JPH06232342A - キャパシタおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、高集積化による微細化によっても
キャパシタの容量を低減することなく、かつキャパシタ
製造工程において、エッチングによるキャパシタ絶縁膜
の損傷をなくして絶縁耐圧の低下を抑え、信頼性の向上
を図る。 【構成】 導体層12を覆う状態に絶縁層13を形成し、第
１のキャパシタ電極14とキャパシタ絶縁膜15と第２のキ
ャパシタ電極16とを積層して形成して、導体層12上の第
２のキャパシタ電極16より絶縁層13を貫通するコンタク
トホール17を形成し、コンタクトホール17の側壁にキャ
パシタ絶縁膜15に接続するサイドウォール絶縁膜18を形
成し、コンタクトホール17を通して導体層12と第２のキ
ャパシタ電極16とを接続する接続部19が設けたものであ
る。また図示はしないが、エッチングする際には、キャ
パシタ絶縁膜を他の膜で覆ってエッチングするキャパシ
タの製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、キャパシタおよびその
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図５に示すように、基板６１上には導体
層６２が形成されている。この導体層６２を覆う状態に
絶縁層６３が成膜されていて、上記導体層６２上の絶縁
層６３には、コンタクトホール６４が形成されている。
上記構成の導体層６２上における絶縁層６３の上面にキ
ャパシタ６５（網目で示す領域）を形成するには、当該
キャパシタ６５と当該コンタクトホール６４との間に、
キャパシタ６５を形成する際の感光工程で用いるマスク
の合わせ余裕７１を考慮して設計する必要がある。この
ため、上記キャパシタ６５は、コンタクトホール６４よ
り少なくともマスクの合わせ余裕７１だけ離れた位置に
形成される。

【０００３】次に、導体層を覆う状態に形成した絶縁層
上にキャパシタを形成し、このキャパシタの電極と導体
層とを接続する構造の製造方法を、図６の製造工程図に
より説明する。図６の（１）に示すように、例えば化学
的気相成長法のような通常の成膜技術によって、基板８
１上に形成した導体層８２を覆う状態に絶縁層８３を形
成する。次いで上記絶縁層８３の上面に、第１の電極形
成層８４を成膜し、その後通常のホトリソグラフィー技
術とエッチングとによって、第１の電極形成層８４の不
要部分（２点鎖線で示す部分）を除去し、下側キャパシ
タ電極８５を形成する。さらに例えば、化学的気相成長
法のような通常の成膜技術によって、上記下側キャパシ
タ電極８５を覆う状態にキャパシタ絶縁膜８６を成膜す
る。

【０００４】次いで図６の（２）に示すように、通常の
ホトリソグラフィー技術とエッチングとによって、上記
導体層８２上の絶縁層８３とキャパシタ絶縁膜８６とに
コンタクトホール８７を形成する。その際、上記コンタ
クトホール８７の側壁の一部分には、上記下側キャパシ
タ電極８５が露出する。

【０００５】続いて、図６の（３）に示すように、例え
ば化学的気相成長法またはスパッタ法等の成膜技術によ
って、上記コンタクトホール８７の内部を埋め込む状態
にプラグ形成膜８８を成膜する。次いで、通常のエッチ
バック技術によって、プラグ形成膜８８（２点鎖線で示
す部分）を除去し、コンタクトホール８７の内部に残し
た上記プラグ形成膜８８でプラグ８９を形成する。

【０００６】その後、図６の（４）に示すように、例え
ば化学的気相成長法のような通常の成膜技術によって、
キャパシタ絶縁膜８６上に第２の電極形成層９０を成膜
する。続いて通常のホトリソグラフィー技術とエッチン
グとによって、第２の電極形成層９０の不要部分（２点
鎖線で示す部分）を除去し、上側キャパシタ電極９１を
形成する。上記の如くして、キャパシタ８０が形成され
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術中の図
５で説明したキャパシタでは、キャパシタを形成する際
の感光工程における合わせ余裕を、コンタクトホールと
キャパシタとの間に設計する必要がある。したがって、
コンタクトホールに接近した状態でかつコンタクトホー
ルの側周にキャパシタを形成することができない。この
ようなキャパシタの構造では、高集積化によってパター
ンが微細化した場合には、キャパシタは十分な容量を確
保することができなくなる。

