膜を形成すれば、コバルトの影響が消え、硬度、密着性
にすぐれた硬質炭素膜被覆部材を作ることができる。ま
た、中間層により膜の残留応力を緩和する効果がある。
グステン焼結体はバインダーとしてコバルトを含有して
いる。炭化タングステン焼結体表面に硬質炭素膜を形成
しようとする場合、コバルトの影響により炭素膜中にグ
ラファイト成分が析出し、硬度、密着性が悪化する。し
たがって、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素
のいずれかを中間層として形成し、その表面に硬質炭素
膜を形成すれば、コバルトの影響が消え、硬度、密着性
にすぐれた硬質炭素膜被覆部材を作ることができる。ま
た、中間層により膜の残留応力を緩和する効果がある。
【０００７】
（実施例１）図１は本発明の実施に用いた薄膜形成装置
の概略を示す断面図である。真空容器１は円筒形状で、
導波管２が接続され、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を入
射することができる。コイル３に通電することにより中
心付近で８７５Ｇａｕｓｓの磁場が発生し、マイクロ波
による電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電が可能と
なる。真空容器１内には真空容器１と同軸で円環形状の
ターゲット４が設置されている。ターゲット４には切り
替え器５により直流電源６または周波数１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電源７のいずれかを接続することができる。
の概略を示す断面図である。真空容器１は円筒形状で、
導波管２が接続され、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を入
射することができる。コイル３に通電することにより中
心付近で８７５Ｇａｕｓｓの磁場が発生し、マイクロ波
による電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電が可能と
なる。真空容器１内には真空容器１と同軸で円環形状の
ターゲット４が設置されている。ターゲット４には切り
替え器５により直流電源６または周波数１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電源７のいずれかを接続することができる。
【０００８】はじめに、窒化ケイ素から成るターゲット
４を設置し、基材８を真空容器１内の治具９に設置し、
真空排気する。コバルトを添加した炭化タングステン焼
結体を素材とする直径４ｍｍのエンドミルを基材８とし
て用いた。切り替え器５によりターゲット４には整合器
１０を介して高周波電源７を接続する。
４を設置し、基材８を真空容器１内の治具９に設置し、
真空排気する。コバルトを添加した炭化タングステン焼
結体を素材とする直径４ｍｍのエンドミルを基材８とし
て用いた。切り替え器５によりターゲット４には整合器
１０を介して高周波電源７を接続する。
【０００９】ターボ分子ポンプにより０．００１Ｐａ以
下の圧力まで排気した後、ガス導入管１１より真空容器
１内へアルゴンガスを導入する。コイル３に通電し、マ
イクロ波を導波管２より真空容器１に入射し、電子サイ
クロトロン共鳴プラズマを生成する。ここで、ターゲッ
ト４に高周波を印加するとターゲット４がスパッタリン
グされ、基材８表面に窒化ケイ素層が形成される。各条
件は表１に記した通りである。
下の圧力まで排気した後、ガス導入管１１より真空容器
１内へアルゴンガスを導入する。コイル３に通電し、マ
イクロ波を導波管２より真空容器１に入射し、電子サイ
クロトロン共鳴プラズマを生成する。ここで、ターゲッ
ト４に高周波を印加するとターゲット４がスパッタリン
グされ、基材８表面に窒化ケイ素層が形成される。各条
件は表１に記した通りである。
【００１０】３０分後、高周波、マイクロ波、ガスの導
入を停止し、中間層の形成を終了する。次に、上記の方
法で形成した中間層の表面に硬質炭素膜を形成する。ガ
ス導入管１１より水素ガスとメタンガスを導入し、コイ
ル３に通電し、マイクロ波を入射すると電子サイクロト
