JPH06233055A - 完全密着型イメージセンサ - Google Patents
完全密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH06233055A JPH06233055A JP1835293A JP1835293A JPH06233055A JP H06233055 A JPH06233055 A JP H06233055A JP 1835293 A JP1835293 A JP 1835293A JP 1835293 A JP1835293 A JP 1835293A JP H06233055 A JPH06233055 A JP H06233055A
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- JP
- Japan
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- glass substrate
- element array
- light
- photoelectric conversion
- conversion element
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 完全密着型イメージセンサにおいて光電変換
素子列に入射する迷光成分による画質低下を防止する。 【構成】 光電変換素子列1と遮光層7を備えた素子列
ガラス基板5と、それに隣接して設けられ回路パターン
12を備えた配線ガラス基板4とを支えるために設けら
れている保持ガラス基板6の上面又は下面に、光源11
から遮光層7の原稿照明窓13に到る光路上に照明窓1
5を形成した遮光膜14を設け、光源11からの迷光L
2、L3、L4を遮って光電変換素子列1に入射しない
構成とする。
素子列に入射する迷光成分による画質低下を防止する。 【構成】 光電変換素子列1と遮光層7を備えた素子列
ガラス基板5と、それに隣接して設けられ回路パターン
12を備えた配線ガラス基板4とを支えるために設けら
れている保持ガラス基板6の上面又は下面に、光源11
から遮光層7の原稿照明窓13に到る光路上に照明窓1
5を形成した遮光膜14を設け、光源11からの迷光L
2、L3、L4を遮って光電変換素子列1に入射しない
構成とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリ装置やイメ
ージスキャナ等において文書等の画像を読み取るイメー
ジセンサに係わり、特に原稿と1:1に対応し、原稿に
密着しながら読み取る完全密着型イメージセンサに関す
るものである。
ージスキャナ等において文書等の画像を読み取るイメー
ジセンサに係わり、特に原稿と1:1に対応し、原稿に
密着しながら読み取る完全密着型イメージセンサに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来の完全密着型イメージセンサは、例
えば、画像電子学会予稿( ’89−5−01)に示さ
れており、図4に概略断面を示すような構造となってい
る。図4において、5は素子列ガラス基板で、その上に
光源11からの照明光を規制するための遮光層7、原稿
10からの反射光を電気信号に変換するマトリクス配線
された光電変換素子列1が設けられている。光電変換素
子列1は、多数の光電変換素子を、例えば8個/mmの
密度で主走査方向に配列したものであり、また、遮光層
7には、光電変換素子列1と対をなす形で光源11から
の原稿照明光の入光用の原稿照明窓13が形成されてい
る。素子列ガラス基板5の隣接位置には、配線ガラス基
板4が設けられている。この配線ガラス基板4の上に
は、光電変換素子列1からの電気信号を取り出すための
配線パターン12が設けられており、マトリクス配線さ
れた光電変換素子列1と接続されている。保持ガラス基
板6は隣接する素子列ガラス基板5と配線ガラス基板4
の両者を一体化し、支えるために設けられている。更
に、原稿10と接触する読み取り面には、光電変換素子
列1、配線パターン12を保護し、原稿10の走行をス
ムースにするための透明保護層2が設けられている。こ
れらの素子列ガラス基板5、配線ガラス基板4、保持ガ
ラス基板6及び透明保護層2は接着層3により、貼り合
わされており、完全密着型イメージセンサ全体を一体化
するための基台8上に設けられている。
えば、画像電子学会予稿( ’89−5−01)に示さ
れており、図4に概略断面を示すような構造となってい
る。図4において、5は素子列ガラス基板で、その上に
光源11からの照明光を規制するための遮光層7、原稿
10からの反射光を電気信号に変換するマトリクス配線
された光電変換素子列1が設けられている。光電変換素
子列1は、多数の光電変換素子を、例えば8個/mmの
