JPH0622305B2 - Logarithmic IF amplifier circuit - Google Patents

Logarithmic IF amplifier circuit

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JPH0622305B2
JPH0622305B2 JP61137416A JP13741686A JPH0622305B2 JP H0622305 B2 JPH0622305 B2 JP H0622305B2 JP 61137416 A JP61137416 A JP 61137416A JP 13741686 A JP13741686 A JP 13741686A JP H0622305 B2 JPH0622305 B2 JP H0622305B2
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JP
Japan
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type transistor
current mirror
drain
circuit
mirror circuit
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JP61137416A
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克治 木村
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はCMOS集積回路における対数IF増幅回路に
関する。
The present invention relates to a logarithmic IF amplifier circuit in a CMOS integrated circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、この種のIF増幅器はバイポーラトランジスタで
構成された回路構成となっており、東芝製のもの(TA
−2967)や、RCA製のもの(CA3189E)が
知られている。
Conventionally, this type of IF amplifier has a circuit configuration composed of bipolar transistors, and is manufactured by Toshiba (TA
-2967) and the one manufactured by RCA (CA3189E) are known.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

上述した従来のIF増幅回路は、バイポーラトランジス
タのベース入力インピーダンスが低いために、信号線に
コンデンサを介す場合はコンデンサが大きくなり、多段
接続されるIF増幅器においては集積化するときにコン
デンサのチップ面積が増えるという欠点があった。
In the conventional IF amplifier circuit described above, since the base input impedance of the bipolar transistor is low, the capacitor becomes large when a capacitor is connected to the signal line, and the chip of the capacitor when integrated in an IF amplifier connected in multiple stages. There was a drawback that the area increased.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の対数IF増幅回路は、ソースを接地した第1の
n型トランジスタ、ソースを接地しゲートを前記第1の
n型トランジスタのゲートに接続した第2のn型トラン
ジスタ、前記第1のn型トランジスタのドレインに接続
しp型トランジスタ群で構成される第1のカレントミラ
ー回路、ならびに前記第1のカレントミラー回路の出力
端,前記第2のn型トランジスタのドレインにドレイン
を接続した第1のp型トランジスタおよび第2のp型ト
ランジスタで構成される第2のカレントミラー回路をそ
れぞれが有する複数のブロックと、前記ブロックにおい
て前段のブロック中の前記第1のn型トランジスタのド
レインを次段のブロック中の前記第1のn型トランジス
タのゲートに接続して前記ブロックを縦続接続する複数
のコンデンサと、前記ブロックのすべての前記第2のカ
レントミラー回路の出力電流を加算する加算回路とを具
備することを特徴とする。
The logarithmic IF amplifier circuit of the present invention includes a first n-type transistor having a source grounded, a second n-type transistor having a source grounded and a gate connected to the gate of the first n-type transistor, and the first n-type transistor. Type current mirror circuit connected to the drain of the n-type transistor and formed of a p-type transistor group, and a first current mirror circuit having an output terminal of the first current mirror circuit and a drain connected to the drain of the second n-type transistor A plurality of blocks each having a second current mirror circuit composed of the p-type transistor and the second p-type transistor, and the drain of the first n-type transistor in the block in the preceding stage of the block are connected to the next stage. A plurality of capacitors connected in cascade to the gate of the first n-type transistor in the block of That it comprises an adding circuit for adding the output currents of all of said second current mirror circuit of the serial block characterized.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。第1図
に於ける回路動作を第1段を例に説明する。p型トラン
ジスタT14,T15,T16は第1のカレントミラー回路を
構成し、T15,T16はそれぞれN型トランジスタT11
12の負荷となっている。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. The circuit operation in FIG. 1 will be described by taking the first stage as an example. The p-type transistors T 14 , T 15 , and T 16 form a first current mirror circuit, and T 15 and T 16 are N-type transistors T 11 and T 11 , respectively.
It is a load of T 12 .

11とT15の回路動作について説明すると、第2図に示
すように、入力電圧VINの増加とともに、T11がOFF
状態から飽和状態に移り、このときにT15がダイオード
特性となり、次にT11,T15ともに飽和状態になり、つ
いにはT11がダイオード特性となりT15が飽和状態とな
る。この状態の変化に応じてT11の出力電圧Vが第2
図に示すように変化し、従って増幅特性を持つことにな
る。
The circuit operation of T 11 and T 15 will be described. As shown in FIG. 2, as the input voltage V IN increases, T 11 turns off.
The state shifts to the saturated state. At this time, T 15 has a diode characteristic, then both T 11 and T 15 are in a saturated state, and finally T 11 has a diode characteristic and T 15 is in a saturated state. In accordance with the change of this state, the output voltage V 1 of T 11 becomes the second
It changes as shown in the figure and therefore has an amplification characteristic.

