JPH06221936A - 力学量センサ - Google Patents
力学量センサInfo
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- JPH06221936A JPH06221936A JP5262168A JP26216893A JPH06221936A JP H06221936 A JPH06221936 A JP H06221936A JP 5262168 A JP5262168 A JP 5262168A JP 26216893 A JP26216893 A JP 26216893A JP H06221936 A JPH06221936 A JP H06221936A
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- coil
- layer
- quantity sensor
- ferromagnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型化、薄型化、集積化、高感度化に容易に
対応できる力学量センサを提供する。 【構成】 基板上に形成したコイル14と、そのコイル
14に励磁される少なくとも一部が磁歪を有する強磁性
体層12a、12bとを備え、印加される応力による強
磁性体層12a、12bの透磁率変化をインピーダンス
の変化として検出する力学量センサ。コイル14の導線
部分が強磁性体層12a、12bを同一方向に励磁する
ように設計されることにより、感度がよくクロストーク
の少ない力学量センサを実現する。
対応できる力学量センサを提供する。 【構成】 基板上に形成したコイル14と、そのコイル
14に励磁される少なくとも一部が磁歪を有する強磁性
体層12a、12bとを備え、印加される応力による強
磁性体層12a、12bの透磁率変化をインピーダンス
の変化として検出する力学量センサ。コイル14の導線
部分が強磁性体層12a、12bを同一方向に励磁する
ように設計されることにより、感度がよくクロストーク
の少ない力学量センサを実現する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は力学量検出センサに関
し、特に、応力または歪を高感度で検出することのでき
る力学量センサに関する。
し、特に、応力または歪を高感度で検出することのでき
る力学量センサに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、薄型化が進め
られにつれ、電子機器に用いられる力学量センサに対し
ても、より一層の小型化が求められている。応力磁気効
果を利用した力学量センサとしては、円筒上に正の飽和
磁歪定数を持つアモルファス磁性合金薄帯が接着され、
印加される応力による薄帯の透磁率の変化をソレノイド
状コイルで検出するセンサが実用化されている(例えば
エス・エイ・イー テクニカル ペイパー シリーズ
920700(SAE TECHNICAL PAPER SERIES 92070
0))。
られにつれ、電子機器に用いられる力学量センサに対し
ても、より一層の小型化が求められている。応力磁気効
果を利用した力学量センサとしては、円筒上に正の飽和
磁歪定数を持つアモルファス磁性合金薄帯が接着され、
印加される応力による薄帯の透磁率の変化をソレノイド
状コイルで検出するセンサが実用化されている(例えば
エス・エイ・イー テクニカル ペイパー シリーズ
920700(SAE TECHNICAL PAPER SERIES 92070
0))。
【0003】このような従来の力学量センサは、線材
(直径:20〜30μm以上)をソレノイド状に巻いて
作製したコイルと、強磁性体バルク(厚み:20〜30
μm)とを有している。
(直径:20〜30μm以上)をソレノイド状に巻いて
作製したコイルと、強磁性体バルク(厚み:20〜30
μm)とを有している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の力学量センサでは、線材をソレノイド状に巻いて作
製したコイルと強磁性体バルクとが用いられるため、セ
ンサの小型化、集積化が困難であるという問題がある。
また、強磁性体層の厚みが20〜30μmであり、線材
の直径も20〜30μm以上はあるため、高周波化にも
限界がある。
来の力学量センサでは、線材をソレノイド状に巻いて作
製したコイルと強磁性体バルクとが用いられるため、セ
ンサの小型化、集積化が困難であるという問題がある。
また、強磁性体層の厚みが20〜30μmであり、線材
の直径も20〜30μm以上はあるため、高周波化にも
限界がある。
【0005】小型化により適した平面状力学量センサと
しては、金属箔を用いた歪ゲージがあるが、感度が応力
磁気効果を用いたものに比べ、千分の1以下しかない。
しては、金属箔を用いた歪ゲージがあるが、感度が応力
磁気効果を用いたものに比べ、千分の1以下しかない。
【0006】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、小型かつ
薄型で、集積化が可能な高感度の力学量センサを提供す
ることを目的とする。
されたものであり、その目的とするところは、小型かつ
薄型で、集積化が可能な高感度の力学量センサを提供す
ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の力学量センサ
は、内部に生じた応力に応じて、透磁率が変化する性質
を有している強磁性体層と、少なくとも2つの端子を有
するコイルであって、該端子間に電流を流すことによっ
て磁力線を発生し、それによって該強磁性体層を励磁す
るコイルと、該強磁性体層及び該コイルを一体的に支持
するための基板と、を備えた力学量センサであって、該
コイルは、少なくとも1回以上巻かれた巻線を含んだ平
面コイルであり、各巻線が第1の方向に伸びる第1及び
第2導線部分と、該第1及び第2導線部分間を接続する
部分とからなるU字型部分を有しており、該強磁性体層
の該透磁率の変化に起因するインダクタンスの変化に応
じて、該端子間のインピーダンスを変化させ、それによ
って上記目的が達成される。
は、内部に生じた応力に応じて、透磁率が変化する性質
を有している強磁性体層と、少なくとも2つの端子を有
するコイルであって、該端子間に電流を流すことによっ
て磁力線を発生し、それによって該強磁性体層を励磁す
るコイルと、該強磁性体層及び該コイルを一体的に支持
するための基板と、を備えた力学量センサであって、該
コイルは、少なくとも1回以上巻かれた巻線を含んだ平
