JPH06232477A - 磁気センサ装置及びその製造方法 - Google Patents

磁気センサ装置及びその製造方法

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JPH06232477A
JPH06232477A JP5017424A JP1742493A JPH06232477A JP H06232477 A JPH06232477 A JP H06232477A JP 5017424 A JP5017424 A JP 5017424A JP 1742493 A JP1742493 A JP 1742493A JP H06232477 A JPH06232477 A JP H06232477A
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substrate
frame
sensor circuit
magnetoresistive element
magnetic field
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Shiyouko Onizuka
升子 鬼塚
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、出力特性の精度の高い磁気セン
サ装置及びその製造方法を得ることを目的とする。 【構成】 基板３に対し所定の角度の磁界をかけて厚膜
抵抗４のトリミングを行い、基板３上の混成集積回路の
出力特性の調整を行い、ＭＲ素子１と基板３との位置ず
れをトリミングにより補正し、その後、基板３に形成さ
れた第一の位置決め手段である凹部３ｂに、凹部３ｂと
相補形で、フレーム８に形成された第二の位置決め手段
である凸部８ａを嵌合し、位置決めし、基板３をフレー
ム８にアセンブリする。 【効果】 トリミング時の出力特性とアセンブリ後の出
力特性との間にずれがないので、出力特性の精度が高
く、センサとして正確な値を検出することが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気センサ装置に関
し、特に直交型磁性薄膜磁気抵抗素子（以下、ＭＲ素子
とする。）を搭載し、角度検出及び位置検出等に用いる
磁気センサ装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、従来の磁気センサ装置の一例
を示した平面図である。図において、セラミック基板３
上には、ＭＲ素子１、半導体素子２（以下、ＩＣチップ
とする。）、及び、積層コンデンサ５等が搭載され、さ
らに厚膜抵抗４及び配線（図示せず）等が印刷されて、
混成集積回路が基板３上に形成されている。さらに、基
板３には複数のリード６が設けられ、図のように、基板
３は、磁石７を装備したフレーム８に挿入され、アセン
ブリされている。磁石７は円板型をしており、磁石７の
下面には磁石７と同軸の回転軸７ａが設けられ、磁石７
は回転軸７ａによりフレーム８に対して回転自在に支持
されている。
【０００３】ＭＲ素子１は、Ｎｉ、Ｃｏ及びＦｅ等の強
磁性体を用いて、基板３上に、短冊状のパターンを形成
したものである。図１１にＭＲ素子１のブロック図を示
す。図１１に示すように、ＭＲ素子１内には、センサ部
として２つの強磁性抵抗体１ａおよび１ｂが、互いに９
０°をなすように設けられ、両者は図のＢにおいて直列
に接続されている。このようなＭＲ素子１は、直交型と
呼ばれ、強磁性抵抗体１ａ及び１ｂを流れる２つの電流
の方向が９０°をなしている。強磁性抵抗体１ａ及び１
ｂは、同一抵抗値を有しており、強磁性抵抗体１ａ及び
１ｂとして、同形の細長い棒状の薄膜を形成してもよい
が、ＭＲ素子１を高インピーダンス化し小形化するに
は、図１２にパターン形状を示すように、折れ線状に薄
膜を構成すればよい。図１２において、強磁性抵抗体１
ａ及び１ｂは、２点鎖線Ａ−Ａを軸とする線対称形に形
成され、この場合においても両者の各対称箇所における
電流は、随所において９０°の角度をなすように流れて
いる。
【０００４】ＭＲ素子１に電流を流して、磁石７を回転