ロン共鳴プラズマを生成され、硬質炭素膜が形成され
る。各条件は表２に記した通りである。
入を停止し、中間層の形成を終了する。次に、上記の方
法で形成した中間層の表面に硬質炭素膜を形成する。ガ
ス導入管１１より水素ガスとメタンガスを導入し、コイ
ル３に通電し、マイクロ波を入射すると電子サイクロト
ロン共鳴プラズマを生成され、硬質炭素膜が形成され
る。各条件は表２に記した通りである。
【００１１】２０時間後、ガスの導入、コイル３の通
電、マイクロ波の入射を停止し、硬質炭素膜の形成を終
了する。十分な冷却の後、基材８を真空容器１から取り
出した。以上の方法により硬質炭素膜を被覆したエンド
ミルをＮＣフライス盤に取り付け、アルミニウム合金を
切削する切削試験を行った。図３に切削試験で得られた
切削距離と逃げ面磨耗の関係を示す。又、図４に切削距
離と被切削材の表面荒さの関係を示す。いずれの図も硬
質炭素膜を被覆していないエンドミルとの比較を示して
ある。本発明の方法で製造したエンドミルは硬質炭素膜
の剥離がなく、図からわかるように被覆処理していない
エンドミルにくらべ磨耗が小さく長寿命となっている。
電、マイクロ波の入射を停止し、硬質炭素膜の形成を終
了する。十分な冷却の後、基材８を真空容器１から取り
出した。以上の方法により硬質炭素膜を被覆したエンド
ミルをＮＣフライス盤に取り付け、アルミニウム合金を
切削する切削試験を行った。図３に切削試験で得られた
切削距離と逃げ面磨耗の関係を示す。又、図４に切削距
離と被切削材の表面荒さの関係を示す。いずれの図も硬
質炭素膜を被覆していないエンドミルとの比較を示して
ある。本発明の方法で製造したエンドミルは硬質炭素膜
の剥離がなく、図からわかるように被覆処理していない
エンドミルにくらべ磨耗が小さく長寿命となっている。
【００１２】また、窒化アルミニウムから成るターゲッ
ト４を用いて、上記と同様の方法で窒化アルミニウム中
間層を形成し、さらに硬質炭素膜を形成する方法、ある
いは炭化ケイ素から成るターゲット４を用いて炭化ケイ
素から成る中間層を形成し、さらに硬質炭素膜を形成す
る方法においても同様の特性を有する硬質炭素膜被覆部
材を製造することができた。
ト４を用いて、上記と同様の方法で窒化アルミニウム中
間層を形成し、さらに硬質炭素膜を形成する方法、ある
いは炭化ケイ素から成るターゲット４を用いて炭化ケイ
素から成る中間層を形成し、さらに硬質炭素膜を形成す
る方法においても同様の特性を有する硬質炭素膜被覆部
材を製造することができた。
【００１３】（実施例２）図１は本発明の実施に用いた
薄膜形成装置の概略を示す断面図である。はじめに、金
属アルミニウムから成るターゲット４を設置し、基材８
を真空容器１内の治具９に設置し、真空排気する。基材
８は実施例１で用いたものと同様のエンドミルである。
ターゲット４には切り替え器５により直流電源６を接続
する。
薄膜形成装置の概略を示す断面図である。はじめに、金
属アルミニウムから成るターゲット４を設置し、基材８
を真空容器１内の治具９に設置し、真空排気する。基材
８は実施例１で用いたものと同様のエンドミルである。
ターゲット４には切り替え器５により直流電源６を接続
する。
【００１４】ターボ分子ポンプにより０．００１Ｐａ以
下の圧力まで排気した後、ガス導入管１１より真空容器
１内へアルゴンガスと窒素ガスを導入する。コイル３に
通電し、マイクロ波を導波管２より真空容器１に入射
し、電子サイクロトロン共鳴プラズマを生成する。ここ
で、ターゲット４に電圧を印加するとターゲット４がス
パッタリングされ、基材８表面に窒化アルミニウム層が
形成される。各条件は表３に記した通りである。
下の圧力まで排気した後、ガス導入管１１より真空容器
１内へアルゴンガスと窒素ガスを導入する。コイル３に
通電し、マイクロ波を導波管２より真空容器１に入射
し、電子サイクロトロン共鳴プラズマを生成する。ここ
で、ターゲット４に電圧を印加するとターゲット４がス
パッタリングされ、基材８表面に窒化アルミニウム層が
形成される。各条件は表３に記した通りである。
【００１５】２０分後、高周波、マイクロ波、ガスの導
入を停止し、中間層の形成を終了する。次に、上記の方
法で形成した中間層の表面に実施例１と同様の方法で硬