面コイルであり、各巻線が第1の方向に伸びる第1及び
第2導線部分と、該第1及び第2導線部分間を接続する
部分とからなるU字型部分を有しており、該強磁性体層
の該透磁率の変化に起因するインダクタンスの変化に応
じて、該端子間のインピーダンスを変化させ、それによ
って上記目的が達成される。
【0008】ある実施例では、前記コイルは、2回以上
巻かれた巻線を有する平面コイルであり、該コイルの前
記巻線において、各部分を流れる電流の方向が相互に一
致する部分の間の距離が、該電流の方向が逆方向の部分
の間の距離よりも小さい。
巻かれた巻線を有する平面コイルであり、該コイルの前
記巻線において、各部分を流れる電流の方向が相互に一
致する部分の間の距離が、該電流の方向が逆方向の部分
の間の距離よりも小さい。
【0009】前記強磁性体層は、前記コイルにより、前
記第1の方向に垂直な方向に実質的に励磁されることが
好ましい。
記第1の方向に垂直な方向に実質的に励磁されることが
好ましい。
【0010】実施例では、前記コイルは、前記基板に支
持された絶縁層上に設けられている。
持された絶縁層上に設けられている。
【0011】実施例では、前記磁性体層は、前記絶縁層
と前記基板との間に設けられている。
と前記基板との間に設けられている。
【0012】実施例では、前記磁性体層は、他の絶縁層
を介して前記コイル上に設けられている。
を介して前記コイル上に設けられている。
【0013】実施例では、前記磁性体層は2層構造を有
しており、前記コイルを挟み込んでいる。
しており、前記コイルを挟み込んでいる。
【0014】本発明の力学量センサは、内部に生じた応
力に応じて、透磁率が変化する性質を有している強磁性
体層と、少なくとも2つの端子を有するコイルであっ
て、該端子間に電流を流すことによって磁力線を発生
し、それによって該強磁性体層を励磁するコイルと、該
強磁性体及び該コイルを一体的に支持するための基板
と、を備えた力学量センサであって、該コイルは、少な
くとも1回以上巻かれた巻線を含んだ平面コイルであ
り、各巻線は、第1の方向に伸びる第1及び第2導線部
分、及び該第1及び第2導線部分間を接続する部分とか
らなる第1U字型部分と、該第1の方向に伸びる第4及
び第5導線部分、及び該第4及び第5導線部分間を接続
する部分とからなる第2U字型部分と、を有しており、
該第1及び第2U字型部分は該端子間で直列に接続され
ており、該強磁性体層の該透磁率の変化に起因するイン
ダクタンスの変化に応じて、該端子間のインピーダンス
が変化し、それによって上記目的が達成される。
力に応じて、透磁率が変化する性質を有している強磁性
体層と、少なくとも2つの端子を有するコイルであっ
て、該端子間に電流を流すことによって磁力線を発生
し、それによって該強磁性体層を励磁するコイルと、該
強磁性体及び該コイルを一体的に支持するための基板
と、を備えた力学量センサであって、該コイルは、少な
くとも1回以上巻かれた巻線を含んだ平面コイルであ
り、各巻線は、第1の方向に伸びる第1及び第2導線部
分、及び該第1及び第2導線部分間を接続する部分とか
らなる第1U字型部分と、該第1の方向に伸びる第4及
び第5導線部分、及び該第4及び第5導線部分間を接続
する部分とからなる第2U字型部分と、を有しており、
該第1及び第2U字型部分は該端子間で直列に接続され
ており、該強磁性体層の該透磁率の変化に起因するイン
ダクタンスの変化に応じて、該端子間のインピーダンス
が変化し、それによって上記目的が達成される。
【0015】実施例では、前記コイルは、2回以上巻か
れた巻線を有する平面コイルであり、該コイルの前記巻
線において、各部分を流れる電流の方向が相互に一致す
る部分の間の距離が、該電流の方向が逆方向の部分の間
の距離よりも小さい。
れた巻線を有する平面コイルであり、該コイルの前記巻
線において、各部分を流れる電流の方向が相互に一致す
る部分の間の距離が、該電流の方向が逆方向の部分の間
の距離よりも小さい。
【0016】前記強磁性体層は、前記コイルにより、前
記第1の方向に垂直な方向に実質的に励磁されることが
好ましい。
記第1の方向に垂直な方向に実質的に励磁されることが
好ましい。
【0017】実施例では、前記コイルは、前記基板に支
持された絶縁層上に設けられている。
持された絶縁層上に設けられている。
【0018】実施例では、前記磁性体層は、前記絶縁層
と前記基板との間に設けられている。
と前記基板との間に設けられている。
【0019】実施例では、前記磁性体層は、他の絶縁層
を介して前記コイル上に設けられている。
を介して前記コイル上に設けられている。
【0020】実施例では、前記磁性体層は2層構造を有
しており、前記コイルを挟み込んでいる。
しており、前記コイルを挟み込んでいる。
【0021】本発明の他の力学量センサは、内部に生じ
た応力に応じて、透磁率が変化する性質を有している強
磁性体層と、少なくとも2つの端子を有するコイルであ
って、該端子間に電流を流すことによって磁力線を発生
し、それによって該強磁性体層を励磁するコイルと、該
強磁性体層及び該コイルを一体的に支持するための基板
と、を備えた力学量センサであって、該コイルは、該強
磁性体層を少なくとも1回以上巻いた巻線を含んだソレ
ノイドコイルであり、各巻線が第1の方向に伸びる第1
及び第2導線部分と、該第1及び第2導線部分間を接続
する部分とを有しており、該強磁性体層の該透磁率の変
化に起因するインダクタンスの変化に応じて、該端子間
のインピーダンスを変化させ、それによって上記目的が
達成される。
た応力に応じて、透磁率が変化する性質を有している強
磁性体層と、少なくとも2つの端子を有するコイルであ
って、該端子間に電流を流すことによって磁力線を発生
し、それによって該強磁性体層を励磁するコイルと、該
強磁性体層及び該コイルを一体的に支持するための基板
と、を備えた力学量センサであって、該コイルは、該強
磁性体層を少なくとも1回以上巻いた巻線を含んだソレ
ノイドコイルであり、各巻線が第1の方向に伸びる第1
及び第2導線部分と、該第1及び第2導線部分間を接続
する部分とを有しており、該強磁性体層の該透磁率の変
化に起因するインダクタンスの変化に応じて、該端子間
のインピーダンスを変化させ、それによって上記目的が
達成される。
【0022】
【実施例】以下に、本発明を実施例について説明する。
【0023】(実施例1)図1は、本発明による力学量
センサ(第1実施例)の構成を示す平面図である。図2
は、図1のA−A′線断面図、図3は図1のB−B′線
断面図である。以下、これらの図面を参照しながら、本
力学量センサの構成を説明する。
センサ(第1実施例)の構成を示す平面図である。図2