させると、磁石７の回転移動に伴い、ＭＲ素子１を流れ
る電流と磁石７による磁界とのなす角度が変化し、それ
によりＭＲ素子１の抵抗値が連続的に変化する。これを
磁気抵抗効果というが、この磁気抵抗効果を利用して、
ＭＲ素子１を実装した図１０の磁気センサ装置は、電流
と磁界の角度の変化を電圧の変化に変換して、角度検出
及び位置検出のセンサとして用いられる。磁気センサ装
置は、磁石７に設けられた回転軸７ａが、検出すべき回
転体（図示せず）の回転軸の動きと連動するように連結
される。検出すべき回転体の回転軸の動きに伴い磁石７
が回転すると、ＭＲ素子１に加えられる磁界の角度が変
化するので、前述の磁気抵抗効果によりＭＲ素子１の抵
抗値が変化し混成集積回路全体の出力電圧が変化する。
この出力電圧の変化によって、検出すべき回転体の回転
角度の検出を行うことが出来る。現在、自動車、ＶＴＲ
用モータ、ＯＡ、ＦＡ等に広く利用されている。
【０００５】次に製造方法について説明する。まずはじ
めに、基板３上に図１０に示すような混成集積回路を形
成する。次に、混成集積回路内の厚膜抵抗４のトリミン
グを行い、混成集積回路の出力特性の調整を行う。調整
方法としては、レーザービーム等を用いて、厚膜抵抗４
に切り込みを入れていき、厚膜抵抗４の抵抗値を徐々に
変化させて、混成集積回路全体の出力が、あらかじめ設
定された基準電圧になるようにして行う。その後、基板
３にリード６が設けられて、磁石７を装備したフレーム
８内にアセンブリされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の磁気センサ装置
は、以上のように、基板３をフレーム８にアセンブリす
る前に、磁界のない状態でトリミングを行って、基板３
上の混成集積回路の出力特性の調整を行っていた。図１
１に示すような直交型のＭＲ素子１は、磁界のない状態
においては、上述のように強磁性抵抗体１ａ及び１ｂの
抵抗値は同じになるように形成されている。ところが、
フレーム８にアセンブリされた後においては、磁石７に
よる磁界の角度の変化により、強磁性抵抗体１ａ及び１
ｂの抵抗値は互いに異なるものになるが、図１１の矢印
で示すように、磁石７により正確に垂直磁界をかけた場
合においては、磁界と電流のなす角度が両者において等
しくなるので、両者の抵抗値は等しいものになる。従っ
て、垂直磁界をかけたときと、磁界のないときは、とも
に、Ａ−Ｂ間の電圧とＢ−Ｃ間の電圧が等しくなるの
で、電源電圧を同じにすれば、出力電圧は同じになる。
ところが、ＭＲ素子１と基板３との位置ずれや、基板３
とフレーム８との位置ずれがあった場合、ＭＲ素子１と
磁石７による磁界とのなす角度にずれが起こり、従っ
て、磁石７により垂直磁界をかけた場合のアセンブリ後
の出力電圧が、トリミング時に磁界のない状態で合わせ
た基準電圧とずれてしまい、出力特性の精度が悪く、セ
ンサとして正確な値を検出することが出来ないという課
題があった。また、アセンブリ後に、基板３上の厚膜抵
抗４のトリミングを行うことは大変困難である。
【０００７】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、磁石７による磁界とＭＲ素子１と
のなす角度のずれによる、トリミング時とアセンブリ後
とにおける出力特性のずれを無くし、出力特性の精度が
高く、センサとして正確な値を検出する磁気センサ装
置、及び、その製造方法を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的に鑑み、請求
項１の発明は、フレームと、フレームに搭載された基板
と、基板に搭載された直交型磁気抵抗素子を有するセン
サ回路と、フレームに移動自在に支持され直交型磁気抵
抗素子に対向し磁界を印加する磁石と、基板とフレーム
との間に設けられ、フレームに対する基板の位置決めを
する位置決め手段とを備えた磁気センサ装置である。
【０００９】請求項２の発明は、フレームと、フレーム
に搭載された基板と、基板に搭載された直交型磁気抵抗
素子を有するセンサ回路と、フレームに移動自在に支持
され直交型磁気抵抗素子に対向し磁界を印加する磁石
と、フレームに設けられ、磁性薄膜磁気抵抗素子に係合
