JPH06208990A - 反射面へのレーザービームを垂直化する方法及び装置 - Google Patents
反射面へのレーザービームを垂直化する方法及び装置Info
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- JPH06208990A JPH06208990A JP5004154A JP415493A JPH06208990A JP H06208990 A JPH06208990 A JP H06208990A JP 5004154 A JP5004154 A JP 5004154A JP 415493 A JP415493 A JP 415493A JP H06208990 A JPH06208990 A JP H06208990A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】エッチング・モニター・システムにおいて、シ
リコン・ウェーハー等の反射面とレーザービームとの間
の入射角を垂直に調整すること。 【構成】本発明の方法及び装置は、貫通するピンホール
が形成されている回転可能ミラー２０を包含しており、
この回転可能ミラーは、光路内の第１位置と光路外の第
２位置とに位置決めされ得る様に可動になっている。該
回転可能ミラー２０が該光路内に位置するときには、そ
のピンホール２２は、レーザービーム１３のビームがレ
ーザー光源から該反射面１６へ進むのを可能にする。若
し該ビームが該反射面に対して垂直であれば、該ビーム
は該ピンホールを通って該レーザー光源へ逆に向けられ
る。若し該ビームが該反射面に対して垂直でなければ、
該ビームは該回転可能ミラーによりターゲットへ反射さ
れて該ターゲットの明るいスポットの観察を可能にし、
これにより適切な調整によって垂直化を行うことが可能
となる。
リコン・ウェーハー等の反射面とレーザービームとの間
の入射角を垂直に調整すること。 【構成】本発明の方法及び装置は、貫通するピンホール
が形成されている回転可能ミラー２０を包含しており、
この回転可能ミラーは、光路内の第１位置と光路外の第
２位置とに位置決めされ得る様に可動になっている。該
回転可能ミラー２０が該光路内に位置するときには、そ
のピンホール２２は、レーザービーム１３のビームがレ
ーザー光源から該反射面１６へ進むのを可能にする。若
し該ビームが該反射面に対して垂直であれば、該ビーム
は該ピンホールを通って該レーザー光源へ逆に向けられ
る。若し該ビームが該反射面に対して垂直でなければ、
該ビームは該回転可能ミラーによりターゲットへ反射さ
れて該ターゲットの明るいスポットの観察を可能にし、
これにより適切な調整によって垂直化を行うことが可能
となる。
Description
【０００１】本発明は半導体装置の製造に使われる設備
に関する。特に、本発明は半導体製造装置においてウェ
ーハー面への光ビームを垂直化する方法及び装置に関す
る。
に関する。特に、本発明は半導体製造装置においてウェ
ーハー面への光ビームを垂直化する方法及び装置に関す
る。
【０００２】
【従来技術とその問題点】半導体ウェーハーにパターン
をエッチングするプロセスは、装置の形状が小さくなる
に従って益々重要になる。エッチングの速度及び深さの
制御は、最新の集積回路の製造に絶対に欠くことが出来
ない。エッチングを制御するのに使われる技術は、特に
エッチングの深さ、エッチング液流量減少及びチャンバ
浄化サイクルを行うのに要する時間を考慮して、プロセ
スの終点（即ち、エッチング・サイクルを終わらせるべ
き点）を検出することに依存している。
をエッチングするプロセスは、装置の形状が小さくなる
に従って益々重要になる。エッチングの速度及び深さの
制御は、最新の集積回路の製造に絶対に欠くことが出来
ない。エッチングを制御するのに使われる技術は、特に
エッチングの深さ、エッチング液流量減少及びチャンバ
浄化サイクルを行うのに要する時間を考慮して、プロセ
スの終点（即ち、エッチング・サイクルを終わらせるべ
き点）を検出することに依存している。
【０００３】現在使われている種類の終点検出システ
ム、エッチング速度モニター、又はエッチング深さコン
トローラが図１に示されている。このシステムは、レー
ザービーム源１２等のコヒーレントな平行光源を含む
が、これは一般的にはヘリウム・ネオン（ＨｅＮｅ）レ
ーザー、ヘリウム・カドミウム（ＨｅＣｄ）レーザー、
又はその他の同様の光源である。レーザービームは、ビ
ーム拡大器（ＨｅＮｅレーザーの場合）を含む、光学素
子列３０を通してウェーハー面１８へ投射される。ダイ
スの大きな部分が覆われることになるように、該ビーム
は６mm程度の幅である。半導体ダイスの形状により、ビ
ームの幅は増減され得る。シリコン・ウェーハーの表面
の諸部分は高度に反射性であるので、若しビームが垂直
入射であればゼロ次反射は光源へ向けて反射されること
になる。
ム、エッチング速度モニター、又はエッチング深さコン
トローラが図１に示されている。このシステムは、レー
ザービーム源１２等のコヒーレントな平行光源を含む
が、これは一般的にはヘリウム・ネオン（ＨｅＮｅ）レ
ーザー、ヘリウム・カドミウム（ＨｅＣｄ）レーザー、
又はその他の同様の光源である。レーザービームは、ビ
ーム拡大器（ＨｅＮｅレーザーの場合）を含む、光学素
子列３０を通してウェーハー面１８へ投射される。ダイ
スの大きな部分が覆われることになるように、該ビーム
は６mm程度の幅である。半導体ダイスの形状により、ビ
ームの幅は増減され得る。シリコン・ウェーハーの表面
の諸部分は高度に反射性であるので、若しビームが垂直
入射であればゼロ次反射は光源へ向けて反射されること
になる。
【０００４】ウェーハー面にエッチングされる種々のパ
ターンの深さが増すに従って、レーザービームの一部が
散乱されて、反射されたレーザービーム中に回折又は干
渉のパターンを生じさせ、これは、集光検出装置１１に
よって別々に検出されてコンピューター処理されてエッ
チングの速度及び深さを指示し、これからエッチング・
プロセスの終点を制御するために信号が導出される。
ターンの深さが増すに従って、レーザービームの一部が
散乱されて、反射されたレーザービーム中に回折又は干
渉のパターンを生じさせ、これは、集光検出装置１１に
よって別々に検出されてコンピューター処理されてエッ
チングの速度及び深さを指示し、これからエッチング・
プロセスの終点を制御するために信号が導出される。
【０００５】特に、サブミクロン形状を使って装置を製
造するときには、上記の種類の回折レーザー・エッチン
グ速度モニターにおいてコヒーレントな平行光源がウェ
