JPH06206324A - 表示装置 - Google Patents
表示装置Info
- Publication number
- JPH06206324A JPH06206324A JP1821193A JP1821193A JPH06206324A JP H06206324 A JPH06206324 A JP H06206324A JP 1821193 A JP1821193 A JP 1821193A JP 1821193 A JP1821193 A JP 1821193A JP H06206324 A JPH06206324 A JP H06206324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- recording medium
- display device
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、ＷＹＳＩＷＹＧ（見た通り
のものがそのまま得られる）の要求を満足することので
きる表示装置を提供することにある。 【構成】 電気信号に応じた可視的表示を行うための熱
書き込み型可逆性記録媒体と、該記録媒体への熱書き込
み手段とを少なくとも有する表示装置において、前記熱
書き込み手段が、絶縁基板上に微小発熱体素子を２次元
マトリックス状に配置した構成のものである表示装置。
のものがそのまま得られる）の要求を満足することので
きる表示装置を提供することにある。 【構成】 電気信号に応じた可視的表示を行うための熱
書き込み型可逆性記録媒体と、該記録媒体への熱書き込
み手段とを少なくとも有する表示装置において、前記熱
書き込み手段が、絶縁基板上に微小発熱体素子を２次元
マトリックス状に配置した構成のものである表示装置。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、シート状の熱書き込み型可逆性
記録媒体を用いた表示装置に関する。
記録媒体を用いた表示装置に関する。
【０００２】
【従来技術】サーマルヘッドを用いた液晶ポリマーへの
熱書き込みを行う方法は知られている。例えば、液晶ポ
リマーをコーティングしたフィルムをサーマルヘッドに
接して配置し、サーマルヘッドに印加する画像信号と同
期してフィルムを走査して熱書き込みを行う方法が知ら
れており〔Ｔ．Ｕｅｎｏ，ｅｔ ａｌ．，Ｐｒｏｃ．ｏ
ｆ Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ’８６， Ｐ．２９０
（１９８６）〕、この方法は感熱紙の代わりに液晶ポリ
マーフィルムを記録媒体に使用したのが特徴であるが、
液晶ポリマーフィルムを記録媒体に使用しているので、
書替え可能な記録用紙としては利用される可能性がある
もののシステムとして以下の欠点を有している。 ＤＴＰの場合に特に要求される、ＷＹＳＩＷＹＧ
（見た通りのものがそのまま得られる）ものでなく、表
示を確認しながら編集ができ、かつ、表示されていたそ
のものが出力されるようになっていない。 サーマルヘッドがライン状で記録媒体の走査が必要
であり、書替えに時間がかかる。
熱書き込みを行う方法は知られている。例えば、液晶ポ
リマーをコーティングしたフィルムをサーマルヘッドに
接して配置し、サーマルヘッドに印加する画像信号と同
期してフィルムを走査して熱書き込みを行う方法が知ら
れており〔Ｔ．Ｕｅｎｏ，ｅｔ ａｌ．，Ｐｒｏｃ．ｏ
ｆ Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ’８６， Ｐ．２９０
（１９８６）〕、この方法は感熱紙の代わりに液晶ポリ
マーフィルムを記録媒体に使用したのが特徴であるが、
液晶ポリマーフィルムを記録媒体に使用しているので、
書替え可能な記録用紙としては利用される可能性がある
もののシステムとして以下の欠点を有している。 ＤＴＰの場合に特に要求される、ＷＹＳＩＷＹＧ
（見た通りのものがそのまま得られる）ものでなく、表
示を確認しながら編集ができ、かつ、表示されていたそ
のものが出力されるようになっていない。 サーマルヘッドがライン状で記録媒体の走査が必要
であり、書替えに時間がかかる。
【０００３】
【目的】本発明は、ＷＹＳＩＷＹＧの要求を満足するこ
とのできる表示装置を提供することにある。
とのできる表示装置を提供することにある。
【０００４】
【構成】本発明は、電気信号に応じた可視的表示を行う
ことが可能な熱書き込み型可逆性記録媒体と、該記録媒
体に対する熱書き込み手段と、該記録媒体に対する熱書
き込み手段とを少なくとも有する表示装置に関する。本
発明の表示装置の基本的構成を図２に基づいて説明す
る。書き込み手段１は、該手段上に配置されている微小
発熱体素子に作成される画像に対応した電気信号が印加
され、記録媒体２の所定位置に画像パターンが熱によっ
て書き込まれるので、画像パターンの消去、書替えは記