密度で主走査方向に配列したものであり、また、遮光層
7には、光電変換素子列1と対をなす形で光源11から
の原稿照明光の入光用の原稿照明窓13が形成されてい
る。素子列ガラス基板5の隣接位置には、配線ガラス基
板4が設けられている。この配線ガラス基板4の上に
は、光電変換素子列1からの電気信号を取り出すための
配線パターン12が設けられており、マトリクス配線さ
れた光電変換素子列1と接続されている。保持ガラス基
板6は隣接する素子列ガラス基板5と配線ガラス基板4
の両者を一体化し、支えるために設けられている。更
に、原稿10と接触する読み取り面には、光電変換素子
列1、配線パターン12を保護し、原稿10の走行をス
ムースにするための透明保護層2が設けられている。こ
れらの素子列ガラス基板5、配線ガラス基板4、保持ガ
ラス基板6及び透明保護層2は接着層3により、貼り合
わされており、完全密着型イメージセンサ全体を一体化
するための基台8上に設けられている。
【0003】この構成の完全密着型イメージセンサにお
いて、光源11から照射された光は原稿照明窓13を通
って、プラテンローラ9の押圧により走行してくる原稿
10に照射される。原稿10からの反射光は、原稿10
の濃淡に応じた強弱光として光電変換素子列1に入射し
電気信号に変換後、画像信号として出力される。このよ
うにして、原稿10の画像読み取りが行われる。
いて、光源11から照射された光は原稿照明窓13を通
って、プラテンローラ9の押圧により走行してくる原稿
10に照射される。原稿10からの反射光は、原稿10
の濃淡に応じた強弱光として光電変換素子列1に入射し
電気信号に変換後、画像信号として出力される。このよ
うにして、原稿10の画像読み取りが行われる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、光源11から照明された光のうち、不必
要な光、即ち、迷光成分が光電変換素子列1に入射する
ため、読み取った画質に悪影響を与えるといった問題が
あった。
来の構成では、光源11から照明された光のうち、不必
要な光、即ち、迷光成分が光電変換素子列1に入射する
ため、読み取った画質に悪影響を与えるといった問題が
あった。
【0005】以下、その問題を更に詳細に説明する。光
源11から照射された光は、本来、原稿照明窓13を通
って原稿10に照射され、その反射光が光電変換素子列
1に入射する。光電変換素子列1に入射する光は、図4
に実線L1で示すものが主であり、これ以外に入射光が
なければ、光電変換素子列1からは原稿1の濃淡に応じ
た適正な画像信号出力が得られる。しかし、実際には、
一度基台8に反射してから入射する光(破線L2、L
4)、素子列ガラス基板5と配線ガラス基板4との間の
接着層部分に反射してから入射する光(破線L3)等の
迷光成分が存在する。また、これらの迷光の強度は完全
密着型イメージセンサが大面積の等倍結像型の構成であ
ることから、機構精度のばらつき、例えば、基台の曲が
り、ガラス基板のカット状態の不揃い、接着層の不均一
性等に対する依存度が高く、主走査方向において均一で
ない。従って、例えば、全黒原稿を読み取った際には、
図5(A)に示すように迷光の影響により黒レベル出力
が変動し、黒レベル浮きといった現象が発生する。この
ため、特に灰色原稿等の中間調画質の再現性に劣るとい
った問題があった。
源11から照射された光は、本来、原稿照明窓13を通
って原稿10に照射され、その反射光が光電変換素子列
1に入射する。光電変換素子列1に入射する光は、図4
に実線L1で示すものが主であり、これ以外に入射光が
なければ、光電変換素子列1からは原稿1の濃淡に応じ
た適正な画像信号出力が得られる。しかし、実際には、
一度基台8に反射してから入射する光(破線L2、L
4)、素子列ガラス基板5と配線ガラス基板4との間の
接着層部分に反射してから入射する光(破線L3)等の
迷光成分が存在する。また、これらの迷光の強度は完全
密着型イメージセンサが大面積の等倍結像型の構成であ
ることから、機構精度のばらつき、例えば、基台の曲が
り、ガラス基板のカット状態の不揃い、接着層の不均一
性等に対する依存度が高く、主走査方向において均一で
ない。従って、例えば、全黒原稿を読み取った際には、
図5(A)に示すように迷光の影響により黒レベル出力
が変動し、黒レベル浮きといった現象が発生する。この
ため、特に灰色原稿等の中間調画質の再現性に劣るとい
った問題があった。
【0006】本発明は、上述の問題点に鑑みて為された
もので、光電変換素子列1の黒レベル出力の変動を抑え
ることを可能とした完全密着型イメージセンサを提供す
ることを目的とする。
もので、光電変換素子列1の黒レベル出力の変動を抑え
ることを可能とした完全密着型イメージセンサを提供す
ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するため、完全密着型イメージセンサにおいて、保持
