JP2001221838A

JP2001221838A - 磁気インピーダンス効果素子及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001221838A
Application number: JP2000031578A
Authority: JP
Inventors: Akira Nakabayashi; 亮中林
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2000-02-09
Filing date: 2000-02-09
Publication date: 2001-08-17

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の磁気インピーダンス効果素子では、バ
イアス磁界をかけるために、感磁部の周囲に巻線コイル
を形成していたため小型化が困難であった。【解決手段】感磁部１２の上層を横切る導体部１５
ａ，１５ａ，１５ａ，１５ａを有する導電層１５を、感
磁部１２の上層に絶縁層を介して形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁界センサとして
利用できる磁気インピーダンス効果素子に係り、特に、
検出磁界に対する出力の直線性に優れ、小型で低コスト
かつ量産性に優れた磁気インピーダンス効果素子及びそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報機器、計測機器、制御機器な
どの急速な発展に伴って、従来の磁束検出型のものより
更に小型、高感度且つ高速応答性（高周波動作）の磁界
センサが求められ、磁気インピーダンス効果（Ｍａｇｎ
ｅｔｏ−Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ−Ｅｆｆｅｃｔ）を有する
素子（磁気インピーダンス効果素子）が注目されるよう
になってきている。

【０００３】磁気インピーダンス効果素子は、微小交流
電流をワイヤー状、リボン状、または薄膜状に形成され
た磁性線に印加することによって生じるインピーダンス
による出力電圧が外部印加磁界によって変化することを
基本原理としている素子である。

【０００４】外部磁界の印加による軟磁性材料からなる
感磁部のインピーダンスの変化は、磁性材料に交流電流
を通電したときに、交流電流がその表面近くを流れよう
とする「表皮効果」が、外部磁界によって変化するため
であることが知られている。

【０００５】磁気インピーダンス効果素子の感磁部に
は、当初アモルファスワイヤーが用いられていた。しか
し、アモルファスワイヤーは材料としての生産性には優
れているが、磁界センサへの応用には、不適当な特性を
多く有する。

【０００６】たとえば、記録波長が数μｍ以下の記録媒
体に対して数十μｍ以下の円形の先端では、先端部にお
ける形状的損失により磁束を素子に吸収できないこと、
また、交流電流を流すための配線材を接続するための電
極部の形成が困難であること、数十μｍの径のワイヤー
は、曲がりやすく、素子の位置合わせが困難であるこ
と、または、壊れやすいことといった問題点があった。

【０００７】そこで、磁気インピーダンス効果素子の感
磁部を、軟磁性薄膜や軟磁性薄帯で構成することによ
り、前記感磁部を任意の厚さや幅、長さで形成すること
を可能にし、上記の問題点を解決することが提案されて
いる。

【０００８】また、磁気インピーダンス効果素子におけ
る、外部磁界依存性のインピーダンス変化の直線性を向
上させるために、感磁部にバイアス磁界を与えることが
有効である。

【０００９】図５は、磁気インピーダンス効果素子の磁
気インピーダンス効果特性を示すグラフである。

【００１０】磁気インピーダンス効果素子を用いて感磁
部に駆動交流電源から駆動交流電流を与えた状態で、外
部磁界Ｈｅｘを、磁気インピーダンス効果素子の素子長
手方向に印加する。印加した外部磁界Ｈｅｘの大きさを
変化させつつ、出力電圧Ｅｍｉを測定すると図５のよう
なグラフが得られる。

【００１１】図５の磁気インピーダンス効果特性を示す
グラフは、外部磁界Ｈｅｘの大きさがＨｐ₊あるいはＨ
ｐ_-であるときの出力電圧Ｅｍｉの値を示す点を頂点と
する双峰形状をなしている。また、Ｈｐ₊とＨｐ_-の絶対
値の大きさは、ほとんど等しい。

【００１２】図５をみると、外部磁界Ｈｅｘの大きさが
Ｈｐ₊、あるいはＨｐ_-に近づくにつれて、出力電圧Ｅｍ
ｉの変化率が大きくなっている。すなわち、外部磁界Ｈ
ｅｘの検出感度は、外部磁界Ｈｅｘの大きさがＨｐ₊あ
るいはＨｐ_-付近にあるときに良好になる。一方、外部
磁界Ｈｅｘの大きさが０付近であるときの、出力電圧Ｅ
ｍｉの変化率は小さく、外部磁界Ｈｅｘの検出感度が低
い。

【００１３】したがって、磁気インピーダンス効果素子
を磁気センサとして用いるときには、外部磁界Ｈｅｘ＝
０付近における外部磁界Ｈｅｘの検出感度を良好にする
ために、感磁部Ｍｉの素子長手方向に、例えば、大きさ
Ｈ_B1あるいは、Ｈ_B2のバイアス磁界を印加して、磁気イ
ンピーダンス効果特性を示すグラフを、外部磁界Ｈｅｘ
の軸方向にシフトさせ、出力電圧の変化率が大きい部分
が、外部磁界Ｈｅｘ＝０の軸上に来るようにしていた。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】従来、感磁部にバイア
ス磁界を印加する方法としては、図６のように、感磁部
Ｍｉの周囲にコイルＣを適宜巻き数だけ巻回し、このコ
イルＣに直流電流Ｉｄｃを流すことにより、バイアス磁
界Ｈ_Bを発生させて、感磁部Ｍｉの素子長手方向に印加
していた。

【００１５】感磁部Ｍｉの大きさは、長さ数ｍｍ、幅数
百μｍと微少であり、このような微少な感磁部の周囲に
コイルＣを巻回する工程は複雑である。

【００１６】また、感磁部Ｍｉの周囲にコイルＣを適宜
巻き数だけ巻回すと、磁気インピーダンス効果素子が大
型化するという問題も生じる。したがって、磁気インピ
ーダンス効果素子を磁気ヘッドや微弱磁界検出器に適用
する際に必要な小型化の障害となる。

【００１７】また、特開平１１−１０９００６号公報に
は、薄膜コイルを薄膜磁気コアの周囲に巻き回してバイ
アスコイルを形成した磁気インピーダンス効果素子が記
載されている。

【００１８】この磁気インピーダンス効果素子は、図７
及び図８に示されるように平面形状が長方形の薄板状に
形成された薄膜磁気コアであるＭＩセンサ板１の周囲
に、絶縁物層２，３を介して、バイアスコイル４と負帰
還コイル５が同一方向に且つ交互に巻回されている。バ
イアスコイル４の両端には、バイアスコイル端子６、７
が接続され、負帰還コイル５の両端には、負帰還コイル
端子８、９が接続されている。ＭＩセンサ板１の両端に
は、ＭＩセンサ端子１０、１１が接続されている。

【００１９】図７及び図８に示される磁気インピーダン
ス効果素子では、バイアスコイル４の上層部と下層部、
及び負帰還コイル５の上層部と下層部とを、ＭＩセンサ
板１の周囲を巻回するように螺旋状に接続して、ソレノ
イド状の導電層を形成している。しかし、バイアスコイ
ル４の上層部及び負帰還コイル５の上層部をＭＩセンサ
板１及び絶縁物層２からなる段差上で正確にパターン形
成することは困難であり、製造上の誤差が大きくなり、
また不良品の発生率も高くなるという問題が生じてい
た。

【００２０】本発明は、上記従来の課題を解決するため
のものであり、磁気インピーダンス効果素子の感磁部に
適切なバイアス磁界を与えることのできる小型で形成容
易な導電層を有する磁気インピーダンス効果素子および
その製造方法を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気インピーダ
ンス効果素子は、基板上に磁気インピーダンス効果を有
する軟磁性薄膜或いは薄帯を含む略長方形の感磁部と、
前記感磁部の素子長手方向の両端部に接続されて駆動交
流電流を与えるための電極部と、前記感磁部の上層また
は下層に絶縁層を介して少なくとも前記感磁部を横切る
導体部及び前記導体部の両端部に接続され直流電流を与
えるための導電層電極部を有する導電層とが形成されて
いることを特徴とするものである。

【００２２】また、前記導電層は、前記感磁部を横切る
導体部が前記感磁部の素子長手方向と垂直方向を向くよ
うに形成されることができる。

【００２３】また、前記導電層の前記感磁部を横切る導
体部が互いに平行方向を向いて複数本形成されており、
前記複数本の導体部の両端部が前記導電層電極部に接続
されていてもよい。

【００２４】なお、前記導電層が、スパイラル状に巻き
形成されたコイル層であってもよい。

【００２５】前記導電層が、スパイラル状に巻き形成さ
れたコイル層である場合には、前記感磁部と他の前記感
磁部とが、それぞれの素子長手方向が互いに垂直方向を
向くように形成され、スパイラル状に巻き形成された前
記コイル層の１辺に前記感磁部が重なり、前記コイル層
の他の１辺に他の前記感磁部が重なるように前記コイル
層が形成されていてもよい。

【００２６】また、前記絶縁層及び前記導電層上に、絶
縁材料からなる保護層が形成され、前記電極部表面及び
前記導電層電極部表面が前記保護層表面の同一平面上に
露出していることが好ましい。

【００２７】前記導電層の前記感磁部を横切る導体部
と、前記感磁部との距離が１００μｍ以下であることが
好ましい。或いは、前記導電層の前記感磁部を横切る導
体部と、前記感磁部との距離が１０μｍ以下であること
がより好ましい。

【００２８】また、前記導電層に与えられる直流電流の
大きさが５００ｍＡ以下であることが好ましい。あるい
は、前記導電層に与えられる直流電流の大きさが５０ｍ
Ａ以下であるとより好ましい。

