JPH0620921A - 投影露光方法 - Google Patents
投影露光方法Info
- Publication number
- JPH0620921A JPH0620921A JP4249109A JP24910992A JPH0620921A JP H0620921 A JPH0620921 A JP H0620921A JP 4249109 A JP4249109 A JP 4249109A JP 24910992 A JP24910992 A JP 24910992A JP H0620921 A JPH0620921 A JP H0620921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- error
- original
- transferred
- pattern
- original image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 被露光物を移動させてその被露光物に第１の
原画模様を投影光学系により順次転写し、更にその転写
された被露光物にこれを移動させて第２の原画模様を前
記投影光学系により順次重ね合わせ転写する投影露光方
法において、前記被露光物に転写された第１の原画模様
のうちの少なくとも３個の原画模様の位置を検出し、そ
の検出結果に基づいて、前記転写された第１の原画模様
の配列位置を求め（例えば図４に示されるようにＸ方向
に伸びがある場合には、検出により求められた（ｘ0、
ｙ0）、（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）の３点の座標
からｘ1、ｘ2を求めることにより５行５列のチップ配列
が決定できる）、その求められた位置に前記記第２の原
画模様を重ね合わせ転写する。 【効果】 高スループット及び高精度アライメントとい
う互いに相反する利点が期待できる投影露光方法を提供
可能とする。
原画模様を投影光学系により順次転写し、更にその転写
された被露光物にこれを移動させて第２の原画模様を前
記投影光学系により順次重ね合わせ転写する投影露光方
法において、前記被露光物に転写された第１の原画模様
のうちの少なくとも３個の原画模様の位置を検出し、そ
の検出結果に基づいて、前記転写された第１の原画模様
の配列位置を求め（例えば図４に示されるようにＸ方向
に伸びがある場合には、検出により求められた（ｘ0、
ｙ0）、（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）の３点の座標
からｘ1、ｘ2を求めることにより５行５列のチップ配列
が決定できる）、その求められた位置に前記記第２の原
画模様を重ね合わせ転写する。 【効果】 高スループット及び高精度アライメントとい
う互いに相反する利点が期待できる投影露光方法を提供
可能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投影露光方法、特に、
高集積半導体を製造するのに適した投影露光方法に関す
るものである。
高集積半導体を製造するのに適した投影露光方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】高集積半導体は、被露光物に複数枚の原
画の模様を順次転写して製造される。そして、２次元的
に移動可能なＸＹステージ上に設置された被露光物、例
えばウエハー上に、照明光学系を含む投影露光系によっ
て、複数枚の原画の模様を順次転写して行われるが、こ
の際、被露光物にあらかじめ転写された検出マークをパ
ターン検出器によって検出し、このパターン検出器で検
出されたマークを基準として、次段の原画との相対位置
を求め、その誤差量を補正して次段の原画の模様の重ね
合せを行っている。
画の模様を順次転写して製造される。そして、２次元的
に移動可能なＸＹステージ上に設置された被露光物、例
えばウエハー上に、照明光学系を含む投影露光系によっ
て、複数枚の原画の模様を順次転写して行われるが、こ
の際、被露光物にあらかじめ転写された検出マークをパ
ターン検出器によって検出し、このパターン検出器で検
出されたマークを基準として、次段の原画との相対位置
を求め、その誤差量を補正して次段の原画の模様の重ね
合せを行っている。
【０００３】図１はこのような投影露光方法の実施に用
いられる装置を示すもので、１はウエハ２が載置され、
ＸＹ方向にステップアンドリピートされるＸＹステージ
で、駆動モータ３及び４によってＸＹ方向に駆動され、
レーザー測長系５によって位置制御されるようになって
おり、０．０５μｍ程度の位置決め精度をもっている。
６は露光照明系、７はコンデンサレンズ、８は縮小レン
ズで、９は原版載置台１０に載置されているパターン原
版（レチクル）である。１１及び１２はパターン検出系
で、１１ａ、１２ａは検出系照明系、１１ｂ、１２ｂは
パターン検出器、１１ｃ、１２ｃはハーフミラー、１１
ｄ、１２ｄはミラー、１１ｅ、１２ｅはコリメータであ
る。
いられる装置を示すもので、１はウエハ２が載置され、
ＸＹ方向にステップアンドリピートされるＸＹステージ
で、駆動モータ３及び４によってＸＹ方向に駆動され、
レーザー測長系５によって位置制御されるようになって
おり、０．０５μｍ程度の位置決め精度をもっている。
