JPH06211598A - シリコン単結晶およびその熱処理方法 - Google Patents
シリコン単結晶およびその熱処理方法Info
- Publication number
- JPH06211598A JPH06211598A JP680193A JP680193A JPH06211598A JP H06211598 A JPH06211598 A JP H06211598A JP 680193 A JP680193 A JP 680193A JP 680193 A JP680193 A JP 680193A JP H06211598 A JPH06211598 A JP H06211598A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- single crystal
- silicon single
- oxygen
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ
法）により製造された酸素析出が抑制されたシリコン単
結晶およびその熱処理方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶を１
２００℃〜１４００℃の高温で熱処理し、続いて９５０
℃〜１１００℃の温度域で熱処理を行う。好ましくは、
１２００℃〜１４００℃の高温で熱処理した後、室温ま
で降温することなく引き続き９５０℃〜１１００℃の熱
処理を行う。１２００℃〜１４００℃の高温での熱処理
時間は１０分以上で効果がみられるが、好ましくは３０
分以上である。また９５０℃〜１１００℃の熱処理時間
は１分以上で効果がみられるが、好ましくは１０分以上
である。シリコン単結晶はウェーハであってもインゴッ
トあるいはブロックであっても良い。
法）により製造された酸素析出が抑制されたシリコン単
結晶およびその熱処理方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶を１
２００℃〜１４００℃の高温で熱処理し、続いて９５０
℃〜１１００℃の温度域で熱処理を行う。好ましくは、
１２００℃〜１４００℃の高温で熱処理した後、室温ま
で降温することなく引き続き９５０℃〜１１００℃の熱
処理を行う。１２００℃〜１４００℃の高温での熱処理
時間は１０分以上で効果がみられるが、好ましくは３０
分以上である。また９５０℃〜１１００℃の熱処理時間
は１分以上で効果がみられるが、好ましくは１０分以上
である。シリコン単結晶はウェーハであってもインゴッ
トあるいはブロックであっても良い。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチョクラルスキー法（以
下、ＣＺ法）により製造された酸素析出が抑制されたシ
リコン単結晶およびその熱処理方法に関する。
下、ＣＺ法）により製造された酸素析出が抑制されたシ
リコン単結晶およびその熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶
中には過飽和な酸素が含まれている。この過飽和酸素は
ＬＳＩ製造工程の熱処理中に析出し、酸素析出物を発生
させる。この析出物が素子形成領域に導入されると、接
合リークなどの特性劣化を引き起こし、素子にとって有
害な役割を果す。従って、歩留よくＬＳＩを製造するた
めには、酸素の析出量を抑制することが重要である。
中には過飽和な酸素が含まれている。この過飽和酸素は
ＬＳＩ製造工程の熱処理中に析出し、酸素析出物を発生
させる。この析出物が素子形成領域に導入されると、接
合リークなどの特性劣化を引き起こし、素子にとって有
害な役割を果す。従って、歩留よくＬＳＩを製造するた
めには、酸素の析出量を抑制することが重要である。
【０００３】酸素析出を調査する熱処理としては、Ｎ2
ガス雰囲気中８００℃、４時間に加え、Ｎ2 ガス雰囲気
中１０００℃、１６時間の熱処理（以下、酸素析出熱処
理）が一般的に行われている。
ガス雰囲気中８００℃、４時間に加え、Ｎ2 ガス雰囲気
中１０００℃、１６時間の熱処理（以下、酸素析出熱処
理）が一般的に行われている。
【０００４】酸素析出熱処理を施す前のシリコン単結晶
中の固溶酸素濃度（以下、初期酸素濃度）をＡ×１０17
ａｔｏｍｓ／ｃｃ（日本電子工業振興協会による酸素濃
度換算係数に基づき算出）とし、酸素析出熱処理を施し
た後の析出酸素量をＢ×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｃとした
場合、従来技術においては、Ａが８．５以上であるなら
ば、試料を採取したシリコン単結晶インゴット部位に関
係なく、
中の固溶酸素濃度（以下、初期酸素濃度）をＡ×１０17
ａｔｏｍｓ／ｃｃ（日本電子工業振興協会による酸素濃
度換算係数に基づき算出）とし、酸素析出熱処理を施し
た後の析出酸素量をＢ×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｃとした
場合、従来技術においては、Ａが８．５以上であるなら
ば、試料を採取したシリコン単結晶インゴット部位に関
係なく、
【０００５】
