JPH06215380A - 光メディアのマルチビット・セルラ反射率変調 - Google Patents

光メディアのマルチビット・セルラ反射率変調

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JPH06215380A
JPH06215380A JP30838693A JP30838693A JPH06215380A JP H06215380 A JPH06215380 A JP H06215380A JP 30838693 A JP30838693 A JP 30838693A JP 30838693 A JP30838693 A JP 30838693A JP H06215380 A JPH06215380 A JP H06215380A
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cell
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disk
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Sam S Lightstone
サム・サンプソン・ライトストーン
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 より多くのデータを光記憶媒体にコーディン
グする方法を提供する。 【構成】 光記憶媒体は、入射レーザ光を反射する記録
面を有するディスクと、記憶されたデータを表わす複数
のセルから成り、各セルは入射レーザ光に対する2N
所定有効反射率レベルの1つによって特徴づけられる。
ここでN>1であり、Nは1セル当たりの記憶ビット数
を表わす。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には光ディスク
記憶装置に関し、特にCD−ROMとWORM(Write-
Once-Read-Many)ドライブのマルチビット・セルラ反射
率変調に関する。
【0002】
【従来の技術】コンピュータのパワーが増大し、コンピ
ュータが大量のデータを簡単に処理するようになると共
に、大量のデータを格納し検索するニーズが業界のニー
ズになっている。デジタル・データを格納する方法とし
て現在知られているもののなかで最も効果的で簡便な方
法は、光学的媒体を使用することである。ただし、光学
式装置は磁気媒体に比べてデータ検索密度が大幅に増加
してはいるが、記憶率とデータ転送速度を上げるため
に、このような媒体上のデータ記憶密度を更に高めるニ
ーズはなお存在する。
【0003】WORMとCD−ROMのドライブは、デ
ィスク表面上のバイナリ・データのグレー・レベルの変
化を表わすためにピットを用いる。ピットを作成する方
法と媒体のフォーマットはWORMやCD−ROMのシ
ステムによって異なる。ただし、いずれの技術のシステ
ムでも、媒体表面に入射レーザ光の反射は、ピットから
と光学式媒体の平坦な面からとでは異なる。普通、ピッ
トはバブルの形かまたはディスク表面の窪みの形であ
る。
【0004】WORMとCD−ROMのディスクの主な
違いは、WORMディスクが1回のみ書込める物質から
作られる点である。つまり、ユーザは最初にWORMデ
ィスクをフォーマットし、それからディスク上でフォー
マットされるデータを書込む必要がある。逆に光学式媒
体のCD−ROMは読取り専用である。CD−ROMに
記憶される情報は最初、生産現場でマスタ・ディスクに
コピーされ、次にマスタ・ディスクからCD−ROMの
複数のコピーが作られ、エンド・ユーザに供給される。
上記のようにCD−ROMとWORMドライブの主な違
いは、CD−ROMが書込みのためにはフォーマットさ
れず(すなわち、予めデータでフォーマットされてい
る)、書込みができないのに対しWORMディスクには
データを1回書込むことができ、その後何回も読取りが
できるという点である。
【0005】フォーマット済みのCD−ROMとデータ
が記録されているWORMのディスクとは、同じような
ディスク構造にその特徴がある。ディスクは直径約12
0mm、厚み1.2mm、孔の直径は15mmである。
情報はディスク内の小さいピットまたはバブルによって
形成される螺旋として表わされる。その表面は反射層で
覆われ、反射層は更に保護ラッカで覆われている。従来
のピットは、通常、高さまたは深さが0.12μm、幅
が約0.6μmである。ピットまたはバブルの螺旋パタ
ーンは1.6μmの間隔で連続して巻かれる。この間隔
ではトラック密度が1インチ(25.4mm)当たり1
6,000セルになる。各ピットまたはバブルの間はラ
ンドと呼ばれる平坦な領域であり、螺旋内の連続したピ
ットの間の距離は、従来、0.9μm乃至3.3μmの