【００２９】前記磁気インピーダンス素子の感磁部は、
軟磁気特性を備えた強磁性体の薄膜または薄帯を含むこ
とが必要である。また、１ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波
領域において透磁率μが高くなくてはならない。さら
に、外部磁界（放送電波の磁界成分）によって感磁部に
応力がかかって磁気特性が劣化しないように、磁歪定数
λが小さいことが好ましい。

【００３０】前記感磁部が、このような性質を備えた薄
膜磁性体として形成されるために、前記感磁部が以下に
示すような微結晶軟磁性合金薄膜を含むものとして形成
されることが好ましい。

【００３１】１．組成式が、Ｆｅ_hＭ_iＯ_jで表され、ア
モルファス構造を主体とした微結晶軟磁性合金薄膜。

【００３２】ただし、Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗと希土類元素から選ばれる１種あるいは２
種以上の元素であり、ｈ、ｉ、ｊはａｔ％で、４５≦ｈ
≦７０、５≦ｉ≦３０、１０≦ｊ≦４０、ｈ＋ｉ＋ｊ＝
１００の関係を満足するもの。

【００３３】Ｆｅは大きい飽和磁束密度Ｂｓを得るため
のものであり平均結晶粒径３０ｎｍ以下のｂｃｃ−Ｆｅ
の結晶粒を形成し、ＭはＯと化合した状態でアモルファ
ス相中に存在して比抵抗ρを大きくするためのものであ
る。ｈ、ｉ、ｊが上記範囲であると、飽和磁束密度Ｂ
ｓ、比抵抗ρ、透磁率μが大きい軟磁性合金を得ること
ができ、ｈ、ｉ、ｊが上記範囲を外れると、軟磁気特性
が劣化する。

【００３４】なお、上記組成において元素Ｍが希土類元
素から選ばれる１種あるいは２種以上の元素である場合
には、ｈ、ｊはａｔ％で５０≦ｈ≦７０、１０≦ｊ≦３
０であることがより好ましい。

【００３５】２．組成式が、（Ｃｏ_1-cＴ_c）_xＭ_yＸ_zＯ_w
で表される微結晶軟磁性合金薄膜。ただし、元素Ｔは、
Ｆｅ、Ｎｉのうちどちらか一方あるいは両方を含む元素
であり、元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元
素であり、Ｘは、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏ
ｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｄから選ばれる１種あるいは２種以
上の元素であり、組成比は、ｃが、０≦ｃ≦０．７、
ｘ，ｙ，ｚ，ｗは原子％で、３≦ｙ≦３０、０≦ｚ≦２
０、７≦ｗ≦４０、２０≦ｙ＋ｚ＋ｗ≦６０の関係を満
足し、残部がｘであるもの。

【００３６】なお、軟磁性合金は、元素Ｍの酸化物を多
量に含むアモルファス相に、Ｃｏと元素Ｔを主体とする
平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相が混在し、さらに
微結晶相は、元素Ｍの酸化物を含んだ構造を有するもの
であるとより好ましい。

【００３７】３．組成式が、Ｔ_100-d-e-f-gＸ_dＭ_eＺ_fＱ
_gで表され、ｂｃｃ−Ｆｅ、ｂｃｃ−ＦｅＣｏ、ｂｃｃ
−Ｃｏの１種または２種以上の結晶粒と元素Ｍの炭化物
もしくは窒化物の結晶粒を主体とした平均結晶粒径３０
ｎｍ以下の微結晶軟磁性合金薄膜。

【００３８】ただし、元素Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏのうちどち
らか一方あるいは両方を含む元素であり、元素Ｘは、Ｓ
ｉ、Ａｌのうちどちらか一方あるいは両方を含む元素で
あり、元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｗから選ばれる１種または２種以上の元素であ
り、元素Ｚは、Ｃ、Ｎのうちどちらか一方あるいは両方
を含む元素であり、Ｑは、Ｃｒ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｎ
ｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕから選ばれる１種または２種以上
の元素であり、ｄ、ｅ、ｆ、ｇはａｔ％で、０≦ｄ≦２
５、１≦ｅ≦１０、０．５≦ｆ≦１５、０≦ｇ≦１０の
関係を満足するもの。

【００３９】ｄ、ｅ、ｆ、ｇが上記範囲内にあれば、透
磁率μが大きく、保磁力Ｈｃも低く、磁歪定数λも小さ
い軟磁性合金薄膜を得ることができる。

【００４０】４．組成式が、Ｔ_{100-p-q-e-f-g}Ｓｉ_pＡｌ
_qＭ_eＺ_fＱ_gで表され、ｂｃｃ−Ｆｅ、ｂｃｃ−ＦｅＣ
ｏ、ｂｃｃ−Ｃｏの１種または２種以上の結晶粒と元素
Ｍの炭化物もしくは窒化物の結晶粒を主体とした平均結
晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶軟磁性合金薄膜。

【００４１】ただし、元素Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏのうちどち
らか一方あるいは両方を含む元素であり、元素Ｍは、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれ
る１種または２種以上の元素であり、元素Ｚは、Ｃ、Ｎ
のうちどちらか一方あるいは両方を含む元素であり、Ｑ
は、Ｃｒ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ
から選ばれる１種または２種以上の元素であり、ｐ、
ｑ、ｅ、ｆ、ｇはａｔ％で、８≦ｐ≦１５、０≦ｑ≦１
０、１≦ｅ≦１０、０．５≦ｆ≦１５、０≦ｇ≦１０の
関係を満足するもの。

【００４２】ｐ、ｑ、ｅ、ｆ、ｇが上記範囲内にあれ
ば、透磁率μが大きく、保磁力Ｈｃも低く、磁歪定数λ
も小さい軟磁性合金を得ることができる。

【００４３】また、前記感磁部が、以下に示すような非
晶質軟磁性合金薄膜または薄帯を含むものとして形成さ
れていてもよい。

【００４４】５．組成式が、（Ｆｅ_1-aＣｏ_a）_100-x-y
（Ｓｉ_1-bＢ_b）_xＭ_yで示される非晶質軟磁性合金薄膜ま
たは薄帯。

【００４５】ただし、ＭはＣｒ、Ｒｕのうちいずれか一
方、あるいは両方を含む元素であり、組成比を表すａ、
ｂは０．０５≦ａ≦０．１、０．２≦ｂ≦０．８であ
り、ｘ、ｙはａｔ％で１０≦ｘ≦３５、０≦ｙ≦７の関
係を満足するもの。

【００４６】前記（Ｆｅ_1-aＣｏ_a）_100-x-y（Ｓｉ_1-bＢ
_b）_xＭ_y系の軟磁性合金薄膜又は薄帯では、ａが０．０
５≦ａ≦０．１の範囲を越えると、磁歪が大きくなるの
で好ましくない。また、ｂが０．２≦ｂ≦０．８の範囲
を越えると、非晶質化が困難になり好ましくない。さら
に、ｘが１０≦ｘ≦３５の範囲を越えると非晶質化が困
難になり好ましくない。また、ｘ＞３５であると磁気特
性が劣化するので好ましくない。

【００４７】６．組成式が、Ｃｏ_lＴａ_mＨｆ_nで表さ
れ、アモルファス構造を主体にした非晶質軟磁性合金薄
膜。

【００４８】ただし、ｌ、ｍ、ｎはａｔ％で、７０≦ｌ
≦９０、５≦ｍ≦２１、６．６≦ｎ≦１５、１≦ｍ／ｎ
≦２．５の関係を満足するもの。

【００４９】前記Ｃｏ_lＴａ_mＨｆ_n系の軟磁性合金薄膜
においては、飽和磁束密度ＢｓはＣｏの含有量に依存し
ており、高い飽和磁束密度Ｂｓを得るには、７０≦ｌで
あることが必要である。しかし、ｌ＞９０であると、比
抵抗ρが低くなるので好ましくない。

【００５０】ＴａおよびＨｆは軟磁気特性を得るための
元素であり、５≦ｍ≦２１、６．６≦ｎ≦１５とするこ
とにより、飽和磁束密度Ｂｓが大きく、比抵抗ρも大き
い軟磁性材料を得ることができる。また、Ｈｆは、Ｃｏ
−Ｔａ系において発生する負の磁歪定数λを解消するた
めの元素でもある。磁歪定数λは、Ｔａの含有量とＨｆ
の含有量の比に依存し、１≦ｍ／ｎ≦２．５の範囲内で
あると、磁歪定数λを良好に解消することができる。

【００５１】７．組成式が、Ｃｏ_aＺｒ_bＮｂ_cで表され
るアモルファス構造を主体とした非晶質軟磁性合金薄
膜。

【００５２】ただし、ａ、ｂ、ｃはａｔ％で、７８≦ａ
≦９１、０．５≦ｂ／ｃ≦０．８の関係を満足するも
の。

【００５３】飽和磁束密度ＢｓはＣｏの濃度に依存し、
Ｂｓを大きくするためには、７８≦ａ≦９１にする必要
がある。ａ＞９１であると、耐食性が低下すると共にア
モルファス構造になりにくくなり、結晶化し始めるので
好ましくない。また、ａ＜７８であると、Ｃｏどうしが
隣接する割合が減り、軟磁気特性を示しにくくなるので
好ましくない。透磁率μも、Ｃｏの濃度に依存し、７８
≦ａ≦９１の範囲で高い値を示す。