録媒体の可逆性を利用して行うことができる。記録媒体
２は、先ず画像（文章等も含む）を作成する際の表示と
して機能し、更に画像の編集が終了した際に、装置より
取り外せばそのまま印刷物として機能する。新しい記録
媒体を装着すれば、上記の印刷機能の繰返しが可能であ
る。勿論、印刷物としてそのまま保存しない場合、すな
わち表示としてのみ機能させる場合には、磁気ディス
ク、光ディスク、ハードディスク等の第２の記録媒体に
完成した画像情報を記録しておけばよい。また、この逆
に印刷機能のみを利用しプリンタとして使うことも可能
である。記録媒体を装置より脱着可能とすることで、上
記のような多様な機能を合わせ持つ、理想的な表示装置
が実現できる。また、熱書き込み型可逆性記録媒体は紙
の機能を再現でき、かつ、書替え可能であるために、環
境問題の解決、省資源に有効である。
ことが可能な熱書き込み型可逆性記録媒体と、該記録媒
体に対する熱書き込み手段と、該記録媒体に対する熱書
き込み手段とを少なくとも有する表示装置に関する。本
発明の表示装置の基本的構成を図２に基づいて説明す
る。書き込み手段１は、該手段上に配置されている微小
発熱体素子に作成される画像に対応した電気信号が印加
され、記録媒体２の所定位置に画像パターンが熱によっ
て書き込まれるので、画像パターンの消去、書替えは記
録媒体の可逆性を利用して行うことができる。記録媒体
２は、先ず画像（文章等も含む）を作成する際の表示と
して機能し、更に画像の編集が終了した際に、装置より
取り外せばそのまま印刷物として機能する。新しい記録
媒体を装着すれば、上記の印刷機能の繰返しが可能であ
る。勿論、印刷物としてそのまま保存しない場合、すな
わち表示としてのみ機能させる場合には、磁気ディス
ク、光ディスク、ハードディスク等の第２の記録媒体に
完成した画像情報を記録しておけばよい。また、この逆
に印刷機能のみを利用しプリンタとして使うことも可能
である。記録媒体を装置より脱着可能とすることで、上
記のような多様な機能を合わせ持つ、理想的な表示装置
が実現できる。また、熱書き込み型可逆性記録媒体は紙
の機能を再現でき、かつ、書替え可能であるために、環
境問題の解決、省資源に有効である。
【０００５】次に図３を用いて記録媒体に関してその構
成を具体的に説明する。透明支持体１０の上に記録層１
１と保護層１２とを順次積層して記録媒体は完成する。
記録層１１は熱履歴によって光散乱状態が変化する高分
子系記録材料より作製するのが、大面積化、製造コスト
の低減の観点からは最も有利であるが、特にこれらに限
定されるものではない。例えば、熱履歴によって発色、
除色をしめす高分子系記録材料や熱履歴によって可逆的
に相変化（非晶質−結晶転移）を起こし光散乱状態が変
化する無機系記録材料等も使用できる。光散乱状態が変
化する高分子系記録材料としては、高分子単独の相変
化を利用したものあるいは高分子中に分散された低分
子物質の相溶性変化や相変化を利用したものを挙げるこ
とが出来る。具体的にはではポリ（１，４−ベンゼン
チオール−ｃｏ−１，４−ジビニルベンゼン），Ｎ−ジ
シクロヘキシル−Ｎ，Ｎ−ジメチルイソフタルアミド等
の高分子材料が使用できるが特にこれらに限定されな
い。ではポリスチレン−ポリブタジエンブロック共重
合体とステアリン酸の混合系、塩化ビニリデン−アクリ
ロニトリル共重合体とドコサン酸およびフッ化ビニリデ
ン−ヘキサフルオロアセトン共重合体とメタクリル酸メ
チル低分子量体の混合系等が使用できるが特にこれらに
限定されない。前記の場合において、記録材料として
ポリ（１，４−ベンゼンチオール−ｃｏ−１，４−ジビ
ニルベンゼン）の薄膜を記録層とした場合に、結晶状態
では不透明であるが、これを約１７０℃まで加熱すると
非晶状態で透明に変化し、この状態から約８０℃まで徐
冷すると結晶状態で不透明に戻る（初期化できる）。前
記の場合において、ポリスチレン−ポリブタジエンブ
ロック共重合体とステアリン酸の混合系の薄膜を記録層
とした場合の熱履歴による光散乱状態の変化を図１に示
す。出発の状態によって２通りの変化が考えられる。状
態１（透明）から加熱すると約５７℃で状態３（白濁）
に変化する。更に加熱すると約７０℃で状態４（透明）
に変化する。いま、視認側と反対側に黒色の反射層を設
け、１→３の変化を利用すれば黒地に白の画像が得られ
る。また、状態２（白濁）から加熱すると状態３（白
濁）を経て、約７０℃で状態４（透明）に変化する。こ
のモードを利用すれば白地に黒の画像が得られる。それ
ぞれの初期状態に戻す（初期化、消去）には、状態４
（透明）から冷却すれば状態１（透明）に戻り、状態３
（白濁）から冷却すれば状態２（白濁）に戻る。また、
前記塩化ビニリデン−アクリロニトリルとの共重合体に
ドコサン酸の混合系の薄膜を記録層とした場合、該記録
層は不透明／白色であるが、Ｔ1（６３℃）まで加熱後
に冷却すると安定した透明層になり、該透明層を再び昇