【数１】
【０００６】の関係が成り立ち、デバイス特性に有害な
酸素析出を抑制することができなかった。
酸素析出を抑制することができなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明は、ＣＺ
法により製造された酸素析出を抑制されたシリコン単結
晶、およびＣＺ法より製造されたシリコン単結晶に対し
て行なわれる酸素析出を抑制する新規な熱処理方法を提
供することを目的とする。
法により製造された酸素析出を抑制されたシリコン単結
晶、およびＣＺ法より製造されたシリコン単結晶に対し
て行なわれる酸素析出を抑制する新規な熱処理方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決しようとするための手段】上記目的を達成
するために本発明においては、ＣＺ法により製造された
シリコン単結晶を１２００℃〜１４００℃の高温で熱処
理し、つづいて９５０℃〜１１００℃の温度域で熱処理
を行う。好ましくは、１２００℃〜１４００℃の高温で
熱処理した後、室温に降温することなく引き続き９５０
〜１１００℃の熱処理を行う。１２００℃〜１４００℃
の高温での熱処理時間は１０分以上で効果が見られる
が、好ましくは３０分以上である。また９５０〜１１０
０℃の熱処理時間は１分以上で効果が見られるが、好ま
しくは１０分以上である。シリコン単結晶はウェーハで
あってもインゴットあるいはブロックであっても良い。
するために本発明においては、ＣＺ法により製造された
シリコン単結晶を１２００℃〜１４００℃の高温で熱処
理し、つづいて９５０℃〜１１００℃の温度域で熱処理
を行う。好ましくは、１２００℃〜１４００℃の高温で
熱処理した後、室温に降温することなく引き続き９５０
〜１１００℃の熱処理を行う。１２００℃〜１４００℃
の高温での熱処理時間は１０分以上で効果が見られる
が、好ましくは３０分以上である。また９５０〜１１０
０℃の熱処理時間は１分以上で効果が見られるが、好ま
しくは１０分以上である。シリコン単結晶はウェーハで
あってもインゴットあるいはブロックであっても良い。
【０００９】このような方法で得られる本発明のシリコ
ン単結晶は、初期酸素濃度をＡ×１０17ａｔｏｍｓ／ｃ
ｃが８．５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上であっても、
酸素析出熱処理を施した後の酸素析出量Ｂ×１０17ａｔ
ｏｍｓ／ｃｃが、 Ｂ＜１．５×Ａ−１２ （第二式。本発明のＣＺシリコ
ン単結晶の場合） の関係を示し、酸素析出が抑制されている。なおこの式
は、熱処理試験データから帰納的に得たものである。
ン単結晶は、初期酸素濃度をＡ×１０17ａｔｏｍｓ／ｃ
ｃが８．５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上であっても、
酸素析出熱処理を施した後の酸素析出量Ｂ×１０17ａｔ
ｏｍｓ／ｃｃが、 Ｂ＜１．５×Ａ−１２ （第二式。本発明のＣＺシリコ
ン単結晶の場合） の関係を示し、酸素析出が抑制されている。なおこの式
は、熱処理試験データから帰納的に得たものである。
【００１０】
【作用】ＣＺ法によるシリコン単結晶育成過程において
は、融点から１２００℃までの高温域において酸素析出
核が形成され、１２００℃〜１１００℃および９５０℃
以下の温度域でその析出核を中心として過飽和な固溶酸
素原子が析出する。一方、１１００℃〜９５０℃の温度
域では、融点から１２００℃までに形成された酸素析出
核の分解反応が行われる。
は、融点から１２００℃までの高温域において酸素析出
核が形成され、１２００℃〜１１００℃および９５０℃
以下の温度域でその析出核を中心として過飽和な固溶酸
素原子が析出する。一方、１１００℃〜９５０℃の温度
域では、融点から１２００℃までに形成された酸素析出
核の分解反応が行われる。
【００１１】通常の方法で育成されるＣＺシリコン単結
晶は、育成過程において１１００℃〜９５０℃の温度域
の滞在時間が短いため、高温で形成された酸素析出核が
分解することなく９５０℃以下に到達し、酸素析出が進
行する。育成したままの状態であっても、単結晶内には
微小な酸素析出物が形成されている。そのため、育成し
たままの状態の通常のシリコン単結晶を９５０℃〜１１
００℃の温度で熱処理しても、析出物は分解することな
く成長が進行する。
晶は、育成過程において１１００℃〜９５０℃の温度域
の滞在時間が短いため、高温で形成された酸素析出核が
分解することなく９５０℃以下に到達し、酸素析出が進
行する。育成したままの状態であっても、単結晶内には
微小な酸素析出物が形成されている。そのため、育成し
たままの状態の通常のシリコン単結晶を９５０℃〜１１
００℃の温度で熱処理しても、析出物は分解することな
く成長が進行する。
【００１２】一方、育成したままの状態の通常のシリコ
ン単結晶を１２００℃以上の高温に保持することにより
酸素析出核に集積していた酸素原子を固溶状態に戻し、
析出核を露出させ、その後９５０〜１１００℃の温度で
熱処理を行うと、析出核が分解反応により減少し、酸素
析出が抑制される。