してフレームに対する直交型磁気抵抗素子の位置決めを
する位置決め手段とを備えた磁気センサ装置である。
【００１０】請求項３によれば、基板に設けられ、直交
型磁気抵抗素子の位置決めをする第一の位置決め手段
と、フレームと基板との間に設けられ、フレームに対す
る基板の位置決めをする第二の位置決め手段とを備えた
磁気センサ装置である。
【００１１】請求項４の発明は、基板上に、直交型磁気
抵抗素子を有するセンサ回路を形成する工程と、基板に
対し所定の角度をなす磁界が印加された状態で、センサ
回路の出力特性が、所定の角度の磁界における所定の基
準値となるように調整する工程と、移動自在に支持され
た磁石を備え、基板を搭載すべきフレームを用意する工
程と、フレーム及び基板に、互いに係合され得る位置決
め手段を形成する工程と、位置決め手段を係合し合わ
せ、フレームに対する基板の位置決めし、フレームに基
板を搭載する工程とを備えた磁気センサ装置の製造方法
である。
【００１２】請求項５は、基板上に直交型磁気抵抗素子
を備えたセンサ回路を形成する工程と、センサ回路の出
力特性が、所定の基準値となるように調整する工程と、
直交型磁気抵抗素子に係合され得る位置決め手段と、移
動自在に支持された磁石とを備え、基板を搭載すべきフ
レームを用意する工程と、位置決め手段を直交型磁気抵
抗素子に係合して、フレームに対する直交型磁気抵抗素
子の位置決めをし、フレームに基板を搭載する工程とを
備えた磁気センサ装置の製造方法である。
【００１３】請求項６によれば、基板上に搭載すべき直
交型磁気抵抗素子の位置決めをするための第一の位置決
め手段を基板上に設ける工程と、第一の位置決め手段に
より位置決めをして直交型磁気抵抗素子を基板上に搭載
する工程と、基板上に、直交型磁気抵抗素子を有するセ
ンサ回路を形成する工程と、センサ回路の出力特性が、
所定の基準値となるように調整する工程と、移動自在に
支持された磁石を備え、基板を搭載すべきフレームを用
意する工程と、フレーム及び基板に、互いに係合され得
る第二の位置決め手段を形成する工程と、第二の位置決
め手段を係合し合わせ、フレームに対する基板の位置決
めをし、フレームに基板を搭載する工程とを備えた磁気
センサ装置の製造方法である。
【００１４】請求項７によれば、基板に直交型磁気抵抗
素子を有するセンサ回路を形成する工程と、磁界のない
状態において、センサ回路の出力特性が所定の基準値と
なるように調整する工程と、回転自在に支持された磁石
を備え、基板を搭載すべきフレームを用意する工程と、
センサ回路の出力特性が磁界のない状態における所定の
基準値と同一の値を出力し得る角度に磁石による磁界を
保持させて、出力特性を測定しながら、基板の位置をフ
レーム内において調節し、センサ回路の出力特性が、磁
界のない状態における所定の基準値と同一の値を出力す
るフレーム内の所定位置に、基板を固定し搭載する工程
とを備えた磁気センサ装置の製造方法である。
【００１５】
【作用】請求項１及び請求項４によれば、厚膜抵抗のト
リミングを行って、基板上の混成集積回路の出力特性を
調整する際に、基板に対し所定の角度の磁界をかけて、
トリミングを行い、基板とＭＲ素子との位置ずれをトリ
ミングにより補正し、その後、基板とフレームとの間に
設けられた位置決め手段により、位置決めして、基板を
フレームに正確にアセンブリする。
【００１６】請求項２及び請求項５によれば、ＭＲ素子
に係合する位置決め手段をフレームに設けて、ＭＲ素子
とフレームで直接位置合わせをして、基板をフレームに
搭載する。
【００１７】請求項３及び請求項６によれば、ＭＲ素子
と基板との間にも位置ずれが生じないように、基板に、
ＭＲ素子を搭載する搭載位置を決める第一の位置決め手
段を設け、かつ、基板をフレームに搭載する際に、基板
とフレームとの間に位置ずれが生じないように、基板と
フレームとの間に第二の位置決め手段を設けて、それら
により位置ずれを防止する。
【００１８】請求項７によれば、磁界のない状態で基板
上の厚膜抵抗のトリミングを行い、基板をフレームにア
センブリする際に、出力特性の値を測定しながら、基板
を動かして、トリミング時に調整した値と同じ値になる