温するとＴ2（７４℃）以下で不透明／白色層になる。
再度、Ｔ1まで昇温および冷却を繰り返すと透明化（初
期化）する。透明支持体１０上に先ず、記録材料である
前記のような高分子材料を適当な有機溶媒に溶解した溶
液をコート乾燥させ記録層１１を形成する。記録層１１
の膜厚は材料系によって異なるが、表示特性特にコント
ラストと書き込み、消去時に必要な熱エネルギーの観点
より数１０００Å〜数１０μｍ、より好ましくは０．５
μｍ〜数μｍである。膜厚が厚ければコントラストは向
上するが必要とする熱エネルギーが増加して動作時間が
長くなってしまう。次に表面のパシベーションのために
保護層１２を形成する。材料としてはＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ
4、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3等の無機薄膜やポリイミド系樹
脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等の耐熱性有機樹
脂が使用できる。膜厚は材料の熱伝導率によっても異な
るが、概ね０．２μｍ〜数μｍである。この範囲より薄
ければパシベーション効果が不十分になり、この範囲よ
り厚ければ動作に必要な熱エネルギーが増加して動作時
間が長くなってしまう。記録媒体は熱伝達を考慮しての
保護層側を微小発熱体素子に密着するように装着する
が、上述したように白黒モードで表示させる場合には黒
色反射層を保護層側に設ける必要があるが、投影型ディ
スプレイ用のパネルあるいは原稿のように白黒モードを
必要としない場合にはこのかぎりではない。黒色反射層
は保護層の表面あるいは保護層の内側（記録層と接する
側）に設けてもよいが、保護層を黒色にして機能を兼ね
ることは層構成の単純化、低コスト化には特に有効であ
る。黒色保護層を有機樹脂に黒色顔料を分散させるか、
有機樹脂を黒色染料で染色する方法で作製できる。ま
た、透明支持体１０は、ＰＣ，ＰＥＴ，ＮＡＰ（ポリア
リレート）、ＰＥＳ等の耐熱性高分子フィルムが使用で
きるが、フィルム厚としては３００μｍ以下、より好ま
しくは１００μｍ以下が適当である。フィルム厚がこの
範囲以上ではペーパーライクの意味からはずれ、かつ、
記録媒体をＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ方式で連続的に製
造することが難しくなる。
成を具体的に説明する。透明支持体１０の上に記録層１
１と保護層１２とを順次積層して記録媒体は完成する。
記録層１１は熱履歴によって光散乱状態が変化する高分
子系記録材料より作製するのが、大面積化、製造コスト
の低減の観点からは最も有利であるが、特にこれらに限
定されるものではない。例えば、熱履歴によって発色、
除色をしめす高分子系記録材料や熱履歴によって可逆的
に相変化（非晶質−結晶転移）を起こし光散乱状態が変
化する無機系記録材料等も使用できる。光散乱状態が変
化する高分子系記録材料としては、高分子単独の相変
化を利用したものあるいは高分子中に分散された低分
子物質の相溶性変化や相変化を利用したものを挙げるこ
とが出来る。具体的にはではポリ（１，４−ベンゼン
チオール−ｃｏ−１，４−ジビニルベンゼン），Ｎ−ジ
シクロヘキシル−Ｎ，Ｎ−ジメチルイソフタルアミド等
の高分子材料が使用できるが特にこれらに限定されな
い。ではポリスチレン−ポリブタジエンブロック共重
合体とステアリン酸の混合系、塩化ビニリデン−アクリ
ロニトリル共重合体とドコサン酸およびフッ化ビニリデ
ン−ヘキサフルオロアセトン共重合体とメタクリル酸メ
チル低分子量体の混合系等が使用できるが特にこれらに
限定されない。前記の場合において、記録材料として
ポリ（１，４−ベンゼンチオール−ｃｏ−１，４−ジビ
ニルベンゼン）の薄膜を記録層とした場合に、結晶状態
では不透明であるが、これを約１７０℃まで加熱すると
非晶状態で透明に変化し、この状態から約８０℃まで徐
冷すると結晶状態で不透明に戻る（初期化できる）。前
記の場合において、ポリスチレン−ポリブタジエンブ
ロック共重合体とステアリン酸の混合系の薄膜を記録層
とした場合の熱履歴による光散乱状態の変化を図１に示
す。出発の状態によって２通りの変化が考えられる。状
態１（透明）から加熱すると約５７℃で状態３（白濁）
に変化する。更に加熱すると約７０℃で状態４（透明）
に変化する。いま、視認側と反対側に黒色の反射層を設
け、１→３の変化を利用すれば黒地に白の画像が得られ
る。また、状態２（白濁）から加熱すると状態３（白
濁）を経て、約７０℃で状態４（透明）に変化する。こ
のモードを利用すれば白地に黒の画像が得られる。それ
ぞれの初期状態に戻す（初期化、消去）には、状態４
（透明）から冷却すれば状態１（透明）に戻り、状態３
（白濁）から冷却すれば状態２（白濁）に戻る。また、
前記塩化ビニリデン−アクリロニトリルとの共重合体に