ン単結晶を１２００℃以上の高温に保持することにより
酸素析出核に集積していた酸素原子を固溶状態に戻し、
析出核を露出させ、その後９５０〜１１００℃の温度で
熱処理を行うと、析出核が分解反応により減少し、酸素
析出が抑制される。
【００１３】このとき、１２００℃以上の高温に保持し
た後、室温まで降温することなく９５０〜１１００℃の
温度域で熱処理を行えば、析出の進行を完全に抑えるこ
とができるため、析出抑制効果はより大きくなる。
た後、室温まで降温することなく９５０〜１１００℃の
温度域で熱処理を行えば、析出の進行を完全に抑えるこ
とができるため、析出抑制効果はより大きくなる。
【００１４】これら一連の現象は表面に関係なく生じる
ため、本発明に係わる熱処理にかけられるシリコン単結
晶は、ウェーハであってもインゴットあるいはブロック
であっても同等の効果が得られる。
ため、本発明に係わる熱処理にかけられるシリコン単結
晶は、ウェーハであってもインゴットあるいはブロック
であっても同等の効果が得られる。
【００１５】
実施例１：シリコンウェーハでの酸素析出抑制効果 使用したウェーハは次の通りである。 伝導型：ｐ型（ボロンドープ） 結晶径（ウェーハ径）：６インチ（１５０ｍｍ） 抵抗率：１０Ω・ｃｍ 酸素濃度：９．３〜９．５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｃ
（日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用い
て算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｃ（日本電
子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） 熱処理を施すウェーハの厚み：２．０（ｍｍ） このウェーハを複数枚用意し、それぞれ次の析出抑制熱
処理を行った。 熱処理温度：１３５０℃ 熱処理時間：１２０分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行なったあと室温まで降温し、続いて 熱処理温度：１０００℃ 熱処理時間：１分，１０分，３０分，１００分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行なった。
（日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用い
て算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｃ（日本電
子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） 熱処理を施すウェーハの厚み：２．０（ｍｍ） このウェーハを複数枚用意し、それぞれ次の析出抑制熱
処理を行った。 熱処理温度：１３５０℃ 熱処理時間：１２０分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行なったあと室温まで降温し、続いて 熱処理温度：１０００℃ 熱処理時間：１分，１０分，３０分，１００分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行なった。
【００１６】次に、酸素析出評価熱処理として次の熱処
理を行った。 熱処理温度：８００℃ 熱処理時間：４時間 熱処理雰囲気：Ｎ2 の条件で熱処理を行ったあと室温まで降温し、続いて 熱処理温度：１０００℃ 熱処理時間：１６時間 熱処理雰囲気：Ｎ2 の条件で熱処理を行った。
理を行った。 熱処理温度：８００℃ 熱処理時間：４時間 熱処理雰囲気：Ｎ2 の条件で熱処理を行ったあと室温まで降温し、続いて 熱処理温度：１０００℃ 熱処理時間：１６時間 熱処理雰囲気：Ｎ2 の条件で熱処理を行った。
【００１７】これらの場合の酸素析出量を測定し、図１
に示した。これらの析出酸素量Ｂ×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｃはいずれも、第二式の初期酸素濃度Ａ×０17ａｔｏ
ｍｓ／ｃｃにＡ＝９．５を代入した、 Ｂ＜１．５×９．５＝１２＝２．２５ の関係を満たし、析出が抑制されていることを示してい
る。また、熱処理時間が長いほど抑制効果が強くなるこ
とがわかる。
に示した。これらの析出酸素量Ｂ×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｃはいずれも、第二式の初期酸素濃度Ａ×０17ａｔｏ
ｍｓ／ｃｃにＡ＝９．５を代入した、 Ｂ＜１．５×９．５＝１２＝２．２５ の関係を満たし、析出が抑制されていることを示してい
る。また、熱処理時間が長いほど抑制効果が強くなるこ
とがわかる。
【００１８】比較例１ ＣＺ法で育成されたシリコンインゴットの種結晶側から
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、熱処理工程およびを行わず、熱処理工
程およびのみを行って析出酸素量を測定し、実施例
１と共に図１に示した。これらの析出酸素量はいずれも
第１式の関係を満たし、析出が抑制されていないことが