【０００８】また上記従来の技術中の図６で説明したキ
ャパシタの製造方法では、プラグを形成する際のエッチ
バック時に、キャパシタ絶縁膜がエッチバック時にプラ
ズマ雰囲気にさらされる。このため、キャパシタ絶縁膜
は損傷を受けるので、このキャパシタ絶縁膜を用いて形
成したキャパシタは、絶縁耐圧が低下する。したがっ
て、信頼性の低いものになる。

【０００９】本発明は、容量を十分に確保し、信頼性の
高いキャパシタおよびその製造方法を提供することを目
的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたキャパシタおよびその製造方法で
ある。すなわち、キャパシタとしては、導体層を覆う状
態に絶縁層が形成されている。この絶縁層の上面には、
第１のキャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜と第２のキャ
パシタ電極とが積層する状態に形成されている。また導
体層上の絶縁層には第１のキャパシタ電極とキャパシタ
絶縁膜と第２のキャパシタ電極とを貫通する状態にコン
タクトホールが形成されている。このコンタクトホール
の側壁にはキャパシタ絶縁膜に接続するサイドウォール
絶縁膜が形成されている。さらにコンタクトホールを通
して導体層と第２のキャパシタ電極とを接続する接続部
が設けられている。

【００１１】上記キャパシタの製造方法であって、第１
の工程で、導体層を覆う状態に絶縁層を形成した後、絶
縁層の上面に第１のキャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜
と第２のキャパシタ電極とを順に積層して形成する。次
いで第２の工程で、導体層上の絶縁層と第１のキャパシ
タ電極とキャパシタ絶縁膜と第２のキャパシタ電極とを
貫通するコンタクトホールを形成する。続いて第３の工
程で、コンタクトホールの側壁にキャパシタ絶縁膜に接
続するサイドウォール絶縁膜を形成する。その後第４の
工程で、コンタクトホールを通して導体層と第２のキャ
パシタ電極とを接続する接続部を設ける。

【００１２】また別のキャパシタの製造方法であって、
第１の工程で、導体層を覆う状態に絶縁層を形成した
後、絶縁層の上面に第１のキャパシタ電極とキャパシタ
絶縁膜と電極形成膜とを順に積層して形成する。次いで
第２の工程で、電極形成膜の上面にエッチング停止膜を
形成する。続いて第３の工程で、導体層上の絶縁層と第
１のキャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜と電極形成膜と
エッチング停止膜とを貫通するコンタクトホールを形成
する。その後第４の工程で、コンタクトホールの内部に
導体層と第１のキャパシタ電極とを接続する接続部を形
成し、さらに第５の工程で、エッチング停止膜を除去し
た後、電極形成膜で第２のキャパシタ電極を形成する。
または、第１の工程を行った後、第２の工程で、エッチ
ング停止膜を形成しないで、第３の工程より以降の工程
を行う。したがって、第５の工程におけるエッチング停
止膜の除去は行わない。

【００１３】

【作用】上記構造のキャパシタでは、コンタクトホール
の側壁にサイドウォール絶縁膜を形成して、コンタクト
ホール内に形成される接続部と第１のキャパシタ電極と
を絶縁したので、コンタクトホールの側周にキャパシタ
が形成される。したがって、従来、感光工程の合わせ余
裕として考慮していた領域にもキャパシタを形成するこ
とが可能になる。

【００１４】上記キャパシタの製造方法では、絶縁層の
上面に第１のキャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜と第２
のキャパシタ電極とを形成した後に、コンタクトホール
を形成し、さらにサイドウォール絶縁膜を形成したこと
により、コンタクトホールの側周にキャパシタを形成す
ることが可能になる。

【００１５】また別のキャパシタの製造方法では、キャ
パシタ絶縁膜を第２のキャパシタ電極またはエッチング
停止膜で覆った状態で接続部を形成するので、キャパシ
タ絶縁膜はエッチバック時にエッチングの損傷を受けな
い。

