JPH0621287A - 電子部品用パッケージ - Google Patents
電子部品用パッケージInfo
- Publication number
- JPH0621287A JPH0621287A JP4197855A JP19785592A JPH0621287A JP H0621287 A JPH0621287 A JP H0621287A JP 4197855 A JP4197855 A JP 4197855A JP 19785592 A JP19785592 A JP 19785592A JP H0621287 A JPH0621287 A JP H0621287A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- thermal expansion
- package
- package body
- coefficient
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヒートシンク上面をパッケージ本体底面にろ
う付けした際に、パッケージ本体にクラックが生ずるの
を防止できる電子部品用パッケージを得る。 【構成】 ヒートシンク２００に、銅層２４０とモリブ
デン層２２０とを交互に縦に複数積層して形成した積層
材であって、その複数の銅層２４０とモリブデン層２２
０との内端が露出した上面の熱膨張係数をパッケージ本
体１０の熱膨張係数に近似させた積層材を用いる。
う付けした際に、パッケージ本体にクラックが生ずるの
を防止できる電子部品用パッケージを得る。 【構成】 ヒートシンク２００に、銅層２４０とモリブ
デン層２２０とを交互に縦に複数積層して形成した積層
材であって、その複数の銅層２４０とモリブデン層２２
０との内端が露出した上面の熱膨張係数をパッケージ本
体１０の熱膨張係数に近似させた積層材を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ等の電子
部品を収容する電子部品用パッケージに関する。
部品を収容する電子部品用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】上記パッケージは、一般に、図２に示し
たように、セラミックからなるパッケージ本体１０底面
にヒートシンク２０上面を、パッケージ本体１０底面に
備えたメタライズ層１２を介してろう付けして、ヒート
シンク２０でパッケージ本体１０に開口した電子部品３
０収容用のキャビティ４０底面を封じている。そして、
電子部品３０をキャビティ４０底面に露出した高熱伝導
性のヒートシンク２０上面に搭載して、電子部品３０が
発する熱をヒートシンク２０を通してパッケージ外部に
効率良く放散させることができるようにしている。
たように、セラミックからなるパッケージ本体１０底面
にヒートシンク２０上面を、パッケージ本体１０底面に
備えたメタライズ層１２を介してろう付けして、ヒート
シンク２０でパッケージ本体１０に開口した電子部品３
０収容用のキャビティ４０底面を封じている。そして、
電子部品３０をキャビティ４０底面に露出した高熱伝導
性のヒートシンク２０上面に搭載して、電子部品３０が
発する熱をヒートシンク２０を通してパッケージ外部に
効率良く放散させることができるようにしている。
【０００３】このパッケージでは、従来、ヒートシンク
２０に、図２に示したような、熱膨張係数の大きい部材
と熱膨張係数の小さい部材とを交互に横に複数層状に積
層して形成したクラッド材と呼ばれる積層材であって、
その熱膨張係数をセラミックからなるパッケージ本体１
０の熱膨張係数に近似させた積層材を用いている。具体
的には、熱膨張係数αが４．９×１０-6／℃のモリブデ
ン層２２の上下面に熱膨張係数αが１６．５×１０-6／
℃の銅層２４をそれぞれ積層した積層材を用いている。
そして、その積層材からなるヒートシンク２０の熱膨張
係数αを、セラミックからなるパッケージ本体１０の熱
膨張係数αの６．５×１０-6／℃に近似させている。そ
して、ヒートシンク２０とセラミックからなるパッケー
ジ本体１０とを共に高温炉内に入れる等して、ヒートシ
ンク２０上面をパッケージ本体１０底面にろう付けした
際に、両者の熱収縮率の差により、パッケージ本体１０