位置に基板を搭載する。
【００１９】
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例を添付図
面に基づいて説明する。図１は、この発明の磁気センサ
装置の製造方法を示したものであり、図２は、磁気セン
サ装置のブロック図である。図１において、１〜５は図
６の従来の磁気センサ装置のものと同一であるため、同
一符号を付し、その説明は省略する。この実施例は、製
造工程における厚膜抵抗４のトリミングの際に磁石９を
用いて、図のように基板３の一辺３ａに対して、垂直磁
界をかけてトリミングを行うものである。また、この実
施例においては、アセンブリの際の位置ずれを防止する
ため、基板３及びフレーム８との間に相補形の位置決め
手段が設けられている。図１の基板３の一辺３ａの中央
部分に形成された凹部３ｂは、基板３側の位置決め手段
であるが、これらについては後述する。また、図２にお
いて、１０は、ＩＣチップ２の中に設けられ、磁気抵抗
効果によるＭＲ素子１の抵抗値の変化により生じる電位
差を増幅する回路である。
【００２０】この発明の磁気センサ装置において、基板
３上に形成された混成集積回路における厚膜抵抗４のト
リミングを行う際に、図１及び図２に示すように、ＭＲ
素子１に対して十分な長さを有する細長い矩形の磁石９
を適当な治具を使用して基板３の一辺３ａに平行に設置
して、基板３の一辺３ａに対して磁石９により垂直な磁
界をかけ、混成集積回路全体の出力が、あらかじめ設定
された基準電圧になるように、レーザービーム等で厚膜
抵抗４に切り込みを入れて、厚膜抵抗４の抵抗値を徐々
に変えていき調整する。垂直磁界における場合の基準電
圧は、磁界のない状態における電圧と同じ値となる。こ
こで、トリミングを行う際の磁界と基板３のなす角度は
何度に設定しても良く、その場合、基準電圧値はそれぞ
れの角度における基準電圧値とすれば良い。磁界の角度
に対する基準電圧値は、たとえば、４５°で１Ｖ、９０
°で２．５Ｖ、１３５°で４Ｖというように、直線的に
変化する。
【００２１】トリミングの後、基板３をフレーム８の基
板搭載部８ｃ内に、図３に示すようにアセンブリする
が、この際にフレーム８と基板３との間に位置ずれが起
こると、基板３の辺３ａに磁界の角度を合わせてトリミ
ングを行っているため、トリミングであわせた基準電圧
と、アセンブリ後の出力電圧との間にずれが生じ、出力
特性の精度が悪くなってしまう。そのため、この実施例
においては、基板３をフレーム８にアセンブリする際に
位置ずれが生じないように、位置決め手段として、図１
のように、基板３に凹部３ｂを設けておき、また、図３
に示すように、フレーム８には、凹部３ｂと相補形のダ
ボ（凸部）８ａを設けて、アセンブリの際に、凹部３ｂ
にダボ（凸部）８ａを正確に嵌合して位置決めし、基板
３の一辺３ａが、フレーム８のダボ（凸部）が設けられ
た、基板搭載部８ｃの内壁の一辺に完全に隙間なく接触
するようにアセンブリする。従って、ＭＲ素子１と基板
３との間に位置ずれがあっても、基板３を基準にして、
ずれたままで厚膜抵抗４のトリミングを行うことによ
り、ＭＲ素子１と基板３の位置ずれはトリミングにより
補正されたことになり、基板３はフレーム８に正確にア
センブリされているので、トリミング時とアセンブリ後
の出力特性のずれが生じることはなく、出力特性の精度
は向上する。尚、基板３及びフレーム８に形成する相補
形の凹部３ｂ及びダボ（凸部）８ａは、複数組形成して
もよく、また、形成箇所も、基板３の辺３ａに隣合わせ
た他の辺に形成してもよい。
【００２２】実施例２．本発明の別の磁気センサの製造
方法においては、まずはじめに、従来例と同様に、基板
３上に形成された混成集積回路は、磁界のない状態で、
厚膜抵抗４のトリミングが行われ、出力特性の調整がな
される。次に、フレーム８に基板３をアセンブリする
が、このアセンブリの際に、磁石７による磁界がＭＲ素
子１に対して略々垂直である状態において、出力特性の
値をモニター（図示せず）等を用いて測定しながら、基
板３の位置をずらして、厚膜抵抗４のトリミングにより
調整して合わせた基準電圧と、混成集積回路の出力電圧
が一致する位置に基板３を固定し、アセンブリする。先