【００１６】

【実施例】本発明のキャパシタの構造を、図１に示す第
１の実施例におけるキャパシタの概略構成図により説明
する。図１に示すように、少なくとも上層が絶縁性の基
板１１上面には導体層１２が形成されている。この導体
層１２を覆う状態に絶縁層１３が成膜されている。上記
絶縁層１３の上面には第１のキャパシタ電極１４が形成
されている。この第１のキャパシタ電極１４の上面には
キャパシタ絶縁膜１５と第２のキャパシタ電極１６とが
積層されている。上記導体層１２上には、絶縁層１３と
第１のキャパシタ電極１４とキャパシタ絶縁膜１５と第
２のキャパシタ電極１６とを貫通する状態にコンタクト
ホール１７が設けられている。また上記コンタクトホー
ル１７の側壁には、上記キャパシタ絶縁膜１５に接続す
る状態にサイドウォール絶縁膜１８が形成されている。
さらに当該コンタクトホール１７を通して上記導体層１
２と上記第２のキャパシタ電極１６とを接続する接続部
１９が、当該コンタクトホール１７に設けられている。
上記の如くに、第１のキャパシタ電極１４とキャパシタ
絶縁膜１５と第２のキャパシタ電極１６とが積層された
部分でキャパシタ１は構成される。

【００１７】上記接続部１９は、図示したように配線で
形成してもよく、または図示はしないが、コンタクトホ
ール１７の内部に形成したプラグと、そのプラグと上記
第２のキャパシタ電極１６とを接続する配線とで接続部
１９を形成してもよい。

【００１８】上記構造のキャパシタ１では、コンタクト
ホール１７の側壁にサイドウォール絶縁膜１８を形成し
て、コンタクトホール１７内に形成される接続部１９と
第１のキャパシタ電極１４とを絶縁したので、コンタク
トホール１７の側周にキャパシタ１を形成することが可
能になる。したがって、従来、感光工程の合わせ余裕と
して設計していた領域５１にもキャパシタ１を形成する
ことが可能になる。

【００１９】次に上記図１により説明したキャパシタ１
の製造方法を、図２に示す第１の実施例におけるキャパ
シタの製造工程図により説明する。なお図では、上記図
１により説明した構成部品と同様のものには、同一符号
を付す。

【００２０】図２の（１）に示すように、第１の工程で
は、通常の成膜方法として、例えば化学的気相成長法に
よって、少なくとも上層が絶縁性の基板１１の上面に形
成されている導体層１２を覆う状態に、絶縁層１３を成
膜する。この絶縁層１３は、例えばシリコン酸化膜で形
成される。さらに例えば、化学的気相成長法によって、
当該絶縁層１３の上面に第１の電極形成膜２１を成膜す
る。この第１の電極形成膜２１は、例えば多結晶シリコ
ンで形成される。次いで、通常のホトリソグラフィー技
術とエッチングとによって、第１の電極形成膜２１の２
点鎖線で示す部分を除去し、残した第１の電極形成膜２
１で第１のキャパシタ電極１４を形成する。次いで通常
の成膜方法として、例えば化学的気相成長法によって、
上記第１のキャパシタ電極１４を覆う状態に、キャパシ
タ絶縁膜１５と第２の電極形成膜２２とを積層状態に成
膜する。

【００２１】次いで図２の（２）に示す第２の工程を説
明する。この工程では、通常のホトリソグラフィー技術
とエッチングとによって、上記導体層１２上の絶縁層１
３と第１のキャパシタ電極１４とキャパシタ絶縁膜１５
と第２の電極形成膜２２とを貫通するコンタクトホール
１７を形成する。

【００２２】続いて図２の（３）に示す第３の工程を説
明する。この工程では、例えば化学的気相成長法によっ
て、コンタクトホール１７の内壁と上記第２の電極形成
膜２２の表面とに絶縁膜２３を成膜する。この絶縁膜２
３は、コンタクトホール１７の内壁に形成されるので、
上記キャパシタ絶縁膜１５に接続する状態に形成され
る。その後、通常のエッチバック技術によって、上記絶
縁膜２３の２点鎖線で示す部分を除去し、残した当該絶
縁膜（２３）で当該コンタクトホール１７の側壁にサイ
ドウォール絶縁膜１８を形成する。