質炭素膜を形成し、冷却の後、真空容器１から取り出し
た。
入を停止し、中間層の形成を終了する。次に、上記の方
法で形成した中間層の表面に実施例１と同様の方法で硬
質炭素膜を形成し、冷却の後、真空容器１から取り出し
た。
【００１６】以上の方法で得られた硬質炭素膜被覆エン
ドミルの切削試験を行ったところ、実施例１における硬
質炭素膜被覆エンドミルと同様の特性が得られた。ま
た、金属ケイ素から成るターゲット４と窒素ガスを用い
て、上記と同様の方法で窒化ケイ素から成る中間層を形
成し、さらに硬質炭素膜を形成する方法においても同様
の特性を有する硬質炭素膜被覆部材を製造することがで
きた。
ドミルの切削試験を行ったところ、実施例１における硬
質炭素膜被覆エンドミルと同様の特性が得られた。ま
た、金属ケイ素から成るターゲット４と窒素ガスを用い
て、上記と同様の方法で窒化ケイ素から成る中間層を形
成し、さらに硬質炭素膜を形成する方法においても同様
の特性を有する硬質炭素膜被覆部材を製造することがで
きた。
【００１７】（実施例３）図１は本発明の実施に用いた
薄膜形成装置の概略を示す断面図である。はじめに、金
属ケイ素から成るターゲット４を設置し、基材８を真空
容器１内の治具９に設置し、真空排気する。基材８は実
施例１で用いたものと同様のエンドミルである。ターゲ
ット４には切り替え器５により直流電源６を接続する。
薄膜形成装置の概略を示す断面図である。はじめに、金
属ケイ素から成るターゲット４を設置し、基材８を真空
容器１内の治具９に設置し、真空排気する。基材８は実
施例１で用いたものと同様のエンドミルである。ターゲ
ット４には切り替え器５により直流電源６を接続する。
【００１８】ターボ分子ポンプにより０．００１Ｐａ以
下の圧力まで排気した後、ガス導入管１１より真空容器
１内へアルゴンガスと窒素ガスを導入する。コイル３に
通電し、マイクロ波を導波管２より真空容器１に入射
し、電子サイクロトロン共鳴プラズマを生成する。ここ
で、ターゲット４に電圧を印加するとターゲット４がス
パッタリングされ、基材８表面に炭化ケイ素層が形成さ
れる。各条件は表４に記した通りである。
下の圧力まで排気した後、ガス導入管１１より真空容器
１内へアルゴンガスと窒素ガスを導入する。コイル３に
通電し、マイクロ波を導波管２より真空容器１に入射
し、電子サイクロトロン共鳴プラズマを生成する。ここ
で、ターゲット４に電圧を印加するとターゲット４がス
パッタリングされ、基材８表面に炭化ケイ素層が形成さ
れる。各条件は表４に記した通りである。
【００１９】２０分後、高周波、マイクロ波、ガスの導
入を停止し、中間層の形成を終了する。次に、上記の方
法で形成した中間層の表面に実施例１と同様の方法で硬
質炭素膜を形成し、冷却の後、真空容器１から取り出し
た。
入を停止し、中間層の形成を終了する。次に、上記の方
法で形成した中間層の表面に実施例１と同様の方法で硬
質炭素膜を形成し、冷却の後、真空容器１から取り出し
た。
【００２０】以上の方法で得られた硬質炭素膜被覆エン
ドミルの切削試験を行ったところ、実施例１における硬
質炭素膜被覆エンドミルと同様の特性が得られた。 （実施例４）図２は本発明の実施に用いた薄膜形成装置
の概略を示す断面図である。
ドミルの切削試験を行ったところ、実施例１における硬
質炭素膜被覆エンドミルと同様の特性が得られた。 （実施例４）図２は本発明の実施に用いた薄膜形成装置
の概略を示す断面図である。
【００２１】円環形状のグラファイトから成るターゲッ
ト１２が付加されたほかは図１に示した装置と同様の装
置である。ターゲット１２は切り替え器１３により直流
電源６を接続することが可能である。 まず、実施例
１、２、３に記したいずれかの方法で窒化アルミニウ
ム、窒化ケイ素、炭化ケイ素のうちいずれかの材質から
成る中間層を形成する。
ト１２が付加されたほかは図１に示した装置と同様の装
置である。ターゲット１２は切り替え器１３により直流
電源６を接続することが可能である。 まず、実施例
１、２、３に記したいずれかの方法で窒化アルミニウ
ム、窒化ケイ素、炭化ケイ素のうちいずれかの材質から
成る中間層を形成する。
【００２２】次に、中間層の表面に硬質炭素膜を形成す
る。ガス導入管１１より真空容器１に水素ガスを導入