にヒートシンク２０から過大な応力が加わって、セラミ
ックからなるパッケージ本体１０にクラックが生ずるの
を防いでいる。
２０に、図２に示したような、熱膨張係数の大きい部材
と熱膨張係数の小さい部材とを交互に横に複数層状に積
層して形成したクラッド材と呼ばれる積層材であって、
その熱膨張係数をセラミックからなるパッケージ本体１
０の熱膨張係数に近似させた積層材を用いている。具体
的には、熱膨張係数αが４．９×１０-6／℃のモリブデ
ン層２２の上下面に熱膨張係数αが１６．５×１０-6／
℃の銅層２４をそれぞれ積層した積層材を用いている。
そして、その積層材からなるヒートシンク２０の熱膨張
係数αを、セラミックからなるパッケージ本体１０の熱
膨張係数αの６．５×１０-6／℃に近似させている。そ
して、ヒートシンク２０とセラミックからなるパッケー
ジ本体１０とを共に高温炉内に入れる等して、ヒートシ
ンク２０上面をパッケージ本体１０底面にろう付けした
際に、両者の熱収縮率の差により、パッケージ本体１０
にヒートシンク２０から過大な応力が加わって、セラミ
ックからなるパッケージ本体１０にクラックが生ずるの
を防いでいる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記パ
ッケージにおいては、ヒートシンク２０上面をパッケー
ジ本体１０底面にろう付けした際に、セラミックからな
るパッケージ本体１０にクラックが生ずるのを避けがた
かった。このことは、複数の電子部品３０を収容するマ
ルチチップタイプパッケージ用の大型のパッケージ本体
１０において頻繁に生じた。
ッケージにおいては、ヒートシンク２０上面をパッケー
ジ本体１０底面にろう付けした際に、セラミックからな
るパッケージ本体１０にクラックが生ずるのを避けがた
かった。このことは、複数の電子部品３０を収容するマ
ルチチップタイプパッケージ用の大型のパッケージ本体
１０において頻繁に生じた。
【０００５】その原因を追求すると、ヒートシンク２０
上面に露出した伸縮性に優れた銅層２４がバッファ（緩
衝材）の役割を果たすものの、パッケージ本体１０底面
に直接にろう付けするヒートシンク２０上面に露出した
銅層２４は、前述のように、その熱膨張係数αが、セラ
ミックからなるパッケージ本体１０の熱膨張係数αの約
２．５倍以上大きく、そのような熱膨張係数αが非常に
大きな銅層２４を熱膨張係数αの小さいパッケージ本体
１０底面にろう付けした際には、両者の熱収縮率の差に
より銅層２４からパッケージ本体１０に過大な応力が加
わって、セラミックからなるパッケージ本体１０にクラ
ックが生じてしまうことが判明した。
上面に露出した伸縮性に優れた銅層２４がバッファ（緩
衝材）の役割を果たすものの、パッケージ本体１０底面
に直接にろう付けするヒートシンク２０上面に露出した
銅層２４は、前述のように、その熱膨張係数αが、セラ
ミックからなるパッケージ本体１０の熱膨張係数αの約
２．５倍以上大きく、そのような熱膨張係数αが非常に
大きな銅層２４を熱膨張係数αの小さいパッケージ本体
１０底面にろう付けした際には、両者の熱収縮率の差に
より銅層２４からパッケージ本体１０に過大な応力が加
わって、セラミックからなるパッケージ本体１０にクラ
ックが生じてしまうことが判明した。
【０００６】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、ヒートシンク上面をパッケージ本体底面にろ
う付けした際に、パッケージ本体にクラックが生じて、
パッケージ本体の気密性が損なわれるのを的確に防止で
きる電子部品用パッケージ（以下、パッケージという）
を提供することを目的としている。
たもので、ヒートシンク上面をパッケージ本体底面にろ
う付けした際に、パッケージ本体にクラックが生じて、
パッケージ本体の気密性が損なわれるのを的確に防止で
きる電子部品用パッケージ（以下、パッケージという）
を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のパッケージは、セラミックからなるパッケ
ージ本体底面にヒートシンク上面をろう付けして、その
ヒートシンクで前記パッケージ本体に開口した電子部品
収容用のキャビティ底面を封じた電子部品用パッケージ