ドコサン酸の混合系の薄膜を記録層とした場合、該記録
層は不透明／白色であるが、Ｔ1（６３℃）まで加熱後
に冷却すると安定した透明層になり、該透明層を再び昇
温するとＴ2（７４℃）以下で不透明／白色層になる。
再度、Ｔ1まで昇温および冷却を繰り返すと透明化（初
期化）する。透明支持体１０上に先ず、記録材料である
前記のような高分子材料を適当な有機溶媒に溶解した溶
液をコート乾燥させ記録層１１を形成する。記録層１１
の膜厚は材料系によって異なるが、表示特性特にコント
ラストと書き込み、消去時に必要な熱エネルギーの観点
より数１０００Å〜数１０μｍ、より好ましくは０．５
μｍ〜数μｍである。膜厚が厚ければコントラストは向
上するが必要とする熱エネルギーが増加して動作時間が
長くなってしまう。次に表面のパシベーションのために
保護層１２を形成する。材料としてはＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ
4、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3等の無機薄膜やポリイミド系樹
脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等の耐熱性有機樹
脂が使用できる。膜厚は材料の熱伝導率によっても異な
るが、概ね０．２μｍ〜数μｍである。この範囲より薄
ければパシベーション効果が不十分になり、この範囲よ
り厚ければ動作に必要な熱エネルギーが増加して動作時
間が長くなってしまう。記録媒体は熱伝達を考慮しての
保護層側を微小発熱体素子に密着するように装着する
が、上述したように白黒モードで表示させる場合には黒
色反射層を保護層側に設ける必要があるが、投影型ディ
スプレイ用のパネルあるいは原稿のように白黒モードを
必要としない場合にはこのかぎりではない。黒色反射層
は保護層の表面あるいは保護層の内側（記録層と接する
側）に設けてもよいが、保護層を黒色にして機能を兼ね
ることは層構成の単純化、低コスト化には特に有効であ
る。黒色保護層を有機樹脂に黒色顔料を分散させるか、
有機樹脂を黒色染料で染色する方法で作製できる。ま
た、透明支持体１０は、ＰＣ，ＰＥＴ，ＮＡＰ（ポリア
リレート）、ＰＥＳ等の耐熱性高分子フィルムが使用で
きるが、フィルム厚としては３００μｍ以下、より好ま
しくは１００μｍ以下が適当である。フィルム厚がこの
範囲以上ではペーパーライクの意味からはずれ、かつ、
記録媒体をＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ方式で連続的に製
造することが難しくなる。
【０００６】図４、５を用いて微小発熱体素子を説明す
る。図４はコプレナー形素子を、図４はサンドイッチ形
素子の構造をしめした。先ず、コプレナー形素子から説
明する。絶縁基板２０上に第一導体２１（行又は列電極
ラインとなる）を形成する。材料としては、Ａｌ，Ｃ
ｒ，Ｎｉ，ＮｉＣｒ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ等の金属を
通常使用するが、特にこれらに限定されるものではなく
導体であれば使用できる。上記の材料を真空蒸着、スパ
ッタ等の手段により薄膜に形成し、所定形状にパターン
ニングする。膜厚は数１００〜数１０００Åである。次
に、第一導体の発熱体層２３と接しない部分に層間絶縁
層２２を形成する。材料としてはＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，
Ｔａ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3等の無機材料を使用し、数１０００
Å〜数１０μｍ薄膜状に形成する。更に、この上に発熱
体層２３と第二導体２４（行又は列電極ラインとなる）
を形成する。第二導体２４の材料、膜厚及び形成方法は
第一導体２１と同じである。発熱体層２３としてはＴａ
2Ｎ，ネサ膜，ＳｉＯ2−Ｔａ等通常の材料も使用できる
が、我々はさらに好適な材料に関して研究を重ねた結
果、プラズマＣＶＤ法によって形成したＤＬＣ膜（ダイ
ヤモンドライクカーボン膜）、ａ−ＳｉＣ膜が特に優れ
ていることを見出した。上記２種類の材料の利点をあげ
る。 比較的低温で製膜できるので、基板材料の選択の範
囲が広がり強いては製造コストが安価である微小発熱体
素子を提供できる。ＤＬＣ膜の場合は室温で、ａ−Ｓｉ
Ｃ膜の場合は約３００℃以下で堆積が可能であり、共に
パイレックスガラス、青板ガラス等、安価な基板が使え
る。 両材料とも製膜条件を変えることで比抵抗値が広い
範囲で可変でき、素子の設計が容易である。また、より
低抵抗な膜を得ようとする場合には原料ガスにドープ用
ガス（ボロン、フォスフィン等）を混合することも可能
である。 ともに耐熱性材料であり、長期安定性が比較的優れ
ている。 さらに、発熱体層２３としてサーマルＣＶＤ法等で作製