６は露光照明系、７はコンデンサレンズ、８は縮小レン
ズで、９は原版載置台１０に載置されているパターン原
版（レチクル）である。１１及び１２はパターン検出系
で、１１ａ、１２ａは検出系照明系、１１ｂ、１２ｂは
パターン検出器、１１ｃ、１２ｃはハーフミラー、１１
ｄ、１２ｄはミラー、１１ｅ、１２ｅはコリメータであ
る。
【０００４】この装置を用いて投影露光を行うには、Ｘ
Ｙステージ１上にウエハ２が載置され、原版載置台１０
に最初のレチクル９が設置された後、露光照明系６によ
り発生しコンデンサレンズ７を通り集光された光が、レ
チクル９を通り、縮小レンズ８を経て、ＸＹステージ１
のウエハ２上にレチクル９のパターンが結像される。
Ｙステージ１上にウエハ２が載置され、原版載置台１０
に最初のレチクル９が設置された後、露光照明系６によ
り発生しコンデンサレンズ７を通り集光された光が、レ
チクル９を通り、縮小レンズ８を経て、ＸＹステージ１
のウエハ２上にレチクル９のパターンが結像される。
【０００５】次に、このようにして、ウエハ２上にレチ
クル９のパターンが転写された後、この上に異なるレチ
クル９のパターンの転写が行われるが、このウエハ２上
に転写されているレチクル９のパターンの上に、次段の
レチクル９のパタンを精度良く重ね合せて転写可能にす
るために、検出系照明系１１および１２よりの光をそれ
ぞれ、ハーフミラー１１ｃ、１２ｃ、ミラー１１ｄ、１
２ｄを介してレチクル９に設けられた穴から縮小レンズ
８を通してウエハ２に照射し、ウエハ２上の検出パター
ン１３の像をレチクル２上に結像させ、この像を拡大し
たものをそれぞれ、ミラー１１ｄ、１２ｄ、ハーフミラ
ー１１ｃ、１２ｃを介してパターン検出器１１ｂ、１２
ｂに導き、パターン検出器１１ｂ、１２ｂによって、ウ
エハ検出パターンの位置のＸ、Ｙ座標を求め、これをウ
エハ２上の二つのチップの測定から、ウエハ２とレチク
ル９の位置の相対誤差を知り、その相対誤差をＸＹステ
ージの制御にフイードバックさせて転写を行っている。
クル９のパターンが転写された後、この上に異なるレチ
クル９のパターンの転写が行われるが、このウエハ２上
に転写されているレチクル９のパターンの上に、次段の
レチクル９のパタンを精度良く重ね合せて転写可能にす
るために、検出系照明系１１および１２よりの光をそれ
ぞれ、ハーフミラー１１ｃ、１２ｃ、ミラー１１ｄ、１
２ｄを介してレチクル９に設けられた穴から縮小レンズ
８を通してウエハ２に照射し、ウエハ２上の検出パター
ン１３の像をレチクル２上に結像させ、この像を拡大し
たものをそれぞれ、ミラー１１ｄ、１２ｄ、ハーフミラ
ー１１ｃ、１２ｃを介してパターン検出器１１ｂ、１２
ｂに導き、パターン検出器１１ｂ、１２ｂによって、ウ
エハ検出パターンの位置のＸ、Ｙ座標を求め、これをウ
エハ２上の二つのチップの測定から、ウエハ２とレチク
ル９の位置の相対誤差を知り、その相対誤差をＸＹステ
ージの制御にフイードバックさせて転写を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般にウエハは種々の
プロセスを経ることにより歪を受け、この歪は転写歪と
して現われる。この転写歪は全く不規則であるというわ
けではなく、むしろ規則的である。図２〜６は転写歪の
例を示す。何れの図も、横軸、縦軸にそれぞれＸ、Ｙ軸
がとってある。図２及び図３の場合はチップ配列があた
かも弓形のうねりを持つような転写歪が発生した場合、
図４及び図５はチップ配列があたかもＸ方向、Ｙ方向に
伸びるかまたは縮むような転写歪（ピッチエラー）が発
生した場合、図６はＸＹの直交度エラーが生じたような
転写歪が発生した場合を示すもので、これら各種のエラ
ーは、単独で生じることも、混合して起きることもあ
り、配列誤差は１：１プロジェクション方式の投影露光
装置において特に大きく１μｍ以上になることもある。
プロセスを経ることにより歪を受け、この歪は転写歪と
して現われる。この転写歪は全く不規則であるというわ
けではなく、むしろ規則的である。図２〜６は転写歪の
例を示す。何れの図も、横軸、縦軸にそれぞれＸ、Ｙ軸
がとってある。図２及び図３の場合はチップ配列があた
かも弓形のうねりを持つような転写歪が発生した場合、
図４及び図５はチップ配列があたかもＸ方向、Ｙ方向に
伸びるかまたは縮むような転写歪（ピッチエラー）が発
生した場合、図６はＸＹの直交度エラーが生じたような
転写歪が発生した場合を示すもので、これら各種のエラ
ーは、単独で生じることも、混合して起きることもあ
り、配列誤差は１：１プロジェクション方式の投影露光
装置において特に大きく１μｍ以上になることもある。
【０００７】転写されたウエハ上の２個のチップ位置を
検出し、これを重ね合わせ露光時の基準位置として用い
るいわゆるグローバルアライメントが知られている。こ
のアライメント方式はスループット向上のためには非常
に有効であるが、前述のように転写歪がある場合は精度
の点で不十分である。チップごとに位置検出し、アライ
メントを行うチップアライメントもある。このアライメ
ント方式はスループットの点で大きな問題があり、ま
た、アライメント精度についても、あるチップをアライ
メントしたときにそのアライメントが何らかの原因で若
干ずれた場合、そのチップはそのままずれてしまうこと
もあり得る。
検出し、これを重ね合わせ露光時の基準位置として用い
