JPH06231501A

JPH06231501A - オーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH06231501A
Application number: JP5017392A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Hosokawa; 哲夫細川; Akio Okamuro; 昭男岡室; Kazutomo Miyata; 一智宮田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1993-02-04
Filing date: 1993-02-04
Publication date: 1994-08-19

Abstract

(57)【要約】【目的】Ｐ_H、Ｐ_Lパワーマージンや感度を犠牲にせ
ずにＰ_Rパワーマージンを広げる。【構成】メモリー層Ｍ、ライティング層Ｗ、及び層Ｍ
の上に積層され、層Ｍより高いキュリー点を持つ再生層
Ｒからなり、各層はそれぞれ重希土類金属ＲＥ−遷移金
属ＴＭ系合金から構成されたオーバーライト可能な光磁
気記録媒体を製造する方法において、層ＲをＲＥ−ＴＭ
合金ターゲットを２個以上用いた同時スパッタリングに
より成膜する（請求項１）。層Ｍのスパッタリング時の
アルゴンガス圧力を０．３〜０．７パスカルとする（請
求項２）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、オーバーライト可能な
光磁気記録媒体を製造する方法の改良に関する。オーバ
ーライト(over write)とは、前の情報を消去せずに新た
な情報を記録する行為を言う。この場合、再生したと
き、前の情報は再生されてはならない。本明細書で言う
「オーバーライト」とは、特に、記録磁界Ｈb の向き及
び強度を変調せずに、単にレーザービームを記録すべき
情報に従いパルス変調しながら照射する(irradiate) こ
とにより、オーバーライトすることを言う。

【０００２】

【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。

【０００３】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録を残す層として１層又は多層からなる垂直
磁化膜(perpendicular magnetic layer or layers) を
有する。この磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGd
Co、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどからなる。垂直磁
化膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有し
ており、このトラックの上に情報が記録される。トラッ
クは明示的な場合と黙示的な場合の２通りある。〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はディスク形状を
している。明示的なトラックを有するディスクは、ディ
スク平面に対し垂直方向から見た場合、情報を記録する
トラックが渦巻状又は同心円状に形成されている。そし
て、隣接する２つのトラック間にトラッキングのため及
び分離のための溝（グルーブ groove ）が存在する。逆
に溝と溝の間をランド(land)と呼ぶ。実際には、ディス
クの裏表でランドと溝が逆になる。そこで、ビームが入
射するのと同じにディスクを見て、手前を溝、奥をラン
ドと呼ぶ。垂直磁化膜は、溝の上にもランドの上にも一
面に形成するので、溝の部分をトラックにしてもよい
し、ランドの部分をトラックにしてもよい。溝の幅とラ
ンドの幅との間に特に大小関係はない。

【０００４】このようなランドと溝を構成するために、
一般に、基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成さ
れたランドと、２つの隣合うランド間に挟まれた溝が存
在する。このような基板上に薄く垂直磁化膜が形成され
る。これにより垂直磁化膜はランドと溝を持つ。〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き（upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「Ａ
向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。

【０００５】記録すべき情報は、予め２値化されてお
り、この情報が「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ₁)
と、「逆Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ₀)の２つの
信号で記録される。これらのマークＢ₁，Ｂ₀は、デジ
タル信号の１，０の何れか一方と他方にそれぞれ相当す
る。しかし、一般には記録されるトラックの磁化は、記
録前に強力な外部磁場を印加することによって「逆Ａ向
き」に揃えられる。この磁化の向きを揃える行為は、古
い意味で「初期化^*（initialize^*）」と呼ばれる。そ
の上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ
₁)を形成する。情報は、このマーク（Ｂ₁)の有無、位
置、マークの前端位置、後端位置、マーク長等によって
表現される。特にマークのエッジ位置が情報を表す方法
はマーク長記録と呼ばれる尚、マークは、過去にピット
又はビットと呼ばれたことがあるが、最近はマークと呼
ぶ。

【０００６】ところで、記録ずみの媒体を再使用するに
は、 (１) 媒体を再び初期化^*装置で初期化^*するか、
又は (２) 記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを
併設するか、又は (３) 予め、前段処理として記録装置
又は消去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要があ
る。従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ
情報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録でき
るオーバーライトは、不可能とされていた。

【０００７】もっとも、もし記録磁界Ｈb の向きを必要
に応じて「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Ｈb の向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Ｈb が永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Ｈbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。