したポリシリコン膜が特に優れていることも見出した。
この材料の利点を挙げる。 製膜温度はさほど低くないが（約６００℃）、製膜
条件を変えることで比抵抗値が広い範囲で可変でき、素
子の設計がしやすい。また、より低抵抗な膜を得ようと
する場合には原料ガスにドープ用ガス（ボロン、フォス
フィン等）を混合することも可能である。 耐熱性材料であり、長期安定性がとくに優れてい
る。 ポリシリコン膜を活性層としてＴＦＴを形成し、微
小発熱体素子の駆動回路（ドライバ等）を同一基板上に
比較的容易に作り込むことが出来、装置の小型、軽量化
に有利である。 図５でサンドイッチ形素子を説明する。絶縁基板２０上
に第一導体２１（行又は列電極ラインとなる）を形成す
る。材料としては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｎｉ，ＮｉＣｒ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ等の金属を通常使用するが、特にこ
れらに限定されるものではなく導体であれば使用でき
る。上記の材料を真空蒸着、スパッタ等の手段により薄
膜に形成し、所定形状にパターンニングする。膜厚は数
１００〜数１０００Åである。次に、この上に発熱体層
２３と第二導体２４（行又は列電極ラインとなる）を形
成する。第二導体２４の材料、膜厚及び形成方法は第一
導体２１と同じである。要するに第一導体２１と第二導
体２４の間に発熱体層２３をはさんだのみの単純な構造
である。この構造の利点を挙げる。 素子構造が単純であり、フォトリソ工程の回数が減
少し、かつ、工程中に発生する欠陥が減少するため、製
造工程が安くなる。 サンドイッチ形素子は、発熱体層の比抵抗値をある
範囲に選択することで、印加される電圧によって抵抗値
が変化する非線形抵抗素子としても機能するため、低電
圧印加時のリーク電流が減少でき、微小発熱体素子間の
クロストークが減少し、強いては表示のコントラストを
増大できる。
る。図４はコプレナー形素子を、図４はサンドイッチ形
素子の構造をしめした。先ず、コプレナー形素子から説
明する。絶縁基板２０上に第一導体２１（行又は列電極
ラインとなる）を形成する。材料としては、Ａｌ，Ｃ
ｒ，Ｎｉ，ＮｉＣｒ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ等の金属を
通常使用するが、特にこれらに限定されるものではなく
導体であれば使用できる。上記の材料を真空蒸着、スパ
ッタ等の手段により薄膜に形成し、所定形状にパターン
ニングする。膜厚は数１００〜数１０００Åである。次
に、第一導体の発熱体層２３と接しない部分に層間絶縁
層２２を形成する。材料としてはＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，
Ｔａ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3等の無機材料を使用し、数１０００
Å〜数１０μｍ薄膜状に形成する。更に、この上に発熱
体層２３と第二導体２４（行又は列電極ラインとなる）
を形成する。第二導体２４の材料、膜厚及び形成方法は
第一導体２１と同じである。発熱体層２３としてはＴａ
2Ｎ，ネサ膜，ＳｉＯ2−Ｔａ等通常の材料も使用できる
が、我々はさらに好適な材料に関して研究を重ねた結
果、プラズマＣＶＤ法によって形成したＤＬＣ膜（ダイ
ヤモンドライクカーボン膜）、ａ−ＳｉＣ膜が特に優れ
ていることを見出した。上記２種類の材料の利点をあげ
る。 比較的低温で製膜できるので、基板材料の選択の範
囲が広がり強いては製造コストが安価である微小発熱体
素子を提供できる。ＤＬＣ膜の場合は室温で、ａ−Ｓｉ
Ｃ膜の場合は約３００℃以下で堆積が可能であり、共に
パイレックスガラス、青板ガラス等、安価な基板が使え
る。 両材料とも製膜条件を変えることで比抵抗値が広い
範囲で可変でき、素子の設計が容易である。また、より
低抵抗な膜を得ようとする場合には原料ガスにドープ用
ガス（ボロン、フォスフィン等）を混合することも可能
である。 ともに耐熱性材料であり、長期安定性が比較的優れ
ている。 さらに、発熱体層２３としてサーマルＣＶＤ法等で作製
したポリシリコン膜が特に優れていることも見出した。
この材料の利点を挙げる。 製膜温度はさほど低くないが（約６００℃）、製膜
条件を変えることで比抵抗値が広い範囲で可変でき、素
子の設計がしやすい。また、より低抵抗な膜を得ようと
する場合には原料ガスにドープ用ガス（ボロン、フォス
フィン等）を混合することも可能である。 耐熱性材料であり、長期安定性がとくに優れてい
る。 ポリシリコン膜を活性層としてＴＦＴを形成し、微
小発熱体素子の駆動回路（ドライバ等）を同一基板上に
比較的容易に作り込むことが出来、装置の小型、軽量化
に有利である。 図５でサンドイッチ形素子を説明する。絶縁基板２０上