わかる。
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、熱処理工程およびを行わず、熱処理工
程およびのみを行って析出酸素量を測定し、実施例
１と共に図１に示した。これらの析出酸素量はいずれも
第１式の関係を満たし、析出が抑制されていないことが
わかる。
【００１９】実施例２：シリコンブロックでの酸素析出
抑制効果 使用したブロックは次の通りである。 伝導型：ｐ型（ボロンドープ） 結晶サイズ：２０×２０×２０ｍｍ 抵抗率：１０Ω・ｃｍ 酸素濃度：９．０〜９．２×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｃ
（日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用い
て算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｃ（日本電
子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） このブロックに対して次の析出抑制熱処理を行った。 熱処理温度：１３５０℃ 熱処理時間：１２０分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行なったあと室温まで降温し、続いて 熱処理温度：１０００℃ 熱処理時間：１００分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行なった。次に、酸素析出評価熱処理
として実施例１の熱処理工程およびを行った。この
場合の析出酸素量を測定し、○印で図２に示した。△印
は実施例１でシリコンウェーハに対して行った熱処理時
間１００分の結果である。ブロック試料を用いても酸素
析出が抑制されていることがわかる。
抑制効果 使用したブロックは次の通りである。 伝導型：ｐ型（ボロンドープ） 結晶サイズ：２０×２０×２０ｍｍ 抵抗率：１０Ω・ｃｍ 酸素濃度：９．０〜９．２×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｃ
（日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用い
て算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｃ（日本電
子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） このブロックに対して次の析出抑制熱処理を行った。 熱処理温度：１３５０℃ 熱処理時間：１２０分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行なったあと室温まで降温し、続いて 熱処理温度：１０００℃ 熱処理時間：１００分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行なった。次に、酸素析出評価熱処理
として実施例１の熱処理工程およびを行った。この
場合の析出酸素量を測定し、○印で図２に示した。△印
は実施例１でシリコンウェーハに対して行った熱処理時
間１００分の結果である。ブロック試料を用いても酸素
析出が抑制されていることがわかる。
【００２０】実施例３：熱処理との間を室温に降温
せずに実施した場合 実施例１で用いたウェーハを使用した。このウェーハに
対して次の析出抑制熱処理を行った。 熱処理温度：１３５０℃ 熱処理時間：１２０分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行ったあと室温まで降温せず、そのま
ま続いて 熱処理温度：１０００℃ 熱処理時間：１００分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行った。次に、酸素析出評価熱処理と
して実施例１の熱処理工程およびを行った。この場
合の析出酸素量を測定し、▽印で図２に示した。実施例
１および２よりも酸素析出が抑制されていることがわか
る。
せずに実施した場合 実施例１で用いたウェーハを使用した。このウェーハに
対して次の析出抑制熱処理を行った。 熱処理温度：１３５０℃ 熱処理時間：１２０分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行ったあと室温まで降温せず、そのま
ま続いて 熱処理温度：１０００℃ 熱処理時間：１００分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行った。次に、酸素析出評価熱処理と
して実施例１の熱処理工程およびを行った。この場
合の析出酸素量を測定し、▽印で図２に示した。実施例
１および２よりも酸素析出が抑制されていることがわか
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明のシリコン単結晶は酸素析出が抑
制され、デバイス製造中に誘起される結晶欠陥が少ない
ため、デバイス活性層の信頼性が高く、ＭＯＳデバイス