【００５４】また、本発明の磁気インピーダンス効果素
子の製造方法は、（ａ）非磁性材料からなる基板上に、
軟磁性薄膜を成膜する工程と、（ｂ）前記軟磁性薄膜
を、略長方形にパターン形成して感磁部を、少なくとも
一つ、形成する工程と、（ｃ）前記感磁部上に絶縁材料
からなる絶縁層を成膜する工程と、（ｄ）前記感磁部の
素子長手方向の両端部に接続される電極部を形成する工
程と、（ｅ）前記絶縁層上に、少なくとも前記感磁部上
を横切る導体部及び前記導体部の両端部に接続され直流
電流が与えられる導電層電極部を有する導電層を成膜す
る工程と、を有することを特徴とするものである。

【００５５】また、前記（ｅ）の工程において、前記感
磁部を横切る導体部が前記感磁部の素子長手方向と垂直
方向を向くように前記導電層を形成することができる。

【００５６】また、前記（ｅ）の工程において、前記感
磁部を横切る導体部が、互いに平行方向を向くように複
数本形成され、さらに前記複数本の導体部の両端部が前
記導電層電極部に接続されるように前記導電層を形成す
ることができる。

【００５７】或いは、前記（ｅ）の工程において、前記
導電層をスパイラル状に巻き形成されたコイル層として
形成してもよい。

【００５８】なお、前記（ａ）の工程において、前記軟
磁性薄膜を一定方向の静磁場中で成膜する工程を有する
と、前記感磁部の磁化容易軸方向の制御が容易になるの
で好ましい。

【００５９】あるいは、前記（ａ）の工程において形成
された前記軟磁性薄膜または、前記（ｂ）の工程におい
て形成された前記感磁部を一定方向の静磁場中で熱処理
する工程を有しても、前記感磁部の磁化容易軸方向の制
御が容易になる。

【００６０】また、前記導電層をスパイラル状に巻き形
成されたコイル層として形成したときには、前記（ｂ）
の工程において、前記感磁部と他の前記感磁部をそれぞ
れの素子長手方向が互いに垂直方向を向くように形成
し、前記（ｅ）の工程において、スパイラル状に巻き形
成された前記コイル層の１辺に前記感磁部が重なり、前
記コイル層の他の１辺に他の前記感磁部が重なるように
前記コイル層を形成すると２軸の磁気インピーダンス効
果素子を形成することができる。

【００６１】なお、本発明の磁気インピーダンス効果素
子の製造方法では、前記（ｄ）の工程と前記（ｅ）の工
程を同時に行なうことができる。

【００６２】また、前記（ｄ）の工程において、前記電
極層をその表面高さが、前記（ｅ）の工程で形成される
前記導電層の前記導体部の表面高さよりも高くなるよう
に形成し、前記（ｅ）の工程において、前記導電層を、
前記導電層電極部の表面高さが前記導体部の表面高さよ
りも高くなるように形成し、さらに、前記（ｅ）の工程
の後に、（ｆ）前記導電層上に、絶縁材料からなる保護
層を形成する工程と、（ｇ）前記保護層表面を研磨加工
して、前記電極部表面及び前記導電層電極部表面を前記
保護層表面の同一平面上に露出させる工程を有すること
が好ましい。

【００６３】また、前記（ｃ）の工程において、前記絶
縁層の厚さを１００μｍ以下で形成することが好まし
く、また、前記絶縁層の厚さを１０μｍ以下で形成する
ことが好ましい。

【００６４】また、前記（ａ）及び（ｂ）の工程におい
て、前記感磁部を成膜プロセスで形成する代りに、軟磁
性材料の溶融合金を冷却ロール上に射出させて接触急冷
することにより軟磁性薄帯を形成し、前記軟磁性薄帯を
前記基板上に接着する工程を有してもよい。

【００６５】磁気インピーダンス効果素子の感磁部を、
１ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波領域における透磁率μが
高く、磁歪定数λが小さい軟磁気特性を備えた強磁性体
の薄膜として形成するために、前記（ａ）の工程におい
て、前記軟磁性薄膜を以下に示すような微結晶軟磁性合
金薄膜として形成することが好ましい。

【００６６】１．組成式が、Ｆｅ_hＭ_iＯ_jで表され、ア
モルファス構造を主体とした微結晶軟磁性合金薄膜。

【００６７】ただし、Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗと希土類元素から選ばれる１種あるいは２
種以上の元素であり、ｈ、ｉ、ｊはａｔ％で、４５≦ｈ
≦７０、５≦ｉ≦３０、１０≦ｊ≦４０、ｈ＋ｉ＋ｊ＝
１００の関係を満足するもの。

【００６８】Ｆｅは大きい飽和磁束密度Ｂｓを得るため
のものであり平均結晶粒径３０ｎｍ以下のｂｃｃ−Ｆｅ
の結晶粒を形成し、ＭはＯと化合した状態でアモルファ
ス相中に存在して比抵抗ρを大きくするためのものであ
る。

【００６９】２．組成式が、（Ｃｏ_1-cＴ_c）_xＭ_yＸ_zＯ_w
で表される微結晶軟磁性合金薄膜。ただし、元素Ｔは、
Ｆｅ、Ｎｉのうちどちらか一方あるいは両方を含む元素
であり、元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元
素であり、Ｘは、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏ
ｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｄから選ばれる１種あるいは２種以
上の元素であり、組成比は、ｃが、０≦ｃ≦０．７、
ｘ，ｙ，ｚ，ｗは原子％で、３≦ｙ≦３０、０≦ｚ≦２
０、７≦ｗ≦４０、２０≦ｙ＋ｚ＋ｗ≦６０の関係を満
足し、残部がｘであるもの。

【００７０】なお、軟磁性合金は、元素Ｍの酸化物を多
量に含むアモルファス相に、Ｃｏと元素Ｔを主体とする
平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相が混在し、さらに
微結晶相は、元素Ｍの酸化物を含んだ構造を有するもの
であるとより好ましい。

【００７１】３．組成式が、Ｔ_100-d-e-f-gＸ_dＭ_eＺ_fＱ
_gで表され、ｂｃｃ−Ｆｅ、ｂｃｃ−ＦｅＣｏ、ｂｃｃ
−Ｃｏの１種または２種以上の結晶粒と元素Ｍの炭化物
もしくは窒化物の結晶粒を主体とした平均結晶粒径３０
ｎｍ以下の微結晶軟磁性合金薄膜。

【００７２】ただし、元素Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏのうちどち
らか一方あるいは両方を含む元素であり、元素Ｘは、Ｓ
ｉ、Ａｌのうちどちらか一方あるいは両方を含む元素で
あり、元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｗから選ばれる１種または２種以上の元素であ
り、元素Ｚは、Ｃ、Ｎのうちどちらか一方あるいは両方
を含む元素であり、Ｑは、Ｃｒ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｎ
ｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕから選ばれる１種または２種以上
の元素であり、ｄ、ｅ、ｆ、ｇはａｔ％で、０≦ｄ≦２
５、１≦ｅ≦１０、０．５≦ｆ≦１５、０≦ｇ≦１０の
関係を満足するもの。

【００７３】４．組成式が、Ｔ_{100-p-q-e-f-g}Ｓｉ_pＡｌ
_qＭ_eＺ_fＱ_gで表され、ｂｃｃ−Ｆｅ、ｂｃｃ−ＦｅＣ
ｏ、ｂｃｃ−Ｃｏの１種または２種以上の結晶粒と元素
Ｍの炭化物もしくは窒化物の結晶粒を主体とした平均結
晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶軟磁性合金薄膜。

【００７４】ただし、元素Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏのうちどち
らか一方あるいは両方を含む元素であり、元素Ｍは、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれ
る１種または２種以上の元素であり、元素Ｚは、Ｃ、Ｎ
のうちどちらか一方あるいは両方を含む元素であり、Ｑ
は、Ｃｒ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ
から選ばれる１種または２種以上の元素であり、ｐ、
ｑ、ｅ、ｆ、ｇはａｔ％で、８≦ｐ≦１５、０≦ｑ≦１
０、１≦ｅ≦１０、０．５≦ｆ≦１５、０≦ｇ≦１０の
関係を満足するもの。

【００７５】あるいは、前記（ａ）の工程において、前
記軟磁性薄膜または前記軟磁性薄帯を以下に示すような
非晶質軟磁性合金薄膜または薄帯として形成してもよ
い。

【００７６】５．組成式が、（Ｆｅ_1-aＣｏ_a）_100-x-y
（Ｓｉ_1-bＢ_b）_xＭ_yで示される非晶質軟磁性合金薄膜ま
たは薄帯。

【００７７】ただし、ＭはＣｒ、Ｒｕのうちいずれか一
方、あるいは両方を含む元素であり、組成比を表すａ、
ｂは０．０５≦ａ≦０．１、０．２≦ｂ≦０．８であ
り、ｘ、ｙはａｔ％で１０≦ｘ≦３５、０≦ｙ≦７の関
係を満足するもの。

【００７８】６．組成式が、Ｃｏ_lＴａ_mＨｆ_nで表さ
れ、アモルファス構造を主体にした非晶質軟磁性合金薄
膜。

【００７９】ただし、ｌ、ｍ、ｎはａｔ％で、７０≦ｌ
≦９０、５≦ｍ≦２１、６．６≦ｎ≦１５、１≦ｍ／ｎ
≦２．５の関係を満足するもの。

【００８０】７．組成式が、Ｃｏ_aＺｒ_bＮｂ_cで表され
るアモルファス構造を主体とした非晶質軟磁性合金薄
膜。

【００８１】ただし、ａ、ｂ、ｃはａｔ％で、７８≦ａ
≦９１、０．５≦ｂ／ｃ≦０．８の関係を満足するも
の。

【００８２】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施の形
態の磁気インピーダンス効果素子を示す斜視図であり、
図２は図１の磁気インピーダンス効果素子の縦断面図で
ある。