るいわゆるグローバルアライメントが知られている。こ
のアライメント方式はスループット向上のためには非常
に有効であるが、前述のように転写歪がある場合は精度
の点で不十分である。チップごとに位置検出し、アライ
メントを行うチップアライメントもある。このアライメ
ント方式はスループットの点で大きな問題があり、ま
た、アライメント精度についても、あるチップをアライ
メントしたときにそのアライメントが何らかの原因で若
干ずれた場合、そのチップはそのままずれてしまうこと
もあり得る。
【０００８】本発明の目的は高スループットおよび高精
度アライメントという互いに相反する利点を期待し得る
投影露光方法を提供することにある。
度アライメントという互いに相反する利点を期待し得る
投影露光方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は被露光物を移動
させてその被露光物に第１の原画模様を投影光学系によ
り順次転写し、更にその転写された被露光物にこれを移
動させて第２の原画模様を前記投影光学系により順次重
ね合わせ転写する投影露光方法において、前記被露光物
に転写された第１の原画模様のうちの少なくとも３個の
原画模様の位置を検出し、その検出結果に基づいて、前
記転写された第１の原画模様の配列位置を求め、その求
められた位置に前記記第２の原画模様を重ね合わせ転写
するとを特徴とするものである。
させてその被露光物に第１の原画模様を投影光学系によ
り順次転写し、更にその転写された被露光物にこれを移
動させて第２の原画模様を前記投影光学系により順次重
ね合わせ転写する投影露光方法において、前記被露光物
に転写された第１の原画模様のうちの少なくとも３個の
原画模様の位置を検出し、その検出結果に基づいて、前
記転写された第１の原画模様の配列位置を求め、その求
められた位置に前記記第２の原画模様を重ね合わせ転写
するとを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】このような本発明によれば、被露光物に転写さ
れた第１の原画模様のうちの少なくとも３個の原画模様
が選択されその位置が検出されることから、その選択さ
れる原画模様の数が増える分だけグローバルアライメン
トよりも露光に時間がかかることになるが、チップアラ
イメントよりは高スループットが期待できる。また、ア
ライメント精度についても、少なくとも３個の原画模様
が選択されることから、原画模様配列をかなり精度良く
求めることができ、加えて平均化効果により１個の原画
模様程度のアライメントが少しずれても、他の原画模様
がそれを補う形で影響を軽減することができる。かくし
て、本発明によれば、高スループット及び高精度アライ
メントという互いに相反する利点が期待できる投影露光
方法が提供される。
れた第１の原画模様のうちの少なくとも３個の原画模様
が選択されその位置が検出されることから、その選択さ
れる原画模様の数が増える分だけグローバルアライメン
トよりも露光に時間がかかることになるが、チップアラ
イメントよりは高スループットが期待できる。また、ア
ライメント精度についても、少なくとも３個の原画模様
が選択されることから、原画模様配列をかなり精度良く
求めることができ、加えて平均化効果により１個の原画
模様程度のアライメントが少しずれても、他の原画模様
がそれを補う形で影響を軽減することができる。かくし
て、本発明によれば、高スループット及び高精度アライ
メントという互いに相反する利点が期待できる投影露光
方法が提供される。
【００１１】一例として、図２〜６に示されるように、
チップが５行５列に配列されている場合は、中心のチッ
プとこの中心のチップからＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞ
れ１個のチップを置いて選んだ５チップを検出用チップ
として用いることができる。この場合、中心のチップの
座標が（ｘ0、ｙ0）、Ｘ軸方向二つのチップの座標がそ
れぞれ（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）、Ｙ軸方向の二
つのチップの座標がそれぞれ（ｘｃ、ｙｃ）、（ｘｄ、
ｙｄ）と検出されたとすると、２図に示される円弧状の
うねりの場合は、（ｘ0、ｙ0）、（ｘａ、ｙａ）、（ｘ
ｂ、ｙｂ）の３点の検出座標から良く知られている最小
２乗法を用いて（ｘ1、ｙ1）、（ｘ2、ｙ2）を求めるこ
とにより５行５列のチップの配列が決定でき、図３に示
されるうねりの場合も図２の場合と同様の考え方でチッ
プ配列が決定できる。また、図４に示されるようにＸ方
向に伸びがある場合には、検出により求められた
（ｘ0、ｙ0）、（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）の３点
の座標からｘ1、ｘ2を求めることにより５行５列のチッ
プ配列が決定できる。
チップが５行５列に配列されている場合は、中心のチッ
プとこの中心のチップからＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞ
れ１個のチップを置いて選んだ５チップを検出用チップ
として用いることができる。この場合、中心のチップの
座標が（ｘ0、ｙ0）、Ｘ軸方向二つのチップの座標がそ