用のウェーハに適する。
制され、デバイス製造中に誘起される結晶欠陥が少ない
ため、デバイス活性層の信頼性が高く、ＭＯＳデバイス
用のウェーハに適する。
【図１】は、本発明の実施例１と比較例１における初期
酸素濃度および析出酸素量の関係を示すグラフであり、
酸素濃度および析出酸素量の関係を示すグラフであり、
【図２】は、本発明の実施例２〜４と実施例１の一部お
よび比較例１における初期酸素濃度および析出酸素量の
関係を示すグラフである。
よび比較例１における初期酸素濃度および析出酸素量の
関係を示すグラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年４月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】これらの場合の酸素析出量を測定し、図１
に示した。これらの析出酸素量Ｂ×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｃはいずれも、第二式の初期酸素濃度Ａ×１０17 ａｔ
ｏｍｓ／ｃｃにＡ＝９．５を代入した、 Ｂ＜１．５×９．５−１２＝２．２５ の関係を満たし、析出が抑制されていることを示してい
る。また、熱処理時間が長いほど抑制効果が強くなるこ
とがわかる。
に示した。これらの析出酸素量Ｂ×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｃはいずれも、第二式の初期酸素濃度Ａ×１０17 ａｔ
ｏｍｓ／ｃｃにＡ＝９．５を代入した、 Ｂ＜１．５×９．５−１２＝２．２５ の関係を満たし、析出が抑制されていることを示してい
る。また、熱処理時間が長いほど抑制効果が強くなるこ
とがわかる。
フロントページの続き (72)発明者 中居 克彦 山口県光市大字島田3434番地 新日本製鐵 株式会社光製鐵所内 (72)発明者 小島 清 山口県光市大字島田3434番地 ニッテツ電 子株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法により製造されたシ
リコン単結晶を、さきに１２００℃〜１４００℃で高温
熱処理し、つづいて９５０℃〜１１００℃で熱処理する
ことを特徴とするシリコン単結晶の熱処理方法。 - 【請求項２】 チョクラルスキー法により製造されたシ
リコン単結晶を、さきに１２００℃〜１４００℃で高温
熱処理した後、室温に降ろすことなく引き続き９５０〜
１１００℃で熱処理することを特徴とするシリコン単結
晶の熱処理方法。 - 【請求項３】 シリコン単結晶がシリコンウェーハであ
ることを特徴とする請求項１または２に記載のシリコン
熱処理方法。 - 【請求項４】 シリコン単結晶がシリコンインゴットあ
るいはブロックである請求項１または２に記載のシリコ
ン熱処理方法。 - 【請求項５】 チョクラルスキー法により製造されたシ
リコン単結晶であって、初期酸素濃度をＡ×１０17ａｔ
ｏｍｓ／ｃｃ（日本電子工業振興協会による酸素濃度換
算係数に基づき算出）、酸素析出濃度をＢ×１０17ａｔ
ｏｍｓ／ｃｃとした場合、Ｎ2 ガス雰囲気中８００℃、
４時間に加え、Ｎ2 ガス雰囲気中１０００℃、１６時間
の酸素析出評価熱処理をした後の析出酸素量が、 Ｂ＜１．５×Ａ−１２ であることを特徴とする酸素析出が抑制されたシリコン
単結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP680193A JPH06211598A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | シリコン単結晶およびその熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP680193A JPH06211598A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | シリコン単結晶およびその熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06211598A true JPH06211598A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=11648295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP680193A Pending JPH06211598A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | シリコン単結晶およびその熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06211598A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002015284A1 (fr) * | 2000-08-15 | 2002-02-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Cellule solaire et son procede de fabrication |