ガラス基板に、光源から素子列ガラス基板の原稿照明窓
に到る光路上に形成された照明窓を有する遮光膜を設け
るという構成を備えたものである。
決するため、完全密着型イメージセンサにおいて、保持
ガラス基板に、光源から素子列ガラス基板の原稿照明窓
に到る光路上に形成された照明窓を有する遮光膜を設け
るという構成を備えたものである。
【0008】
【作用】本発明はこの構成によって、光源から照射され
た光の迷光成分が保持ガラス基板に設けた遮光膜で遮断
され、このため、迷光成分が光電変換素子列に入射する
ことがなく、光電変換素子列の黒レベル浮きを抑え、画
質への悪影響を除去することができる。
た光の迷光成分が保持ガラス基板に設けた遮光膜で遮断
され、このため、迷光成分が光電変換素子列に入射する
ことがなく、光電変換素子列の黒レベル浮きを抑え、画
質への悪影響を除去することができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図1は本発明の一実施例による完全密着型イ
メージセンサを示す概略断面図であり、図4に示す従来
例と同一又は同様な部品には同一符号を付けて示してい
る。図1において、5は素子列ガラス基板であり、透光
性ガラス基板よりなる。7はその素子列ガラス基板5の
表面に真空蒸着、リフトオフ加工等のプロセスにより形
成された遮光層であり、LED等の光源11から原稿1
0への照明光を通すための原稿照明窓13を設けてい
る。その原稿照明窓13近傍の遮光層7の上面には、例
えば、真空蒸着、熱処理等によりCdS−CdSe等の
光電変換素子列1が形成されている。光電変換素子列1
は、例えば8個/mmの密度で主走査方向に配列されて
おり、マトリクス配線されている。また、原稿照明窓1
3は光電変換素子列1に対をなす形で遮光層7に形成さ
れている。
説明する。図1は本発明の一実施例による完全密着型イ
メージセンサを示す概略断面図であり、図4に示す従来
例と同一又は同様な部品には同一符号を付けて示してい
る。図1において、5は素子列ガラス基板であり、透光
性ガラス基板よりなる。7はその素子列ガラス基板5の
表面に真空蒸着、リフトオフ加工等のプロセスにより形
成された遮光層であり、LED等の光源11から原稿1
0への照明光を通すための原稿照明窓13を設けてい
る。その原稿照明窓13近傍の遮光層7の上面には、例
えば、真空蒸着、熱処理等によりCdS−CdSe等の
光電変換素子列1が形成されている。光電変換素子列1
は、例えば8個/mmの密度で主走査方向に配列されて
おり、マトリクス配線されている。また、原稿照明窓1
3は光電変換素子列1に対をなす形で遮光層7に形成さ
れている。
【0010】素子列ガラス基板5に隣接する位置には、
透光性ガラス基板よりなる配線ガラス基板4が設けら
れ、その上には光電変換素子列1からの電気信号取り出
し用の配線パターン12が、真空蒸着、リフトオフ加工
等のプロセスにより形成されており、マトリクス配線さ
れた光電変換素子列1と接続されている。透光性ガラス
基板よりなる保持ガラス基板6は素子列ガラス基板5及
び配線ガラス基板4を支えるために設けられている。ま
た、薄板ガラスからなる透明保護層2は原稿10との接
触から光電変換素子列1及び配線パターン12を保護
し、原稿10の走行をスムースにする目的で設けられて
いる。これらの透明保護層2、素子列ガラス基板5、配
線ガラス基板4、保持ガラス基板6は、例えば、UV硬
化樹脂等の接着層3により貼り合わされ、基台8と一体
化されている。
透光性ガラス基板よりなる配線ガラス基板4が設けら
れ、その上には光電変換素子列1からの電気信号取り出
し用の配線パターン12が、真空蒸着、リフトオフ加工
等のプロセスにより形成されており、マトリクス配線さ
れた光電変換素子列1と接続されている。透光性ガラス
基板よりなる保持ガラス基板6は素子列ガラス基板5及
び配線ガラス基板4を支えるために設けられている。ま
た、薄板ガラスからなる透明保護層2は原稿10との接
触から光電変換素子列1及び配線パターン12を保護
し、原稿10の走行をスムースにする目的で設けられて
いる。これらの透明保護層2、素子列ガラス基板5、配
線ガラス基板4、保持ガラス基板6は、例えば、UV硬
化樹脂等の接着層3により貼り合わされ、基台8と一体
化されている。
【0011】保持ガラス基板6の下面には、光源11か
ら素子列ガラス基板の原稿照明窓13に到る光路上に配
置された照明窓15を有する遮光膜14が設けられてい
る。この遮光膜14は、例えば、印刷、蒸着等により形
成される。
ら素子列ガラス基板の原稿照明窓13に到る光路上に配
置された照明窓15を有する遮光膜14が設けられてい
る。この遮光膜14は、例えば、印刷、蒸着等により形
成される。
