JPH0622201B2 - 半導体材料の現像処理装置 - Google Patents
半導体材料の現像処理装置Info
- Publication number
- JPH0622201B2 JPH0622201B2 JP61114448A JP11444886A JPH0622201B2 JP H0622201 B2 JPH0622201 B2 JP H0622201B2 JP 61114448 A JP61114448 A JP 61114448A JP 11444886 A JP11444886 A JP 11444886A JP H0622201 B2 JPH0622201 B2 JP H0622201B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tank
- development
- liquid
- processing apparatus
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はシリコンウェハーやガラスフォトマスク等の半
導体材料に施こされた酸化膜などの被膜の現像処理装置
に関する。
導体材料に施こされた酸化膜などの被膜の現像処理装置
に関する。
（従来の技術） 半導体回路の製作には、例えばシリコンからなる半導体
ウェハーに酸化膜などの被膜が施こされ、その表面には
Ｎ型またはＰ型の拡散材料を選択的に浸透させるため、
ウェハーの表面の被膜にエッチングが行なわれる。その
回路パターンを形成するため感光液（光硬化型フォトレ
ジスト）をウェハーの表面の所定部分に薄膜状に塗布
し、それを焼付け且つ現像処理が行なわれる。
ウェハーに酸化膜などの被膜が施こされ、その表面には
Ｎ型またはＰ型の拡散材料を選択的に浸透させるため、
ウェハーの表面の被膜にエッチングが行なわれる。その
回路パターンを形成するため感光液（光硬化型フォトレ
ジスト）をウェハーの表面の所定部分に薄膜状に塗布
し、それを焼付け且つ現像処理が行なわれる。
従来、この種の現像処理装置としては(イ)吹上げ方式、
(ロ)スプレー方式、(ハ)スプレット方式のものが知られて
いる。その吹上げ方式では、第６図に示すように、基本
的には底部にエッチング液導入用通路(11)が在るカップ
状の槽(10)と、槽(10)の上方に在ってウェハー(S)を吸
着するチャック(20)とで構成される。槽の通路(11)は処
理液を送る管(12)に接続される。槽(10)の頂部は(13)円
形であって、槽の頂部を越えて液は流出する。(14)は槽
(10)の下部外周に設けられた液の円筒状のガイドであ
る。
(ロ)スプレー方式、(ハ)スプレット方式のものが知られて
いる。その吹上げ方式では、第６図に示すように、基本
的には底部にエッチング液導入用通路(11)が在るカップ
状の槽(10)と、槽(10)の上方に在ってウェハー(S)を吸
着するチャック(20)とで構成される。槽の通路(11)は処
理液を送る管(12)に接続される。槽(10)の頂部は(13)円
形であって、槽の頂部を越えて液は流出する。(14)は槽
(10)の下部外周に設けられた液の円筒状のガイドであ
る。
チャック(20)は垂直に支持され、その中心軸線に沿って
通路(21)が在り、その通路は上端において真空用の管路
(22)に連通している。管路(22)には圧力センサー(23)と
バルブ(24)が設置され、バルブ(24)には窒素ガス導入用
の管(25)と真空装置に連通する管(26)がある。場合によ
りチャック(20)を回転自在にして電動機(27)とベルト(2
8)で回転し得るように構成される。さらにチャックを包
囲するホルダー(29)を含み、その適宜位置にはガス導入
口(30)がある。チャック(20)に支持されたウェハーに対
し下から吹上げる現像液によってウェハーの被膜が現像
される。
通路(21)が在り、その通路は上端において真空用の管路
(22)に連通している。管路(22)には圧力センサー(23)と
バルブ(24)が設置され、バルブ(24)には窒素ガス導入用
の管(25)と真空装置に連通する管(26)がある。場合によ
りチャック(20)を回転自在にして電動機(27)とベルト(2
8)で回転し得るように構成される。さらにチャックを包
囲するホルダー(29)を含み、その適宜位置にはガス導入
口(30)がある。チャック(20)に支持されたウェハーに対
し下から吹上げる現像液によってウェハーの被膜が現像
される。
またスプレー方式は第７図に示すように、ノズル(31)か
らウェハー(S)に対し現像液を粒子状にして吹き付け粒
子で現像するものであり、スプレッド方式は第８図に示
すように、ノズル(32)によりウェハー(S)の中心上に適
当量の現像液を滴下し、その液をウェハーの周囲に流
し、表面張力で液を溜めて現像するものであるが、これ
ら従来の方式では以下に記載するような欠点があった。
らウェハー(S)に対し現像液を粒子状にして吹き付け粒
子で現像するものであり、スプレッド方式は第８図に示
すように、ノズル(32)によりウェハー(S)の中心上に適
当量の現像液を滴下し、その液をウェハーの周囲に流
し、表面張力で液を溜めて現像するものであるが、これ
ら従来の方式では以下に記載するような欠点があった。
（発明が解決しようとする問題点） この現像液としてはテトラメチルコリンを主成分とする
