JPH06215422A - スタンパーの製造方法及びスタンパー - Google Patents
スタンパーの製造方法及びスタンパーInfo
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- JPH06215422A JPH06215422A JP2073793A JP2073793A JPH06215422A JP H06215422 A JPH06215422 A JP H06215422A JP 2073793 A JP2073793 A JP 2073793A JP 2073793 A JP2073793 A JP 2073793A JP H06215422 A JPH06215422 A JP H06215422A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スタンパーの金属層を化学メッキを施すこと
なく電気メッキだけで形成出来るようにすること。 【構成】 超微小なコロイド性のアクチベータを中心と
して構成されたアクチベータを用いて基板表面をアクチ
ベートすることによって、基板表面に極めて良好な導電
性皮膜を形成することにより、該導電性皮膜上に直接電
気メッキを行えるようにして、微小欠陥のないスタンパ
ーの金属層を形成する。
なく電気メッキだけで形成出来るようにすること。 【構成】 超微小なコロイド性のアクチベータを中心と
して構成されたアクチベータを用いて基板表面をアクチ
ベートすることによって、基板表面に極めて良好な導電
性皮膜を形成することにより、該導電性皮膜上に直接電
気メッキを行えるようにして、微小欠陥のないスタンパ
ーの金属層を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクを成型する
ためのスタンパーの製造方法に関するものである。
ためのスタンパーの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の、光ディスクを成型するためのス
タンパーを製造する製造工程を図３を用いて簡単に説明
する。図３において、最初に同図（ａ）に示すように研
磨されたガラス基板Ｇ上にポジ形のホトレジストＰＲが
塗布され、この基板Ｇがカッティングマシンにかけら
れ、データで変調された記録レーザ光Ｌによって同図
（ｂ）に示すように感光部分ＰＬが形成される。
タンパーを製造する製造工程を図３を用いて簡単に説明
する。図３において、最初に同図（ａ）に示すように研
磨されたガラス基板Ｇ上にポジ形のホトレジストＰＲが
塗布され、この基板Ｇがカッティングマシンにかけら
れ、データで変調された記録レーザ光Ｌによって同図
（ｂ）に示すように感光部分ＰＬが形成される。
【０００３】感光部分ＰＬのホトレジストＰＲはレーザ
光Ｌによって分解されて現像処理により感光部分ＰＬの
フォトレジストが溶解されるため、感光部分ＰＬに凹型
のピットが形成され同図（ｃ）に示すような成型原盤Ｇ
Ｍとされる。次に成型原盤ＧＭ上に、ニッケル等による
金属層Ｋが図２（ｄ）のように形成され、この金属層Ｋ
が成型原盤ＧＭから剥離されて同図（ｅ）に示すような
スタンパーＳＴとされる。剥離されたスタンパーＳＴは
最内周部及び最外周部が切り落とされ（センターホール
及び外形の処理）、スタンパーの製造工程は終了する。
光Ｌによって分解されて現像処理により感光部分ＰＬの
フォトレジストが溶解されるため、感光部分ＰＬに凹型
のピットが形成され同図（ｃ）に示すような成型原盤Ｇ
Ｍとされる。次に成型原盤ＧＭ上に、ニッケル等による
金属層Ｋが図２（ｄ）のように形成され、この金属層Ｋ
が成型原盤ＧＭから剥離されて同図（ｅ）に示すような
スタンパーＳＴとされる。剥離されたスタンパーＳＴは
最内周部及び最外周部が切り落とされ（センターホール
及び外形の処理）、スタンパーの製造工程は終了する。
【０００４】このように製造されたスタンパーＳＴを用
いて光ディスクを成型する様子を図４を用いて簡単に説
明する。図４において、スタンパーＳＴをプレス機に取
付け、同図（ｂ）に示すように樹脂製のディスクＤに押
圧することによって凹凸上のピットが成型され、ディス
クＤが製造される。そして、このディスクＤのピット面
に光を反射するための金属層Ｒを形成し、さらに透明な
樹脂による保護層Ｈを設け、センターホールや外形の処
理等がなされて、後で述べるような図２（ｃ）に示され
る光ディスクＤが完成する。
いて光ディスクを成型する様子を図４を用いて簡単に説