ーハー面に対して垂直（即ち９０゜）になっていること
が不可欠である。ゼロ次反射ビームが照明ビームと一致
するか否か判定するために１片の紙を照明レーザービー
ムの外辺に手で入れることによって、その様な垂直化を
行うことが当該技術分野で知られている。このとき、ウ
ェーハーに対するレーザー光源の角度関係を位置決めし
直すことによって入射角度が垂直に補正される。
造するときには、上記の種類の回折レーザー・エッチン
グ速度モニターにおいてコヒーレントな平行光源がウェ
ーハー面に対して垂直（即ち９０゜）になっていること
が不可欠である。ゼロ次反射ビームが照明ビームと一致
するか否か判定するために１片の紙を照明レーザービー
ムの外辺に手で入れることによって、その様な垂直化を
行うことが当該技術分野で知られている。このとき、ウ
ェーハーに対するレーザー光源の角度関係を位置決めし
直すことによって入射角度が垂直に補正される。
【０００６】レーザービーム垂直化を行うための他の公
知の技術は、光源とゼロ次の復帰ビームとの一致を該タ
ーゲット上で観察し得る様にビーム・スプリッターをレ
ーザー照明ビーム経路中に置いてターゲットを該ビーム
・スプリッターの一照明経路に配置する。このとき、入
射角を垂直に補正するための調整を上記の様にして行う
ことが出来る。
知の技術は、光源とゼロ次の復帰ビームとの一致を該タ
ーゲット上で観察し得る様にビーム・スプリッターをレ
ーザー照明ビーム経路中に置いてターゲットを該ビーム
・スプリッターの一照明経路に配置する。このとき、入
射角を垂直に補正するための調整を上記の様にして行う
ことが出来る。
【０００７】レーザービームと反射ウェーハー面との間
の垂直入射角を得るための公知のこの様な技術には特別
の問題がある。紙片を使うと、調整を行っている技術者
が危険なレーザービームにさらされて、技術者の眼に重
大な損傷が生ずる結果となり得る。紙は手で保持される
ので、調整は、良くても非常に大雑把であって、サブミ
クロン装置構造のためには不十分である。もっと重要な
ことは、操作技術者が通常はエッチング速度モニターの
構成に精通しておらず、しかも、関連する現象を理解し
ていないことであるけれども、簡単な較正ステップを行
えるように技術者を教育することは容易である。
の垂直入射角を得るための公知のこの様な技術には特別
の問題がある。紙片を使うと、調整を行っている技術者
が危険なレーザービームにさらされて、技術者の眼に重
大な損傷が生ずる結果となり得る。紙は手で保持される
ので、調整は、良くても非常に大雑把であって、サブミ
クロン装置構造のためには不十分である。もっと重要な
ことは、操作技術者が通常はエッチング速度モニターの
構成に精通しておらず、しかも、関連する現象を理解し
ていないことであるけれども、簡単な較正ステップを行
えるように技術者を教育することは容易である。
【０００８】ビーム・スプリッターとターゲットとを使
うと、紙片を使う代表的調整手順よりは精密な結果を得
ることが出来るけれども、レーザービームのパワーが減
衰することになる。よって、もっと強力で高価なレーザ
ー光源をエッチング・モニター装置に組み込むように設
計しなければならない。この大パワー・レベルは、技術
者を傷つける可能性を増大させると共にデリケートな半
導体装置構造をも損傷させる可能性がある。また、ビー
ム・スプリッターはビーム偏光特性を変化させて、望ま
しくないビーム歪みを生じさせる。
うと、紙片を使う代表的調整手順よりは精密な結果を得
ることが出来るけれども、レーザービームのパワーが減
衰することになる。よって、もっと強力で高価なレーザ
ー光源をエッチング・モニター装置に組み込むように設
計しなければならない。この大パワー・レベルは、技術
者を傷つける可能性を増大させると共にデリケートな半
導体装置構造をも損傷させる可能性がある。また、ビー
ム・スプリッターはビーム偏光特性を変化させて、望ま
しくないビーム歪みを生じさせる。
【０００９】
【発明の概要】本発明は、レーザービームと、シリコン
・ウェーハーなどの反射面との間の垂直入射角を得るた
めの装置及び方法を提供する。回折レーザー・エッチン
グ速度モニター及びエッチング深度制御システムに適用
されるときには、本発明は、レーザービーム対ウェーハ
ー面垂直化を行うためにピンホールを備えたミラーを照
明レーザービーム経路に導入する。
・ウェーハーなどの反射面との間の垂直入射角を得るた
めの装置及び方法を提供する。回折レーザー・エッチン
グ速度モニター及びエッチング深度制御システムに適用
されるときには、本発明は、レーザービーム対ウェーハ
ー面垂直化を行うためにピンホールを備えたミラーを照
明レーザービーム経路に導入する。
【００１０】本発明の典型的な実施例では、ミラーはレ
ーザー経路中へ移動される。ミラーの背面は、ピンホー
ルを通るビームの部分を除いて、照明ビームを遮る。光
路がウェーハー面に対して完全に垂直であるならば、レ
ーザー照明ビームからピンホールを通過する光の殆どが
ウェーハー面からピンホールを通して反射される。若し
光経路がウェーハー面に対して完全には垂直でなけれ
ば、ビームはウェーハー面からミラーへ反射され、ミラ
ー面からターゲット上へ反射され、ここでビームは垂直
入射角を得る目的で安全に観察され得る。
ーザー経路中へ移動される。ミラーの背面は、ピンホー
ルを通るビームの部分を除いて、照明ビームを遮る。光
路がウェーハー面に対して完全に垂直であるならば、レ
ーザー照明ビームからピンホールを通過する光の殆どが
ウェーハー面からピンホールを通して反射される。若し
光経路がウェーハー面に対して完全には垂直でなけれ
ば、ビームはウェーハー面からミラーへ反射され、ミラ
ー面からターゲット上へ反射され、ここでビームは垂直
入射角を得る目的で安全に観察され得る。
【００１１】アライメントが必要に応じて行われ、この
ときミラーは照明経路外へ移動される。この様にして、
技術者がレーザービームに被爆することが少なくなり、
ビーム／ウェーハー入射角の精密調整が可能となり、レ
ーザービームのパワー減衰が無くなる。
ときミラーは照明経路外へ移動される。この様にして、
技術者がレーザービームに被爆することが少なくなり、
ビーム／ウェーハー入射角の精密調整が可能となり、レ
ーザービームのパワー減衰が無くなる。
【００１２】
【実施例】本発明は、この明細書と関連させて図面を参
照すれば最も良く理解できる。レーザービームと反射面
との間の垂直入射角を得る方法及び装置が開示されてい
る。本発明は、上記の種類のエッチング速度モニター・
システムを伴う反応チャンバに用いるべきものであり、
ここでウェーハーのエッチングの速度及び深さの精密な