【０００８】しかしながら、技術の進歩は著しく、記録
磁界Ｈb の強度を変調せずに（ON、OFF を含む) 又は記
録磁界Ｈb の向きを変調せずに、照射する光ビームの強
度を記録すべき２値化情報に従い変調するだけで、オー
バーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用され
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれ
に使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明さ
れ、特許出願された（特開昭62−175948号＝DE3,619,61
8A1 ＝米国特許出願中 Ser.No453,255) 。以下、この発
明を「基本発明」と引用する。〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録再生層recording layer
（本明細書では、この記録再生層をメモリー層 Memory
layer又はＭ層と言う）と、垂直磁化可能な磁性薄膜か
らなる記録補助層 referencelayer （本明細書では、こ
の記録補助層をライティング層 Writing layer 又はＷ
層と言う）とを含み、両層は交換結合（exchange-coupl
ed) しており、かつ、室温でＭ層の磁化の向きは変えな
いでＷ層の磁化のみを所定の向きに向けておくことがで
きるオーバーライト可能な多層光磁気記録媒体」を使用
する。

【０００９】そして、情報をＭ層（場合によりＷ層に
も）における「Ａ向き」磁化を有するマークと「逆Ａ向
き」磁化を有するマークで表現し、記録するのである。
この媒体は、Ｗ層が外部手段（例えば初期補助磁界Hin
i. ）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」に揃える
ことができる。しかも、そのとき、Ｍ層は、磁化の向き
は反転せず、更に、一旦「Ａ向き」に揃えられたＷ層の
磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にＭ層の磁化の向きは、「Ａ向き」に揃えられた
Ｗ層からの交換結合力を受けても反転しない。

【００１０】そして、Ｗ層は、Ｍ層に比べて低い保磁力
Ｈ_Cと高いキュリー点Ｔ_Cを持つ。基本発明の記録方法
によれば、記録媒体は、記録前までに、外部手段により
Ｗ層の磁化の向きだけが「Ａ向き」に揃えられる。この
行為を本明細書では特別に“初期化(initialize)”と呼
ぶ。この“初期化”はオーバーライト可能な媒体に特有
なことである。

【００１１】その上で、２値化情報に従いパルス変調さ
れたレーザービームが媒体に照射される。レーザービー
ムの強度は、高レベルＰ_Hと低レベルＰ_Lがあり、これ
はパルスの高レベルと低レベルに相当する。この低レベ
ルは、再生時に媒体を照射する再生レベルＰ_Rよりも高
い。既に知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを＜非常な低レベル＞で点灯することが
ある。この＜非常な低レベル＞も、再生レベルＰ_Rと同
一又は近似のレベルである。

【００１２】例えば、「Ａ向き」に“初期化(initializ
e)”された媒体は、低レベルＰ_Lのレーザービームの照
射を受けると、媒体の温度が向上してＭ層の保磁力Ｈ_c1
が非常に小さくなるか極端にはゼロになる。ゼロになる
のは、媒体の温度がＭ層のキュリー点以上であるときで
ある。このとき、Ｗ層の保磁力Ｈ_c2は十分に大きく、
「逆Ａ向き」の記録磁界Ｈb で反転されることはない。
そして、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に及ぶ。Ｍ
層、Ｗ層は、一般に重希土類金属（heavy rareearth me
tal：以下、ＲＥと略す）−遷移金属（transition meta
l：以下、ＴＭと略す）合金で構成される。交換結合力
は、両層のＲＥ磁気モーメント同士を揃える力と両層の
ＴＭ磁気モーメント同士を揃える力からなる。尚、合金
中ではＲＥの副格子磁化とＴＭの副格子磁化とは、向き
が逆であり、大きい方の副格子磁化の向きが、合金の磁
化の向きを決める。両副格子磁化が等しいとき、その組
成を補償組成（compensation composition) と言い、そ
の温度を補償温度（compensation temperature) と言
う。補償温度より上では、ＴＭ副格子磁化の方が強
く、補償温度より下では、ＲＥ副格子磁化の方が強い。