において、前記ヒートシンクに、熱膨張係数の大きい部
材と熱膨張係数の小さい部材とを交互に縦に複数層状に
積層して形成した積層材であって、その熱膨張係数の異
なる複数の部材内端が露出した上面の熱膨張係数を前記
パッケージ本体の熱膨張係数に近似させた積層材を用い
たことを特徴としている。
に、本発明のパッケージは、セラミックからなるパッケ
ージ本体底面にヒートシンク上面をろう付けして、その
ヒートシンクで前記パッケージ本体に開口した電子部品
収容用のキャビティ底面を封じた電子部品用パッケージ
において、前記ヒートシンクに、熱膨張係数の大きい部
材と熱膨張係数の小さい部材とを交互に縦に複数層状に
積層して形成した積層材であって、その熱膨張係数の異
なる複数の部材内端が露出した上面の熱膨張係数を前記
パッケージ本体の熱膨張係数に近似させた積層材を用い
たことを特徴としている。
【０００８】本発明のパッケージにおいては、ヒートシ
ンクに、銅とモリブデンとを交互に縦に複数層状に積層
して形成した積層材を用いることを好適としている。
ンクに、銅とモリブデンとを交互に縦に複数層状に積層
して形成した積層材を用いることを好適としている。
【０００９】
【作用】上記構成のパッケージにおいては、ヒートシン
クに、熱膨張係数の大きい部材と熱膨張係数の小さい部
材とを交互に縦に複数層状に積層して形成した積層材で
あって、その熱膨張係数の異なる複数の部材内端が露出
した上面の熱膨張係数をパッケージ本体の熱膨張係数に
近似させた積層材を用いている。
クに、熱膨張係数の大きい部材と熱膨張係数の小さい部
材とを交互に縦に複数層状に積層して形成した積層材で
あって、その熱膨張係数の異なる複数の部材内端が露出
した上面の熱膨張係数をパッケージ本体の熱膨張係数に
近似させた積層材を用いている。
【００１０】そのため、ヒートシンク上面の熱膨張係数
が、ヒートシンク上面に露出した複数の熱膨張係数の大
きい部材と熱膨張係数の小さい部材との平均的な値とな
る。言い換えれば、ヒートシンク上面の熱膨張係数が、
上記熱膨張係数の大きい部材と熱膨張係数の小さい部材
との中間の熱膨張係数を持つセラミックからなるパッケ
ージ本体の熱膨張係数に近似した値となる。
が、ヒートシンク上面に露出した複数の熱膨張係数の大
きい部材と熱膨張係数の小さい部材との平均的な値とな
る。言い換えれば、ヒートシンク上面の熱膨張係数が、
上記熱膨張係数の大きい部材と熱膨張係数の小さい部材
との中間の熱膨張係数を持つセラミックからなるパッケ
ージ本体の熱膨張係数に近似した値となる。
【００１１】その結果、ヒートシンク上面をパッケージ
本体底面にろう付けした際に、それらの間の熱収縮率の
差が小さくなって、ヒートシンクからパッケージ本体に
過大な応力が加わるのが防止される。
本体底面にろう付けした際に、それらの間の熱収縮率の
差が小さくなって、ヒートシンクからパッケージ本体に
過大な応力が加わるのが防止される。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。図１は本発明のパッケージの好適な実施例を示し、
詳しくはその正面断面図を示している。以下に、このパ
ッケージを説明する。
る。図１は本発明のパッケージの好適な実施例を示し、
詳しくはその正面断面図を示している。以下に、このパ
ッケージを説明する。
【００１３】図において、１０は、セラミックからなる
パッケージ本体である。
パッケージ本体である。
【００１４】パッケージ本体１０底面には、メタライズ
層１２を広く層状に備えている。
層１２を広く層状に備えている。
【００１５】メタライズ層１２には、ろう材に濡れやす
いニッケルめっき等のめっきを施している。
いニッケルめっき等のめっきを施している。
【００１６】パッケージ本体１０底面には、該底面に備
えた上記メタライズ層１２を介してヒートシンク２００
上面をろう付けしている。そして、ヒートシンク２００
で、パッケージ本体１０に開口した電子部品３０収容用
のキャビティ４０底面を気密に封じている。
えた上記メタライズ層１２を介してヒートシンク２００
上面をろう付けしている。そして、ヒートシンク２００
で、パッケージ本体１０に開口した電子部品３０収容用
のキャビティ４０底面を気密に封じている。