明する。図４において、スタンパーＳＴをプレス機に取
付け、同図（ｂ）に示すように樹脂製のディスクＤに押
圧することによって凹凸上のピットが成型され、ディス
クＤが製造される。そして、このディスクＤのピット面
に光を反射するための金属層Ｒを形成し、さらに透明な
樹脂による保護層Ｈを設け、センターホールや外形の処
理等がなされて、後で述べるような図２（ｃ）に示され
る光ディスクＤが完成する。
【０００５】図５に上記図３（ｄ）に示したスタンパー
の金属層Ｋを形成する従来の工程を示し、図６に図５に
示す工程で金属層Ｋを形成するスタンパーの製造工程を
示す。以下、図５に示されるスタンパーの金属層Ｋを形
成する工程を図６に示されるスタンパーの製造工程を参
照しながら説明する。
の金属層Ｋを形成する従来の工程を示し、図６に図５に
示す工程で金属層Ｋを形成するスタンパーの製造工程を
示す。以下、図５に示されるスタンパーの金属層Ｋを形
成する工程を図６に示されるスタンパーの製造工程を参
照しながら説明する。
【０００６】図６において、Ｇはガラス基板、ＰＲは前
記図３（ｃ）に示されるピットの形成されたホトレジス
トである。まず、ピットが形成されたフォトレジストＰ
Ｒが表面に付着されたガラス基板Ｇを、図５Ａに示す工
程でアルカリ性クリーナー・コンディショナーによって
酸化皮膜や油脂をのぞき、アクチベータの吸着を促す。
記図３（ｃ）に示されるピットの形成されたホトレジス
トである。まず、ピットが形成されたフォトレジストＰ
Ｒが表面に付着されたガラス基板Ｇを、図５Ａに示す工
程でアルカリ性クリーナー・コンディショナーによって
酸化皮膜や油脂をのぞき、アクチベータの吸着を促す。
【０００７】次に、このガラス基板Ｇを洗浄（図５Ｂ）
した後、図５Ｃに示す工程でアクチベータ液に水洗水を
持ち込まないためにプレディップを行う。そして、図５
Ｄに示す工程で、パラジウムや錫等を含有するアクチベ
ータを用いて活性化処理を行うことにより、基板Ｇの表
面に含有された金属によるキャタリストが付着された導
電性の膜６１が図６（ａ）に示されるように形成され
る。
した後、図５Ｃに示す工程でアクチベータ液に水洗水を
持ち込まないためにプレディップを行う。そして、図５
Ｄに示す工程で、パラジウムや錫等を含有するアクチベ
ータを用いて活性化処理を行うことにより、基板Ｇの表
面に含有された金属によるキャタリストが付着された導
電性の膜６１が図６（ａ）に示されるように形成され
る。
【０００８】さらに、このように処理されたガラス基板
Ｇを洗浄（図５Ｅ）した後、図５Ｆに示す工程でアクセ
レレータであるアルカリ液によってガラス基板Ｇに吸収
されたコロイドを配列し直し連続のフィルムとする。こ
のように処理されたガラス基板Ｇを洗浄（図５Ｇ）した
後、図５Ｈに示す化学メッキの工程でガラス基板Ｇをニ
ッケルメッキ溶液中に浸漬させると、上記導電性の膜６
１上に図６に示すようなニッケルの金属膜６２が一様に
形成される。
Ｇを洗浄（図５Ｅ）した後、図５Ｆに示す工程でアクセ
レレータであるアルカリ液によってガラス基板Ｇに吸収
されたコロイドを配列し直し連続のフィルムとする。こ
のように処理されたガラス基板Ｇを洗浄（図５Ｇ）した
後、図５Ｈに示す化学メッキの工程でガラス基板Ｇをニ
ッケルメッキ溶液中に浸漬させると、上記導電性の膜６
１上に図６に示すようなニッケルの金属膜６２が一様に
形成される。
【０００９】次に、この化学メッキされたガラス基板Ｇ
を洗浄（図５Ｉ）した後、図５Ｊに示す工程で化学メッ
キされたニッケルの金属膜６２上に電気メッキにより、
図６（ｃ）に示すようなニッケルの金属層６３を所定の
厚さに形成する。この電気メッキによるニッケルの金属
層６３の厚さはスタンパーとして使用可能な例えば０．
３ｍｍの厚さとされる。
を洗浄（図５Ｉ）した後、図５Ｊに示す工程で化学メッ
キされたニッケルの金属膜６２上に電気メッキにより、
図６（ｃ）に示すようなニッケルの金属層６３を所定の
厚さに形成する。この電気メッキによるニッケルの金属
層６３の厚さはスタンパーとして使用可能な例えば０．
３ｍｍの厚さとされる。
【００１０】その後、金属層６３からなるスタンパーの
裏面を研磨した後、このスタンパーをガラス基板Ｇから
剥離し、レジスト除去及び不要部分をトリミングして図
６（ｄ）に示すようなスタンパーを完成する。
裏面を研磨した後、このスタンパーをガラス基板Ｇから
剥離し、レジスト除去及び不要部分をトリミングして図
６（ｄ）に示すようなスタンパーを完成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図５及び図