【００８３】図１及び図２の磁気インピーダンス効果素
子は、基板１７上に磁気インピーダンス効果を有する軟
磁性薄膜または薄帯からなる略長方形の感磁部１２と、
感磁部１２の素子長手方向（Ｘ方向）の両端部に接続さ
れて駆動交流電流を与えるための電極部１３，１３と、
感磁部１２の上層に絶縁層１４を介して感磁部１２を横
切る導体部１５ａ、１５ａ、１５ａ、１５ａ及び前記導
体部１５ａ、１５ａ、１５ａ、１５ａの両端部に接続さ
れ直流電流が与えられる導電層電極部１５ｂ，１５ｂを
有する導電層１５とが形成され、絶縁層１４及び導電層
１５上に絶縁性材料からなる保護層１６が形成されてい
るものである。

【００８４】図１及び図２の磁気インピーダンス効果素
子に電極部１３，１３から素子長手方向（Ｘ方向）に駆
動交流電流を与え、感磁部１２を素子幅方向（Ｙ方向）
に励磁する。

【００８５】この状態で、外部磁界Ｈｅｘが素子長手方
向に印加されると、感磁部１２のインピーダンスが変化
する。感磁部１２のインピーダンス変化を、電極部１
３，１３間の電圧の変化として取り出す。

【００８６】さらに、磁気インピーダンス効果素子の外
部磁界依存性のインピーダンス変化の直線性を向上させ
るために、導電層１５に導電層電極部１５ｂから直流電
流を印加し、感磁部１２の上層を横切る導体部１５ａの
周囲に電流磁界を発生させて感磁部１２にバイアス磁界
を与えることができる。

【００８７】なお、基板１７はガラス、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などで形成され、絶縁層１４及び保護層
１６はポリイミド樹脂などの有機材料あるいはＳｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ ₃などの無機材料で形成されている。

【００８８】電極部１３及び導電層１５はＣｕ、Ａｌな
どの導電性材料からなる。また、本実施の形態では、導
電層１５は、メッキ法、スパッタ法、蒸着法によってパ
ターン形成されるものであるが、フレキシブル基板（Ｆ
ＰＣ）上に導電層１５と同一の導電パターンが形成され
たものを、感磁部１２上に貼りつけたものであってもよ
い。

【００８９】なお、感磁部１２は、後述する軟磁性薄膜
もしくは薄帯によって形成される。なお、本実施の形態
では、感磁部１２は単層の軟磁性薄膜として形成されて
いるが、感磁部１２は絶縁層を介して複数層の軟磁性薄
膜が積層されたものでもよい。また、導体部１５ａ、１
５ａ、１５ａ、１５ａが感磁部１２の下層に形成されて
いてもよい。

【００９０】また、本実施の形態では、導電層１５は、
感磁部１２を横切る導体部１５ａ、１５ａ、１５ａ、１
５ａが互いに平行方向を向いて４本形成され、４本の導
体部１５ａ、１５ａ、１５ａ、１５ａの両端部が導電層
電極部１５ｂ、１５ｂに接続されているものである。導
体部１５ａ、１５ａ、１５ａ、１５ａは、感磁部１２の
素子長手方向と垂直方向を向くように形成されている。

【００９１】本発明の磁気インピーダンス効果素子で
は、感磁部１２と導電層１５の間の絶縁層１４を薄膜プ
ロセスで形成することができるので、絶縁層１４の厚さ
を非常に薄く形成することができ、導電層１５の導体部
１５ａと、感磁部１２との距離を短くできる。

【００９２】導電層１５の導体部１５ａと、感磁部１２
との距離は、１００μｍ以下であることが好ましい。

【００９３】導電層１５に直流電流を流したときに、導
体部１５ａの周囲に発生する電流磁界によって、感磁部
１２にバイアス磁界が与えられる。導電層１５の導体部
１５ａと、感磁部１２との距離をａ（μｍ）とすると、
感磁部１２にｂ（Ａ／ｍ）のバイアス磁界を与えるため
に必要な直流電流の大きさＩ（ｍＡ）は次の（数１）に
よって表される。

【００９４】

【数１】

【００９５】感磁部１２に与えられるバイアス磁界の大
きさは、８０〜８００（Ａ／ｍ）程度必要である。例え
ば、導体部１５ａと感磁部１２との距離が１００μｍで
あり、必要なバイアス磁界の大きさが８００（Ａ／ｍ）
であるとき、導電層１５に流す直流電流の大きさＩ（ｍ
Ａ）は、Ｉ＝８００×２π×１００×１０^-3＝５００
（ｍＡ）である。また、必要なバイアス磁界の大きさが
８０（Ａ／ｍ）であるとき、導電層１５に流す直流電流
の大きさＩ（ｍＡ）は、Ｉ＝８０×２π×１００×１０
^-3＝５０（ｍＡ）である。

【００９６】従って、必要なバイアス磁界の大きさが８
００（Ａ／ｍ）であるとき、導体部１５ａと感磁部１２
との距離を、１００（μｍ）以下にすると、導電層１５
に流す直流電流の大きさを５００（ｍＡ）以下にするこ
とができる。また、必要なバイアス磁界の大きさが８０
（Ａ／ｍ）であるとき、導体部１５ａと感磁部１２との
距離を、１００（μｍ）以下にすると、導電層１５に流
す直流電流の大きさを５０（ｍＡ）以下にすることがで
きる。

【００９７】また、必要なバイアス磁界の大きさが８０
０（Ａ／ｍ）であるとき、導体部１５ａと感磁部１２と
の距離を、１０（μｍ）以下にすると、導電層１５に流
す直流電流の大きさを５０（ｍＡ）以下にすることがで
きるのでより好ましい。あるいは、必要なバイアス磁界
の大きさが８０（Ａ／ｍ）であるとき、導体部１５ａと
感磁部１２との距離を、１０（μｍ）以下にすると、導
電層１５に流す直流電流の大きさを５（ｍＡ）以下にす
ることができる。

【００９８】このように、本発明では、感磁部１２の上
層を横切る導電層１５の導体部１５ａと感磁部１２との
距離を短くできるので、感磁部１２に必要なバイアス磁
界を与えるために必要な電流を小さくできる。

【００９９】また、感磁部１２の上層側または下層側の
どちらか一方でのみ、導電層１５の導体部１５ａ、１５
ａ、１５ａ、１５ａが感磁部１２を横切るように導電層
１５を形成するだけで、感磁部１２に必要なバイアス磁
界を与えることができる。

【０１００】なお、感磁部１２及び導電層１５上には、
絶縁材料からなる保護層１６が形成されるが、電極部１
３の表面１３ａ及び導電層電極部１５ｂの表面１５ｂ１
が保護層１６表面の同一平面上に露出していると、プリ
ント基板上に磁気インピーダンス効果素子を接続すると
きに、電極部１３及び導電層電極部１５ｂをプリントパ
ターンに接続させることが容易になる。

【０１０１】図３は、本発明の第２の実施の形態の磁気
インピーダンス効果素子を示す平面図である。

【０１０２】図３の磁気インピーダンス効果素子は、基
板（図示せず）上に磁気インピーダンス効果を有する軟
磁性薄膜または薄帯からなる略長方形の感磁部２１と、
感磁部２１の素子長手方向の両端部に接続されて駆動交
流電流を与えるための電極部２２，２２と、感磁部２１
の上層に絶縁層（図示せず）を介して感磁部２１を横切
る導体部２３ａ及び導体部２３ａの両端部に接続され直
流電流が与えられる導電層電極部２３ｂ，２３ｂを有す
る導電層２３とが形成されているものである。なお、導
電層２３上には絶縁性材料からなる保護層（図示せず）
が形成されている。

【０１０３】図３の磁気インピーダンス効果素子に電極
部２２，２２から素子長手方向（Ｘ方向）に駆動交流電
流を与え、感磁部２１を素子幅方向（Ｙ方向）に励磁す
る。

【０１０４】この状態で、外部磁界Ｈｅｘが素子長手方
向に印加されると、感磁部２１のインピーダンスが変化
する。感磁部２１のインピーダンス変化を、電極部２
２，２２間の電圧の変化として取り出す。

【０１０５】さらに、磁気インピーダンス効果素子の外
部磁界依存性のインピーダンス変化の直線性を向上させ
るために、導電層２３に導電層電極部２３ｂ，２３ｂか
ら直流電流を印加し、感磁部２１の上層を横切る導体部
２３ａの周囲に電流磁界を発生させて感磁部２１にバイ
アス磁界を与えることができる。

【０１０６】なお、前記基板はガラス、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などで形成され、前記絶縁層及び前記保
護層はポリイミド樹脂などの有機材料あるいはＳｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ ₃などの無機材料で形成されている。

【０１０７】電極部２２及び導電層２３はＣｕ、Ａｌな
どの導電性材料からなる。また、本実施の形態では、導
電層２３は、メッキ法、スパッタ法、蒸着法によってパ
ターン形成されるものであるが、フレキシブル基板（Ｆ
ＰＣ）上に導電層２３と同一の導電パターンが形成され
たものを、感磁部２１上に絶縁層を介して貼りつけたも
のであってもよい。