【００１３】レーザービームを照射する前のマークの状
態は、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁が存在する状態
と、存在しない状態との２種がある。存在しない状
態のマークは、形成しようとするマークと一致する。
存在する状態のマークは、形成しようとするマークと一
致しない。後者の場合、Ｗ層の力が交換結合力を介し
てＭ層に及ぶ結果、非常に小さくなった保磁力Ｈ_c1を持
つＭ層の磁化は、Ｗ層によって支配された所定の向き
（例えば、「Ａ向き」）を向かされる。その結果、Ｍ層
とＷ層との間に界面磁壁が存在しないマーク（目的とす
るマーク）が形成される。

【００１４】仮にＭ層の磁化がゼロだった場合（Ｔ_c1以
上）でもレーザービームの照射がなくなり、媒体の温度
が自然に低下してキュリー点Ｔ_c1よりやや下がると、Ｍ
層に磁化が現れる。このとき、同様にＷ層の力が交換結
合力を介してＭ層に及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化
は、Ｗ層によって支配された所定の向き（例えば、「Ａ
向き」）を向く。この状態から室温に戻るが、所定の向
きが保たれる。ただし、室温へ戻る途中にＭ層、Ｗ層に
補償温度があると、そこを越えたとき、その層の磁化の
向きは逆転する。このプロセスは低温サイクル又は低温
プロセスと呼ばれる。

【００１５】他方、例えば、「Ａ向き」に“初期化(ini
tialize)”された媒体は、高レベルＰ_Hのレーザービー
ムの照射を受けると、媒体の温度が向上してＭ層の保磁
力Ｈ_c1はゼロになり、Ｗ層の保磁力Ｈ_c2は非常に小さく
なるか、極端にはゼロになる。そのため、非常に小さい
保磁力Ｈ_c2を持つＷ層の磁化は、記録磁界Ｈb に負けて
所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。仮にＷ層
の磁化がゼロだった場合でもレーザービームの照射がな
くなり、媒体の温度が自然に低下してキュリー点Ｔ_c2
よりやや下がると、Ｗ層に磁化が現れるが、このとき、
同様に記録磁界Ｈb に負けて、Ｗ層の磁化は所定の向き
（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。更に媒体の温度が冷
えてキュリー点Ｔ_c1よりやや下がると、Ｍ層に磁化が現
れる。このとき、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に
及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化は、Ｗ層によって支
配された所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。
この状態から室温に戻るが、所定の向きが保たれる。但
し、室温へ戻る途中にＭ層、Ｗ層に補償温度があると、
そこを越えたとき、Ｍ層、Ｗ層の磁化の向きは逆転す
る。このプロセスは高温サイクル又は高温プロセスと呼
ばれる。

【００１６】以上の低温サイクル、高温サイクルは、Ｍ
層、Ｗ層の磁化の向きに無関係に、起こる。ともかく、
レーザービームの照射前にＷ層が“初期化(initializ
e)”されておれば良い。そのため、オーバーライトが可
能となる。基本発明では、レーザービームは、記録すべ
き情報に従いパルス状に変調される。しかし、このこと
自身は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべ
き２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手
段は既知の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM T
ECHNICAL JOURNAL, Vol.62(1983),1923 −1936に詳し
く説明されている。従って、ビーム強度の必要な高レベ
ルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修
正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、その
ような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与え
られれば、容易であろう。

【００１７】基本発明に於いて特徴的なことの１つは、
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Ｈb その他の外部手段
によりＷ層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（re
verse)させ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化によってＭ層
に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するマ
ークを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、Ｗ層の
磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず、そして、Ｗ
層の作用（この作用は交換結合力を通じてＭ層に伝わ
る）によってＭ層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」
磁化〕を有するマークを形成する。

【００１８】なお、本明細書で、○○○〔又は△△△〕
という表現は、先に〔〕の外の○○○を読んだときに
は、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも、〔〕の
外の○○○を読むことにする。それに対して先に○○○
を読まずに〔〕内の△△△の方を選択して読んだとき
には、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも○○○を
読まずに〔〕内の△△△を読むものとする。

【００１９】基本発明で使用される媒体は、第１実施態
様と第２実施態様とに大別される。いずれの実施態様に
おいても、記録媒体は、Ｍ層とＷ層を含む多層構造を
有する。Ｍ層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低
い磁性層である。Ｗ層はＭ層に比べ相対的に室温で保磁
力が低く磁化反転温度が高い磁性層である。なお、Ｍ層
とＷ層ともに、それ自体多層膜から構成されていてもよ
い。場合によりＭ層とＷ層との間に中間層（例えば、
交換結合力σ_W調整層・・・・以下、この層をInt.層と
略す）が存在していてもよい。Int.層については、特開
昭64−50257 号や特開平１−273248号を参照されたい。