一方、T12,T16,T17,T18の各トランジスタのドレ
イン電流についても第3図に示すように入力電圧VIN
増加とともにT12がOFF状態から飽和状態に移り、こ
のときにT16がダイオード特性となるのでT12のドレイ
ンに第1のカレントミラー回路によりIREF電流が流れ
る。この場合にはトランジスタT17,T18で構成される
第2のカレントミラー回路は、OFF状態にあるのでT
18のドレイン電流はゼロとなっており、第2のカレント
ミラー回路の出力電流はない。しかし、更に入力電圧V
INが増加するとT12のドレイン電流はT17を介して供給
されるのでドレイン電流は増加するからT17のドレイン
電流の分だけT18のドレインに電流が流れる。従って、
第2のカレントミラー回路の出力電流が増加する。
On the other hand, as for the drain current of each of the transistors T 12 , T 16 , T 17 , and T 18 , as shown in FIG. 3, T 12 shifts from the OFF state to the saturated state as the input voltage V IN increases, and at this time, T 12 Since 16 has a diode characteristic, the I REF current flows through the drain of T 12 by the first current mirror circuit. In this case, the second current mirror circuit composed of the transistors T 17 and T 18 is in the OFF state, so T
The drain current of 18 is zero, and there is no output current of the second current mirror circuit. However, the input voltage V
When IN increases, the drain current of T 12 is supplied via T 17 , so that the drain current increases, so that the current flows to the drain of T 18 by the drain current of T 17 . Therefore,
The output current of the second current mirror circuit increases.

以上の説明により、第3図に示すような第2のカレント
ミラー回路の出力電流Iはリミッティングされた波形
となるので等価的に半波整流機能を有していると考えら
れるので、Iは半波整流波形となると考えて良い。
From the above description, since the output current I 1 of the second current mirror circuit as shown in FIG. 3 has a limited waveform, it is considered that the output current I 1 has a half-wave rectification function equivalently. It can be considered that 1 is a half-wave rectified waveform.

第2段以後についても以上の説明と同様に動作する。The second and subsequent stages operate similarly to the above description.

コンデンサC,C,…により得られる信号は入力信
号の位相が順次90゜ずつシフトしたものとなるが、各
段の第2のカレントミラー回路の出力電流は半波整流波
形となっているのでT011,T012;T021,T022,…で
構成される加算回路で直流成分を加算出来る。従って、
加算回路の出力電流を抵抗RとコンデンサCで平滑
化すれば、各段のそれぞれの第2のカレントミラー回路
の出力電流のうちの直流成分の総和が得られる。
The signals obtained by the capacitors C 1 , C 2 , ... Are those in which the phase of the input signal is sequentially shifted by 90 °, but the output current of the second current mirror circuit in each stage has a half-wave rectified waveform. Therefore, the DC component can be added by the adder circuit composed of T 011 , T 012 ; T 021 , T 022 , .... Therefore,
If the output current of the adder circuit is smoothed by the resistor R 0 and the capacitor C 0 , the sum of the DC components of the output current of each second current mirror circuit of each stage can be obtained.

ここで、第2図に示すVの傾きは各段の増幅度となっ
ており、第2のカレントミラー回路の出力電流Iも傾
きを持つから、第1図に示す多段接続された回路構成に
おいて入力信号VINの振幅値に対して、加算回路の出力
電流Isおよび出力電圧Vsは疑似対数特性を持つこと
になる。このときの疑似対数特性の直線性は各段の増幅
度により決まるが、この特性を第4図に示す。増幅度は
トランジスタT11,T22,…に流れる電流値に依存する
ので電流源IRFの大きさにより疑似対数特性の直線性を
任意に設定出来る。このときに と示される。
Here, the slope of V 1 shown in FIG. 2 is the amplification degree of each stage, and the output current I 1 of the second current mirror circuit also has a slope, so the circuits connected in multiple stages shown in FIG. In the configuration, the output current Is and the output voltage Vs of the adder circuit have a pseudo logarithmic characteristic with respect to the amplitude value of the input signal V IN . The linearity of the pseudo logarithmic characteristic at this time is determined by the amplification degree of each stage, and this characteristic is shown in FIG. Since the amplification degree depends on the value of the current flowing through the transistors T 11 , T 22 , ..., The linearity of the pseudo logarithmic characteristic can be set arbitrarily by the size of the current source I RF . At this time Is shown.