【０１０８】なお、感磁部２１は、後述する軟磁性薄膜
もしくは薄帯によって形成される。なお、本実施の形態
でも、感磁部２１は単層の軟磁性薄膜として形成されて
いるが、感磁部２１は絶縁層を介して複数層の軟磁性薄
膜が積層されたものでもよい。また、導体部２３ａが感
磁部２１の下層側に絶縁層を介して形成されていてもよ
い。

【０１０９】導電層２３は、一本の導体部２３ａが感磁
部２１の上層を、感磁部２１の素子長手方向に垂直な方
向に横切っているものである。導体部２３ａは、図３に
示す如く、感磁部２１をなるべく広い範囲で覆うように
すると、バイアス磁界の磁束が感磁部２１の素子長手方
向に均一に与えられるので好ましい。

【０１１０】なお、導電層２３の導体部２３ａと、感磁
部２１との距離は、１００μｍ以下であることが好まし
い。また、導電層２３の導体部２３ａと、感磁部２１と
の距離が１０μｍ以下であるとより好ましい。

【０１１１】なお、導電層２３上には、絶縁材料からな
る保護層（図示せず）が形成されるが、電極部２２，２
２の表面２２ａ，２２ａ及び導電層電極部２３ｂ，２３
ｂの表面２３ｂ１，２３ｂ１が保護層表面の同一平面上
に露出していると、プリント基板上に磁気インピーダン
ス効果素子を接続するときに、電極部２２，２２及び導
電層電極部２３ｂ，２３ｂをプリントパターンに接続さ
せることが容易になる。

【０１１２】本発明では、外部磁界の方向と大きさを同
時に検出することができる２軸磁気インピーダンス効果
素子を構成することもできる。

【０１１３】図４は、本発明の第３の実施の形態として
２軸磁気インピーダンス効果素子を示す平面図である。

【０１１４】図４の磁気インピーダンス効果素子では、
基板（図示せず）上に磁気インピーダンス効果を有する
軟磁性薄膜または薄帯からなる略長方形のＸ方向感磁部
３１ａ、Ｙ方向感磁部３１ｂとが形成されている。Ｘ方
向感磁部３１ａ及びＹ方向感磁部３１ｂの素子長手方向
の両端部には、それぞれ、駆動交流電流を与えるため
の、電極部３２ａ，３２ａ及び電極部３２ｂ，３２ｂが
形成されている。Ｘ方向感磁部３１ａとＹ方向感磁部３
１ｂは、それぞれの素子長手方向が互いに垂直方向を向
くように形成されている。

【０１１５】Ｘ方向感磁部３１ａ及びＹ方向感磁部３１
ｂの上層に絶縁層（図示せず）を介して導電層であるス
パイラル状のコイル層３３が積層されている。コイル層
３３は、Ｘ方向感磁部３１ａ及びＹ方向感磁部３１ｂを
横切る導体部３３ａ及び導体部３３ａの両端部に接続さ
れ直流電流が与えられる導電層電極部３３ｂ，３３ｂを
有している。

【０１１６】スパイラル状に巻き形成されたコイル層３
３の導体部３３ａの１辺にＸ方向感磁部３１ａが重な
り、導体部３３ａの他の１辺にＹ方向感磁部３１ｂが重
なるようにコイル層３３が形成されている。なお、コイ
ル層３３上には絶縁性材料からなる保護層（図示せず）
が形成されている。

【０１１７】なお、前記基板はガラス、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などで形成され、前記絶縁層及び前記保
護層はポリイミド樹脂などの有機材料あるいはＳｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ ₃などの無機材料で形成されている。

【０１１８】電極部３２ａ及び３２ｂ並びにコイル層３
３はＣｕ、Ａｌなどの導電性材料からなる。

【０１１９】また、本実施の形態では、コイル層３３
は、メッキ法、スパッタ法、蒸着法によってパターン形
成されるものであるが、フレキシブル基板（ＦＰＣ）上
にコイル層３３と同一の導電パターンが形成されたもの
を、Ｘ方向感磁部３１ａ及びＹ方向感磁部３１ｂ上に貼
りつけたものであってもよい。

【０１２０】なお、Ｘ方向感磁部３１ａ及びＹ方向感磁
部３１ｂは、後述する軟磁性薄膜もしくは薄帯によって
形成される。

【０１２１】なお、本実施の形態でも、Ｘ方向感磁部３
１ａ及びＹ方向感磁部３１ｂは単層の軟磁性薄膜として
形成されているが、Ｘ方向感磁部３１ａ及びＹ方向感磁
部３１ｂは絶縁層を介して複数層の軟磁性薄膜が積層さ
れたものでもよい。また、コイル層３３がＸ方向感磁部
３１ａ及びＹ方向感磁部３１ｂの下層側に絶縁層を介し
て形成されていてもよい。

【０１２２】なお、コイル層３３の導体部３３ａと、Ｘ
方向感磁部３１ａ及びＹ方向感磁部３１ｂとの距離は、
１００μｍ以下であることが好ましい。また、コイル層
３３の導体部３３ａと、Ｘ方向感磁部３１ａ及びＹ方向
感磁部３１ｂとの距離１０μｍ以下であるとより好まし
い。

【０１２３】本実施の形態の２軸磁気インピーダンス効
果素子では、電極部３２ａ、３２ａからＸ方向感磁部３
１ａに駆動交流電流を与え、さらに、電極部３２ｂ、３
２ｂからＹ方向感磁部３１ｂに駆動交流電流を与えた上
で、図４の任意の方向から外部磁界を印加し、Ｘ方向感
磁部３１ａ及びＹ方向感磁部３１ｂのインピーダンス変
化から、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の外部磁界の大きさを検
出し、ベクトル和をとることによって、外部磁界の大き
さ及び方向を検出することができる。

【０１２４】さらに、磁気インピーダンス効果素子の外
部磁界依存性のインピーダンス変化の直線性を向上させ
るために、コイル層３３にコイル層電極部３３ｂ，３３
ｂから直流電流を印加し、導体部３３ａの周囲に電流磁
界を発生させてＸ方向感磁部３１ａ及びＹ方向感磁部３
１ｂにバイアス磁界を与えることができる。

【０１２５】なお、コイル層３３上には、絶縁材料から
なる保護層（図示せず）が形成されるが、電極部３２
ａ，３２ａの表面３２ａ１，３２ａ１、電極部３２ｂ，
３２ｂの表面３２ｂ１，３２ｂ１及び導電層電極部３３
ｂ，３３ｂの表面３３ｂ１，３３ｂ１が、保護層表面の
同一平面上に露出していると、プリント基板上に磁気イ
ンピーダンス効果素子を接続するときに、電極部３２
ａ，３２ａ、電極部３２ｂ，３２ｂ及び導電層電極部３
３ｂ，３３ｂをプリントパターンに接続させることが容
易になる。

【０１２６】前述の感磁部１２及び感磁部２１並びにＸ
方向感磁部３１ａ及びＹ方向感磁部３１ｂは、例えば、
組成式がＦｅ_71.4Ａｌ_5.8Ｓｉ_13.1Ｈｆ_3.3Ｃ_4.5Ｒｕ_1.9
（ａｔ％）で表される、ｂｃｃ−Ｆｅの結晶粒を主体と
し、ｂｃｃ−Ｆｅの周囲にＨｆＣの結晶粒が存在する結
晶粒径５〜３０ｎｍの微結晶軟磁性合金薄膜である。

【０１２７】この組成以外のＴ―Ｘ―Ｍ―Ｚ―Ｑ系（元
素Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏのうちどちらか一方あるいは両方を
含む元素であり、元素Ｘは、Ｓｉ、Ａｌの内どちらか一
方あるいは両方を含む元素であり、元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる１種
または２種以上の元素であり、元素Ｚは、Ｃ、Ｎのうち
どちらか一方あるいは両方を含む元素であり、Ｑは、Ｃ
ｒ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕから選
ばれる１種または２種以上の元素）の平均結晶粒径３０
ｎｍ以下のｂｃｃ−Ｆｅ、ｂｃｃ−ＦｅＣｏ、ｂｃｃ−
Ｃｏなどの結晶粒と元素Ｍの炭化物もしくは窒化物の結
晶粒を主体とする微結晶軟磁性合金薄膜や、Ｃｏ−Ｔ−
Ｍ−Ｘ―Ｏ系（元素Ｔは、Ｆｅ、Ｎｉのうちどちらか一
方あるいは両方を含む元素であり、元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，
Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれ
る１種または２種以上の元素であり、Ｘは、Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｄから選
ばれる１種あるいは２種以上の元素）の組成を有し、ｂ
ｃｃ−Ｆｅ、ｂｃｃ−ＦｅＣｏ、ｂｃｃ−Ｃｏ等からな
る結晶粒径１０〜３０ｎｍの結晶相とＭの酸化物を含む
非晶質相からなる微結晶軟磁性合金薄膜や、Ｆｅ―Ｍ―
Ｏ系（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗと
希土類元素から選ばれる１種あるいは２種以上の元素）
の組成を有し、ｂｃｃ−Ｆｅを主体とする結晶粒径１０
〜３０ｎｍの結晶相とＭの酸化物を含む非晶質相からな
る微結晶軟磁性合金薄膜として、感磁部１２及び感磁部
２１並びにＸ方向感磁部３１ａ及びＹ方向感磁部３１ｂ
が形成されていてもよい。