【0012】以上のように構成された完全密着型イメー
ジセンサについて、以下その動作を説明する。
ジセンサについて、以下その動作を説明する。
【0013】先ず、光源11から照射された光は照明窓
15、原稿照明窓13を通って、プラテンローラ9の押
圧により走行してくる原稿10に照射される。この際、
光源11から照射された光のうち、従来例における、一
度基台8に反射してから入射する光(L2、L4)、素
子列ガラス基板5と配線ガラス基板4との間の接着部分
に反射してから入射する光(L3)といって迷光成分は
遮光膜14により遮られ、阻止される。従って、原稿1
0からの反射光は原稿10の濃度に応じた適正な強弱光
を光電変換素子列1に入射する。
15、原稿照明窓13を通って、プラテンローラ9の押
圧により走行してくる原稿10に照射される。この際、
光源11から照射された光のうち、従来例における、一
度基台8に反射してから入射する光(L2、L4)、素
子列ガラス基板5と配線ガラス基板4との間の接着部分
に反射してから入射する光(L3)といって迷光成分は
遮光膜14により遮られ、阻止される。従って、原稿1
0からの反射光は原稿10の濃度に応じた適正な強弱光
を光電変換素子列1に入射する。
【0014】以上のように本実施例によれば、保持ガラ
ス基板6に、照明窓15を有する遮光膜14を印刷又は
蒸着等によって設けたことにより、迷光成分の光電変換
素子列1への入射を防ぐことができ、図5(B)に示す
ように黒レベルの浮きを抑えることができる。
ス基板6に、照明窓15を有する遮光膜14を印刷又は
蒸着等によって設けたことにより、迷光成分の光電変換
素子列1への入射を防ぐことができ、図5(B)に示す
ように黒レベルの浮きを抑えることができる。
【0015】なお、本実施例においては、照明窓15を
有する遮光膜14を保持ガラス基板6の下面即ち光源1
1側に設けているが、図2に示すように、保持ガラス基
板6の上面即ち原稿10側に設けても同様の効果が得ら
れる。
有する遮光膜14を保持ガラス基板6の下面即ち光源1
1側に設けているが、図2に示すように、保持ガラス基
板6の上面即ち原稿10側に設けても同様の効果が得ら
れる。
【0016】図3は本発明の更に他の実施例を示すもの
である。この実施例では、透明保護層2の上に、蒸着、
スパッタ等により、例えば、ITO等の透光性導電膜1
6が数百Å〜1000Å程度成膜されている。更にその
上には、透光性導電膜16を保護するための耐摩耗性を
有する、例えば、ガラス、SiO2 、Ta2 O5 等によ
る透光性保護層17がスパッタ等により数百Å〜200
0Å程度成膜されている。なお、透光性導電膜16は接
地されている。その他の構成は図1の実施例と同様であ
る。
である。この実施例では、透明保護層2の上に、蒸着、
スパッタ等により、例えば、ITO等の透光性導電膜1
6が数百Å〜1000Å程度成膜されている。更にその
上には、透光性導電膜16を保護するための耐摩耗性を
有する、例えば、ガラス、SiO2 、Ta2 O5 等によ
る透光性保護層17がスパッタ等により数百Å〜200
0Å程度成膜されている。なお、透光性導電膜16は接
地されている。その他の構成は図1の実施例と同様であ
る。
【0017】この実施例でも遮光膜14を設けているの
で、迷光成分の光電変換素子列1への入射を防ぐことが
できるという効果を有しているが、更に、透光性導電膜
16と透光性保護層17を設けたことによる顕著な利点
を有している。すなわち、プラテンローラ9により走行
してくる原稿10と完全密着型イメージセンサの表面
(透光性保護層17表面)との摩擦により、その表面に
は数KV以上の高電圧の静電気を発生するが、透光性導
電膜16が接地されているため、発生した静電気が光電
変換素子列1に悪影響を与えるということがない。更
に、多数の原稿10が通過しても、耐摩耗性を有する透
光性保護層17により、透光性導電膜16が摩耗消滅す
ることはなく、静電気に対する透光性導電膜の効果を持
続することができる。また、原稿にゴミ、ホコリ等が付
着している場合、表面状態が荒く硬い紙質の場合、或い
はプラテンローラへの完全密着型イメージセンサの押圧
力を増大した場合等においても、透光性導電膜16への
傷、摩耗等を防止できる。
で、迷光成分の光電変換素子列1への入射を防ぐことが
できるという効果を有しているが、更に、透光性導電膜
16と透光性保護層17を設けたことによる顕著な利点
を有している。すなわち、プラテンローラ9により走行
してくる原稿10と完全密着型イメージセンサの表面
(透光性保護層17表面)との摩擦により、その表面に
は数KV以上の高電圧の静電気を発生するが、透光性導
電膜16が接地されているため、発生した静電気が光電
変換素子列1に悪影響を与えるということがない。更
に、多数の原稿10が通過しても、耐摩耗性を有する透
光性保護層17により、透光性導電膜16が摩耗消滅す