に第一導体２１（行又は列電極ラインとなる）を形成す
る。材料としては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｎｉ，ＮｉＣｒ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ等の金属を通常使用するが、特にこ
れらに限定されるものではなく導体であれば使用でき
る。上記の材料を真空蒸着、スパッタ等の手段により薄
膜に形成し、所定形状にパターンニングする。膜厚は数
１００〜数１０００Åである。次に、この上に発熱体層
２３と第二導体２４（行又は列電極ラインとなる）を形
成する。第二導体２４の材料、膜厚及び形成方法は第一
導体２１と同じである。要するに第一導体２１と第二導
体２４の間に発熱体層２３をはさんだのみの単純な構造
である。この構造の利点を挙げる。 素子構造が単純であり、フォトリソ工程の回数が減
少し、かつ、工程中に発生する欠陥が減少するため、製
造工程が安くなる。 サンドイッチ形素子は、発熱体層の比抵抗値をある
範囲に選択することで、印加される電圧によって抵抗値
が変化する非線形抵抗素子としても機能するため、低電
圧印加時のリーク電流が減少でき、微小発熱体素子間の
クロストークが減少し、強いては表示のコントラストを
増大できる。
【０００７】図６に駆動回路一体型の微小発熱体素子を
示した。本装置の駆動はアクティブマトリックスＬＣＤ
と同様に時分割駆動を行う。図のように行電極３０には
線順次に選択波形を印加していく。列電極３１には行電
極３０の選択波形に同期してオン波形あるいはオフ波形
を印加していく。このような操作によって行電極と列電
極との交点に形成されているすべての微小発熱体素子を
任意の状態に制御する。したがって、駆動回路としては
行電極用のドライバ３２と列電極用のドライバ３３とが
必要となる。より具体的には通常の駆動用ドライバＩＣ
をＣＯＧ技術によって微小発熱体素子に直接設けるか、
先に述べた、ＴＦＴによってドライバＩＣと同等の回路
を構成するか（ＩＣはもともとＭＯＳトランジスタによ
って構成されている）、どちらでも可能である。このよ
うに周辺駆動回路を微小発熱体素子と同一基板上に作製
することで装置の小型軽量化が図れる。
示した。本装置の駆動はアクティブマトリックスＬＣＤ
と同様に時分割駆動を行う。図のように行電極３０には
線順次に選択波形を印加していく。列電極３１には行電
極３０の選択波形に同期してオン波形あるいはオフ波形
を印加していく。このような操作によって行電極と列電
極との交点に形成されているすべての微小発熱体素子を
任意の状態に制御する。したがって、駆動回路としては
行電極用のドライバ３２と列電極用のドライバ３３とが
必要となる。より具体的には通常の駆動用ドライバＩＣ
をＣＯＧ技術によって微小発熱体素子に直接設けるか、
先に述べた、ＴＦＴによってドライバＩＣと同等の回路
を構成するか（ＩＣはもともとＭＯＳトランジスタによ
って構成されている）、どちらでも可能である。このよ
うに周辺駆動回路を微小発熱体素子と同一基板上に作製
することで装置の小型軽量化が図れる。
【０００８】
１） 記録媒体の構成は図３に同じである。透明支持体
としては、１５０μｍのＮＡＰ基板を使用した。この上
に記録層としてポリスチレン−ポリブタジエンブロック
共重合体とステアリン酸の混合系をバーコート法を用い
て約２０μｍ厚に形成した。次に保護層として先ずブラ
ックカーボンを含有した有機ハードコート層を約２μｍ
厚形成した。微小発熱体素子は図３のコプレナー型を採
用した。先ずパイレックス基板上に第一導体としてＮｉ
Ｃｒを約１０００Å厚に蒸着法で形成し、所定の形状に
パターンニングした。次に層間絶縁層としてＳｉ3Ｎ4を
約７０００Å厚プラズマＣＶＤ法で形成し、所定の形状
にパターンニングした。さらに、発熱体層として、ａ−
ＳｉＣ膜をプラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚約８０００
Å堆積した。最後に第二導体としてＡｕを約１０００Å
厚に蒸着法で形成し、所定の形状にパターンニングし
た。
としては、１５０μｍのＮＡＰ基板を使用した。この上
に記録層としてポリスチレン−ポリブタジエンブロック
共重合体とステアリン酸の混合系をバーコート法を用い
て約２０μｍ厚に形成した。次に保護層として先ずブラ
ックカーボンを含有した有機ハードコート層を約２μｍ
厚形成した。微小発熱体素子は図３のコプレナー型を採
用した。先ずパイレックス基板上に第一導体としてＮｉ
Ｃｒを約１０００Å厚に蒸着法で形成し、所定の形状に
パターンニングした。次に層間絶縁層としてＳｉ3Ｎ4を
約７０００Å厚プラズマＣＶＤ法で形成し、所定の形状
にパターンニングした。さらに、発熱体層として、ａ−
ＳｉＣ膜をプラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚約８０００