は、図1のA−A′線断面図、図3は図1のB−B′線
断面図である。以下、これらの図面を参照しながら、本
力学量センサの構成を説明する。
【0024】まず、図2を参照しながら、この力学量セ
ンサの断面構造を説明する。この力学量センサは、燐青
銅からなる基板(厚さ:0.5mm)11上に形成され
た強磁性体層(厚さ:5μm)12aを有している。基
板11の材質は、非磁性体でれば、どのようなものであ
ってもよい。基板11の形状は、図2示されるような平
板状である必要はなく、円筒状であってもよい。強磁性
体層12aは、スパッタ法により形成されたFe基アモ
ルファス合金膜からなり、Fe、Cr、Si、Bを含ん
でいる。1MHzにおける強磁性体層12aの比透磁率
は100、飽和磁歪定数は+22ppmである。
ンサの断面構造を説明する。この力学量センサは、燐青
銅からなる基板(厚さ:0.5mm)11上に形成され
た強磁性体層(厚さ:5μm)12aを有している。基
板11の材質は、非磁性体でれば、どのようなものであ
ってもよい。基板11の形状は、図2示されるような平
板状である必要はなく、円筒状であってもよい。強磁性
体層12aは、スパッタ法により形成されたFe基アモ
ルファス合金膜からなり、Fe、Cr、Si、Bを含ん
でいる。1MHzにおける強磁性体層12aの比透磁率
は100、飽和磁歪定数は+22ppmである。
【0025】強磁性体層12a上には、SiO2 から成
る絶縁層(厚さ:2μm)13aが形成されている。絶
縁層13a上には、アルミニウム膜(厚さ:5μm)か
らなる平面コイル14と、その入出力端子15a、15
b(図2において不図示)が形成されている。
る絶縁層(厚さ:2μm)13aが形成されている。絶
縁層13a上には、アルミニウム膜(厚さ:5μm)か
らなる平面コイル14と、その入出力端子15a、15
b(図2において不図示)が形成されている。
【0026】入出力端子15a、15bには、所定の交
流電圧が印加され、それによって、平面コイル14を電
流が流れる。平面コイル14は、一つながり導線であ
る。その導線の任意の各部を、本願明細書では、特に、
線素(ラインセグメント)と呼ぶことがある。線素の形
状は、特に断わらない限り、直線に限定されるものでは
にい。平面コイル14において、相互に隣接し、電流方
向が互いに同じである導線部分(線素)の間の最小間隔
は10μmである。より詳細には、導線14aと導線1
4bとの間、導線14cと導線14dとの間、導線14
eと導線14fとの間、導線14gと導線14hとの間
は、何れも、10μmである。これに対して、相互に電
流方向が逆となる導線部分(図1参照)の間の最小間隔
は180μmである。より詳細には、導線14bと導線
14cとの間、導線14dと導線14eとの間、導線1
4fと導線14gとの間は、何れも、180μmであ
る。
流電圧が印加され、それによって、平面コイル14を電
流が流れる。平面コイル14は、一つながり導線であ
る。その導線の任意の各部を、本願明細書では、特に、
線素(ラインセグメント)と呼ぶことがある。線素の形
状は、特に断わらない限り、直線に限定されるものでは
にい。平面コイル14において、相互に隣接し、電流方
向が互いに同じである導線部分(線素)の間の最小間隔
は10μmである。より詳細には、導線14aと導線1
4bとの間、導線14cと導線14dとの間、導線14
eと導線14fとの間、導線14gと導線14hとの間
は、何れも、10μmである。これに対して、相互に電
流方向が逆となる導線部分(図1参照)の間の最小間隔
は180μmである。より詳細には、導線14bと導線
14cとの間、導線14dと導線14eとの間、導線1
4fと導線14gとの間は、何れも、180μmであ
る。
【0027】平面コイル14を覆うように、絶縁層13
a上に絶縁層13aと同じ材料からなる絶縁層(厚さ:
2μm)13bが形成されている。絶縁層13bは、相
互に電流方向が逆である導線間を埋めている。絶縁層1
3b上には、強磁性体層12aと同じ材料からなる第2
の強磁性体層(厚さ:5μm)12bが形成されてい
る。こうして、本実施例では、2層の強磁性体層12a
及び12bが、平面コイル14を上下から挟み込んでい
る。
a上に絶縁層13aと同じ材料からなる絶縁層(厚さ:
2μm)13bが形成されている。絶縁層13bは、相
互に電流方向が逆である導線間を埋めている。絶縁層1
3b上には、強磁性体層12aと同じ材料からなる第2
の強磁性体層(厚さ:5μm)12bが形成されてい
る。こうして、本実施例では、2層の強磁性体層12a
及び12bが、平面コイル14を上下から挟み込んでい
る。
【0028】次に、図1を参照しながら、この力学量セ
ンサの平面構造を説明する。本実施例に使用する基板1
1の平面サイズは、長辺30mm、短辺15mmの長方
形である。平面コイル14は、基板11上において、第
1の方向Fに沿った長さCが3000μm、第1の方向
に垂直な第2の方向Eに沿った長さDが820μmの長
方形領域内に形成されている。図示されているように、
本実施例の平面コイル14は、基本的には、平面内にお
いて2回巻かれた巻線を含む構造(2重スパイラル構
造)を有している。より詳細には、平面コイル14の2
つの巻線のそれぞれは、直列に接続された第1及び第2
のU字型部分をもつ基本的構成を有している。各第1U
字型部分は、第1の方向Fに沿って伸びる直線状の第1
及び第2導線部分、及び第1及び第2導線部分間を接続
する部分からなる。また、各第2U字型部分は、第1の
方向Fに沿って伸びる直線状の第3及び第4導線部分、
及び第3及び第4導線部分間を接続する部分からなる。
第2及び第3導線部分と、これらの導線部分を連結する
部分とによって、第1及び第2U字型部分の向きとは反
対向きの他のU字型部分が形成されているとも考えられ
る。
ンサの平面構造を説明する。本実施例に使用する基板1
1の平面サイズは、長辺30mm、短辺15mmの長方
形である。平面コイル14は、基板11上において、第
1の方向Fに沿った長さCが3000μm、第1の方向
に垂直な第2の方向Eに沿った長さDが820μmの長
方形領域内に形成されている。図示されているように、
本実施例の平面コイル14は、基本的には、平面内にお
いて2回巻かれた巻線を含む構造(2重スパイラル構
造)を有している。より詳細には、平面コイル14の2
つの巻線のそれぞれは、直列に接続された第1及び第2
のU字型部分をもつ基本的構成を有している。各第1U
字型部分は、第1の方向Fに沿って伸びる直線状の第1
及び第2導線部分、及び第1及び第2導線部分間を接続
する部分からなる。また、各第2U字型部分は、第1の