６に示すような従来の工程では、スタンパーの金属層を
形成するには、電気メッキに先立って化学メッキを行う
必要性があった。これは、化学メッキを施すことなくア
クチベートされたガラス基板Ｇ上に直接電気メッキを行
うと、電気メッキで形成されたニッケルの金属層がガラ
ス基板Ｇ上に一様に形成されず、スタンパーの表面に欠
陥が生じ使用に耐えるスタンパーを製造することができ
なかったからである。このように、従来は電気メッキを
行うに先立って化学メッキを行う工程が不可欠であった
ため、金属層形成の工程が複雑化すると共に、化学メッ
キ液の管理という困難な仕事をしなければならないと云
う問題点があった。
６に示すような従来の工程では、スタンパーの金属層を
形成するには、電気メッキに先立って化学メッキを行う
必要性があった。これは、化学メッキを施すことなくア
クチベートされたガラス基板Ｇ上に直接電気メッキを行
うと、電気メッキで形成されたニッケルの金属層がガラ
ス基板Ｇ上に一様に形成されず、スタンパーの表面に欠
陥が生じ使用に耐えるスタンパーを製造することができ
なかったからである。このように、従来は電気メッキを
行うに先立って化学メッキを行う工程が不可欠であった
ため、金属層形成の工程が複雑化すると共に、化学メッ
キ液の管理という困難な仕事をしなければならないと云
う問題点があった。
【００１２】又、化学メッキを行うには次亜リン酸を使
用するため化学メッキの溶液中にリンが数パーセント含
まれ、化学メッキにより形成されたニッケルの層２の中
にこのリンが取り込まれてしまっていた。すると、リン
は硬度が高いため取り込まれたリンによりニッケルの層
２中に内部応力が発生してスタンパー表面に微小欠陥が
生じ、そのためスタンパーがそってしまう等の問題点が
あった。
用するため化学メッキの溶液中にリンが数パーセント含
まれ、化学メッキにより形成されたニッケルの層２の中
にこのリンが取り込まれてしまっていた。すると、リン
は硬度が高いため取り込まれたリンによりニッケルの層
２中に内部応力が発生してスタンパー表面に微小欠陥が
生じ、そのためスタンパーがそってしまう等の問題点が
あった。
【００１３】そこで、本発明は化学メッキを施すことな
く電気メッキを行うことを可能にして、簡単な工程でス
タンパーの金属層を形成することが出来ると共に、製造
されたスタンパーの表面の品質低下を来すことのない金
属層の製造工程を提供することを目的をしている。
く電気メッキを行うことを可能にして、簡単な工程でス
タンパーの金属層を形成することが出来ると共に、製造
されたスタンパーの表面の品質低下を来すことのない金
属層の製造工程を提供することを目的をしている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】化学メッキに代えて、従
来のアクチベータに比べて活性度の高い超微小のコロイ
ド性のアクチベータを中心として構成されたアクチベー
タを使用して基板表面をアクチベートすることにより、
基板表面に良好な導電性皮膜を形成し、この導電性皮膜
上に直接電気メッキを行うことを可能として、基板上に
一様な所定の厚さのニッケルの金属層を形成させるもの
である。
来のアクチベータに比べて活性度の高い超微小のコロイ
ド性のアクチベータを中心として構成されたアクチベー
タを使用して基板表面をアクチベートすることにより、
基板表面に良好な導電性皮膜を形成し、この導電性皮膜
上に直接電気メッキを行うことを可能として、基板上に
一様な所定の厚さのニッケルの金属層を形成させるもの
である。
【００１５】
【作用】化学メッキを行う必要がなくなるので、基板上
に金属層を形成する工程を簡略化することが出来る。ま
た、化学メッキ液が不要となるのでコストを下げること
が出来ると共に、公害物質となるメッキ液を管理する工
程を不要とすることが出来る。又、リンを含有するメッ
キ液を用いる工程がなくなるため、基板上に形成された
ニッケルの金属層中にリンが含まれなくなり、スタンパ
ーの表面に微小欠陥が生じることがなく安定したスタン
パー表面を得ることが出来る。
に金属層を形成する工程を簡略化することが出来る。ま
た、化学メッキ液が不要となるのでコストを下げること
が出来ると共に、公害物質となるメッキ液を管理する工
程を不要とすることが出来る。又、リンを含有するメッ
キ液を用いる工程がなくなるため、基板上に形成された
ニッケルの金属層中にリンが含まれなくなり、スタンパ