| CN105624794A (zh) * | 2016-03-04 | 2016-06-01 | 韩华新能源科技有限公司 | 一种多晶硅铸锭的二次退火工艺 |
-
1993
- 1993-01-19 JP JP680193A patent/JPH06211598A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002015284A1 (fr) * | 2000-08-15 | 2002-02-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Cellule solaire et son procede de fabrication |
| US6830740B2 (en) | 2000-08-15 | 2004-12-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing solar cell and solar cell |
| EP1313150A4 (en) * | 2000-08-15 | 2006-06-14 | Shinetsu Handotai Kk | SOLAR CELL AND MANUFACTURING PROCESS |
| CN105624794A (zh) * | 2016-03-04 | 2016-06-01 | 韩华新能源科技有限公司 | 一种多晶硅铸锭的二次退火工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3988307B2 (ja) | シリコン単結晶、シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ | |
| JP2000044389A (ja) | エピタキシャルシリコン単結晶ウエ―ハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエ―ハ | |
| JP3381816B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| EP0419044B1 (en) | Single crystal silicon | |
| JP3063143B2 (ja) | Ｓｉ基板の製造方法 | |
| JP2001106594A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPH11314997A (ja) | 半導体シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
| JP2001253795A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハとその製造方法 | |
| EP0897192A1 (en) | Silicon single crystal and process for producing single-crystal silicon thin film | |
| JP3116487B2 (ja) | 半導体エピタキシャル基板の製造方法 | |
| JPH06211598A (ja) | シリコン単結晶およびその熱処理方法 | |
| JP2004165489A (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法並びに半導体装置 | |
| JP4035886B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハとその製造方法 | |
| JP4570317B2 (ja) | シリコン単結晶とエピタキシャルウェーハ並びにそれらの製造方法 | |
| JP3242780B2 (ja) | 半導体単結晶およびその製造方法 | |
| JP2003146795A (ja) | 高耐熱衝撃性シリコンウエハ | |
| JPH11297704A (ja) | 酸素析出物密度の評価方法 | |
| JPH09199507A (ja) | 半導体基板およびその製造方法 | |
| JP2643975B2 (ja) | シリコン単結晶 | |
| JP4235760B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| KR0169281B1 (ko) | 반도체 실리콘 기판과 그 제조방법 | |
| JP2883752B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| KR0185985B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 에피택셜층 형성방법 | |
| JPH05102167A (ja) | シリコンの熱処理方法 | |
| JPH11278991A (ja) | 半導体シリコン基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010501 |