制御は半導体装置の製造において必要なステップであ
る。
照すれば最も良く理解できる。レーザービームと反射面
との間の垂直入射角を得る方法及び装置が開示されてい
る。本発明は、上記の種類のエッチング速度モニター・
システムを伴う反応チャンバに用いるべきものであり、
ここでウェーハーのエッチングの速度及び深さの精密な
制御は半導体装置の製造において必要なステップであ
る。
【００１３】図１は、ウェーハーをエッチングするプロ
セス中に半導体ウェーハーの表面１８によりビームが回
折されるときにレーザービーム１３の干渉又は散乱のパ
ターンを検出する集光検出装置１１を示す。レーザー光
源１２により生じたレーザービームは光学素子列３０に
より隔離されて集束されるが、この光学素子列は平行化
光学素子及び／又は拡大光学素子を含む得るものであ
る。ビーム１３は、第１のステアリング・ミラー１４か
ら第２のステアリング・ミラー３６を介して第３のステ
アリング・ミラー１６へ反射され、更に反応チャンバ蓋
窓１７を通してウェーハー面へ進む。図１に示されてい
る特定の光学構成は、例示を目的とするものである。本
発明の範囲から逸脱することなく、希望に応じて他の光
学経路を設けることも出来る。例えば、反応チャンバ蓋
窓１７からの反射が無くなり、従って本発明の作動中に
（以下に一層詳しく説明するように）ターゲット上にゴ
ースト・イメージが生じなくなるように、該反応チャン
バ蓋窓を傾斜させることが出来る。
セス中に半導体ウェーハーの表面１８によりビームが回
折されるときにレーザービーム１３の干渉又は散乱のパ
ターンを検出する集光検出装置１１を示す。レーザー光
源１２により生じたレーザービームは光学素子列３０に
より隔離されて集束されるが、この光学素子列は平行化
光学素子及び／又は拡大光学素子を含む得るものであ
る。ビーム１３は、第１のステアリング・ミラー１４か
ら第２のステアリング・ミラー３６を介して第３のステ
アリング・ミラー１６へ反射され、更に反応チャンバ蓋
窓１７を通してウェーハー面へ進む。図１に示されてい
る特定の光学構成は、例示を目的とするものである。本
発明の範囲から逸脱することなく、希望に応じて他の光
学経路を設けることも出来る。例えば、反応チャンバ蓋
窓１７からの反射が無くなり、従って本発明の作動中に
（以下に一層詳しく説明するように）ターゲット上にゴ
ースト・イメージが生じなくなるように、該反応チャン
バ蓋窓を傾斜させることが出来る。
【００１４】光学素子列３０は、光絶縁素子も包含し得
るものである。その様な素子は、ウェーハー面から光源
へ逆に反射されるビームの部分が実際には光源に到達し
ないことを保証するために必要である。さもなければ、
光源が損傷する可能性がある。図１に装置１０／制御ロ
ッド１９として示されている本発明は、レーザービーム
とウェーハー面との間の入射角の精密な調整を可能にす
るものである。本発明の好ましい実施例では、レーザー
ビーム１３がウェーハー面に対して垂直となるように、
その様な調整がウェーハー面１８の平面に対するターン
テーブル２８のように、その様な調整がウェーハー面１
８の平面に対するターンテーブル２８の相対的な位置に
関して行われる。
るものである。その様な素子は、ウェーハー面から光源
へ逆に反射されるビームの部分が実際には光源に到達し
ないことを保証するために必要である。さもなければ、
光源が損傷する可能性がある。図１に装置１０／制御ロ
ッド１９として示されている本発明は、レーザービーム
とウェーハー面との間の入射角の精密な調整を可能にす
るものである。本発明の好ましい実施例では、レーザー
ビーム１３がウェーハー面に対して垂直となるように、
その様な調整がウェーハー面１８の平面に対するターン
テーブル２８のように、その様な調整がウェーハー面１
８の平面に対するターンテーブル２８の相対的な位置に
関して行われる。
【００１５】ターンテーブル２８は、集光検出装置１１
とレーザー光源１２／光学素子列３０との両方を乗せて
いる。ウェーハー面の平面に対するターンテーブル２８
の平面の調整は、調整／水平化装置３２ａ／３２ｂの相
互作用により達成される。その装置は、ターンテーブル
を螺子山付きポストの軸に沿って徐々に傾斜させること
によりターンテーブル位置決め点から１本以上の軸の回
りのターンテーブルの微調整を行う種類の装置である。
よって、ターンテーブルの平面全体をウェーハー面に対
して相対的に精密に調整することが出来る。検出光学装
置は、レーザービーム及びウェーハー面の間の垂直入射
角を得るためのターンテーブルの調整に固有の運動が集
光検出装置１１の焦点に影響を与えないこととなる様に
充分な焦点深度を持つ様に設計されている。
とレーザー光源１２／光学素子列３０との両方を乗せて
いる。ウェーハー面の平面に対するターンテーブル２８
の平面の調整は、調整／水平化装置３２ａ／３２ｂの相
互作用により達成される。その装置は、ターンテーブル
を螺子山付きポストの軸に沿って徐々に傾斜させること
によりターンテーブル位置決め点から１本以上の軸の回
りのターンテーブルの微調整を行う種類の装置である。
よって、ターンテーブルの平面全体をウェーハー面に対
して相対的に精密に調整することが出来る。検出光学装
置は、レーザービーム及びウェーハー面の間の垂直入射
角を得るためのターンテーブルの調整に固有の運動が集
光検出装置１１の焦点に影響を与えないこととなる様に
充分な焦点深度を持つ様に設計されている。
【００１６】本発明においては、調整装置は好ましくは
解除可能にロック出来る種類の装置である。当該技術分
野では他の種々の調整／水平化装置が知られており、本
発明はその様な装置の中の如何なるものとも用い得るも
のである。図２及び図３は、本発明の好ましい実施例の
詳細な断面側面図である。経路１３に沿って伝播するレ
ーザービームは、第１ステアリング・ミラー１４の表面
から第２ステアリング・ミラー３６の表面へ反射され、
次に第３ステアリング・ミラー１６へ、次に下方へ（理
想的には９０゜で）ウェーハー面（図示せず）へ反射さ
れる。その角度の調整を補助するために、本発明は回転
可能なミラー２０（２０ａ）を包含しており、このミラ
ーは、制御ロッド１９の操作によって、レーザービーム
及びウェーハー面の間の垂直入射角を達成する目的で該
回転可能ミラーがレーザービーム経路１３内に挿入され
ることになる第１位置（図２参照）と、集光検出装置１
１を自由に正常に操作することを可能にする該レーザー
ビーム経路の外側の第２位置（図３参照）との間を移動
することが出来る。
解除可能にロック出来る種類の装置である。当該技術分
野では他の種々の調整／水平化装置が知られており、本
