JPH06230031A - プロ−ブカ−ドを用いた半導体素子の特性測定方法 - Google Patents
プロ−ブカ−ドを用いた半導体素子の特性測定方法Info
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- JPH06230031A JPH06230031A JP5016394A JP1639493A JPH06230031A JP H06230031 A JPH06230031 A JP H06230031A JP 5016394 A JP5016394 A JP 5016394A JP 1639493 A JP1639493 A JP 1639493A JP H06230031 A JPH06230031 A JP H06230031A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子破壊を防止するために、測定系に必要に
応じて挿入される保護抵抗を備えたプロ−ブカ−ドにお
いて、配線を単純化し、一度でより多くの半導体素子の
特性測定を行うこと。 【構成】 プロ−ブカ−ド（１）上において、保護抵抗
（２１）はプロ−ブ針（２）の接続されていない一対の
出力ピン（４２，４３）の間に接続されており、出力ピ
ン（４２，４３）は、プロ−ブ針（２）の接続された他
の出力ピン（４）と同様に、外部配線（５）を介して、
測定装置（６）内に設けられた測定ピン（７２，７３）
にそれぞれ接続されている。保護抵抗（２１）を挿入す
るか否かは、測定ピン（７，７２，７３）の接続を切り
換えることによって行われる。
応じて挿入される保護抵抗を備えたプロ−ブカ−ドにお
いて、配線を単純化し、一度でより多くの半導体素子の
特性測定を行うこと。 【構成】 プロ−ブカ−ド（１）上において、保護抵抗
（２１）はプロ−ブ針（２）の接続されていない一対の
出力ピン（４２，４３）の間に接続されており、出力ピ
ン（４２，４３）は、プロ−ブ針（２）の接続された他
の出力ピン（４）と同様に、外部配線（５）を介して、
測定装置（６）内に設けられた測定ピン（７２，７３）
にそれぞれ接続されている。保護抵抗（２１）を挿入す
るか否かは、測定ピン（７，７２，７３）の接続を切り
換えることによって行われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＯＳ集積回路等に含
まれた半導体素子の出力電流特性、出力耐圧特性等の試
験、測定に用いるプロ−ブカ−ドとそのプロ−ブカ−ド
を用いた半導体素子の特性測定方法に関する。
まれた半導体素子の出力電流特性、出力耐圧特性等の試
験、測定に用いるプロ−ブカ−ドとそのプロ−ブカ−ド
を用いた半導体素子の特性測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下で、従来例に係るＭＯＳ集積回路等
に含まれた半導体素子の特性測定方法を図４および図５
を参照しながら説明する。図４は、従来例に係る半導体
素子の測定方法に用いるプロ−ブカ−ドの斜視図であ
り、図５は従来例に係る半導体素子の特性測定方法に用
いる測定系の等価回路図である。
に含まれた半導体素子の特性測定方法を図４および図５
を参照しながら説明する。図４は、従来例に係る半導体
素子の測定方法に用いるプロ−ブカ−ドの斜視図であ
り、図５は従来例に係る半導体素子の特性測定方法に用
いる測定系の等価回路図である。
【０００３】一般に、プロ−ブカ−ドは被測定物である
半導体素子とその特性を測定するためのテスタ等の測定
装置との接続に用いられる。プロ−ブカ−ド（１）は、
複数のプロ−ブ針（２）を有しており、各プロ−ブ針
（２）はプロ−ブカ−ド（１）に設けられた配線（３）
を介して出力ピン（４）に接続され、さらに各出力ピン
（４）は外部配線（５）を介して測定装置（６）の内に
設けられた測定ピン（７）に接続されている。このプロ
−ブカ−ド（１）は、半導体ウエハ（８）の上方に配置
され、各プロ−ブ針（２）が半導体ウエハ（８）上に形
成された半導体素子の出力パッド（図示せず）に接触さ
れる。
半導体素子とその特性を測定するためのテスタ等の測定
装置との接続に用いられる。プロ−ブカ−ド（１）は、
複数のプロ−ブ針（２）を有しており、各プロ−ブ針
（２）はプロ−ブカ−ド（１）に設けられた配線（３）
を介して出力ピン（４）に接続され、さらに各出力ピン
（４）は外部配線（５）を介して測定装置（６）の内に
設けられた測定ピン（７）に接続されている。このプロ
−ブカ−ド（１）は、半導体ウエハ（８）の上方に配置
され、各プロ−ブ針（２）が半導体ウエハ（８）上に形
成された半導体素子の出力パッド（図示せず）に接触さ
れる。
【０００４】半導体素子の特性測定においては、例えば