【００２０】また、オーバーライト可能な光磁気記録に
ついては、その外、特開平４−123339号や特開平４−13
4741号など多くの資料が出されているので、ここでは、
これ以上の説明を省く。なお、特開平４−123339号に開
示された４層構造のディスクは、Ｍ層、Ｗ層の外に、
“初期化”層 (Initializing layer：以下、Ｉ層と略
す）、Ｉ層とＷ層との間に両層の間の交換結合をオン・
オフするスイッチング層（Swithing layer：以下：Ｓ層
と略す）を持つ。

【００２１】Ｃ／Ｎ比を高めるために、Ｍ層の上に（つ
まり、レーザービームの入射側に）Ｍ層よりキュリー点
が高くカー効果の高い再生層（Readout layer ：以下：
Ｒ層と略す）を積層したものも提案されている。例え
ば、特開昭63−64651 号公報、特開昭63−48637 号公報
を参照されたい。提案されたＲ層もＲＥ−ＴＭ系合金で
構成される。

【００２２】従来、Ｒ層は、ＲＥ−ＴＭ系合金ターゲッ
トを１個用い、スパッタリングにより成膜されている。
また、Ｍ層は、真空チャンバー内に導入するアルゴンガ
ス圧力を０．２パスカル以下に設定した状態で、スパッ
タリングすることにより成膜されていた。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】Ｒ層、Ｍ層及びＷ層を
持つオーバーライト可能な光磁気記録媒体に情報を記録
し、再生する場合、レーザービームの強度は、既述のよ
うに、高レベルＰ_H、低レベルＰ_L、Ｐ_Lより低い再生
レベルＰ_rの３つの間で変調される。実際には、レー
ザービーム強度の変動、各層の組成や膜厚のバラツキ
による媒体感度のバラツキなどがあるため、各強度の設
定値には許容差を見込む必要がある。このような強度設
定値の許容差（つまりパワーマージン）を設定する手段
の１つとして、各層の膜厚や組成を調整する方法があ
る。例えば、Ｐ_Rパワーマージンを広げるにはＭ層の膜
厚を増加させる方法が考えられる。

【００２４】しかしながら、この方法ではＰ_Rパワーマ
ージンは大きくなるが、同時に膜厚が増加するので感度
が低下し、結局、Ｐ_H、Ｐ_L設定値も大きくしなければ
ならず、高出力のレーザーが必要になってしまう。ま
た、Ｐ_Lパワーマージンを大きくするために、組成を調
整することによりＭ層とＷ層との間の交換結合力を大き
くすると、Ｐ_Lパワーマージンは広がるものの、今度は
Ｐ_Rパワーマージンが低下してしまう。

【００２５】このように組成や膜厚を調整する方法で
は、Ｐ_H、Ｐ_L、Ｐ_Rの各強度の中心設定値を調整する
ことはできるが、同時に感度が悪くなるか、あるいは３
つのパワーマージンのどれかのマージンが小さくなると
いう問題点があった。本発明の目的は、この問題点を解
決することにある。

【００２６】

【課題を解決する為の手段】上記問題を解決するため
に、本発明は、Ｍ層、Ｗ層、及びＭ層の上に積層さ
れ、Ｍ層より高いキュリー点を持つ再生層からなり、各
層はそれぞれ重希土類金属−遷移金属系合金から構成さ
れたオーバーライト可能な光磁気記録媒体を製造する方
法において、前記Ｒ層を、ＲＥとＴＭからなる合金タ
ーゲットを２個以上用い、同時スパッタリングにより成
膜することを特徴とする方法（請求項１）と前記Ｍ層
を、アルゴンガス圧力を０．３〜０．７パスカルに設定
した状態でスパッタリングにより成膜することを特徴と
する方法（請求項２）を提供する。

【００２７】本発明の目的を達成する上では、請求項１
と２の方法を同時に実施することが好ましい。

【００２８】

【作用】本発明によって何故に目的が達成されるのか、
その正確な理由は不明である。しかし、実験事実がそれ
を証明する。多少、推定する。オーバーライト可能な媒
体でのＰ_Rパワーマージンは、媒体の特性が次式を満足
する温度範囲、つまりレーザー強度の範囲によって決ま
る。

