JPH06208906A - サーミスタ素子の製造方法 - Google Patents
サーミスタ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH06208906A JPH06208906A JP1931493A JP1931493A JPH06208906A JP H06208906 A JPH06208906 A JP H06208906A JP 1931493 A JP1931493 A JP 1931493A JP 1931493 A JP1931493 A JP 1931493A JP H06208906 A JPH06208906 A JP H06208906A
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- Japan
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- electrodes
- electrode
- thermister element
- thermistor
- thermister
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電気的特性が安定したサーミスタ素子が得られ
るサーミスタ素子の製造方法を提供する。 【構成】サーミスタ素体１の対向する両面の電極２をCr
あるいはTiの少なくともいずれかを含む金属により構成
すると共に、該両面の電極を薄膜形成法によって形成す
る。
るサーミスタ素子の製造方法を提供する。 【構成】サーミスタ素体１の対向する両面の電極２をCr
あるいはTiの少なくともいずれかを含む金属により構成
すると共に、該両面の電極を薄膜形成法によって形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、家電機器や自動車機器
等の温度センサとして用いられる高精度サーミスタ素子
の製造方法に関するものである。
等の温度センサとして用いられる高精度サーミスタ素子
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１は一般的なサーミスタ素子の構造を
示す断面図であり、サーミスタ素子は、素体１の対向す
る両面に電極２を形成し、これにリード線３の一端を溶
接するか、あるいは半田や導電性接着剤４により固着す
る。これらを必要に応じてガラス等５により封止固定す
る場合もある。従来、素体１の両面に形成する電極２
は、ガラスフリットを含むAu、Ag、Ag−Pd等の厚膜ペー
ストを塗布して５００℃〜９００℃で焼き付けるか、あ
るいはこれらの金属を真空蒸着法等による薄膜形成法に
より成膜して形成していた。
示す断面図であり、サーミスタ素子は、素体１の対向す
る両面に電極２を形成し、これにリード線３の一端を溶
接するか、あるいは半田や導電性接着剤４により固着す
る。これらを必要に応じてガラス等５により封止固定す
る場合もある。従来、素体１の両面に形成する電極２
は、ガラスフリットを含むAu、Ag、Ag−Pd等の厚膜ペー
ストを塗布して５００℃〜９００℃で焼き付けるか、あ
るいはこれらの金属を真空蒸着法等による薄膜形成法に
より成膜して形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来のように、
ガラスフリットを含む前記Au、Ag、Ag−Pd等の厚膜ペー
ストを５００℃〜９００℃で大気中にて焼き付けて電極
２を形成すると、厚膜ペースト中に含まれるガラスフリ
ットとサーミスタ素体１とが反応し、その結果、電気的
特性が著しく変動してしまうという問題点があった。こ
の問題点に鑑み、本出願人は、Au、Ag、Ag−Pd等の金属
を真空蒸着法等の薄膜形成法によって電極として形成し
たサーミスタを開発し、電気的特性を安定化させること
ができた。さらにサーミスタ素体と電極との密着を十分
に保つことができれば、その結果電気的特性がより安定
化したサーミスタ素子の実現が可能であることを見出し
た。
ガラスフリットを含む前記Au、Ag、Ag−Pd等の厚膜ペー
ストを５００℃〜９００℃で大気中にて焼き付けて電極
２を形成すると、厚膜ペースト中に含まれるガラスフリ
ットとサーミスタ素体１とが反応し、その結果、電気的
特性が著しく変動してしまうという問題点があった。こ
の問題点に鑑み、本出願人は、Au、Ag、Ag−Pd等の金属
を真空蒸着法等の薄膜形成法によって電極として形成し
たサーミスタを開発し、電気的特性を安定化させること
ができた。さらにサーミスタ素体と電極との密着を十分
に保つことができれば、その結果電気的特性がより安定
化したサーミスタ素子の実現が可能であることを見出し
た。
【０００４】本発明は、上記の点に着眼し、電気的特性
が安定したサーミスタ素子が得られるサーミスタ素子の
製造方法を提供することを目的とする。