範囲である。
【0006】CD−ROMとWORMのドライブ上のデ
ータの記録方式には違いがあるにもかかわらず、CD−
ROMやWORMディスクのあるセルからのデータの読
取りの方式は同じである。
【0007】WORMドライブまたはCD−ROMから
データを読取るために、レーザ・ビームがピットまたは
バブルの螺旋トラックに集束し、対物レンズから反射し
て測定される。ピットまたはバブルに当たった光は、レ
ンズに戻る光が極めて少なくなるよう広角に回折する。
しかし、レーザ光が連続したピットの間の平坦なランド
面に集束した時、ほとんどの光は反射して対物レンズに
戻る。光の反射、回折、及び干渉の組合わせにより変調
された信号がディスクに記憶された情報を表わす。反射
した光はレンズに隣接した光検出器によって受光され、
検出器が光の強度に比例した電流を生成する。このよう
に反射した光の信号は、レーザ・ビームがピットからラ
ンドへ、またその逆に移動する毎に変化する。
【0008】全てのデジタル記憶装置の基本的な目的
は、記憶ボリュームすなわち記憶領域に対してデータ密
度すなわち記憶装置の容量を高めることである。従来か
ら知られている通り、データ密度を高めるにはピットま
たはバブルとそれらの間の距離を小さくすればよい。し
かし、読取り時のレーザ光の波長は約0.6ミクロンで
あり、縮小されたピットまたはバブルにビームを集束さ
せる際の制限が大きい。周知のレイリーの原理は、レン
ズの最小分解能を定量化するものであるが、ハイゼンベ
ルグの不確定性原理は、電子のその運動量に対する位置
の不確定性を指摘している。これらの法則に従えば、光
学系の焦点の最小可能分解能は約λ/4πNとされてい
る。ここで、Nはレンズの開口数である。従って、現在
可能なサイズ(λ/2等)よりも小さい光セルを作成す
ることは実質上不可能である。現在の技術よりも高密度
に分布したデータ・セルにレーザ・ビームを集束させる
には量子学的方式がなければならないからである。
【0009】そのため、より多くのデータを光記憶媒体
にコーディングするために様々な試みが成されている。
【0010】例えばIBMの報告書RJ−3287、"F
requency Domain Optical Storage(周波数領域の光記
憶装置)" は、空間スポットそれぞれの周波数スペクト
ルに情報を記憶することによって光記録密度を最大にす
る方法について述べている。
【0011】米国特許第4963464号(Setani)
は、記憶されたデータの2つ以上のビット・ストリーム
のある光媒体を開示している。データのあるビット・ス
トリームは、2つのデータ・ストリームを表わすために
用いられるピットの深さによって別のデータのビット・
ストリームから区別される。従って、螺旋トラック内で
深さが異なるピットをインタリーブすることによって、
2つ以上のデータ・ストリームを同時に記憶することが
できる。しかし、Setaniの特許によると各セルは1ビッ
トのデータを表わす。
【0012】米国特許第5060223号(Segawa)
は、ピットと案内溝の形状が指定された光学式情報記録
媒体を示している。好適な実施例では、ピットの深さが
0.46λ/n乃至0.56λ/nと変化する。Segawa
のシステムは所定のピッチで同心状または螺旋状に形成
されたトラッキング用の案内溝、及び案内溝のほぼ中間
に予めフォーマットして形成されたピットを提供するも
のである。Setaniの特許と同様、これも各セル位置で1
データ・ビットを表わすというにとどまる。
【0013】この他の従来技術は、光記憶媒体のピット
深さを変化させた結果を考慮したものである。例えばI
BMの報告書RC−9860、"Two Dimensional Model
lingof Optical Disk Read-Out(光ディスクの読出しの
二次元モデリング)"は、読出し信号の質に対するデー
タ密度、位相ピット深さ等の影響を調べるモデルを示し
ている。
【0014】IBM Technical Disclosure Bulletin、Vo
l.34、No.10b、3/92、"ThreeLevel Mask Method for
Gray Scale Printing (グレー・スケール・プリントの
ための3レベル・マスク法)" は、光電子印刷等のプロ
セスを伴う用途を考慮した「スーパ・ピクセル」内の光
の吸収と反射の99個の「グレー」レベルを示してい
る。
【0015】Ohtaらによる米国特許第4852076号
は、熱によって変化する光特性を有する薄膜を使用した
光情報記録/再生ディスクを示している。ピットの深さ
と幅は通常、±10%以内であり、ディスクの物質の反
射率はディスク製造時の熱ひずみにより13%乃至23
%の範囲で可変という。
【0016】米国特許第4551828号(Chung