方向Fに沿って伸びる直線状の第3及び第4導線部分、
及び第3及び第4導線部分間を接続する部分からなる。
第2及び第3導線部分と、これらの導線部分を連結する
部分とによって、第1及び第2U字型部分の向きとは反
対向きの他のU字型部分が形成されているとも考えられ
る。
【0029】このような構成を採用することによって、
第2の方向Eに伸びる導線部分の合計長さよりも、第1
の方向Fに伸びる導線部分の合計長さが充分に長い平面
コイルが得られる。また、一定面積の領域内において、
第1の方向Fに伸びる導線部分の合計長さが、他の構成
に比較して、より長くなる。なお、巻線の巻数は、1重
であっても、3重以上であってもよい。
第2の方向Eに伸びる導線部分の合計長さよりも、第1
の方向Fに伸びる導線部分の合計長さが充分に長い平面
コイルが得られる。また、一定面積の領域内において、
第1の方向Fに伸びる導線部分の合計長さが、他の構成
に比較して、より長くなる。なお、巻線の巻数は、1重
であっても、3重以上であってもよい。
【0030】また、平面コイル14の平面形状として
は、図1に示すものの他、図9(a)〜(c)、図10
(a)〜(c)、及び図11(a)及び(b)に示すよ
うな平面形状であってもよい。これらの図においては、
簡単のため、平面内で一回巻かれた巻線を有する平面コ
イルが示されているが、図1に示されるように、ワイヤ
ホンドィング接続を使用すれば、2回以上巻かれた巻線
を有する平面コイルが得られる。また、各巻線のU字型
部分の数も、図示されているものの数に限定されない。
は、図1に示すものの他、図9(a)〜(c)、図10
(a)〜(c)、及び図11(a)及び(b)に示すよ
うな平面形状であってもよい。これらの図においては、
簡単のため、平面内で一回巻かれた巻線を有する平面コ
イルが示されているが、図1に示されるように、ワイヤ
ホンドィング接続を使用すれば、2回以上巻かれた巻線
を有する平面コイルが得られる。また、各巻線のU字型
部分の数も、図示されているものの数に限定されない。
【0031】強磁性体層12bは、図1に示されるよう
に、平面コイル14の主要部を覆っている。平面コイル
14には、強磁性体層12bに覆われていない突出部1
7が設けられている。突出部17において、平面コイル
14の内側端18と入出力端子15aとが、金ワイヤ1
9のワイヤーボンディングにより、相互接続されてい
る。このため、本実施例の平面コイル14は2回巻かれ
た巻線を含むコイルであるが、1回のフォトリソグラフ
ィプロセスにより作製される。
に、平面コイル14の主要部を覆っている。平面コイル
14には、強磁性体層12bに覆われていない突出部1
7が設けられている。突出部17において、平面コイル
14の内側端18と入出力端子15aとが、金ワイヤ1
9のワイヤーボンディングにより、相互接続されてい
る。このため、本実施例の平面コイル14は2回巻かれ
た巻線を含むコイルであるが、1回のフォトリソグラフ
ィプロセスにより作製される。
【0032】平面コイル14が、上述の構成を有してい
る理由は、2つある。第1の理由は、2次元的に広がる
強磁性体層12a、12bのできる限り広いエリアを、
平面コイル14の磁心として有効に活用するためであ
る。一般に、強磁性体層中を流れる磁束が1/eに減衰
する長さ、いわゆる特性長をλとすると、λ=(μr・
g・tm/2)と表わされることが知られている(例え
ば IEEE Tr. Magn. MAG14, pp509-511)。ここで、μr
は強磁性体層12a、12bの比透磁率、gはギャッ
プ、tm は膜厚である。この式に前記値を代入するとλ
=32μmとなり、導線から30μm程度はなれると1
/eに減衰してしまう。この特性長λは比較的に小さ
い。その理由は、強磁性体層12a、12bの厚さが5
μmと比較的薄く、その比透磁率も100と小さいため
である。このように特性長λが小さいため、ある限られ
た領域において、平面コイルを構成する導線の一部を折
り曲げ、平面コイル14の形状を図1に示すような形状
にした場合でも、折り曲げた部分が他の部分の形成する
磁束に影響を与えることはほとんどない。こうして、強
磁性体層のできる限り広いエリアを、磁心として有効に
活用することができる。相互に隣接し電流の向きが反対
の導線間の距離は、特性長よりも充分に大きくすること
が好ましい。一方、隣接し電流の向きが同じ導線間の距
離を近接させているのは、導線間で漏れる磁束を最小限
にするためである。この場合の導線の間隔は10μmな
ので、特性長λに比べて十分小さく、漏れ磁束は少な
い。このため、平面コイル14のインダクタンスは、巻
数のほぼ2乗倍に比例して増加する。
る理由は、2つある。第1の理由は、2次元的に広がる
強磁性体層12a、12bのできる限り広いエリアを、
平面コイル14の磁心として有効に活用するためであ
る。一般に、強磁性体層中を流れる磁束が1/eに減衰
する長さ、いわゆる特性長をλとすると、λ=(μr・
g・tm/2)と表わされることが知られている(例え
ば IEEE Tr. Magn. MAG14, pp509-511)。ここで、μr
は強磁性体層12a、12bの比透磁率、gはギャッ
プ、tm は膜厚である。この式に前記値を代入するとλ
=32μmとなり、導線から30μm程度はなれると1
/eに減衰してしまう。この特性長λは比較的に小さ
い。その理由は、強磁性体層12a、12bの厚さが5
μmと比較的薄く、その比透磁率も100と小さいため
である。このように特性長λが小さいため、ある限られ
た領域において、平面コイルを構成する導線の一部を折
り曲げ、平面コイル14の形状を図1に示すような形状
にした場合でも、折り曲げた部分が他の部分の形成する
磁束に影響を与えることはほとんどない。こうして、強
磁性体層のできる限り広いエリアを、磁心として有効に
活用することができる。相互に隣接し電流の向きが反対
の導線間の距離は、特性長よりも充分に大きくすること
が好ましい。一方、隣接し電流の向きが同じ導線間の距
離を近接させているのは、導線間で漏れる磁束を最小限
にするためである。この場合の導線の間隔は10μmな
ので、特性長λに比べて十分小さく、漏れ磁束は少な
い。このため、平面コイル14のインダクタンスは、巻
数のほぼ2乗倍に比例して増加する。
【0033】第2の理由は、平面コイル14の形状を図
1に示すような形状にすれば、平面コイル14が、強磁
性体層12a、12bを全体として実質的に一方向のみ
に励磁することが可能となるからである。磁歪を有する
強磁性体膜に応力が加わると、磁気弾性エネルギーによ
り、応力方向に磁気異方性が誘起され、応力方向の透磁