出力耐圧の測定のように大電流、大電圧を半導体素子に
供給して行うものがあり、この種の測定では半導体素子
の破壊を防止するために保護抵抗を挿入する必要があ
る。一方、出力電流の測定のようにかかる保護抵抗があ
ってはならない場合もある。そこで、各プロ−ブ針
（２）に接続された配線（３）から分岐して保護抵抗
（２１）を設け、この保護抵抗（２１）を配線（３１）
を介して出力ピン（４）とは別個の出力ピン（４１）に
接続している。
出力耐圧の測定のように大電流、大電圧を半導体素子に
供給して行うものがあり、この種の測定では半導体素子
の破壊を防止するために保護抵抗を挿入する必要があ
る。一方、出力電流の測定のようにかかる保護抵抗があ
ってはならない場合もある。そこで、各プロ−ブ針
（２）に接続された配線（３）から分岐して保護抵抗
（２１）を設け、この保護抵抗（２１）を配線（３１）
を介して出力ピン（４）とは別個の出力ピン（４１）に
接続している。
【０００５】半導体素子、例えばＭＯＳトランジスタ
（９）のソ−スドレイン間耐圧を測定したい場合には、
破壊を防止するために保護抵抗を挿入する必要があるの
で、測定装置（６）内に備えられた定電流源（１０）と
電圧計（１１）とからなる測定ユニット（１２）を保護
抵抗（２１）を介した測定ピン（７１）に接続して測定
を行う。これに対して、ドレイン出力電流の測定をした
い場合には測定ユニット（１２）を保護抵抗（２１）を
介さない測定ピン（７）の方に接続を切り換えてから測
定を行う。ここで、測定装置（６）としては通常テスタ
を用いるので、測定ユニット（１２）と測定ピン（７，
７１）との接続の切り換え等はプログラム制御により高
速に行われる。
（９）のソ−スドレイン間耐圧を測定したい場合には、
破壊を防止するために保護抵抗を挿入する必要があるの
で、測定装置（６）内に備えられた定電流源（１０）と
電圧計（１１）とからなる測定ユニット（１２）を保護
抵抗（２１）を介した測定ピン（７１）に接続して測定
を行う。これに対して、ドレイン出力電流の測定をした
い場合には測定ユニット（１２）を保護抵抗（２１）を
介さない測定ピン（７）の方に接続を切り換えてから測
定を行う。ここで、測定装置（６）としては通常テスタ
を用いるので、測定ユニット（１２）と測定ピン（７，
７１）との接続の切り換え等はプログラム制御により高
速に行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、各プロ
−ブ針（２）毎に、保護抵抗（２１）と２つの配線
（３，３１）と２つの出力ピン（４，４１）とを必要と
するため、プロ−ブカ−ド（１）上の配線が複雑になる
欠点があった。また、出力ピン（４，４１）とこれに対
応した測定ピン（７，７１）の数には制限があるため、
測定に必要なプロ−ブ針（２）の数が不足する場合があ
るという問題点もあった。
−ブ針（２）毎に、保護抵抗（２１）と２つの配線
（３，３１）と２つの出力ピン（４，４１）とを必要と
するため、プロ−ブカ−ド（１）上の配線が複雑になる
欠点があった。また、出力ピン（４，４１）とこれに対
応した測定ピン（７，７１）の数には制限があるため、
測定に必要なプロ−ブ針（２）の数が不足する場合があ
るという問題点もあった。
【０００７】本発明は上述した課題に鑑みてなされたも
のであり、保護抵抗を備えたプロ−ブカ−ドにおいて出
力ピン、保護抵抗の数を減らすことにより、プロ−ブカ
−ド上の配線を減らし、一つのプロ−ブカ−ドでより多
くの半導体素子の測定ができるようにしたプロ−ブカ−
ドとそれを用いた半導体素子の特性測定方法を提供する
ことを目的としている。
のであり、保護抵抗を備えたプロ−ブカ−ドにおいて出
力ピン、保護抵抗の数を減らすことにより、プロ−ブカ
−ド上の配線を減らし、一つのプロ−ブカ−ドでより多
くの半導体素子の測定ができるようにしたプロ−ブカ−
ドとそれを用いた半導体素子の特性測定方法を提供する
ことを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のプロ−ブカ−ド
は、図１に示すように、保護抵抗（２１）がプロ−ブ針
（２）が接続されていない一対の出力ピン（４２，４
３）の間に接続して設けられていることを特徴としてい
る。また、本発明のプロ−ブカ−ドを用いた半導体素子
の特性測定方法は、保護抵抗（２１）を挿入するか否か
を外部接続の切り換えによって行っていることを特徴と
している。すなわち、保護抵抗（２１）を介さない測定
の際には、図２に示すように、測定ユニット（１２）を
測定ピン（７）に接続することによってプロ−ブ針
（２）に直接接続して測定し、保護抵抗（２１）を介す
る際には図３に示すように、測定ピン（７）と測定ピン
（７２）とを接続し、測定ユニット（１２）の接続を測
定ピン（７３）に切り換えてから測定する。