)、"Quadrilayer Optical DRAW Medium(光学式4層
DRAW媒体)" はDRAW媒体のピットの形成を促進
し、同媒体との接続でピット深さと反射率を変化させる
ために用いられる薄い「トリガ」層を示している。
【0017】米国特許第4930116号(Dil )、"R
ecord Carrier ContainingInformation in an Opticall
y Readable Information Structure(光学的に読取り可
能な情報構造のレコード・キャリアを含む情報)" は、
ピット壁の形状が光ディスクに対するデータの格納と検
索にほとんど影響を与えないとしている。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
【0019】
【課題を解決するための手段及び作用】従来技術では、
レーザの出力または強度を変化させることによって、高
さが異なるピットまたはバブルを光ディスク内に形成で
きることが知られている。また、ある高さのピットまた
はバブルは、高さが異なるピットに対して、光読取りヘ
ッドの対物レンズに反射する光の量が異なることも知ら
れている。深さまたは高さが異なるピットによって反射
光の量が異なる理由は、反射された光の散乱、及び入射
レーザ光と同位相である反射光と位相特性がずれたピッ
トからの反射光の干渉が、ピットの深さに依存すること
にある。
【0020】マルチビット・データは、本発明によれば
ピットまたはバブルの深さと特定のマルチビット・シー
ケンスを関連づけることによって、光記憶媒体にコーデ
ィングできることが分かっている。
【0021】本発明のさまざまな態様は次のように定義
される。光記憶装置は、入射レーザ光を反射する記録面
を有するディスクと、記憶されたデータを表わす複数の
セルとから成り、該セルは各々、該レーザ光に対する有
効反射率を示す2N の所定レベルのいずれかによって特
徴づけられる。Nは1より大きく、1セル当たりの格納
ビット数を表わす。
【0022】波長λのレーザ・ビームを利用してWOR
Mディスクにデータをコーディングする方法は次のステ
ップから成る。 a)上記ディスクをフォーマットするステップ、 b)2ビットのデータを、セル・タイプ1、セル・タイ
プ2、セル・タイプ3、セル・タイプ4の4つのセル・
タイプにマッピングするステップ。セル・タイプ1は、
上記レーザ・ビームの第1の所定量を反射する第1の有
効反射率レベルを特徴とし、セル・タイプ2は、該第1
の所定量よりも小さい該レーザ・ビームの第2の所定量
を反射する第2の有効反射率レベルを特徴とし、セル・
タイプ3は、該第2の所定量よりも小さい該レーザ・ビ
ームの第3の所定量を反射する第3の有効反射率レベル
を特徴とし、セル・タイプ4は、該第3の所定量よりも
小さい該レーザ・ビームの第4の所定量を反射する第4
の有効反射率レベルを特徴とするステップ、 c)上記第4の有効反射率レベルのセルを作成するため
に必要な出力の1/3に上記レーザ光をセットするステ
ップ、 d)同時に上記ディスクを第1の回転で回転させ、上記
レーザ光を所定回数パルスして、上記第4の有効反射率
レベルのセルを作成するために必要な出力の1/3で該
レーザ光をセル・タイプ2、セル・タイプ3、及びセル
・タイプ4に照射するステップ、 e)上記ディスクを追加回転させ、セル・タイプ2、セ
ル・タイプ3、及びセル・タイプ4を読取り、しきい値
を超えるセル・タイプ2、セル・タイプ3またはセル・
タイプ4を識別するステップ、 f)同時に上記ディスクを追加回転させ、上記レーザ光
を所定回数パルスして、ステップe)でしきい値を超え
ると識別されたセル・タイプ2、セル・タイプ3、セル
・タイプ4のうち所定のセルを照射するステップ、 g)同時に上記ディスクを追加回転させ、上記レーザ光
を所定回数パルスして、上記第4の有効反射率レベルの
セルを作成するために必要な出力の1/3で該レーザ光
をセル・タイプ3とセル・タイプ4に照射するステッ
プ、 h)上記ディスクを追加回転させセル・タイプ3とセル
・タイプ4を読取り、しきい値を超える該セル・タイプ
3またはセル・タイプ4を識別するステップ、 i)同時に上記ディスクを追加回転させ、上記レーザ光
を所定回数パルスして、ステップh)でしきい値を超え
ると識別されたセル・タイプ3とセル・タイプ4のうち
所定のセルを照射するステップ、 j)同時に上記ディスクを追加回転させ、上記レーザ光
を所定回数パルスして、上記第4の有効反射率レベルの
セルを作成するために必要な出力の1/3で該レーザ光
をセル・タイプ4に照射するステップ、 k)上記ディスクを追加回転させ、セル・タイプ4を読
取り、しきい値を超える該セル・タイプ4を識別するス
テップ、 l)同時に上記ディスクを追加回転させ、上記レーザ光