率が変化する。本実施例の力学量センサでは、この透磁
率の変化をインダクタンスの変化として検出するため、
励磁方向と応力の方向をできるだけ合わせる必要があ
る。直線状のコイル導線層と強磁性体層を基板上に形成
した場合、偏平なコイル導線層と強磁性体層は平行にな
る。このため、励磁方向は強磁性体膜の面内方向に平行
になり、かつコイル導線層と直行する方向となる。ま
た、強磁性体層内に発生する応力は、基板表面に発生す
る応力と同等の大きさを有しているので、強磁性体層に
は、その面内方向に平行な応力が発生すると見なせる。
このため、図1の平面コイル14は、方向Eに実質的に
平行な応力のみを選択的に検出することができる。
1に示すような形状にすれば、平面コイル14が、強磁
性体層12a、12bを全体として実質的に一方向のみ
に励磁することが可能となるからである。磁歪を有する
強磁性体膜に応力が加わると、磁気弾性エネルギーによ
り、応力方向に磁気異方性が誘起され、応力方向の透磁
率が変化する。本実施例の力学量センサでは、この透磁
率の変化をインダクタンスの変化として検出するため、
励磁方向と応力の方向をできるだけ合わせる必要があ
る。直線状のコイル導線層と強磁性体層を基板上に形成
した場合、偏平なコイル導線層と強磁性体層は平行にな
る。このため、励磁方向は強磁性体膜の面内方向に平行
になり、かつコイル導線層と直行する方向となる。ま
た、強磁性体層内に発生する応力は、基板表面に発生す
る応力と同等の大きさを有しているので、強磁性体層に
は、その面内方向に平行な応力が発生すると見なせる。
このため、図1の平面コイル14は、方向Eに実質的に
平行な応力のみを選択的に検出することができる。
【0034】以下に、本力学量センサの動作を説明す
る。まず、基板11に力を加えることによって、基板1
1及び強磁性体層12a、12b内において、方向Eに
平行な成分を有する応力及び歪が基板11の表面(正確
には、強磁性体層12a及び12b)に発生する。平面
コイル14の各線素と第2方向Eとがなす角度をθで表
し、また、応力に起因する平面コイル14のインダクタ
ンスの変化を△Lで表す。この場合、△Lは、基板11
の表面において発生した応力の励磁方向成分に比例す
る。このため、△Lは、下記(1)式のように表わされ
る。
る。まず、基板11に力を加えることによって、基板1
1及び強磁性体層12a、12b内において、方向Eに
平行な成分を有する応力及び歪が基板11の表面(正確
には、強磁性体層12a及び12b)に発生する。平面
コイル14の各線素と第2方向Eとがなす角度をθで表
し、また、応力に起因する平面コイル14のインダクタ
ンスの変化を△Lで表す。この場合、△Lは、基板11
の表面において発生した応力の励磁方向成分に比例す
る。このため、△Lは、下記(1)式のように表わされ
る。
【0035】 △L=k1×σ×(Rsinθ+Scosθ) (1) ここで、k1 は比例定数、σは応力、Rは強磁性体層1
2a、12bに挟まれた平面コイル14の方向Fに沿っ
た線素の合計の長さ、Sは方向Eに沿った線素の合計の
長さである。
2a、12bに挟まれた平面コイル14の方向Fに沿っ
た線素の合計の長さ、Sは方向Eに沿った線素の合計の
長さである。
【0036】(1)式から△LはR/Sの比が大きく、
θが90゜に近いとき最大値が得られることが分かる。
よって、平面コイルはR/Sの比を大きく設計して、θ
が90゜近傍になるように配置すればよい。また、R/
Sの比が大きければクロストーク(応力と90゜ずれた
方向の応力による出力成分)も小さくできる。
θが90゜に近いとき最大値が得られることが分かる。
よって、平面コイルはR/Sの比を大きく設計して、θ
が90゜近傍になるように配置すればよい。また、R/
Sの比が大きければクロストーク(応力と90゜ずれた
方向の応力による出力成分)も小さくできる。
【0037】上記要求を実現するには、本実施例のよう
に平面コイルを矩形波状におり曲げ、ある方向に伸びる
線素の長さを長くするのが適している。なお、本実施例
ではθ=90゜としている。
に平面コイルを矩形波状におり曲げ、ある方向に伸びる
線素の長さを長くするのが適している。なお、本実施例
ではθ=90゜としている。
【0038】電流の向きが逆で隣接する導線間の間隔
は、特性長λを考慮して決定される。広すぎるとR/S
の比が小さくなり、励磁されない無駄な面積が増える。
逆に、狭すぎるとインダクタンスが小さくなる。本実施
例の場合、λの約6倍としている。本実施例においては
A≒23000μm、B≒1600μmなのでR/S=
14.4となる。
は、特性長λを考慮して決定される。広すぎるとR/S
の比が小さくなり、励磁されない無駄な面積が増える。
逆に、狭すぎるとインダクタンスが小さくなる。本実施
例の場合、λの約6倍としている。本実施例においては
A≒23000μm、B≒1600μmなのでR/S=
14.4となる。
【0039】上記平面コイル14から得られる効果と同
様の効果は、ミアンダコイル(例えば、IEEE Tran. Mag
n. MAG-20, pp1804-1806, 1984)によっても得ることは
可能である。このコイルを作製する場合、内側端18と
入出力端子15aとを接続するための工程は不要であ
り、また、結果得られたコイルから得られる共振周波数
は高くなる。しかしながら、ミアンダコイルの巻数は1
回であるため、そのインダクタンスが相対的に低い。
様の効果は、ミアンダコイル(例えば、IEEE Tran. Mag
n. MAG-20, pp1804-1806, 1984)によっても得ることは
可能である。このコイルを作製する場合、内側端18と
入出力端子15aとを接続するための工程は不要であ
り、また、結果得られたコイルから得られる共振周波数
は高くなる。しかしながら、ミアンダコイルの巻数は1
回であるため、そのインダクタンスが相対的に低い。
【0040】零点補正用の他の平面コイルを基板11上
に配置する場合は、(1)式より最小値はθ=0のとき
得られるので、θ=0になるように配置すればよい。最
小値はSに比例するので、この点からもR/Sの比は大
きい方がよい。
に配置する場合は、(1)式より最小値はθ=0のとき
得られるので、θ=0になるように配置すればよい。最
小値はSに比例するので、この点からもR/Sの比は大
きい方がよい。
【0041】(実施例2)図4は、本発明による他の力
学量センサの構成を示す斜視図、図5は図4のG−G′
線断面図である。
学量センサの構成を示す斜視図、図5は図4のG−G′
線断面図である。
【0042】長辺30mm、短辺15mm、厚さ0.5