【００２３】その後図２の（４）に示す第４の工程を説
明する。この工程では、例えば通常の成膜技術（例えば
化学的気相成長法またはスパッタ法等）によって、コン
タクトホール１７の内壁面と上記第２の電極形成膜２２
上とに、接続部形成膜２４を成膜する。この接続部形成
膜２４は、例えば多結晶シリコンよりなる。その後、通
常のホトリソグラフィー技術とエッチングとによって、
上記接続部形成膜２４の２点鎖線で示す部分と第２の電
極形成膜２２の１点鎖線で示す部分とを除去する。そし
て残した第２の電極形成膜（２２）で第２のキャパシタ
電極１６を形成する。また残した接続部形成膜（２４）
で導体層１２と第２のキャパシタ電極１６とを接続する
接続部１９を形成する。

【００２４】上記キャパシタの製造方法では、絶縁層１
３の上面に第１のキャパシタ電極１４になる第１の電極
形成膜２１とキャパシタ絶縁膜１５と第２のキャパシタ
電極１６になる第２の電極形成膜２２とを形成した後
に、コンタクトホール１７を形成し、さらにサイドウォ
ール絶縁膜１８を形成したことにより、コンタクトホー
ル１７の側周にキャパシタ１を形成することが可能にな
る。またエッチバックによってサイドウォール絶縁膜１
８を形成する際に、キャパシタ絶縁膜１５は第２の電極
形成膜２２で覆われているので、例えばエッチバックを
プラズマエッチングで行っても、キャパシタ絶縁膜１５
はプラズマによる損傷を受けない。

【００２５】次に第２の発明の実施例として、キャパシ
タの下側の電極（以下の説明では第１のキャパシタ電極
と記す）と導体層とを接続する構造のキャパシタを製造
する場合において、ドライエッチング時にキャパシタ絶
縁膜が損傷を受けないキャパシタの製造方法を、図３に
示す第２の実施例におけるキャパシタの製造工程図によ
り説明する。図３の（１）に示すように、第１の工程で
は、通常の成膜方法として、例えば化学的気相成長法に
よって、少なくとも上層が絶縁性の基板３１の上面に形
成されている導体層３２を覆う状態に、絶縁層３３を成
膜する。この絶縁層３３は、例えばシリコン酸化膜で形
成される。さらに例えば、化学的気相成長法によって、
当該絶縁層３３の上面に第１の電極形成膜４１を成膜す
る。この第１の電極形成膜４１は、例えば多結晶シリコ
ンで形成される。次いで、通常のホトリソグラフィー技
術とエッチングとによって、第１の電極形成膜４１の２
点鎖線で示す部分を除去し、残した第１の電極形成膜
（４１）で第１のキャパシタ電極３４を形成する。次い
で通常の成膜方法として、例えば化学的気相成長法によ
って、上記第１のキャパシタ電極３４を覆う状態に、キ
ャパシタ絶縁膜３５と第２の電極形成膜４２とを積層状
態に成膜する。

【００２６】次いで図３の（２）に示す第２の工程を説
明する。この工程では、通常の成膜方法として、例えば
化学的気相成長法によって、第２の電極形成膜４２の上
面にエッチング停止膜３６を形成する。このエッチング
停止膜３６は、酸化シリコンよりなる。

【００２７】続いて第３の工程を説明する。この工程で
は、通常のホトリソグラフィー技術とエッチングとによ
って、上記導体層３２上の絶縁層３３と第１のキャパシ
タ電極３４とキャパシタ絶縁膜３５と第２の電極形成膜
４２とエッチング停止膜３６とを貫通するコンタクトホ
ール３７を形成する。

【００２８】次いで図３の（３）に示す第４の工程を説
明する。この工程では、例えば通常の成膜技術（例えば
化学的気相成長法またはスパッタ法等）によって、コン
タクトホール３７の内部と上記エッチング停止膜３６上
とに、接続部形成膜４３を成膜する。この接続部形成膜
４３は、例えば多結晶シリコンよりなる。その後、通常
のエッチバック技術によって、上記接続部形成膜４３の
２点鎖線で示す部分を除去する。そして残した接続部形
成膜（４３）で埋め込みプラグよりなる接続部３８を形
成する。