を所定回数パルスして、ステップk)でしきい値を超え
ると識別されたセル・タイプ4のうち所定のセルを照射
するステップ。
【0023】波長λの低出力レーザ・ビームを使用して
1セル当たり複数のビットの情報を光ディスクから読取
る方法では、該情報が該ディスク内で、セル・タイプ
1、セル・タイプ2、セル・タイプ3、セル・タイプ4
の4つのセル・タイプとしてコーディングされる。セル
・タイプ1は、上記レーザ・ビームの第1の所定量を反
射する第1の有効反射率レベルを特徴とし、セル・タイ
プ2は、該第1の所定量よりも小さい該レーザ・ビーム
の第2の所定量を反射する第2の有効反射率レベルを特
徴とし、セル・タイプ3は、該第2の所定量よりも小さ
い該レーザ・ビームの第3の所定量を反射する第3の有
効反射率レベルを特徴とし、セル・タイプ4は、該第3
の所定量よりも小さい該レーザ・ビームの第4の所定量
を反射する第4の有効反射率レベルを特徴とする。この
方法は次のステップから成る。 a)同時に上記ディスクを回転させて、該ディスクに上
記低出力レーザ・ビームを照射し、該ディスクからの光
の量を変調させる。 b)上記ディスクからの光を検出し、上記セル・タイプ
のそれぞれを表わす4つの2ビット・コードの1つをし
きい値とすることによって該光を変換する。
【0024】本発明の原理は、CD−ROMシステムや
WORMドライブを含めて、あらゆる光記憶システムに
応用できると考えられる。しかし後述するように、本発
明の好適な実施例はWORMドライブを採用した例であ
る。
【0025】
【実施例】上述のように、本発明に従ったシステムは、
光記憶装置にデータ・セルを作成し、各セルが複数のビ
ットの密度によって特徴づけられる。各セルのビット値
を上げることによって、データ密度と読取り率の両方が
N倍増加する。Nは各セル内のビット数である。
【0026】本発明の好適な実施例に従った場合、従来
の技術とは対照的に、各セルについて所定の最小値と最
大値の間の特定の反射係数範囲が得られるように、各セ
ルの有効反射率を変化させることによって、1セル当た
り2ビット以上のデータがコーディングされる。本発明
の明細書中では、有効反射率とは、反射率、散乱、干
渉、及び回折の累積的影響をいう。反射率という用語自
体と、物質の反射率という用語は平坦面を想定した場合
に反射される光の量のみを表わす。例えば典型的な光デ
ィスクは、反射率の最大値が約0.6、最小可能反射率
が約0である。従って、各セル・タイプに異なる有効反
射率を割当てることによって、さまざまな複数ビット・
データ・シーケンスを有効反射率の異なるセルに関連づ
けることができる。詳しくは後述するが、割当てられた
セル・タイプは、一定の値ではなく、有効反射率のある
範囲に一致し、プロセスの変動や不正確さの要因にな
る。しかしながら、セルの有効反射率が、最小値と最大
値の間の所定の範囲に一致する場合は、1つのセルを利
用して、複数ビットのデータの正確な記録と再生が可能
となる。
【0027】図1は本発明に従った光ディスク構造であ
る(CD−ROMまたはWORM)。光ディスクは保護
層2に重なるラベル1と、プラスチック・ポリカーボネ
ート層4に埋め込まれた信号記録面3から成る。
【0028】複数ビット・データは、本発明の重要な態
様に従い、光ディスクの反射面の各セルについて異なる
ピット深さに割当てられている。従って、1セル当たり
2ビットの構造(図1)では、セル・タイプ1(参照符
号8)は、約0の深さによって特徴づけられ、セル・タ
イプ2(参照符号6)は1/3(λ/4)のセル深さ、
セル・タイプ3(参照符号5)は約2/3(λ/4)の
セル深さ、セル・タイプ4(参照符号7)は約λ/4の
セル深さによってそれぞれ特徴づけられる。ここでλは
入射レーザの読取りビームの波長である。
【0029】図2に示すように、ピットを形成する技術
ではなくバブルを形成する媒体を利用することができ
る。バブルを形成する技術は現在の主流であり、一般に
利用しやすく低コストと考えられるからである。ピット
の形成が実現される場合、本発明はバブル形成法ではな
くピット溶融法に通じる媒体のみを使用する。
【0030】図2の好適な実施例によれば有効反射率の
変化は、入射レーザがバブル面に当たった時の散乱効果
によって生じる。逆にピットの場合、優勢な影響は入射
波と反射波の干渉である。図2でセル・タイプ1は参照
符号8' 、セル・タイプ2は符号6'、セル・タイプ3
は符号5'、セル・タイプ4は7' でそれぞれ示した。
【0031】複数ビット値は、本発明の原理に従ってそ
れぞれのセルに割当てることができる。すなわちセル・
タイプ1をビット00、セル・タイプ2をビット01、
セル・タイプ3をビット11、及びセル・タイプ4をビ
ット10で表わすグレー・コードのコーディング方式を