は、図１に示すように、保護抵抗（２１）がプロ−ブ針
（２）が接続されていない一対の出力ピン（４２，４
３）の間に接続して設けられていることを特徴としてい
る。また、本発明のプロ−ブカ−ドを用いた半導体素子
の特性測定方法は、保護抵抗（２１）を挿入するか否か
を外部接続の切り換えによって行っていることを特徴と
している。すなわち、保護抵抗（２１）を介さない測定
の際には、図２に示すように、測定ユニット（１２）を
測定ピン（７）に接続することによってプロ−ブ針
（２）に直接接続して測定し、保護抵抗（２１）を介す
る際には図３に示すように、測定ピン（７）と測定ピン
（７２）とを接続し、測定ユニット（１２）の接続を測
定ピン（７３）に切り換えてから測定する。
【０００９】
【作用】 本発明によれば、プロ−ブカ−ド（１）上の
一対の出力ピン（４２，４３）の間に１個の保護抵抗
（２１）を設けるだけで、すべてのプロ−ブ針（２）に
ついて、保護抵抗（２１）を挿入するか否かを切り換え
られるので、従来例と比べてプロ−ブカ−ド上の配線を
大幅に少なくできる。
一対の出力ピン（４２，４３）の間に１個の保護抵抗
（２１）を設けるだけで、すべてのプロ−ブ針（２）に
ついて、保護抵抗（２１）を挿入するか否かを切り換え
られるので、従来例と比べてプロ−ブカ−ド上の配線を
大幅に少なくできる。
【００１０】
【実施例】以下で、本発明の一実施例に係る半導体素子
の測定方法を図１〜図３を参照しながら説明する。図１
は、本発明の一実施例に係る半導体素子の測定方法に用
いるプロ−ブカ−ドの斜視図であり、図２は本発明の一
実施例に係る半導体素子の測定方法に用いる測定系の第
１の等価回路図である。図３は本発明の一実施例に係る
半導体素子の測定方法に用いる測定系の第２の等価回路
図である。
の測定方法を図１〜図３を参照しながら説明する。図１
は、本発明の一実施例に係る半導体素子の測定方法に用
いるプロ−ブカ−ドの斜視図であり、図２は本発明の一
実施例に係る半導体素子の測定方法に用いる測定系の第
１の等価回路図である。図３は本発明の一実施例に係る
半導体素子の測定方法に用いる測定系の第２の等価回路
図である。
【００１１】本実施例は、プロ−ブカ−ド上の一対の出
力ピンの間に１個の保護抵抗を設け、各プロ−ブ針につ
いて該保護抵抗を挿入するか否かは外部接続の切り換え
で行うことに特徴がある。本実施例に係るプロ−ブカ−
ド（１）は、複数のプロ−ブ針（２）を有し、各プロ−
ブ針（２）はプロ−ブカ−ド（１）に設けられた配線
（３）を介して出力ピン（４）に接続され、さらに各出
力ピン（４）は外部配線（５）を介して測定装置（６）
の内に設けられた測定ピン（７）に接続されている。保
護抵抗（２１）はプロ−ブ針（２）が接続されていない
一対の出力ピン（４２，４３）の間のプロ−ブカ−ド
（１）上に接続されており、出力ピン（４２，４３）は
同様に測定装置（６）の内に設けられた測定ピン（７
２，７３）にそれぞれ接続されている（図１）。
力ピンの間に１個の保護抵抗を設け、各プロ−ブ針につ
いて該保護抵抗を挿入するか否かは外部接続の切り換え
で行うことに特徴がある。本実施例に係るプロ−ブカ−
ド（１）は、複数のプロ−ブ針（２）を有し、各プロ−
ブ針（２）はプロ−ブカ−ド（１）に設けられた配線
（３）を介して出力ピン（４）に接続され、さらに各出
力ピン（４）は外部配線（５）を介して測定装置（６）
の内に設けられた測定ピン（７）に接続されている。保
護抵抗（２１）はプロ−ブ針（２）が接続されていない
一対の出力ピン（４２，４３）の間のプロ−ブカ−ド
（１）上に接続されており、出力ピン（４２，４３）は
同様に測定装置（６）の内に設けられた測定ピン（７
２，７３）にそれぞれ接続されている（図１）。
【００１２】このプロ−ブカ−ド（１）は、従来例と同
様に半導体ウエハ（８）の上方に配置され、各プロ−ブ
針（２）が半導体ウエハ（８）上に形成された半導体素
子の出力パッド（図示せず）に接触される。半導体素子
として、例えばＭＯＳトランジスタ（９）のドレイン出
力電流の測定をしたい場合には、保護抵抗（２１）を介
在させないように、測定ユニット（１２）を測定ピン
（７）に接続することによってプロ−ブ針（２）に直接
接続して測定する。すなわち、測定ユニット（１２）か
らプロ−ブ針（２）を介してＭＯＳトランジスタ（９）
の出力パッドに定電流を供給しながら該出力パッドの電
圧を測定する（図２）。
様に半導体ウエハ（８）の上方に配置され、各プロ−ブ
針（２）が半導体ウエハ（８）上に形成された半導体素
子の出力パッド（図示せず）に接触される。半導体素子
として、例えばＭＯＳトランジスタ（９）のドレイン出
力電流の測定をしたい場合には、保護抵抗（２１）を介
在させないように、測定ユニット（１２）を測定ピン