ーの表面に微小欠陥が生じることがなく安定したスタン
パー表面を得ることが出来る。
【００１６】
【実施例】本発明のスタンパーの金属層を形成する工程
を図１に示し、図２に図１に示す工程で金属層を形成す
るスタンパーの製造工程を示す。図２において、Ｇはガ
ラス基板、ＰＲはガラス基板Ｇ上に付着された前記図３
（ｃ）に示されるようなピットの形成されたフォトレジ
ストである。図１に示されるスタンパーの金属層を形成
する工程を、図２に示されるスタンパーの製造工程を参
照しながら説明する。
を図１に示し、図２に図１に示す工程で金属層を形成す
るスタンパーの製造工程を示す。図２において、Ｇはガ
ラス基板、ＰＲはガラス基板Ｇ上に付着された前記図３
（ｃ）に示されるようなピットの形成されたフォトレジ
ストである。図１に示されるスタンパーの金属層を形成
する工程を、図２に示されるスタンパーの製造工程を参
照しながら説明する。
【００１７】まず、ピットの形成されたフォトレジスト
ＰＲの付着されたガラス基板Ｇを、図１Ａに示す工程で
アルカリ性クリーナー・コンディショナーによって酸化
皮膜や油脂をのぞき、アクチベータの吸着を促す。次
に、ガラス基板Ｇを洗浄（図１Ｂ）した後、図１Ｃに示
す工程でアクチベータ液に水洗水を持ち込まないために
プレディップを行う。
ＰＲの付着されたガラス基板Ｇを、図１Ａに示す工程で
アルカリ性クリーナー・コンディショナーによって酸化
皮膜や油脂をのぞき、アクチベータの吸着を促す。次
に、ガラス基板Ｇを洗浄（図１Ｂ）した後、図１Ｃに示
す工程でアクチベータ液に水洗水を持ち込まないために
プレディップを行う。
【００１８】そして、図１Ｄに示す工程で、パラジウム
や錫等を含有する超微小のコロイド性のアクチベータを
中心とした高活性度のアクチベータを用いて活性化処理
を行うことにより、基板Ｇの表面に含有された金属によ
るキャタリストが強く付着された導電性の皮膜１を図２
（ａ）に示すように形成する。なお、超微小のコロイド
性のアクチベータを中心とした高活性度のアクチベータ
としては、ジャパンエスティーエス株式会社製のＨＮ５
０４アクチベータ（商品名）や、上村工業株式会社製の
ＰＣＫ２４１アクチベータ（商品名）を用いることが出
来る。
や錫等を含有する超微小のコロイド性のアクチベータを
中心とした高活性度のアクチベータを用いて活性化処理
を行うことにより、基板Ｇの表面に含有された金属によ
るキャタリストが強く付着された導電性の皮膜１を図２
（ａ）に示すように形成する。なお、超微小のコロイド
性のアクチベータを中心とした高活性度のアクチベータ
としては、ジャパンエスティーエス株式会社製のＨＮ５
０４アクチベータ（商品名）や、上村工業株式会社製の
ＰＣＫ２４１アクチベータ（商品名）を用いることが出
来る。
【００１９】次に、このように処理されたガラス基板Ｇ
を洗浄（図１Ｅ）した後、図１Ｆに示す工程でアクセレ
レータであるアルカリ液によってガラス基板Ｇに吸収さ
れたコロイドを配列し直し連続のフィルムとすると同時
に、金属イオンでコロイド粒子の間を塞ぎ、非常に良好
な導電性の皮膜１とする。
を洗浄（図１Ｅ）した後、図１Ｆに示す工程でアクセレ
レータであるアルカリ液によってガラス基板Ｇに吸収さ
れたコロイドを配列し直し連続のフィルムとすると同時
に、金属イオンでコロイド粒子の間を塞ぎ、非常に良好
な導電性の皮膜１とする。
【００２０】このように処理されたガラス基板Ｇを洗浄
（図１Ｇ）した後、図１Ｈに示す工程で導電性の皮膜１
上に電気メッキにより図２（ｂ）に示すようにニッケル
の層２を所定の厚さに形成する。この電気メッキによる
ニッケルの金属層２の厚さはスタンパーとして使用可能
な例えば０．３ｍｍの厚さとされ、この金属層２をスタ
ンパーとして使用する。このため、金属層２からなるス
タンパーの裏面を研磨した後、このスタンパーをガラス
基板Ｇから剥離し、レジスト除去及び不要部分をトリミ
ングして図２（ｃ）に示すようなスタンパーを完成す
る。
（図１Ｇ）した後、図１Ｈに示す工程で導電性の皮膜１
上に電気メッキにより図２（ｂ）に示すようにニッケル
の層２を所定の厚さに形成する。この電気メッキによる
ニッケルの金属層２の厚さはスタンパーとして使用可能
な例えば０．３ｍｍの厚さとされ、この金属層２をスタ
ンパーとして使用する。このため、金属層２からなるス
タンパーの裏面を研磨した後、このスタンパーをガラス
基板Ｇから剥離し、レジスト除去及び不要部分をトリミ
ングして図２（ｃ）に示すようなスタンパーを完成す
る。
【００２１】このようにして製造されたスタンパーの表