【００１７】以上の構成は、既述従来のパッケージと同
様であるが、図１のパッケージでは、ヒートシンク２０
０に、熱膨張係数の大きい高熱伝導性の銅層２４０と熱
膨張係数の小さいモリブデン層２２０とを交互に縦に複
数積層して形成した積層材であって、その複数の銅層２
４０とモリブデン層２２０との内端を上面に露出させた
積層材を用いている。そして、ヒートシンク２００上面
の熱膨張係数を、ヒートシンク２００上面に露出させた
銅層２４０の熱膨張係数とモリブデン層２２０の熱膨張
係数とを平均化した、セラミックからなるパッケージ本
体１０の熱膨張係数に近似させている。そして、パッケ
ージ本体１０底面にヒートシンク２００上面をろう付け
した際に、ヒートシンク２００からパッケージ本体１０
に過大な応力が加わって、セラミックからなるパッケー
ジ本体１０にクラックが生ずるのを防いでいる。
様であるが、図１のパッケージでは、ヒートシンク２０
０に、熱膨張係数の大きい高熱伝導性の銅層２４０と熱
膨張係数の小さいモリブデン層２２０とを交互に縦に複
数積層して形成した積層材であって、その複数の銅層２
４０とモリブデン層２２０との内端を上面に露出させた
積層材を用いている。そして、ヒートシンク２００上面
の熱膨張係数を、ヒートシンク２００上面に露出させた
銅層２４０の熱膨張係数とモリブデン層２２０の熱膨張
係数とを平均化した、セラミックからなるパッケージ本
体１０の熱膨張係数に近似させている。そして、パッケ
ージ本体１０底面にヒートシンク２００上面をろう付け
した際に、ヒートシンク２００からパッケージ本体１０
に過大な応力が加わって、セラミックからなるパッケー
ジ本体１０にクラックが生ずるのを防いでいる。
【００１８】具体的には、積層材からなるヒートシンク
２００の長さを２０ｍｍとした場合は、厚さ０．２ｍｍ
の銅層と厚さ１．２３ｍｍのモリブデン層とを交互に縦
に１４枚ずつ積層してヒートシンク２００を形成してい
る。そして、長さ２０ｍｍのヒートシンク２００当たり
の銅層２４０の合計厚さを２．８ｍｍとし、モリブデン
層２２０の合計厚さを１７．２ｍｍとしている。
２００の長さを２０ｍｍとした場合は、厚さ０．２ｍｍ
の銅層と厚さ１．２３ｍｍのモリブデン層とを交互に縦
に１４枚ずつ積層してヒートシンク２００を形成してい
る。そして、長さ２０ｍｍのヒートシンク２００当たり
の銅層２４０の合計厚さを２．８ｍｍとし、モリブデン
層２２０の合計厚さを１７．２ｍｍとしている。
【００１９】このように、積層材からなるヒートシンク
２００における銅層２４０とモリブデン層２２０との厚
さと積層数とをそれぞれ規定しているのは、次の理由に
基づく。
２００における銅層２４０とモリブデン層２２０との厚
さと積層数とをそれぞれ規定しているのは、次の理由に
基づく。
【００２０】熱膨張係数の異なる部材を複数層状に積層
して形成した積層材の熱膨張係数αは、一般に次式で近
似された値となることが知られている。
して形成した積層材の熱膨張係数αは、一般に次式で近
似された値となることが知られている。
【００２１】
【数１】α＝α1 Ｖ1 ＋α2 Ｖ2 ＋…αn Ｖn αi : 部材の熱膨張係数 Ｖi : 部材の厚み比率
【００２２】従って、熱膨張係数α1 が１６．５×１０
-6／℃の銅層２４０と、熱膨張係数α2 が４．９×１０
-6／℃のモリブデン層２２０とを交互に複数積層して形
成した積層材の熱膨張係数αを、セラミックからなるパ
ッケージ本体１０の熱膨張係数αの６．５×１０-6／℃
に近似させようとすると、銅層２４０とモリブデン層２
２０との厚み比率を１４：８６にすれば良い。そのため
には、ヒートシンク２００の銅層２４０とモリブデン層
２２０との積層方向に当たるヒートシンク２００の長さ
を２０ｍｍとした場合は、ヒートシンク２００中に占め
る銅層２４０の厚さを約２．８ｍｍ、モリブデン層２２
０の厚さを１７．２ｍｍとすれば良い。従って、銅層２
４０とモリブデン層２２０とを交互に縦に複数積層し
て、長さ２０ｍｍのヒートシンク２００を形成する場合
は、厚さ０．２ｍｍの銅層２４０と厚さ１．２３ｍｍの
モリブデン層２２０とを交互に１４枚ずつ積層してヒー
トシンク２００を形成すれば良いからである。
-6／℃の銅層２４０と、熱膨張係数α2 が４．９×１０