発明はその様な装置の中の如何なるものとも用い得るも
のである。図２及び図３は、本発明の好ましい実施例の
詳細な断面側面図である。経路１３に沿って伝播するレ
ーザービームは、第１ステアリング・ミラー１４の表面
から第２ステアリング・ミラー３６の表面へ反射され、
次に第３ステアリング・ミラー１６へ、次に下方へ（理
想的には９０゜で）ウェーハー面（図示せず）へ反射さ
れる。その角度の調整を補助するために、本発明は回転
可能なミラー２０（２０ａ）を包含しており、このミラ
ーは、制御ロッド１９の操作によって、レーザービーム
及びウェーハー面の間の垂直入射角を達成する目的で該
回転可能ミラーがレーザービーム経路１３内に挿入され
ることになる第１位置（図２参照）と、集光検出装置１
１を自由に正常に操作することを可能にする該レーザー
ビーム経路の外側の第２位置（図３参照）との間を移動
することが出来る。
【００１７】該回転可能ミラーが垂直化のためにレーザ
ービームの経路内へ挿入されるときに該回転可能ミラー
の移動が制限されることとなるように調整可能なストッ
パ（図示せず）を含めることが出来る。そのストッパの
調整は、エッチング検出装置の光路全体の工場アライメ
ントの一部である。その様な工場アライメントは、ビー
ム経路に沿っての精密なビーム伝播を保証するための反
射性ステアリング・ミラー及びレーザー光源のアライメ
ントをも含む得る。
ービームの経路内へ挿入されるときに該回転可能ミラー
の移動が制限されることとなるように調整可能なストッ
パ（図示せず）を含めることが出来る。そのストッパの
調整は、エッチング検出装置の光路全体の工場アライメ
ントの一部である。その様な工場アライメントは、ビー
ム経路に沿っての精密なビーム伝播を保証するための反
射性ステアリング・ミラー及びレーザー光源のアライメ
ントをも含む得る。
【００１８】ミラー２０は、数字２０で指示されるその
第１位置（垂直化）と、数字２０ａで指示されるその第
２位置（通常エッチング速度モニター動作）とに示され
ている。本発明の好ましい実施例では、回転可能ミラー
２０は制御ロッド１９の操作によって、これら２つの位
置の間を移動可能であり、このロッドは、ピボット２５
（２５ａ）と、引っ張りコイルばね２９等のカップリン
グと、リンク２９ａと、第２ピボット２７とを含んでお
り、この第２ピボットは、ミラー／ピボット２４にクラ
ンプされているレバー３８に結合されている。制御ロッ
ド１９は、回転可能ミラーの滑らかで落ち着いた運動を
保証するガイド又はブシュ３７内で軸方向に運動する。
ミラー／ピボット２４の対向エッジは、垂直入射角を求
めて調整を行うための前記第１位置と、その調整の完了
後の前記第２位置との間で該回転可能ミラーをその周囲
に回転させることのできる軸を提供する。
第１位置（垂直化）と、数字２０ａで指示されるその第
２位置（通常エッチング速度モニター動作）とに示され
ている。本発明の好ましい実施例では、回転可能ミラー
２０は制御ロッド１９の操作によって、これら２つの位
置の間を移動可能であり、このロッドは、ピボット２５
（２５ａ）と、引っ張りコイルばね２９等のカップリン
グと、リンク２９ａと、第２ピボット２７とを含んでお
り、この第２ピボットは、ミラー／ピボット２４にクラ
ンプされているレバー３８に結合されている。制御ロッ
ド１９は、回転可能ミラーの滑らかで落ち着いた運動を
保証するガイド又はブシュ３７内で軸方向に運動する。
ミラー／ピボット２４の対向エッジは、垂直入射角を求
めて調整を行うための前記第１位置と、その調整の完了
後の前記第２位置との間で該回転可能ミラーをその周囲
に回転させることのできる軸を提供する。
【００１９】該回転可能ミラーをレーザービーム経路外
の前記第２位置に維持するためには、ばね２３などのバ
イアスが設けられている。よって、作動時には、技術者
は垂直入射角の調整中、制御ロッド１９に上向きの緊張
を維持しなければならない。制御ロッド１９を解放する
と、回転可能ミラー２０は、その第２位置へ戻る。この
特徴は、その様な調整が完了した後に回転可能ミラー２
０が偶発的にレーザービーム経路内に留まらないことを
保証する。ミラー２０は、図に矢印で示されている様に
技術者が制御ロッド１９に力を作用させることによりレ
ーザービーム経路１３内に維持される。
の前記第２位置に維持するためには、ばね２３などのバ
イアスが設けられている。よって、作動時には、技術者
は垂直入射角の調整中、制御ロッド１９に上向きの緊張
を維持しなければならない。制御ロッド１９を解放する
と、回転可能ミラー２０は、その第２位置へ戻る。この
特徴は、その様な調整が完了した後に回転可能ミラー２
０が偶発的にレーザービーム経路内に留まらないことを
保証する。ミラー２０は、図に矢印で示されている様に
技術者が制御ロッド１９に力を作用させることによりレ
ーザービーム経路１３内に維持される。
【００２０】本発明の作用は、図４及び図５を参照する
ことで最も良く理解される。図４において、レーザー光
源１２はビーム１３を生じさせ、このビームは回転可能
ミラー２０に形成されたピンホール２２を通してステア
リング・ミラー１４の表面から反射される。このピンホ
ールは、２つの機能、即ち、以下に一層詳しく説明する
ようにビームの戻り経路の標的を決めること、及び、約
６mm（0.２４”）の広いビームを約1.３mm（0.０５”）
の幅に狭くすること、に役立つ。前記のビーム幅は、Ｈ
ｅＮｅレーザー光源については典型的な幅である。使用
される光源に適切な他のビーム幅とすることも出来る。
ことで最も良く理解される。図４において、レーザー光
源１２はビーム１３を生じさせ、このビームは回転可能
ミラー２０に形成されたピンホール２２を通してステア
リング・ミラー１４の表面から反射される。このピンホ
ールは、２つの機能、即ち、以下に一層詳しく説明する
ようにビームの戻り経路の標的を決めること、及び、約
６mm（0.２４”）の広いビームを約1.３mm（0.０５”）
の幅に狭くすること、に役立つ。前記のビーム幅は、Ｈ
ｅＮｅレーザー光源については典型的な幅である。使用
される光源に適切な他のビーム幅とすることも出来る。
【００２１】該ピンホールは、その内面が、光源光路及
び戻り光路と、ターゲットへの反射経路との両方と同軸
となる様に機械加工されている。本発明の好ましい実施
例では、これは、ピンホールが形成されるときにピンホ
ールを両方の軸に沿って穿孔することにより達成され
る。本発明の他の実施例では、ピンホールのサイズは、
ターゲットに当たる反射レーザー光の量を調節するため
に調整され得る。その様な調整は、ターゲットに当たる
光の量を変えることを可能にする。よって、出力の弱い