にも述べたが、図１１及び図２に示されるような構造の
直交型のＭＲ素子１においては、磁石７による磁界が、
ＭＲ素子１に対して正確に９０°になったとき、混成集
積回路の出力電圧は、トリミング時に合わせた基準電圧
と等しくなる。もし、ＭＲ素子１と基板３との間に位置
ずれが生じていたとしても、この方法によれば、トリミ
ング時に合わせた基準電圧と、アセンブリ後の出力電圧
にずれはなく、ＭＲ素子と基板３等との位置ずれを無視
することが出来、実施例１と同様の効果を得ることが出
来る。
【００２３】直交型のＭＲ素子の構造として、他に、図
４にブロック図を示すようなものもある。この場合にお
けるＭＲ素子１の、高インピーダンス化し小形化したパ
ターン形状の一例を図５に示す。この場合に、磁界のな
い状態と同じ出力特性となるのは、ＭＲ素子１に対する
磁界の角度が４５°のときであるので、磁界のない状態
でトリミングを行い、その後、アセンブリする際には、
磁石７により略々４５°の角度の磁界をＭＲ素子１に与
えながら、上述と同様に、出力特性の値を測定しなが
ら、フレーム８に基板３をアセンブリする。
【００２４】実施例３．図６は、本発明の実施例の平面
図を示し、図７に、図６の矢印VII−VIIにおける断面図
を示す。この実施例は、図６及び図７に示すように、Ｍ
Ｒ素子１とフレーム８の位置ずれを防ぐために、フレー
ム８にＭＲ素子１に係合する位置合わせのためのダボ１
１を設けたものである。図中の１〜５は、前述のものと
同じであるため、同一符号を付し、説明は省略する。こ
の実施例において、ＭＲ素子１は、図６に示すように、
基板３から少しはみ出るように実装されている。また、
図６及び図７に示すように、フレーム８に、ＭＲ素子１
の幅に合わせたダボ１１が２個設けられている。フレー
ム８は、金型等により樹脂成型されて形成されるので、
金型等にダボ１１を形成するための凹部を設けておけ
ば、ダボ１１を樹脂成型の際に同時に成型することが出
来る。磁界をかけずに、厚膜抵抗４のトリミングを行
い、基板３上に設けられた混成集積回路の出力特性を調
整した後、基板３をフレーム８にアセンブリする際に、
基板３からはみ出すように設けられているＭＲ素子１
を、ダボ１１の間に正確に嵌め込み、フレーム８の基板
搭載部８ｃの内壁の一辺にＭＲ素子１の一辺を隙間がな
いように接触させて位置合わせすれば、ＭＲ素子１とフ
レーム８とで直接位置合わせ出来るので、ＭＲ素子１と
基板３との間に位置ずれがあっても、これを無視するこ
とが出来る。以上のように、この実施例においても、磁
石７による磁界とＭＲ素子１とのなす角度にずれがな
く、出力特性の精度を高くすることが出来る。
【００２５】実施例４．図８は、本発明の実施例３の変
形例を示したものである。この実施例においても、ＭＲ
素子１は基板３から少しはみ出すようにして設けられて
いる。この実施例は、実施例３のダボ１１を設ける代わ
りに、フレーム８に、ＭＲ素子１の大きさに合わせたＭ
Ｒ素子１と相補形の凹部８ｂを設けて、基板３をフレー
ム８にアセンブリする際に、凹部８ｂをＭＲ素子１に嵌
合して、位置合わせを行うようにしたものである。この
実施例においても、ＭＲ素子１とフレーム８とで直接位
置合わせを行っているので、磁石７による磁界とＭＲ素
子１とのなす角度にずれが生じることはなく、高い精度
の出力特性を得ることが出来る。
【００２６】実施例５．図９に示される実施例に於いて
は、基板３とＭＲ素子１との位置ずれを防止するため、
基板３上に、第一の位置決め手段である円柱形のダボ１
２を設けて、ＭＲ素子１の搭載位置を位置合わせするよ
うにしたものである。この実施例において、ダボ１２
は、ＭＲ素子１の少なくとも２辺に合わせるように設け
られ、基板３とＭＲ素子１との間の位置ずれを防ぐもの
である。ダボ１２は、半田ペースト等を印刷して形成す
る。一回の印刷で必要な高さを得ることが出来ない場合
には、複数回、同一箇所に印刷を行う。尚、図９の平面
図においては、ダボ１２の平面形状は円形であるが、矩
形のものを設けても良く、また、個数についても、ＭＲ
素子１の３辺に合わせるように３個設けるようにしても
良い。この実施例においては、磁界をかけずに厚膜抵抗