Å堆積した。最後に第二導体としてＡｕを約１０００Å
厚に蒸着法で形成し、所定の形状にパターンニングし
た。
【０００９】２） 記録媒体の構成は図３に同じであ
る。透明支持体としては、１００μｍのＰＥＴ基板を使
用した。この上に記録層として塩化ビニリデン−アクリ
ロニトリル共重合体とドコサン酸の混合系をＴＨＦに溶
解してこれを約１０μｍ厚コーティングして乾燥させ
た。次に保護層としてポリイミド樹脂約２μｍ厚形成
し、これを黒色染料で染色した。微小発熱体素子は図５
のサンドイッチ型を採用した。先ずＳｉＯ2付きの青板
ガラス基板上に第一導体としてＣｒを約１０００Å厚に
蒸着法で形成し、所定の形状にパターンニングした。次
に発熱体層としてＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法を用い
て、膜厚約４０００Å堆積した。最後に第二導体として
Ｐｔを約１０００Å厚に蒸着法で形成し、所定の形状に
パターンニングした。
る。透明支持体としては、１００μｍのＰＥＴ基板を使
用した。この上に記録層として塩化ビニリデン−アクリ
ロニトリル共重合体とドコサン酸の混合系をＴＨＦに溶
解してこれを約１０μｍ厚コーティングして乾燥させ
た。次に保護層としてポリイミド樹脂約２μｍ厚形成
し、これを黒色染料で染色した。微小発熱体素子は図５
のサンドイッチ型を採用した。先ずＳｉＯ2付きの青板
ガラス基板上に第一導体としてＣｒを約１０００Å厚に
蒸着法で形成し、所定の形状にパターンニングした。次
に発熱体層としてＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法を用い
て、膜厚約４０００Å堆積した。最後に第二導体として
Ｐｔを約１０００Å厚に蒸着法で形成し、所定の形状に
パターンニングした。
【００１０】３） 透明支持体としては、１００μｍの
ＰＣ基板を使用した。この上に記録層としてポリ（１，
４−ベンゼンチオール−ｃｏ−１，４−ジビニルベンゼ
ン）を使用し約５μｍ厚に製膜した。次に保護層として
ＤＬＣ膜を約１．５μｍ厚形成し、この上にアモルファ
スカーボン膜を０．５μｍ厚形成して記録媒体を作製し
た。図３のコプレナー型を採用した。先ず石英基板上に
第一導体としてＴａを約１０００Å厚に蒸着法で形成
し、所定の形状にパターンニングした。次に層間絶縁層
としてＳｉ3Ｎ4を約７０００Å厚プラズマＣＶＤ法で形
成し、所定の形状にパターンニングした。さらに、発熱
体層として、ポリシリコン膜を熱ＣＶＤ法を用いて、膜
厚約８０００Å堆積した。最後に第二導体としてＰｔを
約１０００Å厚に蒸着法で形成し、所定の形状にパター
ンニングした。
ＰＣ基板を使用した。この上に記録層としてポリ（１，
４−ベンゼンチオール−ｃｏ−１，４−ジビニルベンゼ
ン）を使用し約５μｍ厚に製膜した。次に保護層として
ＤＬＣ膜を約１．５μｍ厚形成し、この上にアモルファ
スカーボン膜を０．５μｍ厚形成して記録媒体を作製し
た。図３のコプレナー型を採用した。先ず石英基板上に
第一導体としてＴａを約１０００Å厚に蒸着法で形成
し、所定の形状にパターンニングした。次に層間絶縁層
としてＳｉ3Ｎ4を約７０００Å厚プラズマＣＶＤ法で形
成し、所定の形状にパターンニングした。さらに、発熱
体層として、ポリシリコン膜を熱ＣＶＤ法を用いて、膜
厚約８０００Å堆積した。最後に第二導体としてＰｔを
約１０００Å厚に蒸着法で形成し、所定の形状にパター
ンニングした。
【００１１】４） 透明支持体としては、１００μｍの
ＮＡＰ基板を使用した。この上に記録層として塩化ビニ
リデン−アクリロニトリル共重合体とドコサン酸の混合
系をＴＨＦに溶解してこれを約１０μｍ厚コーティング
して乾燥させた。次に保護層としてＤＬＣ膜を約１．５
μｍ厚形成し、この上にアモルファスカーボン膜を０．
５μｍ厚形成して記録媒体を作製した。微小発熱体素子
は図４のサンドイッチ型を採用した。先ず石英基板上に
第一導体としてＴａを約１０００Å厚に蒸着法で形成
し、所定の形状にパターンニングした。次に、ポリシリ
コン膜を熱ＣＶＤ法を用いて、膜厚約３０００Å堆積し
た。最後に第二導体としてＰｔを約１０００Å厚に蒸着
法で形成し、所定の形状にパターンニングした。周辺部
分には上記のポリシリコン膜を利用してＴＦＴからなる
駆動回路（ドライバ）を形成した。
ＮＡＰ基板を使用した。この上に記録層として塩化ビニ
リデン−アクリロニトリル共重合体とドコサン酸の混合
系をＴＨＦに溶解してこれを約１０μｍ厚コーティング
して乾燥させた。次に保護層としてＤＬＣ膜を約１．５
μｍ厚形成し、この上にアモルファスカーボン膜を０．
５μｍ厚形成して記録媒体を作製した。微小発熱体素子
は図４のサンドイッチ型を採用した。先ず石英基板上に
第一導体としてＴａを約１０００Å厚に蒸着法で形成
し、所定の形状にパターンニングした。次に、ポリシリ
コン膜を熱ＣＶＤ法を用いて、膜厚約３０００Å堆積し