【００２９】その後図３の（４）に示す第５の工程を説
明する。この工程では、エッチングによって、エッチン
グ停止膜３６（２点鎖線で示す部分）を除去する。次い
で通常のホトリソグラフィー技術とエッチングとによっ
て、１点鎖線で示す第２の電極形成膜４２を除去し、残
した第２の電極形成膜（４２）で第２のキャパシタ電極
３９を形成する。そして、第１のキャパシタ電極３４と
キャパシタ絶縁膜３５と第２のキャパシタ電極３９とに
よって、キャパシタ２が形成される。

【００３０】上記製造方法ではエッチング停止膜３６を
形成したが、このエッチング停止膜３６を形成しない方
法もある。その製造方法を、図４に示す第３の実施例に
おけるキャパシタのの製造工程図により説明する。なお
図では、上記図３で説明したと同様の構成部品には同一
符号を付す。

【００３１】図４の（１）に示すように、第１の工程で
は、上記図３の（１）で説明したと同様にして、少なく
とも上層が絶縁性の基板３１の上面に形成されている導
体層３２を覆う状態に、絶縁層３３を成膜する。さら
に、当該絶縁層３３の上面に第１の電極形成膜４１を成
膜し、通常のホトリソグラフィー技術とエッチングとに
よって、第１の電極形成膜４１で第１のキャパシタ電極
３４を形成する。次いで、上記第１のキャパシタ電極３
４を覆う状態に、キャパシタ絶縁膜３５と第２の電極形
成膜４２とを積層状態に成膜する。

【００３２】次いで図４の（２）に示す第２の工程を説
明する。この工程では、上記図３の（３）で説明したと
同様にして、上記導体層３２上の絶縁層３３と第１のキ
ャパシタ電極３４とキャパシタ絶縁膜３５と第２の電極
形成膜４２とを貫通するコンタクトホール３７を形成す
る。

【００３３】次いで図４の（３）に示す第３の工程を説
明する。この工程では、上記図３の（４）で説明したと
同様にして、コンタクトホール３７の内部と上記第２の
電極形成膜４２上とに、接続部形成膜４３を成膜する。
その後、通常のエッチバック技術によって、上記接続部
形成膜４３の２点鎖線で示す部分を除去する。そして残
した接続部形成膜（４３）で埋め込みプラグよりなる接
続部３８を形成する。

【００３４】その後図４の（４）に示す第４の工程を説
明する。この工程では、通常のホトリソグラフィー技術
とエッチングとによって、１点鎖線で示す第２の電極形
成膜４２を除去し、残した第２の電極形成膜（４２）
で、第２のキャパシタ電極３９を形成する。そして、第
１のキャパシタ電極３４とキャパシタ絶縁膜３５と第２
のキャパシタ電極３９とによって、キャパシタ２が形成
される。

【００３５】上記キャパシタ２の製造方法では、キャパ
シタ絶縁膜３５を第２の電極形成膜４２またはエッチン
グ停止膜３６で覆った状態で接続部３８を形成するの
で、接続部３８を形成する際のエッチバック時にはキャ
パシタ絶縁膜３５は損傷を受けない。

【００３６】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、コンタクトホールの側壁にサイドウォール絶
縁膜を形成して、コンタクトホール内に形成される接続
部と第１のキャパシタ電極とを絶縁したので、コンタク
トホールの側周にキャパシタを形成できる。したがっ
て、従来、感光工程の合わせ余裕として考慮していた領
域にもキャパシタを形成することが可能になるので、キ
ャパシタの容量を増加することができる。よって、高集
積化によって素子面積が縮小されても、十分な容量を確
保することが可能になる。

【００３７】また請求項２の発明によれば、絶縁層の上
面に第１のキャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜と第２の
キャパシタ電極とを形成した後に、コンタクトホールを
形成し、さらにサイドウォール絶縁膜を形成したことに
より、コンタクトホールの側周にキャパシタを形成する
ことができる。したがって、キャパシタの面積を最大限
に広く形成することが可能になるので、その容量も最大
限に大きくすることができる。

【００３８】また請求項３または請求項４の発明によれ
ば、キャパシタ絶縁膜を第２のキャパシタ電極またはエ
ッチング停止膜で覆った状態で接続部を形成するので、
キャパシタ絶縁膜はエッチバック時にエッチングの損傷
を受けない。よって、キャパシタ絶縁膜の絶縁耐圧が低
下することがなくなり、キャパシタの信頼性の向上が図
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例におけるキャパシタの概略構成断
面図である。