４のトリミングを行い、基板３上に設けられた混成集積
回路の出力特性を調整した後、第二の位置決め手段であ
る、基板３に設けられた凹部３ｂと、フレーム８に設け
られた凹部３ｂと相補形のダボ８ａ（図３）とにより実
施例１と同様に位置決めして、基板３をフレーム８にア
センブリする。この実施例においては、基板３とＭＲ素
子１との間に位置ずれはなく、また、基板３とフレーム
８との間にも位置ずれが生じないので、フレーム８に設
けられた磁石７による磁界と、ＭＲ素子１とのなす角度
にずれがなく、アセンブリ後に出力特性にずれが生じて
しまうことはない。この実施例においても、上述の実施
例と同様の効果を得ることが出来る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る請
求項１及び請求項４記載の磁気センサ装置及びその製造
方法は、厚膜抵抗４のトリミングの際に、ＭＲ素子１に
所定の角度の磁界を加えているため、ＭＲ素子１と基板
３との間に位置ずれがあった場合においても、ずれたま
まトリミングすることにより、そのずれをトリミングに
より補正し、その後、位置決め手段により位置ずれなし
に、正確に基板３をフレーム８にアセンブリ出来るの
で、高い精度の出力特性を得ることが出来る。
【００２８】請求項２及び請求項５によれば、ＭＲ素子
１とフレーム８で直接位置決めを行って、基板３をフレ
ーム８にアセンブリするので、フレーム８とＭＲ素子１
との間には位置ずれが起こらず、出力特性の精度が高い
磁気センサ装置を得ることが出来る。
【００２９】請求項３及び請求項６によれば、基板３に
ＭＲ素子１の位置決めをする第一の位置決め手段を設け
て、かつ、基板３とフレーム８との間に、フレーム８に
対して基板３の位置決めをするための第二の位置決め手
段を設け、これらにより、位置決めし、アセンブリする
ので、位置ずれは起こらず、出力特性の精度の高い磁気
センサ装置を得ることが出来る。
【００３０】また、請求項７によれば、磁界のない状態
でトリミングを行って出力特性を調整し、その後、アセ
ンブリする際に、出力特性を測定しながら、トリミング
時の値と同じ値になる位置に基板３を固定しアセンブリ
するので、ＭＲ素子１、基板３及びフレーム８の位置ず
れが無視でき、トリミング時とアセンブリ後において出
力特性にずれはなく、出力特性の精度を向上させること
が出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例１の製造方法を示す平面図で
ある。
【図２】図１のブロック図である。
【図３】実施例１の磁気センサ装置の平面図である。
【図４】直交型ＭＲ素子の他の構造を示すブロック図で
ある。
【図５】図４のＭＲ素子のパターン形状の一例を示す平
面図である。
【図６】実施例３の磁気センサ装置の平面図である。
【図７】図６の矢印VII−VIIにおける断面図である。
【図８】実施例４の磁気センサ装置の平面図である。
【図９】混成集積回路を形成した実施例５の基板の平面
図である。
【図１０】従来の磁気センサ装置の平面図である。
【図１１】直交型ＭＲ素子の構造を示すブロック図であ
る。
【図１２】図１１のＭＲ素子のパターン形状の一例を示
す平面図である。
【符号の説明】
１ 直交型磁性薄膜磁気抵抗素子（ＭＲ素子） ３ 基板 ３ｂ 凹部 ４ 厚膜抵抗 ７ 磁石 ８ フレーム ８ａ ダボ（凸部） ８ｂ 凹部 ９ 磁石 １１，１２ ダボ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フレームと、 上記フレームに搭載された基板と、 上記基板に搭載された直交型磁気抵抗素子を有するセン
    サ回路と、 上記フレームに移動自在に支持され、上記直交型磁気抵
    抗素子に対向し磁界を印加する磁石と、 上記基板と上記フレームとの間に設けられ、上記フレー
    ムに対する上記基板の位置決めをする位置決め手段とを
    備えた磁気センサ装置。
  2. 【請求項２】 フレームと、 上記フレームに搭載された基板と、 上記基板に搭載された直交型磁気抵抗素子を有するセン
    サ回路と、 上記フレームに移動自在に支持され、上記直交型磁気抵