mmの基板であって、少なくとも表面が絶縁性を持つ基
板21上に、厚さ4μmのアルミニウム膜からなる導線
22が形成されている。この導線22は、絶縁層23を
介して強磁性体層24をソレノイド状にとりまいてお
り、その結果、導線22はソレノイドコイルを形成して
いる。絶縁層23のうち薄い部分の厚さは2μm、厚い
部分の厚さは7μmである。また、導線22のうち基板
21の表面に接している部分の間には、導線22と同じ
厚さの絶縁層25が形成されている。強磁性体層24
は、スパッタ法により堆積されたFe基アモルファス合
金膜(5μm)から形成されている。強磁性体層24の
形状は長方形(2000μm×3000μm)であり、
1MHzにおける比透磁率は100、飽和磁歪定数は+
22ppmである。
mmの基板であって、少なくとも表面が絶縁性を持つ基
板21上に、厚さ4μmのアルミニウム膜からなる導線
22が形成されている。この導線22は、絶縁層23を
介して強磁性体層24をソレノイド状にとりまいてお
り、その結果、導線22はソレノイドコイルを形成して
いる。絶縁層23のうち薄い部分の厚さは2μm、厚い
部分の厚さは7μmである。また、導線22のうち基板
21の表面に接している部分の間には、導線22と同じ
厚さの絶縁層25が形成されている。強磁性体層24
は、スパッタ法により堆積されたFe基アモルファス合
金膜(5μm)から形成されている。強磁性体層24の
形状は長方形(2000μm×3000μm)であり、
1MHzにおける比透磁率は100、飽和磁歪定数は+
22ppmである。
【0043】導線22のうち強磁性体層24の真上及び
真下に位置する部分は、すべて、強磁性体層の長辺方向
(この方向を、方向Hと称する)に直交する方向に伸び
ている。これは、方向Hに沿って強磁性体層24を励磁
するためである。導線22のうち、強磁性体層24の真
上に位置する部分と、真下に位置する部分とを連結する
部分(屈曲部分)は、図4に示されているように、方向
Hに直行する方向に平行ではない。従って、屈曲部分
は、方向Hからシフトした方向に沿って強磁性体層24
を励磁することとなる。しかし、屈曲部分の近傍に、強
磁性体層24が存在していないため、屈曲部分が発生す
る磁束は、強磁性体層24に殆ど影響しない。なお、図
4においては導線22を見やすくするため、絶縁層25
の記載は省略されている。
真下に位置する部分は、すべて、強磁性体層の長辺方向
(この方向を、方向Hと称する)に直交する方向に伸び
ている。これは、方向Hに沿って強磁性体層24を励磁
するためである。導線22のうち、強磁性体層24の真
上に位置する部分と、真下に位置する部分とを連結する
部分(屈曲部分)は、図4に示されているように、方向
Hに直行する方向に平行ではない。従って、屈曲部分
は、方向Hからシフトした方向に沿って強磁性体層24
を励磁することとなる。しかし、屈曲部分の近傍に、強
磁性体層24が存在していないため、屈曲部分が発生す
る磁束は、強磁性体層24に殆ど影響しない。なお、図
4においては導線22を見やすくするため、絶縁層25
の記載は省略されている。
【0044】次に、本実施例の力学量センサの動作を説
明する。基板21中には、基板21の面内方向のうち長
辺方向(I方向)に沿った応力が発生しているとする。
本実施例の場合、導線22は強磁性体層24をH方向に
励磁する構成となっているので、応力によるインダクタ
ンスの変化は(2)式のように表わすことができる。
明する。基板21中には、基板21の面内方向のうち長
辺方向(I方向)に沿った応力が発生しているとする。
本実施例の場合、導線22は強磁性体層24をH方向に
励磁する構成となっているので、応力によるインダクタ
ンスの変化は(2)式のように表わすことができる。
【0045】△L=k2×σcosθ (2) ここで、△Lはインダクタンスの変化、k2 は比例定
数、σは印加応力、θはH方向とI方向がなす角であ
る。(2)式から明らかなように、θが0゜のとき△L
は最大となり、θ=90゜の時0となる。本実施例では
θ=0゜に構成しており、出力は最大に得られる。また
(2)式から、θを90゜ずらした場合の出力はほぼ0
と考えられるので、クロストークは最小限になる。
数、σは印加応力、θはH方向とI方向がなす角であ
る。(2)式から明らかなように、θが0゜のとき△L
は最大となり、θ=90゜の時0となる。本実施例では
θ=0゜に構成しており、出力は最大に得られる。また
(2)式から、θを90゜ずらした場合の出力はほぼ0
と考えられるので、クロストークは最小限になる。
【0046】零点補正用コイルを構成する場合は、θ=
90゜にするのが最適であるのは当然である。
90゜にするのが最適であるのは当然である。
【0047】なお、導線22が屈曲した部分に挟まれた
領域に磁歪を有する強磁性体層が存在しても、力学量セ
ンサとして有効なのはいうまでもない。その場合、△L
及びクロストークが幾分増加する。
領域に磁歪を有する強磁性体層が存在しても、力学量セ
ンサとして有効なのはいうまでもない。その場合、△L
及びクロストークが幾分増加する。
【0048】(実施例3)図6は本発明による更に他の
力学量センサの構成を示す平面図である。図7は図6の
J−J′線断面図、図8は図1のK−K′線断面図であ
る。
力学量センサの構成を示す平面図である。図7は図6の
J−J′線断面図、図8は図1のK−K′線断面図であ
る。
【0049】長辺30mm、短辺15mm、厚さ0.5
mmのチタンからなる基板31上に、厚さ5μmのFe
基アモルファス合金膜からなる強磁性体層32a、32
bが形成されている。強磁性体層32a、32bは、例
えば、スパッタ法により形成される。この強磁性体層3
2a、32bの比透磁率は、1MHzにおいて100、
飽和磁歪定数は+22ppmである。絶縁層33aは厚
さ2μmのSiO2 から成り、絶縁層33bは、厚さ2
〜7μmのSiO2 から成る。平面コイル34及びその
入出力端子35a、35bは、図1に示される平面コイ
ル14と同一の形状をもつ厚さ5μmのアルミニウム膜
から形成されている。平面コイル34と同じ厚みの絶縁
層36が、突出部37をのぞく平面コイル34の主要部
を覆っている。平面コイル34の内側端38は、金ワイ
ヤー39により入出力端子35aに接続されている。
mmのチタンからなる基板31上に、厚さ5μmのFe
基アモルファス合金膜からなる強磁性体層32a、32
bが形成されている。強磁性体層32a、32bは、例
えば、スパッタ法により形成される。この強磁性体層3
2a、32bの比透磁率は、1MHzにおいて100、
飽和磁歪定数は+22ppmである。絶縁層33aは厚