レーザーや、或いは非常に明るい環境では、ターゲット
を照明する光路に、より多量の光を送り込むことが出来
る。逆に、弱い光エネルギーが望ましい場合には、ビー
ムの幅を適宜狭めることが出来る。ピンホールのサイズ
を、調整可能な絞りによって得ることが出来る。本発明
の他の実施例では、発散（即ち、非平行度）をチェック
するために平行ビームの周囲付近を含めて、複数のピン
ホールを設けることが出来る。
び戻り光路と、ターゲットへの反射経路との両方と同軸
となる様に機械加工されている。本発明の好ましい実施
例では、これは、ピンホールが形成されるときにピンホ
ールを両方の軸に沿って穿孔することにより達成され
る。本発明の他の実施例では、ピンホールのサイズは、
ターゲットに当たる反射レーザー光の量を調節するため
に調整され得る。その様な調整は、ターゲットに当たる
光の量を変えることを可能にする。よって、出力の弱い
レーザーや、或いは非常に明るい環境では、ターゲット
を照明する光路に、より多量の光を送り込むことが出来
る。逆に、弱い光エネルギーが望ましい場合には、ビー
ムの幅を適宜狭めることが出来る。ピンホールのサイズ
を、調整可能な絞りによって得ることが出来る。本発明
の他の実施例では、発散（即ち、非平行度）をチェック
するために平行ビームの周囲付近を含めて、複数のピン
ホールを設けることが出来る。
【００２２】ビームの最初の幅は、非垂直システムにお
いてウェーハー面からのビームの反射をターゲットに向
けると、ターゲット上に大きな照明領域が生じることと
なるような幅であるので、光路にピンホールを導入する
ことは重要である。ウェーハーへのビームの垂直化を行
うのに必要な微調整は、ターゲット領域の大きな部分が
照明されているときには技術者には容易には検出出来な
い。また、技術者は、ウェーハー面に対するビームの実
際の角度関係を歪めるかもしれない外辺効果（fringing
effects）を観察しているであろう。ビームを狭めれ
ば、それらの効果は無くなる。最後に、ビームがその全
幅で使用されたならば、技術者と大量の危険なレーザー
ビームにさらされることになる。
いてウェーハー面からのビームの反射をターゲットに向
けると、ターゲット上に大きな照明領域が生じることと
なるような幅であるので、光路にピンホールを導入する
ことは重要である。ウェーハーへのビームの垂直化を行
うのに必要な微調整は、ターゲット領域の大きな部分が
照明されているときには技術者には容易には検出出来な
い。また、技術者は、ウェーハー面に対するビームの実
際の角度関係を歪めるかもしれない外辺効果（fringing
effects）を観察しているであろう。ビームを狭めれ
ば、それらの効果は無くなる。最後に、ビームがその全
幅で使用されたならば、技術者と大量の危険なレーザー
ビームにさらされることになる。
【００２３】ピンホールを光路に導入すればビームが狭
まり、従って小さな照明領域がターゲットとされること
になる。ウェーハーに対するビームの角度関係の微細な
変化は、被照明領域のターゲットに対する相対的運動
を、その様な領域が小さいときには、一層顕著にする。
よって、ウェーハーに対するビームの関係の調整は、技
術者によって、より容易に検出され、これにより垂直入
射角への調整が容易になる。ビームの幅が減少すれば、
光源の全出力に対する技術者の被曝も減少する。この様
にして、垂直化操作が一層精密となり、且つ危険が少な
くなる。
まり、従って小さな照明領域がターゲットとされること
になる。ウェーハーに対するビームの角度関係の微細な
変化は、被照明領域のターゲットに対する相対的運動
を、その様な領域が小さいときには、一層顕著にする。
よって、ウェーハーに対するビームの関係の調整は、技
術者によって、より容易に検出され、これにより垂直入
射角への調整が容易になる。ビームの幅が減少すれば、
光源の全出力に対する技術者の被曝も減少する。この様
にして、垂直化操作が一層精密となり、且つ危険が少な
くなる。
【００２４】ピンホール２２は、ビーム１３ａが図示の
回路に沿ってステアリング・ミラー１６へ進むのを許
す。ビームは、ステアリング・ミラー１６の表面からウ
ェーハー面１８へ反射される。若しウェーハー面がビー
ム１３ａに対して垂直であるならば、ビームはステアリ
ング・ミラー１６へ反射され、ピンホール２２を通して
ステアリング・ミラー１４へ、更にレーザー光源１２へ
向かって進む。
回路に沿ってステアリング・ミラー１６へ進むのを許
す。ビームは、ステアリング・ミラー１６の表面からウ
ェーハー面１８へ反射される。若しウェーハー面がビー
ム１３ａに対して垂直であるならば、ビームはステアリ
ング・ミラー１６へ反射され、ピンホール２２を通して
ステアリング・ミラー１４へ、更にレーザー光源１２へ
向かって進む。
【００２５】非垂直ウェーハー面１８ａも図４に示され
ている。ビーム１３ａは、ステアリング・ミラー１６か
らウェーハー面１８ａへ反射される。ビーム１３ａはウ
ェーハー面１８ａに対して垂直ではないので、戻りビー
ム１５ａはステアリング・ミラー１６の表面から回転可
能ミラー２０の表面へと反射されるが、ピンホール２２
を通らない。ビーム１５ａは回転可能ミラー２０（ビー
ムの戻り経路においてのみ反射性となる様に、これをコ
ーティングすることが出来る）の表面からターゲット２
６へ反射され、このターゲットにおいて該ビームは技術
者により観察され得る。
ている。ビーム１３ａは、ステアリング・ミラー１６か
らウェーハー面１８ａへ反射される。ビーム１３ａはウ
ェーハー面１８ａに対して垂直ではないので、戻りビー
ム１５ａはステアリング・ミラー１６の表面から回転可
能ミラー２０の表面へと反射されるが、ピンホール２２
を通らない。ビーム１５ａは回転可能ミラー２０（ビー
ムの戻り経路においてのみ反射性となる様に、これをコ
ーティングすることが出来る）の表面からターゲット２
６へ反射され、このターゲットにおいて該ビームは技術
者により観察され得る。
【００２６】ターゲット２６は、本発明の好ましい実施
例では、艶消し／拡散及びフィルター材料の複合物であ
って、有害な紫外線又は赤外線のレーザー・エネルギー
がそれを透過して、ターゲットを観察している技術者を
傷つけずにビーム１５ａがターゲットを照明する様にな
っている。本発明の他の実施例では、ターゲットは電子
検出器又はその他の検出装置又は指示装置であり得る。
例では、艶消し／拡散及びフィルター材料の複合物であ
って、有害な紫外線又は赤外線のレーザー・エネルギー
がそれを透過して、ターゲットを観察している技術者を
傷つけずにビーム１５ａがターゲットを照明する様にな