もの、またはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イドを主成分とするもの等があり、いずれも一度の現像
で廃棄される。従って、吹上げ方式では現像液を常に下
から吹上げて流すため無駄が多く、コスト高になるとい
う問題点があった。また、スプレー方式では現像液の粒
子の方が現像すべきパターンより大きくなるため、現像
むらや解像力が低下する欠点があった。さらに、スプレ
ッド方式では、現像液が滴下されるウェハーの中心部分
は或る程度の圧力で新鮮な液で現像され、周囲に流れる
につれて液が劣化し、且つ中心と外周では反応圧と速度
が異なるため不均一に現像されるという問題点があっ
た。
もの、またはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イドを主成分とするもの等があり、いずれも一度の現像
で廃棄される。従って、吹上げ方式では現像液を常に下
から吹上げて流すため無駄が多く、コスト高になるとい
う問題点があった。また、スプレー方式では現像液の粒
子の方が現像すべきパターンより大きくなるため、現像
むらや解像力が低下する欠点があった。さらに、スプレ
ッド方式では、現像液が滴下されるウェハーの中心部分
は或る程度の圧力で新鮮な液で現像され、周囲に流れる
につれて液が劣化し、且つ中心と外周では反応圧と速度
が異なるため不均一に現像されるという問題点があっ
た。
本発明の目的は上記従来技術の問題点を解消することで
あって、それ故、現状液を無駄にすることなく、且つ現
状むらがなく、均一に現像し得る半導体材料の現像処理
装置を提供することである。
あって、それ故、現状液を無駄にすることなく、且つ現
状むらがなく、均一に現像し得る半導体材料の現像処理
装置を提供することである。
（問題点を解決するための手段） 本発明による現像処理装置の特徴は、中心に液導入用の
通路があり且つ頂部が環状の平らな面になっているカッ
プ状の槽と、その上にウェハーを吸引し、支持するチャ
ックを含むと共に、前記通路に弁を設けて液の流通を止
め得るようにし、且つ槽の頂部の現像すべきウェハーよ
り大径のリングを設置して頂部に送られた液を一時的に
貯えるようにしたことである。
通路があり且つ頂部が環状の平らな面になっているカッ
プ状の槽と、その上にウェハーを吸引し、支持するチャ
ックを含むと共に、前記通路に弁を設けて液の流通を止
め得るようにし、且つ槽の頂部の現像すべきウェハーよ
り大径のリングを設置して頂部に送られた液を一時的に
貯えるようにしたことである。
（前記手段の作用） ウェハーを現像する際はチャックによりその下面でウェ
ハーを支持して槽の頂部に接近させ、それと同時または
前後して弁を開いて通路から現像液を上昇し、槽の頂部
のリング内に充満させ、充満した状態で弁を閉じて一時
的に液を貯え、そのリング内の液でチャック下面に支持
されたウェハーを現像する。１度の現像が終るとリング
内の液は排除され、次の現像に備えられる。
ハーを支持して槽の頂部に接近させ、それと同時または
前後して弁を開いて通路から現像液を上昇し、槽の頂部
のリング内に充満させ、充満した状態で弁を閉じて一時
的に液を貯え、そのリング内の液でチャック下面に支持
されたウェハーを現像する。１度の現像が終るとリング
内の液は排除され、次の現像に備えられる。
（実施例） 次に図面を参照のもとに本発明に関し説明する。第１図
および第２図は一実施例を示すもであって、図示のよう
に、この現像処理装置は頂部(1a)が平らな面になってい
る概してカップ状の槽(1)と、槽(1)の上にウェハー(S)
を支持するため下面でウェハーを吸引するチャック(2)
で構成される。このチャック(2)に関しては前記の従来
のものとほぼ同じであるため記載を省略する。槽(1)の
中心には底部から頂部に抜ける現像液の通路(1b)があ
る。なお、チャック(2)に関しては他の構造であっても
よく、とくに限定するものではない。
および第２図は一実施例を示すもであって、図示のよう
に、この現像処理装置は頂部(1a)が平らな面になってい
る概してカップ状の槽(1)と、槽(1)の上にウェハー(S)
を支持するため下面でウェハーを吸引するチャック(2)
で構成される。このチャック(2)に関しては前記の従来
のものとほぼ同じであるため記載を省略する。槽(1)の
中心には底部から頂部に抜ける現像液の通路(1b)があ
る。なお、チャック(2)に関しては他の構造であっても
よく、とくに限定するものではない。
この処理装置を特徴づける構成は、槽(1)の頂部にリン
グ(3)が設置され、頂部(1a)のリング(3)内に現像液を一
時的に貯えられるようにしたことである。そして、液の
流れを止めるため通路(1b)には電磁弁(4)が取付けられ
ている。第１図に示すように、リング(3)は処理すべき
ウェハーより大径になっており、従って、ウェハーをリ
ング(3)内に収めることができる。リング(3)内に液を留
め得るように槽(1)の頂部(1a)の面とリング(3)の下面と
は密着するようになっており、場合によってはリングの
下面にゴムなどの適当なシール材が付着される。リング
(3)の材質は現像液と反応しないものであれば任意のも
のでよく、例えば槽(1)がポリプロピレンなどの樹脂で
作られるため、それと同じ樹脂製のものでもよい。
グ(3)が設置され、頂部(1a)のリング(3)内に現像液を一