-6／℃のモリブデン層２２０とを交互に複数積層して形
成した積層材の熱膨張係数αを、セラミックからなるパ
ッケージ本体１０の熱膨張係数αの６．５×１０-6／℃
に近似させようとすると、銅層２４０とモリブデン層２
２０との厚み比率を１４：８６にすれば良い。そのため
には、ヒートシンク２００の銅層２４０とモリブデン層
２２０との積層方向に当たるヒートシンク２００の長さ
を２０ｍｍとした場合は、ヒートシンク２００中に占め
る銅層２４０の厚さを約２．８ｍｍ、モリブデン層２２
０の厚さを１７．２ｍｍとすれば良い。従って、銅層２
４０とモリブデン層２２０とを交互に縦に複数積層し
て、長さ２０ｍｍのヒートシンク２００を形成する場合
は、厚さ０．２ｍｍの銅層２４０と厚さ１．２３ｍｍの
モリブデン層２２０とを交互に１４枚ずつ積層してヒー
トシンク２００を形成すれば良いからである。
【００２３】ろう材に濡れにくいモリブデン層２２０上
端が上面に露出した積層材からなるヒートシンク２００
には、ろう材に濡れやすいニッケルめっき等のめっきを
施している。そして、そのめっきを施したヒートシンク
２００上面をパッケージ本体１０底面に備えたろう材に
濡れやすいめっきを施したメタライズ層１２に強固にろ
う付けしている。
端が上面に露出した積層材からなるヒートシンク２００
には、ろう材に濡れやすいニッケルめっき等のめっきを
施している。そして、そのめっきを施したヒートシンク
２００上面をパッケージ本体１０底面に備えたろう材に
濡れやすいめっきを施したメタライズ層１２に強固にろ
う付けしている。
【００２４】図１に示したパッケージは、以上のように
構成している。
構成している。
【００２５】なお、上述パッケージのヒートシンク２０
０には、熱膨張係数の大きい高熱伝導率の銅層と熱膨張
係数の小さいコバール（鉄―ニッケル―コバルト合金）
とを交互に縦に複数積層して形成した積層材であって、
その複数の銅層とコバール層との内端が露出した上面の
熱膨張係数をセラミックからなるパッケージ本体１０の
熱膨張係数に近似させた積層材等を用いても良く、その
ようにしても、上述パッケージと同様な作用を持つパッ
ケージを形成できる。
０には、熱膨張係数の大きい高熱伝導率の銅層と熱膨張
係数の小さいコバール（鉄―ニッケル―コバルト合金）
とを交互に縦に複数積層して形成した積層材であって、
その複数の銅層とコバール層との内端が露出した上面の
熱膨張係数をセラミックからなるパッケージ本体１０の
熱膨張係数に近似させた積層材等を用いても良く、その
ようにしても、上述パッケージと同様な作用を持つパッ
ケージを形成できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のパッケー
ジにおいては、パッケージ本体底面に積層材からなるヒ
ートシンク上面をろう付けした際に、ヒートシンクから
パッケージ本体に過大な応力が加わって、セラミックか
らなるパッケージ本体にクラックが生じ、パッケージ本
体の気密性が損なわれるのを的確に防止できる。
ジにおいては、パッケージ本体底面に積層材からなるヒ
ートシンク上面をろう付けした際に、ヒートシンクから
パッケージ本体に過大な応力が加わって、セラミックか
らなるパッケージ本体にクラックが生じ、パッケージ本
体の気密性が損なわれるのを的確に防止できる。
【００２７】そのため、本発明のパッケージによれば、
単数の電子部品を収容するパッケージ用の小型のパッケ
ージ本体底面は勿論、複数の電子部品を収容するマルチ
チップタイプパッケージ用の大型のパッケージ本体底面
にも、積層材からなるヒートシンク上面を、パッケージ
本体にクラックを生じさせずに、ろう付けすることがで
きる。そして、銅等の高熱伝導率の部材を用いた高熱伝
導性の積層材からなるヒートシンクでパッケージ本体の
キャビティ底面を封じた、高熱放散性、高信頼性のパッ
ケージを提供可能となる。
単数の電子部品を収容するパッケージ用の小型のパッケ
ージ本体底面は勿論、複数の電子部品を収容するマルチ
チップタイプパッケージ用の大型のパッケージ本体底面
にも、積層材からなるヒートシンク上面を、パッケージ
本体にクラックを生じさせずに、ろう付けすることがで
きる。そして、銅等の高熱伝導率の部材を用いた高熱伝