面には微小欠陥が生じる可能性が殆どないので、スタン
パーの品質は優れたものとなる。従って、このように製
造されたスタンパーを用いて成型された光ディスクの品
質も向上されるようになる。
面には微小欠陥が生じる可能性が殆どないので、スタン
パーの品質は優れたものとなる。従って、このように製
造されたスタンパーを用いて成型された光ディスクの品
質も向上されるようになる。
【００２２】
【発明の効果】本発明のスタンパーの金属層は以上のよ
うな工程で形成されているため、化学メッキを行う必要
がなくなり、基板上に金属層を形成する工程を簡略化す
ることが出来る。また、化学メッキ液が不要となるので
コストを下げることが出来ると共に、公害物質であるメ
ッキ液を管理する工程を不要とすることが出来る。又、
リンが含有されるメッキ液を用いる工程がなくなるた
め、基板上に形成されたニッケルの金属層中にリンが含
まれることがなくなり、スタンパーの表面に微小欠陥が
生じることがなく安定した表面のスタンパーを得ること
が出来るようになる。
うな工程で形成されているため、化学メッキを行う必要
がなくなり、基板上に金属層を形成する工程を簡略化す
ることが出来る。また、化学メッキ液が不要となるので
コストを下げることが出来ると共に、公害物質であるメ
ッキ液を管理する工程を不要とすることが出来る。又、
リンが含有されるメッキ液を用いる工程がなくなるた
め、基板上に形成されたニッケルの金属層中にリンが含
まれることがなくなり、スタンパーの表面に微小欠陥が
生じることがなく安定した表面のスタンパーを得ること
が出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスタンパーの金属層を形成する工程を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明のスタンパーの製造工程を示す図であ
る。
る。
【図３】スタンパーを製造工程を示す図である。
【図４】光ディスクの製造工程を示す図である。
【図５】従来のスタンパーの金属層を形成する工程を示
す図である。
す図である。
【図６】従来のスタンパーの製造工程を示す図である。
１ 導電性の皮膜 ２ 電気メッキにより形成されたニッケルの金属
層 ６１ 導電性の膜 ６２ 化学メッキにより形成されたニッケルの金属
膜 ６３ 電気メッキにより形成されたニッケルの金属
層 Ｇ ガラス基板 ＰＲ フォトレジスト Ｄ ディスク ＳＴ スタンパー Ｒ 反射膜 Ｈ 保護層 ＧＭ 成型原盤 Ｋ 金属層 Ｌ レーザ光 ＰＬ フォトレジストの感光部分
層 ６１ 導電性の膜 ６２ 化学メッキにより形成されたニッケルの金属
膜 ６３ 電気メッキにより形成されたニッケルの金属
層 Ｇ ガラス基板 ＰＲ フォトレジスト Ｄ ディスク ＳＴ スタンパー Ｒ 反射膜 Ｈ 保護層 ＧＭ 成型原盤 Ｋ 金属層 Ｌ レーザ光 ＰＬ フォトレジストの感光部分
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】感光部分ＰＬのホトレジストＰＲはレーザ
光Ｌによって分解されて現像処理により感光部分ＰＬの
フォトレジストが溶解されるため、感光部分ＰＬに凹型
のピットが形成され同図（ｃ）に示すようなガラス原盤
ＧＭとされる。次にガラス原盤ＧＭ上に化学メッキを施
した後、電気メッキによりニッケル等の金属層Ｋが図３
（ｄ）のように形成され、この金属層Ｋがガラス原盤Ｇ
Ｍから剥離されて同図（ｅ）に示すようなスタンパーＳ
Ｔとされる。剥離されたスタンパーＳＴは最内周部及び
最外周部が切り落とされ（センターホール及び外形の処
理）、スタンパーの製造工程は終了する。
光Ｌによって分解されて現像処理により感光部分ＰＬの
フォトレジストが溶解されるため、感光部分ＰＬに凹型
のピットが形成され同図（ｃ）に示すようなガラス原盤
ＧＭとされる。次にガラス原盤ＧＭ上に化学メッキを施
した後、電気メッキによりニッケル等の金属層Ｋが図３
（ｄ）のように形成され、この金属層Ｋがガラス原盤Ｇ
Ｍから剥離されて同図（ｅ）に示すようなスタンパーＳ
Ｔとされる。剥離されたスタンパーＳＴは最内周部及び
最外周部が切り落とされ（センターホール及び外形の処
理）、スタンパーの製造工程は終了する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】このように製造されたスタンパーＳＴを用
いて光ディスクを成型する様子を図４を用いて簡単に説
明する。図４において、スタンパーＳＴをプレス機ある