れぞれ（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）、Ｙ軸方向の二
つのチップの座標がそれぞれ（ｘｃ、ｙｃ）、（ｘｄ、
ｙｄ）と検出されたとすると、２図に示される円弧状の
うねりの場合は、（ｘ0、ｙ0）、（ｘａ、ｙａ）、（ｘ
ｂ、ｙｂ）の３点の検出座標から良く知られている最小
２乗法を用いて（ｘ1、ｙ1）、（ｘ2、ｙ2）を求めるこ
とにより５行５列のチップの配列が決定でき、図３に示
されるうねりの場合も図２の場合と同様の考え方でチッ
プ配列が決定できる。また、図４に示されるようにＸ方
向に伸びがある場合には、検出により求められた
（ｘ0、ｙ0）、（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）の３点
の座標からｘ1、ｘ2を求めることにより５行５列のチッ
プ配列が決定できる。
【００１２】図５に示すＹ方向に伸びのある場合も全く
同様にして配列が決定される。さらに、図６に示す直行
度エラーがある場合には、（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙ
ｂ）、（ｘｃ、ｙｃ）、（ｘｄ、ｙｄ）の４点の座標を
求めると、これらの座標より
同様にして配列が決定される。さらに、図６に示す直行
度エラーがある場合には、（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙ
ｂ）、（ｘｃ、ｙｃ）、（ｘｄ、ｙｄ）の４点の座標を
求めると、これらの座標より
【００１３】
【数１】
【００１４】として直交度エラーが求まり、５行５列の
配列が決まる。
配列が決まる。
【００１５】従って、このように配列されたチップ上に
次段の原画の模様を転写する場合に、被露光物を載置し
ているＸＹステージを移動させることによって次段の原
画の模様を前段の原画の模様上の正しい位置に転写する
ことができる。
次段の原画の模様を転写する場合に、被露光物を載置し
ているＸＹステージを移動させることによって次段の原
画の模様を前段の原画の模様上の正しい位置に転写する
ことができる。
【００１６】た特性を示し所期の目的の達成を可能とす
るものである。
るものである。
【００１７】
【実施例】図７はこの投影露光方法の一実施霊を実施す
る装置の要部の概略説明図を示すもので、１４及び１５
はウエハで、５個のチップを用いる場合のチップの配列
と、この方法で検出マークの位置が検出されるチップの
位置が示してあり、５個のチップは、中心に位置するチ
ップと、このチップを中心として互に直角をなす方向に
あり、かつこのチップから等距離に位置する４個よりな
っている。マークの位置は図１の投影露光装置の検出系
照明系１１及び１２のパターン検出器１１ｂ及び１２ｂ
によって求められる。なおチップに付した符号は図２〜
６と同じにしてある。そして１６は（ｘｃ、ｙｃ）、
（ｘ0、ｙ0）、（ｘｄ、ｙｄ）のデータが入力してＸ方
向うねり誤差を求めるＸ方向うねり誤差補正計算回路、
１７は同じくＹ方向ピッチ誤差を求めるＹ方向ピッチ誤
差補正計算回路、１８は（ｘａ、ｙａ）、（ｘ0、
ｙ0）、（ｘｂ、ｙｂ）のデータが入力しＹ方向のうね
り誤差を求めるＹ方向うねり誤差補正計算回路、１９は
同じくＸ方向ピッチ誤差を求めるＸ方向ピッチ誤差補正
計算回路、２０は、（ｘｄ、ｙｄ）、（ｘｃ、ｙｃ）、
（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）のデータが入力し直行
度誤差を求める直行度誤差補正計算回路で、これらの計
算回路によって求めた計算結果によって最終ステージ目
標位置を求める。このようにして最終ステージ目標位置
が求められると、この最終ステージ目標位置と次段の原
画の位置とのずれを駆動モータ３及び４を用いてＸＹス
テージを動かして調整すれば、ウエハ２上のチップに転
写されている前段の原画の模様上に次段の原画の模様を
重ねることができる。
る装置の要部の概略説明図を示すもので、１４及び１５
はウエハで、５個のチップを用いる場合のチップの配列
と、この方法で検出マークの位置が検出されるチップの
位置が示してあり、５個のチップは、中心に位置するチ
ップと、このチップを中心として互に直角をなす方向に
あり、かつこのチップから等距離に位置する４個よりな
っている。マークの位置は図１の投影露光装置の検出系
照明系１１及び１２のパターン検出器１１ｂ及び１２ｂ
によって求められる。なおチップに付した符号は図２〜
６と同じにしてある。そして１６は（ｘｃ、ｙｃ）、
（ｘ0、ｙ0）、（ｘｄ、ｙｄ）のデータが入力してＸ方
向うねり誤差を求めるＸ方向うねり誤差補正計算回路、
１７は同じくＹ方向ピッチ誤差を求めるＹ方向ピッチ誤
差補正計算回路、１８は（ｘａ、ｙａ）、（ｘ0、
ｙ0）、（ｘｂ、ｙｂ）のデータが入力しＹ方向のうね
り誤差を求めるＹ方向うねり誤差補正計算回路、１９は
同じくＸ方向ピッチ誤差を求めるＸ方向ピッチ誤差補正
計算回路、２０は、（ｘｄ、ｙｄ）、（ｘｃ、ｙｃ）、
（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）のデータが入力し直行
度誤差を求める直行度誤差補正計算回路で、これらの計
算回路によって求めた計算結果によって最終ステージ目
標位置を求める。このようにして最終ステージ目標位置