【００２９】２Ｍ_S1Ｈ_C1ｔ₁＋２Ｍ_S2Ｈ_C2ｔ₂＞σ_W ここで、Ｍ_S、Ｈ_C、ｔ、σ_Wは、順に飽和磁化（飽和
磁気モーメント）、保磁力、膜厚、交換結合力（Ｍ層と
Ｗ層との間）を示し、添字の数字は、１がＲ層、２がＭ
層を示す。ところで各層中に組成、膜厚などの不均一が
存在すると、媒体の部分的に上記式を満足しない場所が
存在することになる。このような不均一性のある媒体
で、Ｐ_Rを上昇させていくと、媒体中の不均一性のため
にＭ_S、Ｈ_C、ｔ、が小さくなった部分のＭ層の副格子
磁化が交換結合力によりＷ層副格子磁化方向に揃ってし
まひことになる。これは記録された情報が部分的に消滅
することを意味する。

【００３０】本発明の製造方法によれば、各層の組成、
磁気特性、膜厚の不均一が少なくなり、その結果、
Ｐ_H、Ｐ_Lパワーマージンや感度が犠牲にならずにＰ_R
パワーマージンが広がるものと推定している。

【００３１】

【実施例及び比較例１】８元のターゲットを備えたスパ
ッタリング装置に、１．４μｍピッチのトラッキング用
案内溝の刻まれた樹脂層（ＰＰ）を有するディスク状ガ
ラス基板（Ｇ）をセットした。スパッタリング装置の真
空チャンバー内にアルゴンガスとＮ₂ガスを導入し、第
１のターゲットにより、スパッタ速度１０ｎｍ／ｍｉ
ｎ、アルゴン圧０．２パスカルとして、ＳｉとＮ₂の反
応性スパッタリングを行ない、膜厚７０ｎｍの窒化シリ
コン（ＳｉＮ）からなる保護層を設けた。

【００３２】次にＧｄＦｅＣｏの同一組成の第２の合金
ターゲットと第３の合金ターゲットによる２元同時スパ
ッタにより、アルゴン圧を０．３パスカル、スパッタリ
ング速度２０ｎｍ／ｍｉｎとして、膜厚３０ｎｍのＧｄ
₂₁Ｆｅ₅₆Ｃｏ₂₃からなるＲ層を形成した。次に第４のタ
ーゲット（Ｔｂ）と第５のターゲット（ＦｅＣｏ）によ
り、スパッタリング速度を２０ｎｍ／ｍｉｎとして、Ｔ
ｂとＦｅＣｏの２元同時スパッタリングを行ない、膜厚
２５ｎｍのＴｂ₂₁Ｆｅ₇₅Ｃｏ₄からなるＭ層を形成し
た。ここでＭ層のアルゴン圧を変化させながら数枚のサ
ンプルを作成した。

【００３３】次に第６のターゲットにより、スパッタリ
ング速度２０ｎｍ／ｍｉｎ、アルゴン圧を０．３パスカ
ルとしてＧｄＦｅＣｏ合金をスパッタリングし、膜厚１
５ｎｍのＧｄ₃₅Ｆｅ₅₂Ｃｏ₁₃のInt.層を形成した。次に
第７のターゲット（Ｄｙ）と第８のターゲット（ＦｅＣ
ｏ）により、スパッタリング速度を２０ｎｍ／ｍｉｎ、
アルゴン圧を０．２パスカルとして、ＤｙとＦｅＣｏの
２元同時スパッタを行ない、膜厚５０ｎｍのＤｙ₃₀Ｆｅ
₃₅Ｃｏ₃₅のＷ層を形成した。

【００３４】最後に第１のターゲットにより上記同様の
条件で保護層（ＳｉＮ）を形成し、図１に示す構成のオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体を作成した。最後
に、この媒体の保護層の上に接着剤を塗布し、保護用ガ
ラス基板と張り合わせることにより完成媒体とした。完
成媒体を光磁気記録再生装置にセットし、線速＝１１．
３ｍ／ｓで回転させた。完成媒体は最初に３ＫＯｅのHi
ni. 磁界発生部を通過することにより“初期化”され
た。そのあと、約１μｍに集光させた波長８３０ｎｍの
レーザービームを５０％デューティ比で４ＭＨｚの周波
数で変調させながら、完成媒体に照射した。ビームは、
基板（Ｇ）側から照射した。ビームはＰ_H＝８ｍＷとＰ
_L＝４ｍＷの間で変調した。照射位置には、Ｈb ＝３０
０Ｏｅのバイアス磁界が印加される。これにより、４Ｍ
Ｈｚの標準情報が記録された。次に、Ｐ_R＝１．５ｍＷ
で標準情報を再生した。