さ2μmのSiO2 から成り、絶縁層33bは、厚さ2
〜7μmのSiO2 から成る。平面コイル34及びその
入出力端子35a、35bは、図1に示される平面コイ
ル14と同一の形状をもつ厚さ5μmのアルミニウム膜
から形成されている。平面コイル34と同じ厚みの絶縁
層36が、突出部37をのぞく平面コイル34の主要部
を覆っている。平面コイル34の内側端38は、金ワイ
ヤー39により入出力端子35aに接続されている。
【0050】なお、説明の都合上、図6においては強磁
性体層32bの下に平面コイル34のみが見える図とし
た。
性体層32bの下に平面コイル34のみが見える図とし
た。
【0051】本実施例の力学量センサの構成は、図1に
示す力学量センサの構成と基本的には同じである。異な
る点は、強磁性体層32a、32bが平面コイル34の
長辺方向Mに伸びる導線とオッバーラップし、平面コイ
ル34の短辺方向Nに伸びる導線とはオッバーラップし
ないように、配置されている点である。強磁性体層のサ
イズは、長さPが2400μm、長さQが1000μm
である。
示す力学量センサの構成と基本的には同じである。異な
る点は、強磁性体層32a、32bが平面コイル34の
長辺方向Mに伸びる導線とオッバーラップし、平面コイ
ル34の短辺方向Nに伸びる導線とはオッバーラップし
ないように、配置されている点である。強磁性体層のサ
イズは、長さPが2400μm、長さQが1000μm
である。
【0052】次に本実施例の力学量センサの動作につい
て説明する。基板31の長辺方向をN方向とし、基板表
面にはN方向に応力が印加されているものとする。M方
向とN方向がなす角をθとし、インダクタンスの変化を
△Lとすると、△Lは(1)式にR=(2400×8)
/23000≒0.8R、S=0を代入し、(3)式の
ように表わすことができる。
て説明する。基板31の長辺方向をN方向とし、基板表
面にはN方向に応力が印加されているものとする。M方
向とN方向がなす角をθとし、インダクタンスの変化を
△Lとすると、△Lは(1)式にR=(2400×8)
/23000≒0.8R、S=0を代入し、(3)式の
ように表わすことができる。
【0053】 △L=k1×σ×0.8×Rsinθ (3) (3)式から明らかなようにθ=90゜の時△Lは最大
となり、θ=0゜のとき△Lは0となる。本実施例では
θ=90゜に構成してある。
となり、θ=0゜のとき△Lは0となる。本実施例では
θ=90゜に構成してある。
【0054】(実施例1)と比べると、△Lは約20%
小さくなるが、θが90゜ずれると△L=0となるので
クロストークはほぼ0になり、この点は図1の力学量セ
ンサより優れている。零点補正用コイルをθ=0に構成
して配置する場合、クロストークが小さいことが有利に
働くことは当然である。
小さくなるが、θが90゜ずれると△L=0となるので
クロストークはほぼ0になり、この点は図1の力学量セ
ンサより優れている。零点補正用コイルをθ=0に構成
して配置する場合、クロストークが小さいことが有利に
働くことは当然である。
【0055】また、通常のミアンダコイルでも同様の構
成がとれるのはいうまでもない。なお、実施例1〜3に
おいては磁歪を有する強磁性体層として、スパッタ法に
より形成した正の飽和磁歪定数を持つFe基アモルファ
ス合金を用いたが、磁歪を有する強磁性体層であれば他
の材料も使用することができる。例えば、負の磁歪を有
する強磁性体層であっても本発明の構成はそのまま使用
できる。
成がとれるのはいうまでもない。なお、実施例1〜3に
おいては磁歪を有する強磁性体層として、スパッタ法に
より形成した正の飽和磁歪定数を持つFe基アモルファ
ス合金を用いたが、磁歪を有する強磁性体層であれば他
の材料も使用することができる。例えば、負の磁歪を有
する強磁性体層であっても本発明の構成はそのまま使用
できる。
【0056】さらに、実施例1〜3においては磁歪を有
する強磁性体層のみを使っているが、磁歪がほぼ零の比
透磁率が高い強磁性体層を磁気回路の一部に使用できる
のは当然である。
する強磁性体層のみを使っているが、磁歪がほぼ零の比
透磁率が高い強磁性体層を磁気回路の一部に使用できる
のは当然である。
【0057】
【発明の効果】本発明によれば、小型かつ薄型の力学量
センサが提供される。本発明の力学量センサは、バルク
に比べて薄い強磁性体層を有効に利用するため、薄型で
ありながら、検出感度が高い。また、強磁性体層の形状
によらない検出感度の異方性に基づいて、ある方向に沿
った応力の強さを選択的に高感度で検出できる。
センサが提供される。本発明の力学量センサは、バルク
に比べて薄い強磁性体層を有効に利用するため、薄型で
ありながら、検出感度が高い。また、強磁性体層の形状
によらない検出感度の異方性に基づいて、ある方向に沿
った応力の強さを選択的に高感度で検出できる。
【図1】本発明の実施例における力学量センサの一部透
視平面図
視平面図
【図2】図1のA−A′線断面図
【図3】図1のB−B′線断面図
【図4】本発明の他の実施例における力学量センサの斜
視図
視図
【図5】図4のG−G′線断面図
【図6】本発明の更に他の実施例における力学量センサ
の一部透視平面図
の一部透視平面図
【図7】図6のJ−J′線断面図
【図8】図6のK−K′線断面図
【図9】本発明の実施例における力学量センサに使用さ
れる平面コイルの形状の例を示す平面図
れる平面コイルの形状の例を示す平面図
【図10】本発明の実施例における力学量センサに使用
される平面コイルの形状の他の例を示す平面図
される平面コイルの形状の他の例を示す平面図
【図11】本発明の実施例における力学量センサに使用
される平面コイルの形状の更に他の例を示す平面図
される平面コイルの形状の更に他の例を示す平面図
11 基板 12a、12b 強磁性体層 13a、13b 絶縁層 14 平面コイル 15a、15b 入出力端子 17 突出部 18 内側端 19 金ワイヤー
Claims (15)
- 【請求項1】内部に生じた応力に応じて、透磁率が変化
する性質を有している強磁性体層と、少なくとも2つの
端子を有するコイルであって、該端子間に電流を流すこ
とによって磁力線を発生し、それによって該強磁性体層
を励磁するコイルと、該強磁性体層及び該コイルを一体
的に支持するための基板と、を備えた力学量センサであ
って、該コイルは、少なくとも1回以上巻かれた巻線を
含んだ平面コイルであり、各巻線が第1の方向に伸びる
第1及び第2導線部分と、該第1及び第2導線部分間を
接続する部分とからなるU字型部分を有しており、該強
磁性体層の該透磁率の変化に起因するインダクタンスの
変化に応じて、該端子間のインピーダンスを変化させ