    抗素子に対向し磁界を印加する磁石と、 上記フレームに設けられ、上記磁性薄膜磁気抵抗素子に
    係合して上記フレームに対する上記直交型磁気抵抗素子
    の位置決めをする位置決め手段とを備えた磁気センサ装
    置。
  3. 【請求項３】 フレームと、 上記フレームに搭載された基板と、 上記基板に搭載された直交型磁気抵抗素子を有するセン
    サ回路と、 上記基板に設けられ、上記直交型磁気抵抗素子の上記基
    板に対する位置決めをする第一の位置決め手段と、 上記フレームに移動自在に支持され、上記直交型磁気抵
    抗素子に対向し磁界を印加する磁石と、 上記フレームと上記基板との間に設けられ、上記フレー
    ムに対する上記基板の位置決めをする第二の位置決め手
    段とを備えた磁気センサ装置。
  4. 【請求項４】 基板上に、直交型磁気抵抗素子を有する
    センサ回路を形成する工程と、 上記基板に対し所定の角度をなす磁界が印加された状態
    で、上記センサ回路の出力特性が、上記所定の角度の磁
    界における所定の基準値となるように上記センサ回路を
    調整する工程と、 上記基板に係合され得る位置決め手段と、移動自在に支
    持された磁石とを備え、上記基板を搭載すべきフレーム
    を用意する工程と、 上記位置決め手段を係合し合わせ、上記フレームに対す
    る上記基板の位置決めをし、上記フレームに上記基板を
    搭載する工程とを備えた磁気センサ装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 基板上に直交型磁気抵抗素子を備えたセ
    ンサ回路を形成する工程と、 上記センサ回路の出力特性が、所定の基準値となるよう
    に上記センサ回路を調整する工程と、 上記直交型磁気抵抗素子に係合され得る位置決め手段
    と、移動自在に支持された磁石とを備え、上記基板を搭
    載すべきフレームを用意する工程と、 上記位置決め手段を上記直交型磁気抵抗素子に係合させ
    て、上記フレームに対する上記直交型磁気抵抗素子の位
    置決めをし、上記フレームに上記基板を搭載する工程と
    を備えた磁気センサ装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 基板上に搭載すべき直交型磁気抵抗素子
    の位置決めをするための第一の位置決め手段を基板上に
    設ける工程と、 上記第一の位置決め手段により位置決めをして直交型磁
    気抵抗素子を基板上に搭載する工程と、 基板上に、上記直交型磁気抵抗素子を有するセンサ回路
    を形成する工程と、 上記センサ回路の出力特性が、所定の基準値となるよう
    に上記センサ回路を調整する工程と、 上記基板に係合され得る第二の位置決め手段と、移動自
    在に支持された磁石とを備え、上記基板を搭載すべきフ
    レームを用意する工程と、 上記第二の位置決め手段を係合し合わせ、上記フレーム
    に対する上記基板の位置決めをし、上記フレームに上記
    基板を搭載する工程とを備えた磁気センサ装置の製造方
    法。
  7. 【請求項７】 基板に直交型磁気抵抗素子を有するセン
    サ回路を形成する工程と、 磁界のない状態において、上記センサ回路の出力特性が
    所定の基準値となるように上記センサ回路を調整する工
    程と、 回転自在に支持された磁石を備え、上記基板を搭載すべ
    きフレームを用意する工程と、 上記センサ回路の上記出力特性が磁界のない状態におけ
    る上記所定の基準値と同一の値を出力し得る角度に上記
    磁石による磁界を保持させて、上記出力特性を測定しな
    がら、上記基板の位置を上記フレーム内において調節
    し、上記センサ回路の上記出力特性が、磁界のない状態
    における上記所定の基準値と同一の値を出力する上記フ
    レーム内の所定位置に、上記基板を固定し搭載する工程
    とを備えた磁気センサ装置の製造方法。
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