【００３５】次に上記条件で記録した標準情報を再生す
るレーザービーム強度を上昇させて１分間照射し再びレ
ーザービーム強度を１．５ｍＷに戻し、オシロスコープ
による信号振幅測定とスペクトラムアナライザーによる
ノイズレベル測定を行った。ここで、レーザービーム強
度を０．１ｍＷ間隔で上昇させ、１分後再び１．５ｍＷ
に戻して再生したときのノイズレベルが上昇したレーザ
ービーム強度をＰ_Rパワーマージンの上限（Ｐ_Rmax）、
さらにレーザービーム強度を上昇させ、低温プロセスに
より信号振幅が１／２の大きさになる強度を、Ｐ_Lの下
限（Ｐ_Lmin）として評価した。この場合、Ｐ_Lmin値とＰ
_Rmax値の差が小さいほど、感度やＰ_Lパワーマージンを
犠牲にせずにＰ_Rパワーマージンが大きくなったことに
なる。

【００３６】Ｍ層のスパッタリング時の各アルゴン圧設
定値を代えて作成した数枚のサンプルについて、Ｐ_Rパ
ワーマージンとＣ／Ｎ比を求めた結果を、次の表１：

【００３７】

【表１】

【００３８】に示す。この結果からＭ層作成時のアルゴ
ン圧を０．３パスカル以上にすることにより、Ｐ_Lmin値
とＰ_Rmax値の差が小さくなっていることがわかる。しか
し、アルゴン圧を０．７パスカル以上とするとＣ／Ｎの
低下が起きることが判る。そのため、０．３から０．７
パスカルの範囲内（両端を含む）でアルゴン圧を設定す
ることが望ましい。

【００３９】

【比較例２】Ｒ層を１元のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲット
を用いてスパッタリング（スパッタリング速度＝２０ｎ
ｍ／ｍｉｎ）により成膜した以外は、実施例と同様にＭ
層のアルゴン圧を変化させて完成媒体を作製した。完成
媒体を実施例と同様に評価した結果を次の表２：

【００４０】

【表２】

【００４１】に示す。実施例と同様にＭ層のアルゴン圧
を高くすると、Ｐ_Lmin値とＰ_Rmax値の差が小さくなる傾
向がある。しかし、その値はＲ層を合金ターゲットによ
る２元同時スパッタにした実施例の場合より大きい。

【００４２】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、Ｐ_Lパワ
ーマージン、感度を犠牲にせずにＰ_Rパワーマージンを
広げることができる。請求項１、２のどちらか一方の方
法によっても大きな効果が得られるが、製造の変動下に
おいてもより安定な効果を得るには、両者を同時に実施
することが望ましい。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、本発明の実施例にかかる光磁気記録媒体の
断面構成を示す概念図である。

【符号の説明】

Ｒ層・・・再生層Ｍ層・・・メモリー層Ｗ層・
・・ライティング層以上

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】メモリー層、ライティング層、及び前記メ
モリー層の上に積層され、前記メモリー層より高いキュ
リー点を持つ再生層からなり、各層はそれぞれ重希土類
金属−遷移金属系合金から構成されたオーバーライト可
能な光磁気記録媒体を製造する方法において、前記再生層を、重希土類金属と遷移金属からなる合金タ
ーゲットを２個以上用い、同時スパッタリングにより成
膜することを特徴とする方法。
【請求項２】メモリー層、ライティング層、及び前記メ
モリー層の上に積層され、前記メモリー層より高いキュ
リー点を持つ再生層からなり、各層はそれぞれ重希土類
金属−遷移金属系合金から構成されたオーバーライト可
能な光磁気記録媒体を製造する方法において、前記メモリー層を、アルゴンガス圧力を０．３〜０．７
パスカルに設定した状態でスパッタリングにより成膜す
ることを特徴とする方法。