設定することができる。或いはまた、各種の複数ビット
・セル・タイプを使用して、複数ビット・データの値変
化を示すこともできる。例えばセル・タイプ1で複数ビ
ット・データに変化がないことを表わし、セル・タイプ
2で最下位ビットだけを補数化することを、セル・タイ
プ3でデータの両ビットを補数化することを、更にセル
・タイプ4で最上位ビットだけを補数化することを表わ
すことができる。
【0032】図1、図2の1セル当たり2ビットの構造
では、光記憶媒体の読取り率とデータ密度は2倍大きく
なる。
【0033】図1、図2に示した光ディスク構造の特性
は、セル深さを変える他にも従来技術と一致している。
例えばセル箇所は約0.6ミクロンの大きさであり、セ
ルの中心間距離は約0.9ミクロンである。トラックの
間隔は約1.6ミクロンであり、データのトラッキング
に従来の標準的なシステムが利用される。
【0034】図3は、図1、図2の構造に従った異なる
セル・タイプの干渉パターンを示す。有効反射率0.5
の表面について、回折の影響と集束誤差による非効率は
20%と推定される。
【0035】図4は、図1、図2のいずれかの1セル当
たり2ビットの実施例の各セル・タイプの有効反射率
を、エラー・フリーの複数ビット・デコーディングにつ
いて許容できる反射率の最大範囲と共に示す。セル・タ
イプ1は、有効反射率が約0.500±0.0625、
セル・タイプ2は約0.375±0.0625、セル・
タイプ3は約0.250±0.0625、セル・タイプ
4は約0.125±0.0625とそれぞれ特徴づけら
れる。
【0036】本発明の態様に従った方法は、バブルを成
長させる段階的アプローチを通して複数ビット・データ
をWORMディスクにコーディングし、深さが異なるセ
ルを特徴づける。WORMの書込みレーザは図示してい
ないが、好適には集束レンズの開口数が0.6のレーザ
・ダイオード光源である。書込みレーザは、好適には周
知の技術により、記録媒体の特性に応じたレーザ出力の
光を生成する。
【0037】図5は、1セル当たり複数のビットのデー
タをWORMディスクに書込むプロセスを示す。ステッ
プ1では、標準的な方法でWORMディスクがフォーマ
ットされる。
【0038】ステップ2では、WORMドライブが接続
されたコンピュータ上で動作するソフトウェアが、デジ
タル・データを各種セル・タイプ(1、2、3、及び
4)にマッピングする。
【0039】ステップ3では、書込みレーザ出力が所要
出力の1/3にセットされ、1セル当たり1ビットの標
準WORMドライブ上に完全なバブル/ピットを形成す
る。ディスクは1回転させられ、書込みレーザが適当な
回数パルスされ、セル・タイプ2、3、4が1/3のレ
ーザ出力で照射される。
【0040】ステップ4で、書込みヘッドがセル2、
3、4の全てを読取り、しきい値を超えたセルを識別す
る。
【0041】ステップ5では、完全なバブル/ピットを
形成すべくレーザ出力が所要出力の1/8にセットされ
て、ステップ4でしきい値を超えると識別された全ての
セルが1/8のレーザ出力光で照射される。
【0042】ステップ6では、タイプ3、4の全てのセ
ルが1/3出力のレーザ光で照射される。これらのセル
は次に読取られ、しきい値を超えたタイプ3または4の
セルが識別される。
【0043】ステップ8では、4回目の書込みパスとし
て、しきい値を超えたと識別されたタイプ3または4の
全てのセルが再び1/8のレーザ出力で照射される。
【0044】同様の処理がステップ9、10、11で行
なわれ、タイプ4のセルが形成される。
【0045】ステップ12に示す通り、ステップ11の
後、WORMドライブへのデータの書込みが完了する。
【0046】バブルとピットを形成する代表的な書込み
出力は9ミリワットのオーダである。通常、入射光の周
波数範囲は700ナノメートル乃至900ナノメートル
である。従って上述の方法により、0、1/3(λ/
4)、2/3(λ/4)、及びλ/4のオーダの深さの
ピットが形成される。これに代えて、図2に示すよう
に、同様の有効反射率レベルのバブルを形成することも
できる。
【0047】ピットの場合(図1)、ピットの大きさを
慎重に選択することで、ピットの内側から読取りヘッド
の光検出器に反射する光の量を、ピットの外側から光検
出器に反射した光の量に可能な限り一致させることがで
きる。λ/4ではd/b=0.6である。ここでdはセ
ルの大きさ(記録されたピットの直径)、bはレーザ・
ビームの直径の全長乃至1/2(最大)である。ピット
の大きさが最適化されているとすると、干渉はλ/4で
最大になり、光検出器に返る光はなくなる一方、平坦面
によって複合構造干渉(superpositional constructive
interference)が生じ、光検出器に反射される光が最