【０１２８】あるいは、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ―Ｍ系
（Ｍは、Ｃｒ，Ｒｕのうちいずれか一方あるいは両方を
含む元素）の非晶質軟磁性合金薄膜または薄帯や、Ｃｏ
―Ｔａ―Ｈｆ系の非晶質軟磁性合金薄膜や、Ｃｏ−Ｚｒ
−Ｎｂ系の非晶質軟磁性合金薄膜として、感磁部１２及
び感磁部２１並びにＸ方向感磁部３１ａ及びＹ方向感磁
部３１ｂが形成されていてもよい。

【０１２９】図１及び図２に示された磁気インピーダン
ス効果素子の製造方法を説明する。まず、非磁性材料か
らなる基板１７上に、軟磁性薄膜を成膜し、前記軟磁性
薄膜を、略長方形にパターン形成して感磁部１２を形成
する。

【０１３０】前記軟磁性薄膜を成膜するときに、一定方
向の静磁場中で成膜すると、感磁部１２の磁化容易軸方
向の制御が容易になる。あるいは、前記軟磁性薄膜また
は、前記軟磁性薄膜をパターン形成して形成された感磁
部１２を一定方向、例えば素子幅方向、の静磁場中で熱
処理する工程を有しても、感磁部１２の磁化容易軸方向
の制御が容易になる。

【０１３１】さらに、感磁部１２上に絶縁材料からなる
絶縁層１４をスパッタ法などを用いて成膜する。絶縁層
１４の厚さは１００μｍ以下で形成することが好まし
く、より好ましいのは、１０μｍ以下で形成することで
ある。なお、感磁部１２の両端部は電極層１３，１３が
接続される領域であるので、感磁部１２の両端部上には
絶縁層１４は形成されないようにする。

【０１３２】次に、感磁部１２の素子長手方向の両端部
に接続される電極部１３，１３と、感磁部１２を横切る
互いに平行方向を向いた導体部１５ａ、１５ａ、１５
ａ、１５ａ及び導電層電極部１５ｂ、１５ｂを有する導
電層１５とを、導電性材料を用いて、メッキ法、スパッ
タ法、または蒸着法によって形成する。導体部１５ａ、
１５ａ、１５ａ、１５ａは、感磁部１２の素子長手方向
と垂直方向を向くように形成する。

【０１３３】また、電極層１３，１３及び導電層１５を
形成するときに電極層１３，１３の基板１７からの表面
高さ及び導電層電極部１５ｂの表面高さが、導電層１５
の導体部１５ａ、１５ａ、１５ａ、１５ａの表面高さよ
りも高くなるように形成した後、導電層１５及び絶縁層
１４上に、絶縁材料からなる保護層１６を形成し、保護
層１６表面を研磨加工することにより、電極部１３，１
３の表面１３ａ，１３ａ及び導電層電極部の表面１５ｂ
１，１５ｂ１を保護層１６表面の同一平面上に露出させ
ることができる。

【０１３４】なお、基板１７はガラス、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などで形成され、絶縁層１４及び保護層
１６はポリイミド樹脂などの有機材料あるいはＳｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ ₃などの無機材料で形成されている。

【０１３５】電極部１３及び導電層１５はＣｕ、Ａｌな
どの導電性材料からなる。なお、感磁部１２は、後述す
る軟磁性薄膜もしくは薄帯によって形成される。

【０１３６】また、図４に示された磁気インピーダンス
効果素子を形成するときには、基板上に軟磁性薄膜を成
膜した後、Ｘ方向感磁部３１ａとＹ方向感磁部３１ｂと
を、それぞれの素子長手方向が互いに垂直方向を向くよ
うにパターン形成し、Ｘ方向感磁部３１ａとＹ方向感磁
部３１ｂ上に絶縁層を積層した後、前記絶縁層上にスパ
イラル状に巻き形成されたコイル層３３を、ＣｕやＡｌ
を材料として用い、メッキ法、スパッタ法、または蒸着
法などを用いて形成する。

【０１３７】コイル層３３を形成するときに、導体部３
３ａの１辺にＸ方向感磁部３１ａが重なり、導体部３３
ａの他の１辺にＹ方向感磁部３１ｂが重なるようにコイ
ル層３３を形成する。

【０１３８】なお、コイル層３３を形成するとき同時
に、Ｘ方向感磁部３１ａの電極部３２ａ，３２ａ及びＹ
方向感磁部３１ｂの電極部３２ｂ，３２ｂを形成しても
よい。

【０１３９】感磁部１２、Ｘ方向感磁部３１ａ、又はＹ
方向感磁部３１ｂは、例えば、組成式がＦｅ_71.4Ａｌ
_5.8Ｓｉ_13.1Ｈｆ_3.3Ｃ_4.5Ｒｕ_1.9で表される、ｂｃｃ−
Ｆｅの結晶粒とＨｆＣの結晶粒を主体とした微結晶軟磁
性合金薄膜である。

【０１４０】この組成以外のＴ―Ｘ―Ｍ―Ｚ―Ｑ系（元
素Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏのうちどちらか一方あるいは両方を
含む元素であり、元素Ｘは、Ｓｉ、Ａｌの内どちらか一
方あるいは両方を含む元素であり、元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる１種
または２種以上の元素であり、元素Ｚは、Ｃ、Ｎのうち
どちらか一方あるいは両方を含む元素であり、Ｑは、Ｃ
ｒ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕから選
ばれる１種または２種以上の元素）の平均結晶粒径３０
ｎｍ以下のｂｃｃ−Ｆｅ、ｂｃｃ−ＦｅＣｏ、ｂｃｃ−
Ｃｏなどの結晶粒と元素Ｍの炭化物もしくは窒化物の結
晶粒を主体とする微結晶軟磁性合金薄膜や、Ｃｏ−Ｔ−
Ｍ−Ｘ―Ｏ系（元素Ｔは、Ｆｅ、Ｎｉのうちどちらか一
方あるいは両方を含む元素であり、元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，
Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれ
る１種または２種以上の元素であり、Ｘは、Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｄから選
ばれる１種あるいは２種以上の元素）の組成を有し、ｂ
ｃｃ−Ｆｅ、ｂｃｃ−ＦｅＣｏ、ｂｃｃ−Ｃｏ等からな
る結晶粒径１０〜３０ｎｍの結晶相とＭの酸化物を含む
非晶質相からなる微結晶軟磁性合金薄膜や、Ｆｅ―Ｍ―
Ｏ系（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗと
希土類元素から選ばれる１種あるいは２種以上の元素）
の組成を有し、ｂｃｃ−Ｆｅを主体とする結晶粒径１０
〜３０ｎｍの結晶相とＭの酸化物を含む非晶質相からな
る微結晶軟磁性合金薄膜として、感磁部１２並びにＸ方
向感磁部３１ａ及びＹ方向感磁部３１ｂを形成してもよ
い。

【０１４１】あるいは、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ−Ｍ系
（Ｍは、Ｃｒ，Ｒｕのうちいずれか一方あるいは両方を
含む元素）の非晶質軟磁性合金薄膜または薄帯や、Ｃｏ
―Ｔａ―Ｈｆ系の非晶質軟磁性合金薄膜や、Ｃｏ−Ｚｒ
−Ｎｂ系の非晶質軟磁性合金薄膜として、感磁部１２、
Ｘ方向感磁部３１ａ、又はＹ方向感磁部３１ｂを形成し
てもよい。

【０１４２】なお、本実施の形態では、前記軟磁性薄膜
の成膜をＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いて以下の
条件で行った。

【０１４３】高周波電力：２００〜４００（Ｗ）Ａｒガス圧：５０（ｓｃｃｍ）成膜時圧力：３〜７（ｍＴｏｒｒ）成膜時静磁場強度：８００以上（Ａ／ｍ）成膜速度：１０〜３３．５（ｎｍ／分）なお、標準条件は、高周波電力が４００（Ｗ）、Ａｒガ
ス圧が５０（ｓｃｃｍ）、成膜時圧力が７（ｍＴｏｒ
ｒ）、成膜時静磁場強度が４８００（Ａ／ｍ）、成膜速
度が３３．５（ｎｍ／分）である。また、基板の冷却は
間接冷却によって行った。

【０１４４】なお、感磁部１２、Ｘ方向感磁部３１ａ、
又はＹ方向感磁部３１ｂを、軟磁性薄帯で形成する場合
には、軟磁性材料の溶融合金を冷却ロール上に射出させ
て接触急冷することにより軟磁性薄帯を形成し、前記軟
磁性薄帯を基板１７上に接着すればよい。

【０１４５】

【発明の効果】以上、詳細に説明した本発明の磁気イン
ピーダンス効果素子では、バイアス磁界を与えるための
前記導電層を、成膜プロセスを用いてパターン形成する
ことができるので、前記導電層の小型化が容易になり、
磁気インピーダンス効果素子の小型化を容易に達成でき
る。

【０１４６】また、前記感磁部と前記導電層の間の前記
絶縁層を薄膜プロセスで形成することができるので、前
記絶縁層の厚さを非常に薄く形成することができ、前記
導電層の前記導体部と、前記感磁部との距離を短くでき
る。

【０１４７】従って、前記感磁部に必要なバイアス磁界
を与えるために必要な電流を小さくできる。

【０１４８】また、前記感磁部の上層側または下層側の
どちらか一方でのみ、前記導電層の導体部が前記感磁部
を横切るように前記導電層を形成するだけで、前記感磁
部に必要なバイアス磁界を与えることができるので製造
が容易である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の磁気インピーダン
ス効果素子を示す斜視図、