第1図に示す回路図において、T11,T12;T21
22,…の各トランジスタのゲートの入力インピーダン
スはバイポーラトランジスタに比べて十分高くなるか
ら、コンデンサCIN,C,C,…は同一周波数の入
力信号VINを通すためにはその分コンデンサの値お小さ
く出来る。すなわち、コンデンサの占有面積はバイポー
ラトランジスタで構成される増幅器に比べて十分小さな
値で足りる。
In the circuit diagram shown in FIG. 1, T 11 , T 12 ; T 21 ,
Since the input impedance of the gate of each transistor of T 22 , ... Is sufficiently higher than that of the bipolar transistor, the capacitors C IN , C 1 , C 2 , ... Are equivalent to the capacitors to pass the input signal V IN of the same frequency. The value of can be reduced. That is, the occupied area of the capacitor is sufficiently small as compared with the amplifier composed of the bipolar transistor.

また、一般にCMOSトランジスタのノイズ特性は低周
波域では ノイズが支配的となり、直流増幅器ではノイズが問題と
なるが、本実施例においてはコンデンサCIN,C,C
,…で ノイズを除くことが出来るので、ノイズ特性はバイポー
ラトランジスタで構成される増幅器と同等程度に出来
る。
In addition, the noise characteristics of CMOS transistors are generally low frequency Although noise becomes dominant and noise becomes a problem in the DC amplifier, in the present embodiment, the capacitors C IN , C 1 and C are used.
2 , ... Since noise can be removed, noise characteristics can be made comparable to those of an amplifier composed of bipolar transistors.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明は、CMOS集積回路で構成
することにより、内蔵されるコンデンサの占有面積を小
さく出来る効果がある。
As described above, the present invention has an effect that the area occupied by the built-in capacitor can be reduced by configuring the CMOS integrated circuit.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は第1
図に示す第1段の入出力特性図、第3図は第1図に示す
第1段目の第2のカレントソースの出力電流特性図、第
4図は第1図に示す加算回路の出力特性図である。 T11,…,T18;T21…T28;…,T01;T011
012;T021,T022……トランジスタ、CIN,C
,…C……コンデンサ、R……抵抗。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG.
Input / output characteristic diagram of the first stage shown in the figure, FIG. 3 is an output current characteristic diagram of the second current source of the first stage shown in FIG. 1, and FIG. 4 is an output of the adder circuit shown in FIG. It is a characteristic diagram. T 11, ..., T 18; T 21 ... T 28; ..., T 01; T 011,
T 012 ; T 021 , T 022 ... Transistor, C IN , C 1 ,
C 2 , ... C 0 ... Capacitor, R 0 ... Resistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ソースを接地した第1のn型トランジス
タ、ソースを接地しゲートを前記第1のn型トランジス
タのゲートに接続した第2のn型トランジスタ、前記第
1のn型トランジスタのドレインに接続しp型トランジ
スタ群で構成される第1のカレントミラー回路、ならび
に前記第1のカレントミラー回路の出力端,前記第2の
n型トランジスタのドレインにドレインを接続した第1
のp型トランジスタおよび第2のp型トランジスタで構
成される第2のカレントミラー回路をそれぞれが有する
複数のブロックと、前記ブロックにおいて前段のブロッ
ク中の前記第1のn型トランジスタのドレインを次段の
ブロック中の前記第1のn型トランジスタのゲートに接
続して前記ブロックを縦続接続する複数のコンデンサ
と、前記ブロックのすべての前記第2のカレントミラー
回路の出力電流を加算する加算回路とを具備することを
特徴とする対数IF増幅回路。
1. A first n-type transistor having a source grounded, a second n-type transistor having a source grounded and a gate connected to the gate of the first n-type transistor, and a drain of the first n-type transistor A first current mirror circuit connected to the first n-type transistor group and a first current mirror circuit including a p-type transistor group, and a drain connected to the output terminal of the first current mirror circuit and the drain of the second n-type transistor.
A plurality of blocks each having a second current mirror circuit composed of the p-type transistor and the second p-type transistor, and the drain of the first n-type transistor in the block in the preceding stage of the block are connected to the next stage. A plurality of capacitors connected in cascade to the gates of the first n-type transistors in the block, and an adder circuit that adds the output currents of all the second current mirror circuits of the block. A logarithmic IF amplifier circuit characterized by comprising.
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