大になる。図4について説明した通り、大きさが0乃至
λ/4のピットは、出力が最大値と最小値の間の光量を
返す。
【0048】ディスクは書込みサイクルの間に9回循環
するので、本発明に従ってデータをコーディングする書
込みサイクルは、通常のWORMプロセスよりも遅い。
上述の通り、データがディスクに書込まれる時のパスは
6回なので、ピットを形成する全出力の1/3と1/8
のレーザ出力が用いられる。それぞれのパスで更にセル
構造が更新される。従って、データが正しく読取られた
かを検査する3回の読取りパスでは合計9パスになる。
書込みパスが6回で、読取りパスが3回の時、各タイプ
のセルに2回の書込みパスと1回の読取りパスが可能で
あり、セルは4タイプあって、うち1つが平坦であるか
ら、実際に媒体に記録する必要があるセルは3タイプだ
けである。6回の書込みパスを可能にすれば、(3×
n)−2回のパスの後に正しく形成されないセル(すな
わち正しい有効反射率レベルによって特徴づけられなか
ったセル)は、3×nパスの後に形成する必要がある。
読込みパスはパス(3×n)−1で生じる。
【0049】上記のように、WORMディスクのピット
や孔に複数ビット・データをコーディングする方法の変
形として、CMOS VLSI回路の形成に用いられる
ようなマスキング技術を利用して、或いはGaAs M
ESFET VLSI回路の形成に用いられような電子
ビームによるナノ・リソグラフィを利用して、CD−R
OMに複数ビット・データを形成することが考えられ
る。
【0050】CMOS VLSI設計の場合、周知の通
り、素子は層またはアスペクトを0.05ミクロンの精
度で最小にして形成される(ポリシリコンの間隔をとる
ための薄い酸化物の基準等)。同様に電子ビームによる
ナノ・リソグラフィによって形成された素子のフィーチ
ャ・サイズは、CMOS VLSI用に形成された同様
の素子のサイズの約1/10である。本発明の実現に
は、λ/4のオーダの寸法精度(0.6ミクロン等)が
必要なので、適切な寸法のピットが形成可能なことは明
らかである。
【0051】図6は、本発明の原理に従って、CD−R
OM、WORM等の光媒体から1セル当たり複数のビッ
トを読取るプロセスを示す流れ図である。図6について
説明する読取りプロセスは、バブルが形成された光媒体
とピットが形成された光媒体の両方に有効である。
【0052】ステップ1で、低出力の読取りレーザ・ビ
ームが、回転する光ディスクの表面に入射する。上述の
ように、この表面にはセルが含まれ、各セルの深さの特
性により複数ビット・データが表現される。セルはディ
スクが回転中に、標準的な光学的手法によりトラック状
にされる。セルの垂直特性が異なることにより、読取り
ヘッドに返る光の量が変化する。
【0053】好適な実施例では、各セルに2ビットのデ
ータがコーディングされる。一般に、光ディスク上のセ
ル・タイプの数は2N である。Nは各セル内のビット数
である。1セル当たり2ビットの方法では、4タイプの
セルが可能である(平坦なセルを含む)。各セル・タイ
プは読取りヘッドの光検出器に、所定の許容差範囲内の
特定の量の出力を返す。
【0054】ステップ2で、返った光が読取りヘッドの
光検出器によって検出され、しきい値によって、従来の
ような1ビット・コードではなく2ビット・コードに変
換される。このしきい値法はエレクトロニクス分野では
これまでの標準的な方式である。検出された信号は5ボ
ルトの信号に圧縮される(最大信号強度が5ボルト、最
小信号強度が0ボルトで表わされるように)。デコーデ
ィングは信号の電圧範囲を決定する手段によって行なわ
れる(0ボルト乃至1.25ボルト、1.26ボルト乃
至2.5ボルト、2.51ボルト乃至3.75ボルト、
3.76ボルト乃至5.0ボルト等)。次に検出された
信号に応じた2ビット・コードが割当てられる。
【0055】コードは好適な実施例に従って、表1に示
すように、エラー訂正を促進するために、ベースの5ボ
ルトにグレー・コード化される(12ボルトなど適当な
ベースが使用可能)。
【表1】 電圧 ビット・コード 0.00−1.25 00 1.26−2.50 01 2.51−3.75 11 3.76−5.00 10
【0056】図7は、ピーク時の読出しコントラストと
位相ピット深さを示す実験結果である。ここでd/b=
0.6、s/b=1.5、dは記録されたピット直径、
bはビーム直径、sはセル間距離を示す。
【0057】実験からピットまたはバブルで生じる入射
レーザの非集束効果は、しきい値変位が波長の2倍のオ
ーダでなければ有効反射率に大きな影響は与えないこと
がわかっている。本発明の場合、ピットやバブルの高さ
による変動は常に波長の1/2よりも小さく、よって信
号コントラストを劣化させることはない。