し、コイル３に通電し、マイクロ波を導波管２より真空
容器１に入射し、電子サイクロトロン共鳴プラズマを生
成する。ここで、ターゲット１２に電圧を印加するとタ
ーゲット１２がスパッタリングされ、基材８表面に硬質
炭素膜が形成される。各条件は表５に記した通りであ
る。
る。ガス導入管１１より真空容器１に水素ガスを導入
し、コイル３に通電し、マイクロ波を導波管２より真空
容器１に入射し、電子サイクロトロン共鳴プラズマを生
成する。ここで、ターゲット１２に電圧を印加するとタ
ーゲット１２がスパッタリングされ、基材８表面に硬質
炭素膜が形成される。各条件は表５に記した通りであ
る。
【００２３】２０時間後、ターゲット１２への電圧印加
を停止し、ガスの導入、コイル３の通電、マイクロ波の
入射を停止し、硬質炭素膜の形成を終了する。十分な冷
却の後、基材８を真空容器１から取り出した。以上の方
法で得られた硬質炭素膜被覆エンドミルの切削試験を行
ったところ、実施例１における硬質炭素膜被覆エンドミ
ルと同様の特性が得られた。
を停止し、ガスの導入、コイル３の通電、マイクロ波の
入射を停止し、硬質炭素膜の形成を終了する。十分な冷
却の後、基材８を真空容器１から取り出した。以上の方
法で得られた硬質炭素膜被覆エンドミルの切削試験を行
ったところ、実施例１における硬質炭素膜被覆エンドミ
ルと同様の特性が得られた。
【００２４】（表１） アルゴンガス分圧 ０．０８ Ｐａ マイクロ波電力 ３００ Ｗ ターゲット高周波電力 ３００ Ｗ （表２） 水素ガス流量 ２００ ＳＣＣＭ メタンガス流量 ２ ＳＣＣＭ マイクロ波電力 ５００ Ｗ （表３） アルゴンガス分圧 ０．０６ Ｐａ 窒素ガス分圧 ０．０８ Ｐａ マイクロ波電力 ３００ Ｗ ターゲット印加電圧 −５００ Ｖ （表４） アルゴンガス分圧 ０．０６ Ｐａ アセチレンガス分圧 ０．０６ Ｐａ マイクロ波電力 ３００ Ｗ ターゲット印加電圧 −５００ Ｖ （表５） 水素ガス流量 ２００ ＳＣＣＭ マイクロ波電力 ５００ Ｗ ターゲット印加電圧 −３００ Ｖ
【００２５】
【発明の効果】硬度、密着性にすぐれた硬質炭素膜被覆
部材を製造することができる。寿命が長く切削性に優れ
た切削工具を製造することができる。
部材を製造することができる。寿命が長く切削性に優れ
た切削工具を製造することができる。
【図１】本発明の実施に用いた薄膜形成装置の概略を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明の実施に用いた薄膜形成装置の概略を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】切削距離と逃げ面摩耗の関係を示す説明図であ
る。
る。
【図４】切削距離と表面荒さの関係を示す説明図であ
る。
る。
１ 真空容器 ２ 導波管 ３ コイル ４ ターゲット ５ 切り替え器 ６ 直流電源 ７ 高周波電源 ８ 基材 ９ 治具 １０ 整合器 １１ ガス導入管 １２ ターゲット １３ 切り替え器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 恒吉 潤 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 基材表面に窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、炭化ケイ素のいずれかから成る中間層と硬質炭素膜
を形成した硬質炭素膜被覆部材の製造方法において、真
空排気装置を備えた真空容器内に基材を設置し、窒化ア
ルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素のいずれかから成
るターゲットを電子サイクロトロン共鳴プラズマでスパ
ッタリングすることにより基材表面に中間層を形成した
後、基材を真空容器から大気中に取り出すことなく、続
けて硬質炭素膜を形成することを特徴とする硬質炭素膜
被覆部材の製造方法。 - 【請求項２】 基材表面に窒化アルミニウムから成る中
間層と硬質炭素膜を形成した硬質炭素膜被覆部材の製造
方法において、真空排気装置を備えた真空容器内に基材