っている。本発明の他の実施例では、ターゲットは電子
検出器又はその他の検出装置又は指示装置であり得る。
【００２７】ターンテーブル２８の適切な調整は、ター
ゲット２６を観察している間に行われる。入射角がレー
ザービームとウェーハー面との間で垂直であるときに
は、戻りビームは経路１３ａをたどってピンホール２２
を通り、レーザー光源１２へ向かうが、ターゲット２６
上には最早明るく照明されたスポットは無くて、小さな
コロナ効果があるに過ぎない。
ゲット２６を観察している間に行われる。入射角がレー
ザービームとウェーハー面との間で垂直であるときに
は、戻りビームは経路１３ａをたどってピンホール２２
を通り、レーザー光源１２へ向かうが、ターゲット２６
上には最早明るく照明されたスポットは無くて、小さな
コロナ効果があるに過ぎない。
【００２８】図５は、本発明を包含するエッチング速度
検出システムの通常の動作を示す。この動作モードで
は、回転可能ミラー２０は、レーザービーム経路１３の
外のエッジ・ピボット点２４の周囲に回転させられる。
該回転可能ミラーは、ばね２３又はその他の同様のバイ
アス手段により与えられるバイアスによって、この位置
に保持される。
検出システムの通常の動作を示す。この動作モードで
は、回転可能ミラー２０は、レーザービーム経路１３の
外のエッジ・ピボット点２４の周囲に回転させられる。
該回転可能ミラーは、ばね２３又はその他の同様のバイ
アス手段により与えられるバイアスによって、この位置
に保持される。
【００２９】本発明の好ましい実施例では、ターゲット
２６は、入射角を垂直に調整するのに役立つアライメン
ト・パターンを備えている。図６はパターン３３を有す
るターゲットを示しており、このパターンは中心点３５
を包含しており、垂直入射角が得られたときには、この
点に小さなコロナ指示が存在する。このコロナは、ピン
ホールの物理的環でのレーザー光の回折と、ビームがピ
ンホールからウェーハーへ伝播し更にピンホールに戻る
ときに発生するビームの発散とに起因する。非垂直エッ
チング速度モニターは、ターゲット２６上のスポット３
４などの、明るいスポットを生じさせる。
２６は、入射角を垂直に調整するのに役立つアライメン
ト・パターンを備えている。図６はパターン３３を有す
るターゲットを示しており、このパターンは中心点３５
を包含しており、垂直入射角が得られたときには、この
点に小さなコロナ指示が存在する。このコロナは、ピン
ホールの物理的環でのレーザー光の回折と、ビームがピ
ンホールからウェーハーへ伝播し更にピンホールに戻る
ときに発生するビームの発散とに起因する。非垂直エッ
チング速度モニターは、ターゲット２６上のスポット３
４などの、明るいスポットを生じさせる。
【００３０】入射角を垂直にセットするには、その明る
いスポットがターゲット・パターン中心３５へ移動する
までレーザー光源とウェーハー面との間の関係を上記の
ように調整する必要があるが、この点で実質的に全ての
戻り経路レーザー・エネルギーがピンホール２２を通し
て向けられ、その様なエネルギーは、上記したコロナ効
果を生じさせるもの以外はターゲット２６へは全く反射
されない。
いスポットがターゲット・パターン中心３５へ移動する
までレーザー光源とウェーハー面との間の関係を上記の
ように調整する必要があるが、この点で実質的に全ての
戻り経路レーザー・エネルギーがピンホール２２を通し
て向けられ、その様なエネルギーは、上記したコロナ効
果を生じさせるもの以外はターゲット２６へは全く反射
されない。
【００３１】本発明の好ましい実施例では、この調整
は、２つの調整可能な軸の周囲に実行されるけれども、
第３の軸に沿って固定されたピボット点が、３点支持を
するための安定した基準点として設けられる。よって、
ターンテーブル２８の平面は、ターンテーブル位置決め
点の周囲で２次元で、且つ垂直に、微調整され又は直行
的に傾斜可能である。ターゲット・パターンは、ターン
テーブル２８の位置を調整するための調整／水平化装置
３２ａ／３２ｂの操作によって、ターゲット上の明るい
スポットの対応する運動が生じることとなる様に、構成
されている。
は、２つの調整可能な軸の周囲に実行されるけれども、
第３の軸に沿って固定されたピボット点が、３点支持を
するための安定した基準点として設けられる。よって、
ターンテーブル２８の平面は、ターンテーブル位置決め
点の周囲で２次元で、且つ垂直に、微調整され又は直行
的に傾斜可能である。ターゲット・パターンは、ターン
テーブル２８の位置を調整するための調整／水平化装置
３２ａ／３２ｂの操作によって、ターゲット上の明るい
スポットの対応する運動が生じることとなる様に、構成
されている。
【００３２】本発明の好ましい実施例では、調整／水平
化装置３２ａ／３２ｂは、それに付随する調整ノブの１
回転が、ターゲット・パターン上の明るいスポットのＸ
−Ｙ軸に沿う特別の運動に対応する様に機械加工されて
いる、即ち、ターゲット・パターンの１つの同心リング
の、次の同心リングまでの距離は該調整ノブの単独での
１回転と、又は合計して１回転となる両方の調整可能ノ
ブの組み合わせ複合運動と、同等である。よって、調整
／水平化装置３２ａ／３２ｂを操作することにより、明
るいスポットの予測可能なベクトル運動を生じさせるこ
とが出来る。この様にして、技術者は、レーザービーム
の入射角を容易に垂直に調整することが出来る。
化装置３２ａ／３２ｂは、それに付随する調整ノブの１
回転が、ターゲット・パターン上の明るいスポットのＸ
−Ｙ軸に沿う特別の運動に対応する様に機械加工されて
いる、即ち、ターゲット・パターンの１つの同心リング
の、次の同心リングまでの距離は該調整ノブの単独での
１回転と、又は合計して１回転となる両方の調整可能ノ
ブの組み合わせ複合運動と、同等である。よって、調整
／水平化装置３２ａ／３２ｂを操作することにより、明
るいスポットの予測可能なベクトル運動を生じさせるこ
とが出来る。この様にして、技術者は、レーザービーム
の入射角を容易に垂直に調整することが出来る。
【００３３】ターンテーブルは、本発明の好ましい実施
例では回転可能であり、ターンテーブルを回転しないよ
うに保持するためのブレーキ機構（図示せず）を含む。
ウェーハーが初期垂直化後に半球形のペデスタルに保持
又はクランプされ、レーザービームを特別のダイスに芯
出しするためにターンテーブルを回転させる場合にも、
垂直化手順は、ウェーハーの曲率と回転の量とに応じて
実行され得る。希望に応じて、ターンテーブルの回転に
よるその様な垂直化とダイスの位置決めとは自動化され
得る。
例では回転可能であり、ターンテーブルを回転しないよ
うに保持するためのブレーキ機構（図示せず）を含む。