【0058】上述のように、本発明の原理は2ビットに
限定されるものではない。ピット/バブルの高さ範囲を
分けて、複数ビット値をそれに割当てることにより、1
セル当たり3、4、5、...ビットが実現可能であ
る。1セル当たりビット数の最大可能値は、許容誤差内
の有効反射率の各範囲をサポートする現在の技術の能力
に依存する。
【0059】好適な実施例では、1セル当たり複数のビ
ットのコーディングを行なうために、WORMドライブ
でデータが書込まれるが、CD−ROMのマスタリング
では、より正確なピット形成方法が得られ、このような
方法によってCD−ROMドライブに用いられるコーデ
ィングされた複数のセルを生成することができる。
【0060】本発明には様々な変更、変形が可能であ
る。例えば図5について述べた書込みプロセスの変形例
として、1/8の出力のレーザ照射の1パスか2パスを
ディスク全体が書込まれた後に、1/8の出力の各書込
みパスの前の1パスに換えることができる。これにより
パスは9回から5回または7回に減少する。
【0061】充分な正確さと速度の書込みサイクル時に
レーザ出力が変調されると、セルは照射箇所(すなわち
セル)に想定されたデータに従ってセットされる1/
3、2/3、3/3のレーザ出力を使用して1パスで形
成される。この後、読取りと書込みのサイクルを続けて
精度を保つことができる。この変形例に従った場合、可
能なパス数を9回から3回または5回に減らすことがで
きる。
【0062】図6で示したピットの読取りプロセスを考
える。ピット深さは、1セル当たり2ビットの好適な実
施例について、0、1/3(λ/4)、2/3(λ/
4)、λ/4として示した。λ/4より大きい深さの利
用も考えられる。例えば0、λ/4+1/3(λ/
4)、λ/4+2/3(λ/4)、及びλ/4のピット
深さが使用できる。ここで図8を参照されたい。またピ
ットの深さは、好適な実施例で述べたグレー・コード値
に限定することはできない。コードをビットの深さや高
さに割当てる唯一の条件は、特定のセル・タイプから返
った読取り信号強度が、しきい値動作の後に読取り器に
よって認識可能でなければならないということである。
従って読取り器が、出力のしきい値の後に有効反射率を
通してそれらを識別できるのであれば、ピット反射率を
どのように組合わせてもよい。
【0063】更にまた、WORMドライブに対する本発
明の方式の応用は、好適な実施例で述べた物質に限定さ
れるものではなく、DRAW媒体に適した任意の物質、
或いは1回でセルを形成する場合に使用できる任意の物
質が利用できる。
【0064】本方式はまた、ダイ・ポリマや位相変化媒
体にも応用できる。例えばダイ・ポリマ・ディスクに
は、書込みと消去のレーザ光を照射時間を変化させて照
射することで、有効反射率の中間レベルをつくることが
できる。同様に再書込み可能な位相変化ディスクには、
熱エネルギのレベルを変化させて加えることで、有効反
射率の中間レベルによって特徴づけられる中間状態(す
なわち非晶質と結晶質の間の状態)をつくることができ
る。
【0065】
【発明の効果】上述のように、本発明に従ったシステム
は、光記憶装置にデータ・セルを作成し、各セルが複数
のビットの密度によって特徴づけられる。各セルのビッ
ト値を上げることによって、データ密度と読取り率の両
方がN倍増加する。Nは各セル内のビット数である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に従って、4つのセル・タ
イプを特徴とするピットがコーディングされた光記録媒
体の構造を表わす断面図である。
【図2】本発明の好適な実施例に従って、高さが異なる
バブルがコーディングされた光記憶装置の断面図であ
る。
【図3】図1、図2のセルの干渉パターンを示す図であ
る。
【図4】図1、図2の構造に示した4つのセル・タイプ
の有効反射率の範囲を示す図である。
【図5】本発明の好適な実施例に従って、1セル当たり
複数のビットのデータの情報を光ディスクに書込むステ
ップを示す流れ図である。
【図6】本発明の好適な実施例に従って、1セル当たり
複数のビットのデータを光ディスクから読取るプロセス
のステップを示す流れ図である。
【図7】図1、図2に示した4つのセル・タイプについ
てピーク時の読出しのコントラストと位相ピット深さを
示す図である。
【図8】ピットがλ/4よりも深い異なるセル・タイプ
について干渉パターンを示す図である。
【符号の説明】
1 ラベル 2 保護層 3 信号記録面 4 プラスチック・ポリカーボネート

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入射レーザ光を反射する記録面を有するデ
    ィスクと、記憶されたデータを表わす複数のセルとを含