を設置し、窒素またはアンモニア雰囲気中にて金属アル
ミニウムから成るターゲットを電子サイクロトロン共鳴
プラズマでスパッタリングすることにより基材表面に中
間層を形成した後、基材を真空容器から大気中に取り出
すことなく、続けて硬質炭素膜を形成することを特徴と
する請求項１記載の硬質炭素膜被覆部材の製造方法。 - 【請求項３】 基材表面に窒化ケイ素から成る中間層と
硬質炭素膜を形成した硬質炭素膜被覆部材の製造方法に
おいて、真空排気装置を備えた真空容器内に基材を設置
し、窒素またはアンモニア雰囲気中にて金属ケイ素から
成るターゲットを電子サイクロトロン共鳴プラズマでス
パッタリングすることにより基材表面に中間層を形成し
た後、基材を真空容器から大気中に取り出すことなく、
続けて硬質炭素膜を形成することを特徴とする請求項１
記載の硬質炭素膜被覆部材の製造方法。 - 【請求項４】 基材表面に炭化ケイ素から成る中間層と
硬質炭素膜を形成した硬質炭素膜被覆部材の製造方法に
おいて、真空排気装置を備えた真空容器内に基材を設置
し、炭化水素雰囲気中にて金属ケイ素から成るターゲッ
トを電子サイクロトロン共鳴プラズマでスパッタリング
することにより基材表面に中間層を形成した後、基材を
真空容器から大気中に取り出すことなく、続けて硬質炭
素膜を形成することを特徴とする請求項１記載の硬質炭
素膜被覆部材の製造方法。 - 【請求項５】 炭化水素および水素の混合ガスを電子サ
イクロトロン共鳴プラズマによって分解、活性化するこ
とにより硬質炭素膜を形成することを特徴とする請求項
１、２、３、および４記載の硬質炭素膜被覆部材の製造
方法。 - 【請求項６】 水素雰囲気中にてグラファイトから成る
ターゲットを電子サイクロトロン共鳴プラズマでスパッ
タリングすることにより硬質炭素膜を形成することを特
徴とする請求項１、２、３、および４記載の硬質炭素膜
被覆部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2949193A JPH06240451A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 硬質炭素膜被覆部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2949193A JPH06240451A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 硬質炭素膜被覆部材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06240451A true JPH06240451A (ja) | 1994-08-30 |
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ID=12277549
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0828015A2 (en) * | 1996-09-06 | 1998-03-11 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Hard carbon film-coated substrate and method for fabricating the same |
| JPH10130865A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 硬質炭素被膜基板及びその形成方法 |
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-
1993
- 1993-02-18 JP JP2949193A patent/JPH06240451A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106661715B (zh) * | 2014-07-28 | 2019-11-19 | 日本Itf株式会社 | 碳薄膜、制造其的等离子体装置及制造方法 |
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