【図２】図１の磁気インピーダンス効果素子の縦断面
図、

【図３】本発明の第２の実施の形態の磁気インピーダン
ス効果素子を示す平面図、

【図４】本発明の第３の実施の形態の磁気インピーダン
ス効果素子を示す平面図、

【図５】磁気インピーダンス効果素子の磁気インピーダ
ンス効果特性を示すグラフ、

【図６】磁気インピーダンス効果素子に駆動交流電流を
与え、外部磁界を印加する方法を示す概念図、

【図７】磁気インピーダンス効果素子の従来例を示す平
面図、

【図８】図７の磁気インピーダンス効果素子のＡ−Ｂ線
における断面図、

【符号の説明】

１７基板１２、２１感磁部３１ａＸ方向感磁部３１ｂＹ方向感磁部１３、２２、３２ａ、３２ｂ電極層１４絶縁層１５、２３導電層１５ａ、２３ａ、３３ａ導体部１５ｂ、２３ｂ、３３ｂ導電層電極部１６保護層３３コイル層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に磁気インピーダンス効果を有す
る軟磁性薄膜或いは薄帯を含む略長方形の感磁部と、前
記感磁部の素子長手方向の両端部に接続されて駆動交流
電流を与えるための電極部と、前記感磁部の上層または
下層に絶縁層を介して少なくとも前記感磁部を横切る導
体部及び前記導体部の両端部に接続され直流電流を与え
るための導電層電極部を有する導電層とが形成されてい
ることを特徴とする磁気インピーダンス効果素子。
【請求項２】前記導電層は、前記感磁部を横切る導体
部が前記感磁部の素子長手方向と垂直方向を向くように
形成されている請求項１に記載の磁気インピーダンス効
果素子。
【請求項３】前記導電層の前記感磁部を横切る導体部
が互いに平行方向を向いて複数本形成されており、前記
複数本の導体部の両端部が前記導電層電極部に接続され
ている請求項１または２に記載の磁気インピーダンス効
果素子。
【請求項４】前記導電層が、スパイラル状に巻き形成
されているコイル層である請求項１または２に記載の磁
気インピーダンス効果素子。
【請求項５】前記感磁部と他の前記感磁部とが、それ
ぞれの素子長手方向が互いに垂直方向を向くように形成
され、かつスパイラル状に巻き形成された前記コイル層
の１辺に前記感磁部が重なり、前記コイル層の他の１辺
に他の前記感磁部が重なるように前記コイル層が形成さ
れている請求項４に記載の磁気インピーダンス効果素
子。
【請求項６】前記絶縁層及び前記導電層上に、絶縁材
料からなる保護層が形成され、前記電極部表面及び前記
導電層電極部表面が前記保護層表面の同一平面上に露出
している請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気イン
ピーダンス効果素子。
【請求項７】前記導電層の前記導体部と、前記感磁部
を横切る感磁部との距離が１００μｍ以下である請求項
１ないし６のいずれかに記載の磁気インピーダンス効果
素子。
【請求項８】前記導電層に与えられる直流電流の大き
さが５００ｍＡ以下である請求項７に記載の磁気インピ
ーダンス効果素子。
【請求項９】前記導電層の前記感磁部を横切る導体部
と、前記感磁部との距離が１０μｍ以下である請求項１
ないし６のいずれかに記載の磁気インピーダンス効果素
子。
【請求項１０】前記導電層に与えられる直流電流の大
きさが５０ｍＡ以下である請求項９に記載の磁気インピ
ーダンス効果素子。
【請求項１１】前記感磁部が、組成式がＦｅ_hＭ_iＯ_j
で表され、アモルファス構造を主体とした微結晶軟磁性
合金薄膜として形成されている請求項１ないし１０のい
ずれかに記載の磁気インピーダンス効果素子。ただし、
Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗと希土類
元素から選ばれる１種あるいは２種以上の元素であり、
ｈ、ｉ、ｊはａｔ％で、４５≦ｈ≦７０、５≦ｉ≦３
０、１０≦ｊ≦４０、ｈ＋ｉ＋ｊ＝１００の関係を満足
するものである。
【請求項１２】前記感磁部が、組成式が（Ｃｏ
_1-cＴ_c）_xＭ_yＸ_zＯ_wで表される微結晶軟磁性合金薄膜と
して形成されている請求項１ないし１０のいずれかに記
載の磁気インピーダンス効果素子。ただし、元素Ｔは、
Ｆｅ、Ｎｉのうちどちらか一方あるいは両方を含む元素
であり、元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元
素であり、Ｘは、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏ
ｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｄから選ばれる１種あるいは２種以
上の元素であり、組成比は、ｃが、０≦ｃ≦０．７、
ｘ，ｙ，ｚ，ｗは原子％で、３≦ｙ≦３０、０≦ｚ≦２
０、７≦ｗ≦４０、２０≦ｙ＋ｚ＋ｗ≦６０の関係を満
足し、残部がｘである。
【請求項１３】前記感磁部が、組成式がＴ
_100-d-e-f-gＸ_dＭ_eＺ_fＱ_gで表され、ｂｃｃ−Ｆｅ、ｂ
ｃｃ−ＦｅＣｏ、ｂｃｃ−Ｃｏの１種または２種以上の
結晶粒を主体とした微結晶軟磁性合金薄膜として形成さ
れている請求項１ないし１０のいずれかに記載の磁気イ
ンピーダンス効果素子。ただし、元素Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏ
のうちどちらか一方あるいは両方を含む元素であり、元
素Ｘは、Ｓｉ、Ａｌのうちどちらか一方あるいは両方を
含む元素であり、元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる１種または２種以上の
元素であり、元素Ｚは、Ｃ、Ｎのうちどちらか一方ある
いは両方を含む元素であり、Ｑは、Ｃｒ，Ｒｅ，Ｒｕ，
Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕから選ばれる１種または
２種以上の元素であり、ｄ、ｅ、ｆ、ｇはａｔ％で、０
≦ｄ≦２５、１≦ｅ≦１０、０．５≦ｆ≦１５、０≦ｇ
≦１０の関係を満足するものである。
【請求項１４】前記感磁部が、組成式がＴ
_{100-p-q-e-f-g}Ｓｉ_pＡｌ_qＭ_eＺ _fＱ_gで表され、ｂｃｃ−
Ｆｅ、ｂｃｃ−ＦｅＣｏ、ｂｃｃ−Ｃｏの１種または２
種以上の結晶粒を主体とした微結晶軟磁性合金薄膜とし
て形成されている請求項１ないし１０のいずれかに記載
の磁気インピーダンス効果素子。ただし、元素Ｔは、Ｆ
ｅ、Ｃｏのうちどちらか一方あるいは両方を含む元素で
あり、元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｗから選ばれる１種または２種以上の元素であ
り、元素Ｚは、Ｃ、Ｎのうちどちらか一方あるいは両方
を含む元素であり、Ｑは、Ｃｒ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｎ
ｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕから選ばれる１種または２種以上
の元素であり、ｐ、ｑ、ｅ、ｆ、ｇはａｔ％で、８≦ｐ
≦１５、０≦ｑ≦１０、１≦ｅ≦１０、０．５≦ｆ≦１
５、０≦ｇ≦１０の関係を満足するものである。
【請求項１５】前記感磁部が、組成式が（Ｆｅ_1-aＣ
ｏ_a）_100-x-y（Ｓｉ₁ _-bＢ_b）_xＭ_yで示される非晶質軟磁
性合金薄膜または薄帯として形成されている請求項１な
いし１０のいずれかに記載の磁気インピーダンス効果素
子。ただし、ＭはＣｒ、Ｒｕのうちいずれか一方、ある
いは両方を含む元素であり、組成比を表すａ、ｂは０．
０５≦ａ≦０．１、０．２≦ｂ≦０．８であり、ｘ、ｙ
はａｔ％で１０≦ｘ≦３５、０≦ｙ≦７の関係を満足す
るものである。
【請求項１６】前記感磁部が、組成式がＣｏ_lＴａ_mＨ
ｆ_nで表され、アモルファス構造を主体にした非晶質軟
磁性合金薄膜として形成されている請求項１ないし１０
のいずれかに記載の磁気インピーダンス効果素子。ただ
し、ｌ、ｍ、ｎはａｔ％で、７０≦ｌ≦９０、５≦ｍ≦
２１、６．６≦ｎ≦１５、１≦ｍ／ｎ≦２．５の関係を
満足するものである。
【請求項１７】前記感磁部が、組成式がＣｏ_aＺｒ_bＮ
ｂ_cで表されるアモルファス構造を主体とした非晶質軟
磁性合金薄膜として形成されている請求項１ないし１０
のいずれかに記載の磁気インピーダンス効果素子。ただ
し、ａ、ｂ、ｃはａｔ％で、７８≦ａ≦９１、０．５≦
ｂ／ｃ≦０．８の関係を満足するものである。
【請求項１８】（ａ）非磁性材料からなる基板上に、
軟磁性薄膜を成膜する工程と、（ｂ）前記軟磁性薄膜を、略長方形にパターン形成して
感磁部を、少なくとも一つ、形成する工程と、（ｃ）前記感磁部上に絶縁材料からなる絶縁層を成膜す
る工程と、（ｄ）前記感磁部の素子長手方向の両端部に接続される
電極部を形成する工程と、（ｅ）前記絶縁層上に、少なくとも前記感磁部上を横切