が求められると、この最終ステージ目標位置と次段の原
画の位置とのずれを駆動モータ３及び４を用いてＸＹス
テージを動かして調整すれば、ウエハ２上のチップに転
写されている前段の原画の模様上に次段の原画の模様を
重ねることができる。
【００１８】この目標決定は、行×列＝５×５の配列を
もつ１：１プロジェクションの場合を例にして説明され
たが、一般に行×列＝ｎ×ｎの配列の場合、あるいは、
図８に示すように、ウエハ２上の行×列＝ｎ×ｎの配列
の一部がウエハ２の形状に制限されて欠除する場合にも
同様の考えで行うことができる。
もつ１：１プロジェクションの場合を例にして説明され
たが、一般に行×列＝ｎ×ｎの配列の場合、あるいは、
図８に示すように、ウエハ２上の行×列＝ｎ×ｎの配列
の一部がウエハ２の形状に制限されて欠除する場合にも
同様の考えで行うことができる。
【００１９】なお、用いる補正式及び方法は、１：１プ
ロジェクションの機種、行×列の配列状況により適宜変
化するが、何れの場合にも同様に適用でき、また、配列
の決定は５チップ以上であれば、適宜選定することがで
きる。さらに、この方法は、前段が１：１プロジェクシ
ョン露光方法によって転写されたものに限られず、前段
が他のどのような種類の露光方法によって転写形成され
た場合にも適用可能である。
ロジェクションの機種、行×列の配列状況により適宜変
化するが、何れの場合にも同様に適用でき、また、配列
の決定は５チップ以上であれば、適宜選定することがで
きる。さらに、この方法は、前段が１：１プロジェクシ
ョン露光方法によって転写されたものに限られず、前段
が他のどのような種類の露光方法によって転写形成され
た場合にも適用可能である。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、高スループット及び高
精度アライメントという互いに相反する利点が期待でき
る投影露光方法が提供可能とするもので、産業上の効果
の大なるものである。
精度アライメントという互いに相反する利点が期待でき
る投影露光方法が提供可能とするもので、産業上の効果
の大なるものである。
【図１】投影露光に用いられる投影露光装置の説明図で
ある。
ある。
【図２】本発明の投影露光方法の原理を説明するための
ウエハ上のチップの配列を示す説明図である。
ウエハ上のチップの配列を示す説明図である。
【図３】同じくウエハ上のチップの配列を示す説明図で
ある。
ある。
【図４】同じくウエハ上のチップの配列を示す説明図で
ある。
ある。
【図５】同じくウエハ上のチップの配列を示す説明図で
ある。
ある。
【図６】同じくウエハ上のチップの配列を示す説明図で
ある。
ある。
【図７】本発明の投影露光方法を実施する投影露光装置
の要部の概略説明図である。
の要部の概略説明図である。
【図８】ウエハ上のチップの配列の他の例を示す平面図
である。
である。
１…ＸＹステージ、２…ウエハ、３、４…駆動モータ、
５…レーザ測長系、６…露光照明系、７…コンデンサー
レンズ、８…縮小レンズ、９…パターン原版（レチク
ル）、１０…原版載置台、１１、１２…パターン検出
系、１３…検出パターン
５…レーザ測長系、６…露光照明系、７…コンデンサー
レンズ、８…縮小レンズ、９…パターン原版（レチク
ル）、１０…原版載置台、１１、１２…パターン検出
系、１３…検出パターン
Claims (1)
- 【請求項１】 被露光物を移動させてその被露光物に第
１の原画模様を投影光学系により順次転写し、更にその
転写された被露光物にこれを移動させて第２の原画模様
を前記投影光学系により順次重ね合わせ転写する投影露
光方法において、前記被露光物に転写された第１の原画
模様のうちの少なくとも３個の原画模様の位置を検出
し、その検出結果に基づいて、前記転写された第１の原
画模様の配列位置を求め、その求められた位置に前記記
第２の原画模様を重ね合わせ転写することを特徴とする
投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249109A JPH0766905B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249109A JPH0766905B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 投影露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57165280A Division JPS5954225A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 投影露光方法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6236942A Division JP2675528B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 投影露光方法 |
| JP5458798A Division JP2909053B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 投影露光装置 |