ウェーハーが初期垂直化後に半球形のペデスタルに保持
又はクランプされ、レーザービームを特別のダイスに芯
出しするためにターンテーブルを回転させる場合にも、
垂直化手順は、ウェーハーの曲率と回転の量とに応じて
実行され得る。希望に応じて、ターンテーブルの回転に
よるその様な垂直化とダイスの位置決めとは自動化され
得る。
【００３４】本発明をエッチング速度モニターのアライ
メントに適用すれば、レーザービームとウェーハー面と
の間の入射角を極めて正確に且つ迅速に垂直に調整する
ことが出来る。一般的に、その様なアライメントは黒色
のシリコン・ウェーハーで行われる。その後、既知の方
位を持った製造型のウェーハーを、エッチング速度検出
装置も整合され得る様に、アライメント・ウェーハーと
して提供することが出来る。本システムは、従来技術の
ビーム・スプリッター・システムに固有のレーザービー
ム強度の減衰を防止し、完全に安全に運転し得るもので
ある。本発明は、８ミクロン以上の深さを持つコンデン
サ・トレンチを有する構造をサブミクロン幅で製造し得
る様に、エッチング速度検出・監視システムの精密アラ
イメントに役立つものであることが分かった。
メントに適用すれば、レーザービームとウェーハー面と
の間の入射角を極めて正確に且つ迅速に垂直に調整する
ことが出来る。一般的に、その様なアライメントは黒色
のシリコン・ウェーハーで行われる。その後、既知の方
位を持った製造型のウェーハーを、エッチング速度検出
装置も整合され得る様に、アライメント・ウェーハーと
して提供することが出来る。本システムは、従来技術の
ビーム・スプリッター・システムに固有のレーザービー
ム強度の減衰を防止し、完全に安全に運転し得るもので
ある。本発明は、８ミクロン以上の深さを持つコンデン
サ・トレンチを有する構造をサブミクロン幅で製造し得
る様に、エッチング速度検出・監視システムの精密アラ
イメントに役立つものであることが分かった。
【００３５】実例としての実施例を参照して、本発明を
詳しく図示し説明し、本発明を実施するために現在知ら
れている最良のモードを詳述したが、本発明の範囲から
逸脱せずに上記した本発明に種々の修正及び変更をなし
得ることを当業者は理解するべきである。特に、限定す
るものでないけれども、本発明は、例示した装置と同様
にレーザービームを調整してウェーハー面への入射角を
垂直にする方法と、例示した実施例に示されている要素
の全ての均等物を包含する。
詳しく図示し説明し、本発明を実施するために現在知ら
れている最良のモードを詳述したが、本発明の範囲から
逸脱せずに上記した本発明に種々の修正及び変更をなし
得ることを当業者は理解するべきである。特に、限定す
るものでないけれども、本発明は、例示した装置と同様
にレーザービームを調整してウェーハー面への入射角を
垂直にする方法と、例示した実施例に示されている要素
の全ての均等物を包含する。
【図１】本発明の実施例の部分断面側面図である。
【図２】本発明の実施例の詳細な断面側面図である。
【図３】本発明の実施例の詳細な断面側面図である。
【図４】本発明の実施例による光経路の第１略図であ
る。
る。
【図５】本発明の実施例による光経路の第２略図であ
る。
る。
【図６】本発明の実施例によるターゲット・アライメン
ト・パターンの上面図である。
ト・パターンの上面図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年６月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
Claims (17)
- 【請求項１】 反射面への平行光路を垂直化する装置で
あって、 ミラーを備えており、このミラーを貫通するピンホール
が形成されており、 前記光源からの光が前記ピンホールを通って前記面へ進
み、この面で反射されて逆に前記光路に沿って前記ミラ
ーに進んで、前記光源光路が前記面に対して垂直である
ときには前記ピンホールを通って前記光源へ向かうこと
となる様に、該ミラーは、光源と前記面との間の光路の
中の第１位置へ移動可能であり、 且つ、該ミラーは、前記光路外の第２位置へ移動可能で
あり、 更に、前記光源光路が前記面に対して垂直でないときに
該光源からの光の経路から発散する経路に沿って前記面
から前記ミラーへ向けられる前記ミラーにより反射され
た光を取るターゲットが設けられていることを特徴とす
る装置。 - 【請求項２】 前記光源はレーザーから成ることを特徴
とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記面は半導体ウェーハーの面から成る
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記反射面に対する前記光源の位置を調
整して、その間の垂直化を行うためのアライメント機構
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
かに記載の装置。 - 【請求項５】 前記アライメント機構は、前記光源を取
りつけるためのターンテーブルを更に備えており、前記
装置はプロセス・チャンバを更に備えており、このチャ
ンバは、前記光源からの光を前記プロセス・チャンバに
導入するための窓を含むことを特徴とする請求項４に記
載の装置。 - 【請求項６】 前記窓は前記ターゲットへの反射からゴ
ースト・イメージを無くするために傾斜可能に調整可能
であることを特徴とする請求項５に記載の装置。 - 【請求項７】 前記ターンテーブルは、前記反射面の特
別の特微物の位置決めのために自動的に回転調整可能で
あることを特徴とする請求項５又は６に記載の装置。 - 【請求項８】 前記ミラーはそのエッジに取りつけられ
ていて、前記エッジに沿う軸の周囲に前記第１位置と前
記第２位置との間で回動可能であり、更に、前記ミラー
を前記第１位置及び前記第２位置の間で運動させるため
の制御ロッドが設けられていることを特徴とする請求項
１乃至７のいずれかに記載の装置。 - 【請求項９】 前記ミラーを前記光路外の前記第２位置
に維持するためのバイアスが更に設けられており、前記
制御ロッドは、前記ミラーを前記光路内の前記第１位置
へ移動させるために操作されることを特徴とする請求項
１乃至８のいずれかに記載の装置。 - 【請求項１０】 前記ターゲットは、光源／反射面垂直
化を指示するためのパターンを更に備えることを特徴と
する請求項１乃至９のいずれかに記載の装置。 - 【請求項１１】 前記ミラーを貫通する複数のピンホー
ルが前記ミラーに形成されていることを特徴とする請求