る導体部及び前記導体部の両端部に接続され直流電流が
与えられる導電層電極部を有する導電層を成膜する工程
と、を有することを特徴とする磁気インピーダンス効果素子
の製造方法。
【請求項１９】前記（ｅ）の工程において、前記感磁
部を横切る導体部が前記感磁部の素子長手方向と垂直方
向を向くように前記導電層を形成する請求項１８に記載
の磁気インピーダンス効果素子の製造方法。
【請求項２０】前記（ｅ）の工程において、前記感磁
部を横切る導体部が、互いに平行方向を向くように複数
本形成され、さらに前記複数本の導体部の両端部が前記
導電層電極部に接続されるように前記導電層を形成する
請求項１８または１９に記載の磁気インピーダンス効果
素子の製造方法。
【請求項２１】前記（ｅ）の工程において、前記導電
層をスパイラル状に巻き形成されたコイル層として形成
する請求項１８または１９に記載の磁気インピーダンス
効果素子の製造方法。
【請求項２２】前記（ａ）の工程において、前記軟磁性
薄膜を一定方向の静磁場中で成膜する工程を有する請求
項１８ないし２１のいずれかに記載の磁気インピーダン
ス効果素子の製造方法。
【請求項２３】前記（ａ）の工程において形成された前
記軟磁性薄膜または、前記（ｂ）の工程において形成さ
れた前記感磁部を一定方向の静磁場中で熱処理する工程
を有する請求項１８ないし２２のいずれかに記載の磁気
インピーダンス効果素子の製造方法。
【請求項２４】前記（ｂ）の工程において、前記感磁
部と他の前記感磁部をそれぞれの素子長手方向が互いに
垂直方向を向くように形成し、前記（ｅ）の工程において、スパイラル状に巻き形成さ
れた前記コイル層の１辺に前記感磁部が重なり、前記コ
イル層の他の１辺に他の前記感磁部が重なるように前記
コイル層を形成する請求項２１に記載の磁気インピーダ
ンス効果素子の製造方法。
【請求項２５】前記（ｄ）の工程と前記（ｅ）の工程
を同時に行なう請求項１８ないし２４のいずれかに記載
の磁気インピーダンス効果素子の製造方法。
【請求項２６】前記（ｄ）の工程において、前記電極
層をその表面高さが、前記（ｅ）の工程で形成される前
記導電層の前記導体部の表面高さよりも高くなるように
形成し、前記（ｅ）の工程において、前記導電層を、前
記導電層電極部の表面高さが前記導体部の表面高さより
も高くなるように形成し、さらに、前記（ｅ）の工程の
後に、（ｆ）前記導電層上に、絶縁材料からなる保護層を形成
する工程と、（ｇ）前記保護層表面を研磨加工して、前記電極部表面
及び前記導電層電極部表面を前記保護層表面の同一平面
上に露出させる工程を有する請求項１８ないし２５のい
ずれかに記載の磁気インピーダンス効果素子の製造方
法。
【請求項２７】前記（ｃ）の工程において、前記絶縁
層の厚さを１００μｍ以下で形成する請求項１８ないし
２６のいずれかに記載の磁気インピーダンス効果素子の
製造方法。
【請求項２８】前記（ｃ）の工程において、前記絶縁
層の厚さを１０μｍ以下で形成する請求項１８ないし２
６のいずれかに記載の磁気インピーダンス効果素子の製
造方法。
【請求項２９】前記（ａ）及び（ｂ）の工程におい
て、前記感磁部を成膜プロセスで形成する代りに、軟磁
性材料の溶融合金を冷却ロール上に射出させて接触急冷
することにより軟磁性薄帯を形成し、前記軟磁性薄帯を
前記基板上に接着する工程を有する請求項１８ないし２
８に記載の磁気インピーダンス効果素子の製造方法。
【請求項３０】前記（ａ）の工程において、前記軟磁
性薄膜を、組成式がＦｅ_hＭ_iＯ_jで表され、アモルファ
ス構造を主体とした微結晶軟磁性合金薄膜として形成す
る請求項１８ないし２８のいずれかに記載の磁気インピ
ーダンス効果素子の製造方法。ただし、Ｍは、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗと希土類元素から選ばれ
る１種あるいは２種以上の元素であり、ｈ、ｉ、ｊはａ
ｔ％で、４５≦ｈ≦７０、５≦ｉ≦３０、１０≦ｊ≦４
０、ｈ＋ｉ＋ｊ＝１００の関係を満足するものである。
【請求項３１】前記（ａ）の工程において、前記軟磁
性薄膜を、組成式が（Ｃｏ_1-cＴ_c）_xＭ_yＸ_zＯ_wで表され
る微結晶軟磁性合金薄膜として形成する請求項１８ない
し２８のいずれかに記載の磁気インピーダンス効果素子
の製造方法。ただし、元素Ｔは、Ｆｅ、Ｎｉのうちどち
らか一方あるいは両方を含む元素であり、元素Ｍは、Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，
Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選
ばれる１種または２種以上の元素であり、Ｘは、Ａｕ，
Ａｇ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｄから
選ばれる１種あるいは２種以上の元素であり、組成比
は、ｃが、０≦ｃ≦０．７、ｘ，ｙ，ｚ，ｗは原子％
で、３≦ｙ≦３０、０≦ｚ≦２０、７≦ｗ≦４０、２０
≦ｙ＋ｚ＋ｗ≦６０の関係を満足し、残部がｘである。
【請求項３２】前記（ａ）の工程において、前記軟磁
性薄膜を、組成式がＴ_100-d-e-f-gＸ_dＭ_eＺ_fＱ_gで表さ
れ、ｂｃｃ−Ｆｅ、ｂｃｃ−ＦｅＣｏ、ｂｃｃ−Ｃｏの
１種または２種以上の結晶粒を主体とした微結晶軟磁性
合金薄膜として形成する請求項１８ないし２８のいずれ
かに記載の磁気インピーダンス効果素子の製造方法。た
だし、元素Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏのうちどちらか一方あるい
は両方を含む元素であり、元素Ｘは、Ｓｉ、Ａｌのうち
どちらか一方あるいは両方を含む元素であり、元素Ｍ
は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから
選ばれる１種または２種以上の元素であり、元素Ｚは、
Ｃ、Ｎのうちどちらか一方あるいは両方を含む元素であ
り、Ｑは、Ｃｒ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ａｕから選ばれる１種または２種以上の元素であ
り、ｄ、ｅ、ｆ、ｇはａｔ％で、０≦ｄ≦２５、１≦ｅ
≦１０、０．５≦ｆ≦１５、０≦ｇ≦１０の関係を満足
するものである。
【請求項３３】前記（ａ）の工程において、前記軟磁
性薄膜を、組成式がＴ_{100-p-q-e-f-g}Ｓｉ_pＡｌ_qＭ_eＺ_f
Ｑ_gで表され、ｂｃｃ−Ｆｅ、ｂｃｃ−ＦｅＣｏ、ｂｃ
ｃ−Ｃｏの１種または２種以上の結晶粒を主体とした微
結晶軟磁性合金薄膜として形成する請求項１８ないし請
求項２８のいずれかに記載の磁気インピーダンス効果素
子の製造方法。ただし、元素Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏのうちど
ちらか一方あるいは両方を含む元素であり、元素Ｍは、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ば
れる１種または２種以上の元素であり、元素Ｚは、Ｃ、
Ｎのうちどちらか一方あるいは両方を含む元素であり、
Ｑは、Ｃｒ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａ
ｕから選ばれる１種または２種以上の元素であり、ｐ、
ｑ、ｅ、ｆ、ｇはａｔ％で、８≦ｐ≦１５、０≦ｑ≦１
０、１≦ｅ≦１０、０．５≦ｆ≦１５、０≦ｇ≦１０の
関係を満足するものである。
【請求項３４】前記（ａ）の工程において、前記軟磁
性薄膜または前記軟磁性薄帯を、組成式が（Ｆｅ_1-aＣ
ｏ_a）_100-x-y（Ｓｉ_1-bＢ_b）_xＭ_yで示される非晶質軟磁
性合金薄膜または薄帯として形成する請求項１８ないし
請求項２９のいずれかに記載の磁気インピーダンス効果
素子の製造方法。ただし、ＭはＣｒ、Ｒｕのうちいずれ
か一方、あるいは両方を含む元素であり、組成比を表す
ａ、ｂは０．０５≦ａ≦０．１、０．２≦ｂ≦０．８で
あり、ｘ、ｙはａｔ％で１０≦ｘ≦３５、０≦ｙ≦７の
関係を満足するものである。
【請求項３５】前記（ａ）の工程において、前記軟磁
性薄膜を、組成式がＣｏ_lＴａ_mＨｆ_nで表され、アモル
ファス構造を主体にした非晶質軟磁性合金薄膜として形
成する請求項１８ないし２８のいずれかに記載の磁気イ
ンピーダンス効果素子の製造方法。ただし、ｌ、ｍ、ｎ
はａｔ％で、７０≦ｌ≦９０、５≦ｍ≦２１、６．６≦
ｎ≦１５、１≦ｍ／ｎ≦２．５の関係を満足するもので
ある。
【請求項３６】前記（ａ）の工程において、前記軟磁
性薄膜を、組成式がＣｏ_aＺｒ_bＮｂ_cで表されるアモル
ファス構造を主体とした非晶質軟磁性合金薄膜として形
成する請求項１８ないし２８のいずれかに記載の磁気イ
ンピーダンス効果素子の製造方法。ただし、ａ、ｂ、ｃ
はａｔ％で、７８≦ａ≦９１、０．５≦ｂ／ｃ≦０．８
の関係を満足するものである。