いは射出成型機に取付け、同図（ｂ）に示すように樹脂
製のディスクＤに押圧するか、または樹脂性のディスク
Ｄを射出成型することによって凹凸上のピットが成型さ
れ、ディスクＤが製造される。そして、このディスクＤ
のピット面に光を反射するための金属層Ｒを形成し、さ
らに透明な樹脂による保護層Ｈを設け、センターホール
や外形の処理等がなされて、後で述べるような図４
（ｃ）に示される光ディスクＤが完成する。
いて光ディスクを成型する様子を図４を用いて簡単に説
明する。図４において、スタンパーＳＴをプレス機ある
いは射出成型機に取付け、同図（ｂ）に示すように樹脂
製のディスクＤに押圧するか、または樹脂性のディスク
Ｄを射出成型することによって凹凸上のピットが成型さ
れ、ディスクＤが製造される。そして、このディスクＤ
のピット面に光を反射するための金属層Ｒを形成し、さ
らに透明な樹脂による保護層Ｈを設け、センターホール
や外形の処理等がなされて、後で述べるような図４
（ｃ）に示される光ディスクＤが完成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】又、化学メッキを行うには次亜リン酸ソー
ダを使用するため化学メッキの溶液中にリンが数パーセ
ント含まれ、化学メッキにより形成されたニッケルの層
２の中にこのリンが取り込まれてしまっていた。する
と、リンは硬度が高いため取り込まれたリンによりニッ
ケルの層２中に内部応力が発生してスタンパー表面に微
小欠陥が生じ、そのためスタンパーがそってしまう等の
問題点があった。
ダを使用するため化学メッキの溶液中にリンが数パーセ
ント含まれ、化学メッキにより形成されたニッケルの層
２の中にこのリンが取り込まれてしまっていた。する
と、リンは硬度が高いため取り込まれたリンによりニッ
ケルの層２中に内部応力が発生してスタンパー表面に微
小欠陥が生じ、そのためスタンパーがそってしまう等の
問題点があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】スタンパーの製造工程を示す図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 館脇 政行 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 鈴木 正敏 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】データに応じてピットの形成されたフォト
レジストが表面に付着された基板を、活性度の高いアク
チベータでアクチベートすることにより導電性の皮膜を
形成すると共に活性化し、該導電性の皮膜上に電気メッ
キにより所定の厚さの金属層を形成し、該金属層を前記
基板から剥離することによりスタンパーを製造すること
を特徴とするスタンパーの製造方法。 - 【請求項２】アクチベータが、超微小のコロイド性のア
クチベータを中心として構成されていることを特徴とす
る請求項１記載のスタンパーの製造方法。 - 【請求項３】データに応じてピットの形成されたフォト
レジストが表面に付着された基板を、活性度の高いアク
チベータでアクチベートすることにより導電性の皮膜を
形成すると共に活性化し、該導電性の皮膜上に電気メッ
キにより所定の厚さの金属層を形成し、前記基板から剥
離した該金属層からなることを特徴とするスタンパー。 - 【請求項４】アクチベータが、超微小のコロイド性のア
クチベータを中心として構成されていることを特徴とす
る請求項３記載のスタンパー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2073793A JPH06215422A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | スタンパーの製造方法及びスタンパー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2073793A JPH06215422A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | スタンパーの製造方法及びスタンパー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215422A true