が安定したサーミスタ素子が得られるサーミスタ素子の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、サーミスタ素体の対向する両面の電極をCr
あるいはTiの少なくともいずれかを含む金属により構成
すると共に、該両面の電極を薄膜形成法によって形成す
ることを特徴とする。
成するため、サーミスタ素体の対向する両面の電極をCr
あるいはTiの少なくともいずれかを含む金属により構成
すると共に、該両面の電極を薄膜形成法によって形成す
ることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明の方法においては、電極材質をCr、Tiの
少なくともいずれかを含むものとしてこれを蒸着等の薄
膜形成法によって成膜することにより、サーミスタ素体
と電極との密着が十分に保たれる。
少なくともいずれかを含むものとしてこれを蒸着等の薄
膜形成法によって成膜することにより、サーミスタ素体
と電極との密着が十分に保たれる。
【０００７】
【実施例】以下本発明を実施例により説明する。サーミ
スタ素体１の作製は、出発原料としてMnCO3 、NiO 、Co
2O3 のように、焼成後に各金属の酸化物となるものを、
その焼成後に表１のモル比になるように選択配合し、配
合による混合物をボールミルで混合粉砕し、次に混合粉
体を８００℃〜１０００℃で仮焼きした後、再度ボール
ミルで微粉砕してサーミスタ粉体を作製した。このよう
にして作製したサーミスタ粉末にポリビニルアルコール
（ＰＶＡ）を添加し、加圧成形機により円板状に成形
し、１０００〜１４００℃の大気中で焼成した。その後
切断し、研磨することにより、厚みが０．５mmのサーミ
スタ組成物を得た。
スタ素体１の作製は、出発原料としてMnCO3 、NiO 、Co
2O3 のように、焼成後に各金属の酸化物となるものを、
その焼成後に表１のモル比になるように選択配合し、配
合による混合物をボールミルで混合粉砕し、次に混合粉
体を８００℃〜１０００℃で仮焼きした後、再度ボール
ミルで微粉砕してサーミスタ粉体を作製した。このよう
にして作製したサーミスタ粉末にポリビニルアルコール
（ＰＶＡ）を添加し、加圧成形機により円板状に成形
し、１０００〜１４００℃の大気中で焼成した。その後
切断し、研磨することにより、厚みが０．５mmのサーミ
スタ組成物を得た。
【０００８】このようにして得られた試料に表１に示す
電極材料を焼付法または真空蒸着法により形成した。焼
付法については所定の厚膜ペーストを７００℃の大気中
で焼付を行い、真空蒸着法については基板温度１５０
℃、電極膜厚０．２μｍ〜０．５μｍの条件で成膜し
た。なお、表１において、電極材であるAg-TiはAg：Ti
＝９８：２とし、Ni−CrはNi：Cr＝８０：２０とした。
電極材料を焼付法または真空蒸着法により形成した。焼
付法については所定の厚膜ペーストを７００℃の大気中
で焼付を行い、真空蒸着法については基板温度１５０
℃、電極膜厚０．２μｍ〜０．５μｍの条件で成膜し
た。なお、表１において、電極材であるAg-TiはAg：Ti
＝９８：２とし、Ni−CrはNi：Cr＝８０：２０とした。
【０００９】このようにして得られた試料をダイジング
ソウにより１mm角のペレットに切断し、測定器を使用し
て各試料条件につき４０個の抵抗値を測定した結果、表
１に示す結果が得られた。
ソウにより１mm角のペレットに切断し、測定器を使用し
て各試料条件につき４０個の抵抗値を測定した結果、表
１に示す結果が得られた。
【００１０】表１において、R25 は２５℃でのサーミス
タのゼロ負荷抵抗値（サーミスタは自己発熱体であるた
め、大きなパワーをかけると抵抗が変化するので、これ
を避けるため、数μＡ程度の小さい電流で抵抗値を測定
する）であり、Ｂ定数であるB25／B85 は２５℃、８５
℃におけるゼロ負荷抵抗値をそれぞれB25 、B85 とした
とき、(1) 式により算出される値である。 B 25／B85 ＝｛ln（B25/B85)｝／[{1/(273.15+25)}- {1/(273.15+85)}] …(1) また、C.V.はサーミスタのゼロ負荷抵抗値およびＢ定数
のばらつきを表す値であり、(2) 式により算出される値
（変動係数）である。 C.V.＝｛標準偏差（σn-1）／平均値（χ）｝×１００ …(2)
タのゼロ負荷抵抗値（サーミスタは自己発熱体であるた
め、大きなパワーをかけると抵抗が変化するので、これ
を避けるため、数μＡ程度の小さい電流で抵抗値を測定
する）であり、Ｂ定数であるB25／B85 は２５℃、８５
℃におけるゼロ負荷抵抗値をそれぞれB25 、B85 とした
とき、(1) 式により算出される値である。 B 25／B85 ＝｛ln（B25/B85)｝／[{1/(273.15+25)}- {1/(273.15+85)}] …(1) また、C.V.はサーミスタのゼロ負荷抵抗値およびＢ定数