る、力学量センサ。 - 【請求項2】コイルは、2回以上巻かれた巻線を有する
平面コイルであり、該コイルの前記巻線において、各部
分を流れる電流の方向が相互に一致する部分の間の距離
が、該電流の方向が逆方向の部分の間の距離よりも小さ
い請求項1に記載の力学量センサ。 - 【請求項3】強磁性体層は、コイルにより、第1の方向
に垂直な方向に実質的に励磁される請求項1に記載の力
学量センサ。 - 【請求項4】コイルは、基板に支持された絶縁層上に設
けられている、請求項1に記載の力学量センサ。 - 【請求項5】磁性体層は、絶縁層と基板との間に設けら
れている、請求項4に記載の力学量センサ。 - 【請求項6】磁性体層は、他の絶縁層を介してコイル上
に設けられている、請求項4に記載の力学量センサ。 - 【請求項7】磁性体層は2層構造を有しており、コイル
を挟み込んでいる、請求項1に記載の力学量センサ。 - 【請求項8】内部に生じた応力に応じて、透磁率が変化
する性質を有している強磁性体層と、少なくとも2つの
端子を有するコイルであって、該端子間に電流を流すこ
とによって磁力線を発生し、それによって該強磁性体層
を励磁するコイルと、該強磁性体及び該コイルを一体的
に支持するための基板と、を備えた力学量センサであっ
て、該コイルは、少なくとも1回以上巻かれた巻線を含
んだ平面コイルであり、各巻線は、第1の方向に伸びる
第1及び第2導線部分、及び該第1及び第2導線部分間
を接続する部分とからなる第1U字型部分と、該第1の
方向に伸びる第4及び第5導線部分、及び該第4及び第
5導線部分間を接続する部分とからなる第2U字型部分
と、を有しており、該第1及び第2U字型部分は該端子
間で直列に接続されており、該強磁性体層の該透磁率の
変化に起因するインダクタンスの変化に応じて、該端子
間のインピーダンスが変化する、力学量センサ。 - 【請求項9】コイルは、2回以上巻かれた巻線を有する
平面コイルであり、該コイルの前記巻線において、各部
分を流れる電流の方向が相互に一致する部分の間の距離
が、該電流の方向が逆方向の部分の間の距離よりも小さ
い請求項8に記載の力学量センサ。 - 【請求項10】強磁性体層は、コイルにより、第1の方
向に垂直な方向に実質的に励磁される請求項8に記載の
力学量センサ。 - 【請求項11】コイルは、基板に支持された絶縁層上に
設けられている、請求項8に記載の力学量センサ。 - 【請求項12】磁性体層は、絶縁層と基板との間に設け
られている、請求項11に記載の力学量センサ。 - 【請求項13】磁性体層は、他の絶縁層を介してコイル
上に設けられている、請求項11に記載の力学量セン
サ。 - 【請求項14】磁性体層は2層構造を有しており、コイ
ルを挟み込んでいる、請求項8に記載の力学量センサ。 - 【請求項15】内部に生じた応力に応じて、透磁率が変
化する性質を有している強磁性体層と、少なくとも2つ
の端子を有するコイルであって、該端子間に電流を流す
ことによって磁力線を発生し、それによって該強磁性体
層を励磁するコイルと、該強磁性体層及び該コイルを一
体的に支持するための基板と、を備えた力学量センサで
あって、該コイルは、該強磁性体層を少なくとも1回以
上巻いた巻線を含んだソレノイドコイルであり、各巻線
が第1の方向に伸びる第1及び第2導線部分と、該第1
及び第2導線部分間を接続する部分とを有しており、該
強磁性体層の該透磁率の変化に起因するインダクタンス
の変化に応じて、該端子間のインピーダンスを変化させ
る、力学量センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5262168A JPH06221936A (ja) | 1992-10-21 | 1993-10-20 | 力学量センサ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28266392 | 1992-10-21 | ||
JP4-282663 | 1992-10-21 | ||
JP5262168A JPH06221936A (ja) | 1992-10-21 | 1993-10-20 | 力学量センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06221936A true JPH06221936A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=26545427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5262168A Pending JPH06221936A (ja) | 1992-10-21 | 1993-10-20 | 力学量センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06221936A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008523385A (ja) * | 2004-12-08 | 2008-07-03 | エムディーティー カンパニー リミテッド | 磁歪効果を利用した可変インダクター型のmems圧力センサー |
WO2012176475A1 (ja) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | 国立大学法人金沢大学 | 磁歪発電薄膜片、その製造方法及び磁歪発電モジュール |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP5262168A patent/JPH06221936A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008523385A (ja) * | 2004-12-08 | 2008-07-03 | エムディーティー カンパニー リミテッド | 磁歪効果を利用した可変インダクター型のmems圧力センサー |
WO2012176475A1 (ja) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | 国立大学法人金沢大学 | 磁歪発電薄膜片、その製造方法及び磁歪発電モジュール |
JPWO2012176475A1 (ja) * | 2011-06-24 | 2015-02-23 | 国立大学法人金沢大学 | 磁歪発電薄膜片、その製造方法及び磁歪発電モジュール |
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