JPH06215422A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12035514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2073793A Pending JPH06215422A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | スタンパーの製造方法及びスタンパー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06215422A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003058615A1 (fr) * | 2002-01-08 | 2003-07-17 | Tdk Corporation | Procede de fabrication d'une matrice de pressage pour la fabrication d'un support d'informations, matrice de pressage et disque matrice en resine photosensible |
| WO2003058613A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Tdk Corporation | Procede de fabrication d'une matrice de pressage pour support d'informations, matrice de pressage et disque original photosensible |
| WO2003058614A1 (fr) * | 2002-01-08 | 2003-07-17 | Tdk Corporation | Procede de fabrication de matrice pour faconnage de support d'information, matrice et disque maitre de photoresine |
| US7297472B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP2073793A patent/JPH06215422A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003058613A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Tdk Corporation | Procede de fabrication d'une matrice de pressage pour support d'informations, matrice de pressage et disque original photosensible |
| WO2003058615A1 (fr) * | 2002-01-08 | 2003-07-17 | Tdk Corporation | Procede de fabrication d'une matrice de pressage pour la fabrication d'un support d'informations, matrice de pressage et disque matrice en resine photosensible |
| WO2003058614A1 (fr) * | 2002-01-08 | 2003-07-17 | Tdk Corporation | Procede de fabrication de matrice pour faconnage de support d'information, matrice et disque maitre de photoresine |
| US7204188B2 (en) | 2002-01-08 | 2007-04-17 | Tdk Corporation | Method of manufacturing stamper for manufacturing information medium, stamper, and photoresist master |
| US7297472B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
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