時的に貯えられるようにしたことである。そして、液の
流れを止めるため通路(1b)には電磁弁(4)が取付けられ
ている。第１図に示すように、リング(3)は処理すべき
ウェハーより大径になっており、従って、ウェハーをリ
ング(3)内に収めることができる。リング(3)内に液を留
め得るように槽(1)の頂部(1a)の面とリング(3)の下面と
は密着するようになっており、場合によってはリングの
下面にゴムなどの適当なシール材が付着される。リング
(3)の材質は現像液と反応しないものであれば任意のも
のでよく、例えば槽(1)がポリプロピレンなどの樹脂で
作られるため、それと同じ樹脂製のものでもよい。
現像液のリング(3)内の液は排除されるように構成さ
れ、そのため第１図の実施例では一端が槽の頂部(1a)に
開いた排出路(5)が槽(1)に設けられている。その排出路
の適当な位置に電磁弁(6)が備えらえ、且つ他端にアス
ピレータ(7)が接続されている。
れ、そのため第１図の実施例では一端が槽の頂部(1a)に
開いた排出路(5)が槽(1)に設けられている。その排出路
の適当な位置に電磁弁(6)が備えらえ、且つ他端にアス
ピレータ(7)が接続されている。
この実施例では、第１図に示すように、チャック(2)の
下面でウェハー(S)を支持して槽(1)の頂部に近接させ、
それと同時または前後して通路(1b)の電磁弁(4)を開
き、現像液を頂部(1a)に上昇し、リング(3)内を充満し
たときに弁(4)を閉じ、ウェハーを現像している間（通
常、１８〜６０秒）はそのままの状態で液を貯える。従
って、電磁弁(4)は一定量の液を供給する役割を果す。
なお、このときは排出路(5)の電磁弁(6)は閉じている。
現像が終ると、排出路の電磁弁(6)を開くと共に、アス
ピレータ(7)に水または空気を流し、排出路(5)を通して
槽(1)の頂部上の液を排除する。これらの電磁弁の作動
は適当なセンサにより電気的に制御される。
下面でウェハー(S)を支持して槽(1)の頂部に近接させ、
それと同時または前後して通路(1b)の電磁弁(4)を開
き、現像液を頂部(1a)に上昇し、リング(3)内を充満し
たときに弁(4)を閉じ、ウェハーを現像している間（通
常、１８〜６０秒）はそのままの状態で液を貯える。従
って、電磁弁(4)は一定量の液を供給する役割を果す。
なお、このときは排出路(5)の電磁弁(6)は閉じている。
現像が終ると、排出路の電磁弁(6)を開くと共に、アス
ピレータ(7)に水または空気を流し、排出路(5)を通して
槽(1)の頂部上の液を排除する。これらの電磁弁の作動
は適当なセンサにより電気的に制御される。
第３図は第２の実施例を示すものであって、この実施例
では槽の頂部(1a)にリング(3)を受け入れる円形の段部
(1c)が設けられ、現像液の排除はリング(3)を下降して
段部(1c)に収めることによってなされる。
では槽の頂部(1a)にリング(3)を受け入れる円形の段部
(1c)が設けられ、現像液の排除はリング(3)を下降して
段部(1c)に収めることによってなされる。
また、第４図に示すように、リング(3)を槽(1)とは別の
部材(8)で支持し、且つ槽(1)を適当な装置、例えばエア
シリンダなどで若干下降することによって、槽の頂部上
の液を排除するようにしてもよい。
部材(8)で支持し、且つ槽(1)を適当な装置、例えばエア
シリンダなどで若干下降することによって、槽の頂部上
の液を排除するようにしてもよい。
さらに第５図に示すように、電磁弁(4)の上において通
路(1b)に連通するように排出路(9)を設け、その排出路
に電磁弁(6′)を備えてもよい。図中、(3a)はリング下
面に設けられたベロース型のシール材である。なお、上
記実施例では電磁弁が用いられているが、電磁弁のよう
に自動的に作動し得るものであれば、他の型の弁であっ
てもよい。
路(1b)に連通するように排出路(9)を設け、その排出路
に電磁弁(6′)を備えてもよい。図中、(3a)はリング下
面に設けられたベロース型のシール材である。なお、上
記実施例では電磁弁が用いられているが、電磁弁のよう
に自動的に作動し得るものであれば、他の型の弁であっ
てもよい。
（発明の効果） 上記のように本発明によれば、槽の頂部のリング内に溜
められた現像液でウェハーが現像されるため現像むらが
生じることはなく、且つ均一に現像される。また、各ウ
ェハーに一定量の液が用いられるため、現像液を無駄に
することもない。
められた現像液でウェハーが現像されるため現像むらが
生じることはなく、且つ均一に現像される。また、各ウ
ェハーに一定量の液が用いられるため、現像液を無駄に
することもない。
第１図は本発明の一例による半導体材料の現像処理装置
の要部を示す縦断面図、第２図はその平面図、第３図は
他の実施例を示す縦断面図、第４図および第５図はそれ
ぞれさらに他の実施例を示す縦断面図、第６図は従来の
処理装置の一例を示す断面図、第７図および第８図はそ
れぞれ従来の他の例を示す概略図である。 図中、１……槽、１ａ……槽の頂部、１ｂ……通路、１
ｃ……段部、２……チャック、３……リング、４……
弁、５、９……排出路、６、６′……弁、７……アスピ
レータ、８……支持部材
の要部を示す縦断面図、第２図はその平面図、第３図は
他の実施例を示す縦断面図、第４図および第５図はそれ
ぞれさらに他の実施例を示す縦断面図、第６図は従来の
処理装置の一例を示す断面図、第７図および第８図はそ