（７）に接続することによってプロ−ブ針（２）に直接
接続して測定する。すなわち、測定ユニット（１２）か
らプロ−ブ針（２）を介してＭＯＳトランジスタ（９）
の出力パッドに定電流を供給しながら該出力パッドの電
圧を測定する（図２）。
【００１３】これに対して、ソ−スドレイン間耐圧を測
定したい場合には、破壊を防止するために保護抵抗（２
１）を挿入する必要がある。そこで、測定ピン（７）と
測定ピン（７２）とを接続し、測定ユニット（１２）の
接続を測定ピン（７３）に切り換えてから測定を行う。
ここで、測定装置（６）としてプログラム方式のテスタ
を用いる場合には、例えば電圧計（１３）の端子（１３
１）に測定ピン（７）（７２）をそれぞれ接続するよう
にプログラミングすることによって、測定ピン（７）と
測定ピン（７２）とを接続することができる。電圧計
（１３）の内部抵抗は普通数ＭΩと高いので、測定ユニ
ット（１２）から供給される定電流等が影響を受けるお
それはない（図３）。
定したい場合には、破壊を防止するために保護抵抗（２
１）を挿入する必要がある。そこで、測定ピン（７）と
測定ピン（７２）とを接続し、測定ユニット（１２）の
接続を測定ピン（７３）に切り換えてから測定を行う。
ここで、測定装置（６）としてプログラム方式のテスタ
を用いる場合には、例えば電圧計（１３）の端子（１３
１）に測定ピン（７）（７２）をそれぞれ接続するよう
にプログラミングすることによって、測定ピン（７）と
測定ピン（７２）とを接続することができる。電圧計
（１３）の内部抵抗は普通数ＭΩと高いので、測定ユニ
ット（１２）から供給される定電流等が影響を受けるお
それはない（図３）。
【００１４】このようにして、本実施例によれば、保護
抵抗（２１）はプロ−ブカ−ド（１）上に１個設けただ
けにもかからず、どのプロ−ブ針（２）についても保護
抵抗（２１）を必要に応じて挿入することができる。な
お測定ユニット（１２）は、定電流源（１０）と電圧計
（１１）とから構成されているが、これに限らず定電圧
源と電流計とで構成されていても構わない。この場合に
は、ＭＯＳトランジスタ（９）の出力パッドに定電圧を
供給しながら該出力パッドに流れる電流を電流計によっ
て測定することになる。
抵抗（２１）はプロ−ブカ−ド（１）上に１個設けただ
けにもかからず、どのプロ−ブ針（２）についても保護
抵抗（２１）を必要に応じて挿入することができる。な
お測定ユニット（１２）は、定電流源（１０）と電圧計
（１１）とから構成されているが、これに限らず定電圧
源と電流計とで構成されていても構わない。この場合に
は、ＭＯＳトランジスタ（９）の出力パッドに定電圧を
供給しながら該出力パッドに流れる電流を電流計によっ
て測定することになる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プロ−ブカ−ド上の一対の出力ピンの間に１個の保護抵
抗を設けるだけで、すべてのプロ−ブ針について、保護
抵抗を挿入するか否かを切り換えられるので、従来例と
比べてプロ−ブカ−ド上の配線、部品数を大幅に少なく
できるという利点を有する。
プロ−ブカ−ド上の一対の出力ピンの間に１個の保護抵
抗を設けるだけで、すべてのプロ−ブ針について、保護
抵抗を挿入するか否かを切り換えられるので、従来例と
比べてプロ−ブカ−ド上の配線、部品数を大幅に少なく
できるという利点を有する。
【００１６】また従来例と比べて使用する出力ピンおよ
び測定ピン数が少なくなり、その分プロ−ブ針を増やす
ことにより、より多くの半導体素子の特性測定を一度に
行うことができるという利点も有している。
び測定ピン数が少なくなり、その分プロ−ブ針を増やす
ことにより、より多くの半導体素子の特性測定を一度に
行うことができるという利点も有している。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体素子の測定方法
に用いるプロ−ブカ−ドの斜視図である。
に用いるプロ−ブカ−ドの斜視図である。
【図２】本発明の一実施例に係る半導体素子の測定方法
に用いる測定系の第１の等価回路図である。
に用いる測定系の第１の等価回路図である。
【図３】本発明の一実施例に係る半導体素子の測定方法
に用いる測定系の第２の等価回路図である。
に用いる測定系の第２の等価回路図である。
【図４】従来例に係る半導体素子の測定方法に用いるプ
ロ−ブカ−ドの斜視図である。
ロ−ブカ−ドの斜視図である。
【図５】従来例に係る半導体素子の測定方法に用いる測
定系の等価回路図である。
定系の等価回路図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 6912−2Ｇ Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｋ
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のプロ−ブ針と、該プロ−ブ針に配
線を介して接続された複数の出力ピンと、前記プロ−ブ
針と電流源または電圧源の間に挿入される保護抵抗とを
有するプロ−ブカ−ドであって、前記保護抵抗は前記プ
ロ−ブ針が接続されていない一対の出力ピン間に接続し
て設けられていることを特徴としたプロ−ブカ−ド。 - 【請求項２】 半導体素子の出力パッドにプロ−ブカ−
ドのプロ−ブ針を接触させ、保護抵抗を介さないときは
直接プロ−ブ針に電流または電圧を供給しながら出力パ
ッドの電圧または電流を測定し、保護抵抗を介するとき
はプロ−ブ針が接続された出力ピンと保護抵抗が接続さ
れた一方の出力ピンとを接続し、保護抵抗が接続された
他方の出力ピンに電流または電圧を供給しながら出力パ
ッドの電圧または電流を測定することを特徴とした請求
項１記載のプロ−ブカ−ドを用いた半導体素子の特性測
定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5016394A JP2975795B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | プロ−ブカ−ドを用いた半導体素子の特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5016394A JP2975795B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | プロ−ブカ−ドを用いた半導体素子の特性測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06230031A true JPH06230031A (ja) | 1994-08-19 |
| JP2975795B2 JP2975795B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=11915035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5016394A Expired - Lifetime JP2975795B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | プロ−ブカ−ドを用いた半導体素子の特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2975795B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09289234A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-11-04 | Nec Corp | 半導体装置とその試験方法及び半導体装置の試験治具 |
| CN103869109A (zh) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | 华邦电子股份有限公司 | 探针卡及其焊接方法 |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP5016394A patent/JP2975795B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09289234A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-11-04 | Nec Corp | 半導体装置とその試験方法及び半導体装置の試験治具 |
| US5862147A (en) * | 1996-04-22 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Semiconductor device on semiconductor wafer having simple wirings for test and capable of being tested in a short time |
| CN103869109A (zh) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | 华邦电子股份有限公司 | 探针卡及其焊接方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2975795B2 (ja) | 1999-11-10 |
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