ることはなく、静電気に対する透光性導電膜の効果を持
続することができる。また、原稿にゴミ、ホコリ等が付
着している場合、表面状態が荒く硬い紙質の場合、或い
はプラテンローラへの完全密着型イメージセンサの押圧
力を増大した場合等においても、透光性導電膜16への
傷、摩耗等を防止できる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、隣接す
る素子列ガラス基板と配線ガラス基板を支えるために設
けられている保持ガラス基板の表面に、照明窓を有する
遮光膜を設けることにより、光源から照射された迷光成
分を遮ることができ、このため、黒レベル浮きを抑え、
原稿の情報をより忠実に読み取ることが可能な完全密着
型イメージセンサを実現できる。更に白レベル出力を高
くとるために、例えば、光源の光量を増大したとして
も、迷光の影響を防止できるため、より高感度な完全密
着型イメージセンサを実現できる。
る素子列ガラス基板と配線ガラス基板を支えるために設
けられている保持ガラス基板の表面に、照明窓を有する
遮光膜を設けることにより、光源から照射された迷光成
分を遮ることができ、このため、黒レベル浮きを抑え、
原稿の情報をより忠実に読み取ることが可能な完全密着
型イメージセンサを実現できる。更に白レベル出力を高
くとるために、例えば、光源の光量を増大したとして
も、迷光の影響を防止できるため、より高感度な完全密
着型イメージセンサを実現できる。
【図1】本発明の一実施例による完全密着型イメージセ
ンサの概略断面図
ンサの概略断面図
【図2】本発明の他の実施例による完全密着型イメージ
センサの概略断面図
センサの概略断面図
【図3】本発明の更に他の実施例による完全密着型イメ
ージセンサの概略断面図
ージセンサの概略断面図
【図4】従来の完全密着型イメージセンサの概略断面図
【図5】(A)従来の完全密着型イメージセンサの迷光
の影響による黒レベル浮きを示す信号出力波形図 (B)本発明の実施例の完全密着型イメージセンサにお
いて、迷光の影響を防止した信号出力波形図
の影響による黒レベル浮きを示す信号出力波形図 (B)本発明の実施例の完全密着型イメージセンサにお
いて、迷光の影響を防止した信号出力波形図
1 光電変換素子列 2 透明保護層 3 接着層 4 配線ガラス基板 5 素子列ガラス基板 6 保持ガラス基板 7 遮光層 8 基台 9 プラテンローラ 10 原稿 11 光源 12 配線パターン 13 原稿照明窓 14 遮光膜 15 照明窓
Claims (1)
- 【請求項1】 原稿と対向した光電変換素子列とその光
電変換素子列と対をなす形で原稿照明窓を形成した遮光
層を有する素子列ガラス基板と、前記素子列ガラス基板
と隣接し光電変換素子列の出力信号を伝送する配線を形
成した配線ガラス基板と、前記素子列ガラス基板と配線
ガラス基板を支えるための保持ガラス基板と、前記光電
変換素子列及び配線を原稿との接触から保護する透明保
護層と、前記保持ガラス基板に設けられ、光源から前記
素子列ガラス基板の原稿照明窓に到る光路上に配置され
た照明窓を有する遮光膜とを有することを特徴とする完
全密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1835293A JPH06233055A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 完全密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1835293A JPH06233055A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 完全密着型イメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06233055A true JPH06233055A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11969291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1835293A Pending JPH06233055A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 完全密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06233055A (ja) |
-
1993
- 1993-02-05 JP JP1835293A patent/JPH06233055A/ja active Pending
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