れぞれ従来の他の例を示す概略図である。 図中、１……槽、１ａ……槽の頂部、１ｂ……通路、１
ｃ……段部、２……チャック、３……リング、４……
弁、５、９……排出路、６、６′……弁、７……アスピ
レータ、８……支持部材
Claims (5)
- 【請求項１】中心において底部から頂部に抜ける現像液
の通路が備えられ且つ頂部が環状の平らな面になってい
る概してカップ状の槽と、前記槽の上方に在って下面で
現像すべき半導体材料を真空により吸引支持するチャッ
クを含む現像処理装置において、さらに前記槽の頂部に
送られた現像液を一時的に貯えるため前記槽の頂部には
処理すべき半導体材料より大径のリングが設置され且つ
前記通路には自動的に作動し得る弁が備えられているこ
とを特徴とする半導体材料の現像処理装置。 - 【請求項２】現像後の液を導出するため一端で前記槽の
頂部に連通し且つ自動的に作動し得る弁が備えられた排
出路と、その排出路の他端に接続されたアスピレータを
含む特許請求の範囲第１項記載の現像処理装置。 - 【請求項３】現像後の液を排出するため前記槽の頂部に
は前記リングを受入れる環状の溝がある特許請求の範囲
第１項記載の現像処理装置。 - 【請求項４】前記リングは前記槽とは別の部材で支持さ
れ、且つ前記槽を上下に移動する装置を含み、前記槽を
下降することによって現像後の液を排出するようになっ
ている特許請求の範囲第１項記載の現像処理装置。 - 【請求項５】現像後の液を排出するため前記弁の上にお
いて前記通路に連通する排出路を備え、その排出路にも
自動的に作動し得る弁が設けられている特許請求の範囲
第１項記載の現像処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61114448A JPH0622201B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 半導体材料の現像処理装置 |
| US07/051,335 US4791880A (en) | 1986-05-19 | 1987-05-19 | Device for developing treatment of semiconductor materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61114448A JPH0622201B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 半導体材料の現像処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269316A JPS62269316A (ja) | 1987-11-21 |
| JPH0622201B2 true JPH0622201B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=14637985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61114448A Expired - Lifetime JPH0622201B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 半導体材料の現像処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4791880A (ja) |
| JP (1) | JPH0622201B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364032U (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-27 | ||
| US4875434A (en) * | 1987-04-02 | 1989-10-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for coating a substrate with a coating material |
| GB8726599D0 (en) * | 1987-11-13 | 1987-12-16 | Chloride Silent Power Ltd | Deposition apparatus |
| US4869198A (en) * | 1988-09-30 | 1989-09-26 | Union Tool Corporation | Vacuum debubbler machine |
| US4856456A (en) * | 1988-10-03 | 1989-08-15 | Machine Technology, Inc. | Apparatus and method for the fluid treatment of a workpiece |
| DE3939501A1 (de) * | 1989-11-30 | 1991-06-06 | Convac Gmbh | Laminar-beschichtungsvorrichtung fuer ebene substrate |
| TW554069B (en) * | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Ebara Corp | Plating device and method |