【図２】第１の実施例におけるキャパシタの製造工程図
である。

【図３】第２の実施例におけるキャパシタの製造工程図
である。

【図４】第３の実施例におけるキャパシタの製造工程図
である。

【図５】従来例におけるキャパシタのレイアウト図であ
る。

【図６】別の従来例におけるキャパシタの製造工程図で
ある。

【符号の説明】

１ キャパシタ ２ キャパシタ １２ 導体層 １３ 絶縁層 １４ 第１のキャパシタ電極 １５ キャパシタ絶縁膜 １６ 第２のキャパシタ電極 １７ コンタクトホール １８ サイドウォール絶縁膜 １９ 接続部 ３２ 導体層 ３３ 絶縁層 ３４ 第１のキャパシタ電極 ３５ キャパシタ絶縁膜 ３６ エッチング停止膜 ３７ コンタクトホール ３８ 接続部 ３９ 第２のキャパシタ電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体層を覆う状態に形成した絶縁層と、 前記導体層上の前記絶縁層に形成したコンタクトホール
   と、 前記コンタクトホールの側周側における前記絶縁層の上
   面に形成した第１のキャパシタ電極と、 上記第１のキャパシタ電極の上面に形成したキャパシタ
   絶縁膜と、 前記キャパシタ絶縁膜の上面に形成した第２のキャパシ
   タ電極と、 前記導体層上の前記絶縁層と前記第１のキャパシタ電極
   と前記キャパシタ絶縁膜と前記第２のキャパシタ電極と
   を貫通する状態に形成したコンタクトホールと、 前記キャパシタ絶縁膜に接続する状態にして、前記コン
   タクトホールの側壁に形成したサイドウォール絶縁膜
   と、 前記コンタクトホールを通して前記導体層と前記第２の
   キャパシタ電極とを接続する接続部とよりなることを特
   徴とするキャパシタ。
2. 【請求項２】 請求項１記載のキャパシタの製造方法で
   あって、 導体層を覆う状態に絶縁層を形成した後、当該絶縁層の
   上面に第１のキャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜と第２
   のキャパシタ電極とを順に積層状態に形成する第１の工
   程と、 前記導体層上の絶縁層と第１のキャパシタ電極とキャパ
   シタ絶縁膜と第２のキャパシタ電極とを貫通するコンタ
   クトホールを形成する第２の工程と、 前記コンタクトホールの側壁に前記キャパシタ絶縁膜と
   接続するサイドウォール絶縁膜を形成する第３の工程
   と、 前記コンタクトホールを通して前記導体層と前記第２の
   キャパシタ電極とを接続する接続部を形成する第４の工
   程とを行うことを特徴とするキャパシタの製造方法。
3. 【請求項３】 導体層を覆う状態に絶縁層を形成した
   後、当該絶縁層の上面に第１のキャパシタ電極とキャパ
   シタ絶縁膜と電極形成膜とを順に積層状態に形成する第
   １の工程と、 前記電極形成膜の上面にエッチング停止膜を形成する第
   ２の工程と、 前記導体層上の前記絶縁層と前記第１のキャパシタ電極
   と前記キャパシタ絶縁膜と前記電極形成膜と前記エッチ
   ング停止膜とを貫通するコンタクトホールを形成する第
   ３の工程と、 前記コンタクトホールの内部に前記導体層と前記第１の
   キャパシタ電極とを接続する接続部を形成する第４の工
   程と、 前記エッチング停止膜を除去した後、前記電極形成膜で
   第２のキャパシタ電極を形成する第５の工程とを行うこ
   とを特徴とするキャパシタの製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載のキャパシタの製造方法に
   おいて、 前記第１の工程を行った後、続いて前記第３の工程で、
   前記導体層上の前記絶縁層と前記第１のキャパシタ電極
   と前記キャパシタ絶縁膜と前記電極形成膜とを貫通する
   コンタクトホールを形成し、次いで前記第４の工程を行
   い、その後前記第５の工程で、前記電極形成膜で第２の
   キャパシタ電極を形成することを特徴とするキャパシタ
   の製造方法。