のばらつきを表す値であり、(2) 式により算出される値
（変動係数）である。 C.V.＝｛標準偏差（σn-1）／平均値（χ）｝×１００ …(2)
【００１１】表１において、判定の欄に〇印が記された
ものは本発明によるものであり、×印は本発明によらな
いものであり、表１により明らかな如く、試料Ｎｏ．
１、２、３、８、９、１０に示す本発明によらないもの
は、サーミスタのゼロ負荷抵抗値、Ｂ定数のC.V.値がそ
れぞれ１％、０．１％を大きく超えているが、本発明に
よるものは、これらのC.V.値がそれぞれ１％以下、０．
１％以下と小さくなっている。これらのことから、サー
ミスタ素体に付ける電極がCrあるいはTiの少なくともい
ずれかが含まれる金属で構成され、かつその形成方法が
薄膜形成法であることにより、サーミスタ素体と電極と
の密着を十分に保つことが可能となり、また、前記サー
ミスタ素体と電極との反応もないため、高精度のサーミ
スタ素子を供給できる。なお、表１のデータは試作例の
一部について示すものであり、前記電極上に酸化防止の
ために金属や半田付けのための金属を形成してもよい。
また、本発明においては、蒸着法以外の他の薄膜形成方
法を採用しうる。
ものは本発明によるものであり、×印は本発明によらな
いものであり、表１により明らかな如く、試料Ｎｏ．
１、２、３、８、９、１０に示す本発明によらないもの
は、サーミスタのゼロ負荷抵抗値、Ｂ定数のC.V.値がそ
れぞれ１％、０．１％を大きく超えているが、本発明に
よるものは、これらのC.V.値がそれぞれ１％以下、０．
１％以下と小さくなっている。これらのことから、サー
ミスタ素体に付ける電極がCrあるいはTiの少なくともい
ずれかが含まれる金属で構成され、かつその形成方法が
薄膜形成法であることにより、サーミスタ素体と電極と
の密着を十分に保つことが可能となり、また、前記サー
ミスタ素体と電極との反応もないため、高精度のサーミ
スタ素子を供給できる。なお、表１のデータは試作例の
一部について示すものであり、前記電極上に酸化防止の
ために金属や半田付けのための金属を形成してもよい。
また、本発明においては、蒸着法以外の他の薄膜形成方
法を採用しうる。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、サーミスタ素体の両面
に形成する電極をCr、Tiの少なくともいずれかが含まれ
る金属により構成し、かつその電極形成を薄膜形成法に
よって行うため、安定した特性を有する高精度のサーミ
スタ素子を提供することができる。
に形成する電極をCr、Tiの少なくともいずれかが含まれ
る金属により構成し、かつその電極形成を薄膜形成法に
よって行うため、安定した特性を有する高精度のサーミ
スタ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】サーミスタの構造の一例を示す断面図である。
１ サーミスタ素体 ２ 電極 ３ リード線 ４ 半田等 ５ ガラス
Claims (1)
- 【請求項１】サーミスタ素体の対向する両面の電極をCr
あるいはTiの少なくともいずれかを含む金属により構成
すると共に、該両面の電極を薄膜形成法によって形成す
ることを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1931493A JPH06208906A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | サーミスタ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1931493A JPH06208906A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | サーミスタ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208906A true JPH06208906A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11995955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1931493A Pending JPH06208906A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | サーミスタ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06208906A (ja) |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP1931493A patent/JPH06208906A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020104 |