導性の積層材からなるヒートシンクでパッケージ本体の
キャビティ底面を封じた、高熱放散性、高信頼性のパッ
ケージを提供可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のパッケージの正面断面図である。
【図２】従来のパッケージの正面断面図である。
１０ パッケージ本体 ２０、２００ ヒートシンク ２２、２２０ モリブデン層 ２４、２４０ 銅層 ４０ キャビティ
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミックからなるパッケージ本体底面
にヒートシンク上面をろう付けして、そのヒートシンク
で前記パッケージ本体に開口した電子部品収容用のキャ
ビティ底面を封じた電子部品用パッケージにおいて、前
記ヒートシンクに、熱膨張係数の大きい部材と熱膨張係
数の小さい部材とを交互に縦に複数層状に積層して形成
した積層材であって、その熱膨張係数の異なる複数の部
材内端が露出した上面の熱膨張係数を前記パッケージ本
体の熱膨張係数に近似させた積層材を用いたことを特徴
とする電子部品用パッケージ。 - 【請求項２】 ヒートシンクに、銅とモリブデンとを交
互に縦に複数層状に積層して形成した積層材を用いた請
求項１記載の電子部品用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4197855A JPH0621287A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 電子部品用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4197855A JPH0621287A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 電子部品用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621287A true JPH0621287A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16381460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4197855A Pending JPH0621287A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 電子部品用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621287A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5844310A (en) * | 1996-08-09 | 1998-12-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Heat spreader semiconductor device with heat spreader and method for producing same |
| US10217977B2 (en) | 2010-07-13 | 2019-02-26 | Apple Inc. | Battery pack with cells of different capacities electrically coupled in parallel |
| US10749155B2 (en) | 2015-05-14 | 2020-08-18 | Apple Inc. | Packaging of bare cell stacks within device enclosures for portable electronic devices |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP4197855A patent/JPH0621287A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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