| US7252714B2 (en) * | 2002-07-16 | 2007-08-07 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for thermally controlled processing of microelectronic workpieces |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655048A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method and device therefor |
| JPS5745232A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device and method for developing |
| JPH0669019B2 (ja) * | 1984-03-12 | 1994-08-31 | 株式会社ニコン | 半導体製造装置 |
| US4640846A (en) * | 1984-09-25 | 1987-02-03 | Yue Kuo | Semiconductor spin coating method |
| US4590094A (en) * | 1984-10-29 | 1986-05-20 | International Business Machines Corporation | Inverted apply using bubble dispense |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP61114448A patent/JPH0622201B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-05-19 US US07/051,335 patent/US4791880A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62269316A (ja) | 1987-11-21 |
| US4791880A (en) | 1988-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6012858A (en) | Apparatus and method for forming liquid film | |
| US6210481B1 (en) | Apparatus and method of cleaning nozzle and apparatus of processing substrate | |
| KR100217291B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
| JPH05304087A (ja) | 処理装置 | |
| JP2010062352A (ja) | 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置 | |
| JP2002118051A (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
| JPH0573245B2 (ja) | ||
| US20050023773A1 (en) | Substrate supporting apparatus | |
| US6709174B2 (en) | Apparatus and method for development | |
| JPH0622201B2 (ja) | 半導体材料の現像処理装置 | |
| US4600463A (en) | Treatment basin for semiconductor material | |
| JPH07326554A (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
| JPH09298181A (ja) | 基板の裏面洗浄装置 | |
| JP2003332213A (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| JP3049039B1 (ja) | 現像液供給装置 | |
| JP3189113B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JPH06236843A (ja) | 処理液供給装置 | |
| CN215088122U (zh) | Hmds供应装置 | |
| JP2813197B2 (ja) | 処理液供給装置 | |
| JP2558490B2 (ja) | 現像装置 | |
| JP2724870B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP3121177B2 (ja) | 回転カップ式塗布装置 | |
| JP2000173905A (ja) | 処理液供給装置 | |
| JPH08255745A (ja) | 塗布膜形成方法及びその装置 | |
| KR20040102560A (ko) | 감광액 공급 장치 |