    み、N>1であり、Nが1セル当たりの記憶ビット数を
    表わす時、該セルがそれぞれ該レーザ光に対する2N
    所定有効反射率レベルの1つによって特徴づけられる、
    光記憶装置。
  2. 【請求項2】波長λのレーザ・ビームを利用してWOR
    Mディスクにデータをコーディングする方法であって、 a)上記ディスクをフォーマットするステップと、 b)セル・タイプ1が、上記レーザ・ビームの第1の所
    定量を反射する第1の有効反射率レベルによって特徴づ
    けられ、セル・タイプ2が、該第1の所定量よりも少な
    い該レーザ光の第2の所定量を反射する第2の有効反射
    率レベルによって特徴づけられ、セル・タイプ3が、該
    第2の所定量よりも少ない該レーザ光の第3の所定量を
    反射する第3の有効反射率レベルによって特徴づけら
    れ、セル・タイプ4が、該第3の所定量よりも少ない該
    レーザ光の第4の所定量を反射する第4の有効反射率レ
    ベルによって特徴づけられる、セル・タイプ1、セル・
    タイプ2、セル・タイプ3、セル・タイプ4の4つのセ
    ル・タイプに、2ビット・データをマッピングするステ
    ップと、 c)上記レーザ光を上記第4の有効反射率レベルのセル
    を形成するために必要な出力の1/3にセットするステ
    ップと、 d)同時に上記ディスクを第1の回転として回転させ、
    上記レーザ光を所定回数パルスして、該レーザ光を上記
    第4の有効反射率レベルのセルを形成するために必要な
    出力の1/3でセル・タイプ2、セル・タイプ3、及び
    セル・タイプ4に照射するステップと、 e)上記ディスクを追加回転させ、セル・タイプ2、セ
    ル・タイプ3、及びセル・タイプ4を読取り、しきい値
    を超えたセル・タイプ2、セル・タイプ3またはセル・
    タイプ4を識別するステップと、 f)同時に上記ディスクを追加回転させ、上記レーザ光
    を所定回数パルスして、ステップe)でしきい値を超え
    ると識別されたセル・タイプ2、セル・タイプ3、及び
    セル・タイプ4の所定のセルを照射するステップと、 g)同時に上記ディスクを追加回転させ、上記レーザ光
    を所定回数パルスして、上記第4の有効反射率レベルの
    セルを形成するのに必要な出力の1/3でセル・タイプ
    3とセル・タイプ4を照射するステップと、 h)上記ディスクを追加回転させ、セル・タイプ3とセ
    ル・タイプ4を読取り、しきい値を超える該セル・タイ
    プ3またはセル・タイプ4を識別するステップと、 i)同時に上記ディスクを追加回転させ、上記レーザ光
    を所定回数パルスして、ステップh)でしきい値を超え
    ると識別されたセル・タイプ3とセル・タイプ4の所定
    のセルを照射するステップと、 j)同時に上記ディスクを追加回転させ、上記レーザ光
    を所定回数パルスして、上記第4の有効反射率レベルの
    セルを形成するのに必要な出力の1/3で該レーザ光を
    セル・タイプ4に照射するステップと、 k)上記ディスクを追加回転させ、セル・タイプ4を読
    取り、しきい値を超える該セル・タイプ4を識別するス
    テップと、 l)同時に上記ディスクを追加回転させ、上記レーザ光
    を所定回数パルスして、ステップk)でしきい値を超え
    ると識別上記されたセル・タイプ4の所定のセルを照射
    するステップと、 を含むデータ・コーディング方法。
JP30838693A 1992-12-21 1993-12-08 光メディアのマルチビット・セルラ反射率変調 Pending JPH06215380A (ja)

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CA 2085974 CA2085974A1 (en) 1992-12-21 1992-12-21 Multi-bit cellular reflectivity modulation for optical media
CA2085974 1992-12-21

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US7050383B2 (en) 2000-04-04 2006-05-23 Sharp Kabushiki Kaisha Optical recording medium recorded with information in depth direction, and method and apparatus of reproduction therefrom

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