項１乃至１０のいずれかに記載の装置。 - 【請求項１２】 前記ターゲットは光検出器を更に備え
ていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに
記載の装置。 - 【請求項１３】 エッチング速度監視／エッチング深さ
制御システムにおいて、半導体ウェーハー面への平行光
路を垂直化する装置であって、 ミラーを備えており、このミラーを貫通するピンホール
が形成されており、 前記光源からの光が前記ピンホールを通って前記面へ進
み、ここで前記面から 反射されて同じ光路に沿って進み、若し前記光源光路が
前記面に対して垂直であれば前記ピンホールを通って前
記光源へ向かうこととなる様に、該ミラーは光源と前記
ウェーハー面との間の前記光路の中の第１位置へ移動可
能であり、 且つ、該ミラーは、前記光路外の第２位置へ移動可能で
あり、 更に、前記光源光路が前記面に対して垂直でないときに
該光源からの光の経路から発散する経路に沿って前記ウ
ェーハー面から前記ミラーへ向けられる前記ミラーによ
り反射された光を受け取るターゲットが設けられている
ことを特徴とする装置。 - 【請求項１４】 反射面への平行光路を垂直化するため
の方法であって、 ピンホールが形成されているミラーを、光源と前記反射
面との間の前記光路の中に、若し前記光源光路が前記面
に対して垂直であれば前記光源からの光が前記ピンホー
ルを通って前記面へ進んで前記面から反射されて同じ光
路に沿って前記ミラーへ進んで前記ピンホールを通って
前記光源へ向かうこととなる様に、位置決めし、 前記面から反射された光が前記ミラーからターゲット上
へ反射されて、前記光源光路が前記反射面に対して垂直
でないことを示すか否かを判定し、 光路／反射面垂直化を達成するために、若し必要なら
ば、前記光源と前記反射面との関係を調整し、 前記ミラーを前記光路外に位置決めするステップから成
ることを特徴とする方法。 - 【請求項１５】 前記ミラーを、制御ロッドで、光路／
反射面垂直化を行うための前記光路内の第１位置と前記
光路外の第２位置との間で交互にミラー・エッジの周囲
に回転させるステップを更に備えることを特徴とする請
求項１４に記載の方法。 - 【請求項１６】 前記ミラーを前記光路外の前記第２位
置にバイアスして、前記制御ロッドを操作して前記ミラ
ーを前記光路内の前記第１位置へ移動させるステップを
更に備えることを特徴とする請求項１４又は１５に記載
の方法。 - 【請求項１７】 レーザー光源／反射面垂直化を指示す
るパターンを前記ターゲット上に設けるステップを更に
備えることを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか
に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US82380892A | 1992-01-16 | 1992-01-16 | |
| US07/823808 | 1992-01-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208990A true JPH06208990A (ja) | 1994-07-26 |
| JPH07123120B2 JPH07123120B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=25239786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5004154A Expired - Lifetime JPH07123120B2 (ja) | 1992-01-16 | 1993-01-13 | 半導体基板の反射面への入射光ビームを垂直化する装置及び方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5648847A (ja) |
| EP (1) | EP0552008B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07123120B2 (ja) |
| KR (1) | KR930017127A (ja) |
| DE (1) | DE69300120T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012093225A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Nikon Corp | 形状測定装置、形状測定制御プログラム及び形状測定方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US6331166B1 (en) * | 1998-03-03 | 2001-12-18 | Senorx, Inc. | Breast biopsy system and method |
| US6213845B1 (en) * | 1999-04-26 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same |
| US6290572B1 (en) | 2000-03-23 | 2001-09-18 | Micron Technology, Inc. | Devices and methods for in-situ control of mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
| CA2429363C (en) | 2000-11-28 | 2007-08-14 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of and apparatus for adjusting optical component, and optical unit |
| US6982785B2 (en) * | 2001-05-01 | 2006-01-03 | Van Den Engh Gerrrit J | Apparatus for determining radiation beam alignment |
| EP1459834B1 (de) * | 2003-03-20 | 2007-12-05 | TRUMPF Laser GmbH + Co. KG | Verfahren und Anordnung zum Ausrichten eines Laserstrahls |
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