| JP5458698A Division JP2909052B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620921A true JPH0620921A (ja) | 1994-01-28 |
| JPH0766905B2 JPH0766905B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=17188091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4249109A Expired - Lifetime JPH0766905B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766905B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7290647B2 (en) | 2005-03-10 | 2007-11-06 | Thk Co., Ltd. | Guide apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541739A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Micro-projection type mask alignment device |
| JPS5954225A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP4249109A patent/JPH0766905B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541739A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Micro-projection type mask alignment device |
| JPS5954225A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7290647B2 (en) | 2005-03-10 | 2007-11-06 | Thk Co., Ltd. | Guide apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766905B2 (ja) | 1995-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2593440B2 (ja) | 投影型露光装置 | |
| US5742067A (en) | Exposure method and apparatus therefor | |
| US4823012A (en) | Step and repeat exposure apparatus having improved system for aligning | |
| JPS6028137B2 (ja) | 工作物上にマスクをコピ−する方法 | |
| JPH05175098A (ja) | 露光装置 | |
| US6238851B1 (en) | Exposure method | |
| JP2646412B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP3501276B2 (ja) | 半導体ウエハの位置合わせ方法 | |
| JP2610815B2 (ja) | 露光方法 | |
| JP3617046B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH0474854B2 (ja) | ||
| JPH0353770B2 (ja) | ||
| JPH0620921A (ja) | 投影露光方法 | |
| US4881100A (en) | Alignment method | |
| JP2909053B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| KR102375197B1 (ko) | 노광 장치 및 노광 방법 | |
| JPH11195596A (ja) | 露光方法 | |
| JP3168590B2 (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JP2909052B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH0443407B2 (ja) | ||
| JP2711107B2 (ja) | 露光方法 | |
| JP2675528B2 (ja) | 投影露光方法 | |
| JP2626637B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP3204253B2 (ja) | 露光装置及びその露光装置により製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いてデバイスを製造する方法 | |
| JP2000106345A (ja) | 露光装置及びその露光装置により製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法 |