た。最後に第二導体としてＰｔを約１０００Å厚に蒸着
法で形成し、所定の形状にパターンニングした。周辺部
分には上記のポリシリコン膜を利用してＴＦＴからなる
駆動回路（ドライバ）を形成した。
【００１２】５） 透明支持体としては、５０μｍのＰ
ＥＴ基板を使用した。この上に記録層として塩化ビニリ
デン−アクリロニトリル共重合体とドコサン酸の混合系
をＴＨＦに溶解してこれを約１５μｍ厚コーティングし
て乾燥させた。次に保護層としてＤＬＣ膜を約１．５μ
ｍ厚形成し、この上にアモルファスカーボン膜を０．５
μｍ厚形成して記録媒体を作製した。微小発熱体素子は
図４のサンドイッチ型を採用した。先ずパイレックス基
板上に第一導体としてＣｒを約１０００Å厚に蒸着法で
形成し、所定の形状にパターンニングした。次に、発熱
体層としてＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚
約４０００Å堆積した。最後に第二導体としてＰｔを約
１０００Å厚に蒸着法で形成し、所定の形状にパターン
ニングした。次に周辺部分に駆動用ＩＣをＣＯＧして行
電極と列電極に接続して、駆動回路一体型とした。
ＥＴ基板を使用した。この上に記録層として塩化ビニリ
デン−アクリロニトリル共重合体とドコサン酸の混合系
をＴＨＦに溶解してこれを約１５μｍ厚コーティングし
て乾燥させた。次に保護層としてＤＬＣ膜を約１．５μ
ｍ厚形成し、この上にアモルファスカーボン膜を０．５
μｍ厚形成して記録媒体を作製した。微小発熱体素子は
図４のサンドイッチ型を採用した。先ずパイレックス基
板上に第一導体としてＣｒを約１０００Å厚に蒸着法で
形成し、所定の形状にパターンニングした。次に、発熱
体層としてＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚
約４０００Å堆積した。最後に第二導体としてＰｔを約
１０００Å厚に蒸着法で形成し、所定の形状にパターン
ニングした。次に周辺部分に駆動用ＩＣをＣＯＧして行
電極と列電極に接続して、駆動回路一体型とした。
【００１３】
（１）該記録媒体が装置より脱着可能である構成にした
ことで、ＷＰやＷＳ等に使用される、いわゆるフラット
ディスプレイ装置として機能し、かつ、画像の編集が終
了した際に、装置より取り外せばそのまま印刷物として
機能し、ＷＹＳＩＷＹＧの要求を満足することのできる
表示装置および熱書き込み、消去の際に変形、変質が無
く、かつ、普通紙のように収納場所をとらない記録媒体
を提供することができる。 （２）熱書き込み手段として、ＤＬＣ膜、ａ−ＳｉＣ膜
およびポリシリコン膜よりなる群から選ばれた膜を発熱
体層として採用したコプレナー形素子および／またはサ
ンドイッチ形素子を使用することにより素子特性、長期
信頼性が特に優れている微小発熱体素子を有する表示装
置が提供される。また、ポリシリコン膜を使用すれば周
辺駆動回路もポリシリコンＴＦＴで形成出来、製造コス
トの低減、装置の軽薄短小を実現できる。また、周辺駆
動回路を微小発熱体素子と同一基板上に作製することで
装置の小型軽量化を図れる。
ことで、ＷＰやＷＳ等に使用される、いわゆるフラット
ディスプレイ装置として機能し、かつ、画像の編集が終
了した際に、装置より取り外せばそのまま印刷物として
機能し、ＷＹＳＩＷＹＧの要求を満足することのできる
表示装置および熱書き込み、消去の際に変形、変質が無
く、かつ、普通紙のように収納場所をとらない記録媒体
を提供することができる。 （２）熱書き込み手段として、ＤＬＣ膜、ａ−ＳｉＣ膜
およびポリシリコン膜よりなる群から選ばれた膜を発熱
体層として採用したコプレナー形素子および／またはサ
ンドイッチ形素子を使用することにより素子特性、長期
信頼性が特に優れている微小発熱体素子を有する表示装
置が提供される。また、ポリシリコン膜を使用すれば周
辺駆動回路もポリシリコンＴＦＴで形成出来、製造コス
トの低減、装置の軽薄短小を実現できる。また、周辺駆
動回路を微小発熱体素子と同一基板上に作製することで
装置の小型軽量化を図れる。
【図１】ポリスチレン−ポリブタジエンブロック共重合
体とステアリン酸の混合系の光散乱状態の変化を示す図
である。
体とステアリン酸の混合系の光散乱状態の変化を示す図
である。
【図２】本発明の表示装置の基本的構成を説明する図で
ある。
ある。
【図３】本発明の表示装置の記録媒体の断面構造を模式
的に説明する図である。
的に説明する図である。
【図４】（ａ）コプレナー形微小発熱体素子全体の概略
図である。 （ｂ）前記（ａ）で示す素子の部分拡大図である。
図である。 （ｂ）前記（ａ）で示す素子の部分拡大図である。
【図５】サンドイッチ型微小発熱体素子の部分拡大図で
ある。
ある。
【図６】駆動回路一体型の微小発熱体素子全体の概略図
である。
である。
１ 熱書き込み手段 ２ 記録媒体 ３ 入力手段 ４ 外部記録媒体 １０ 透明支持体 １１ 記録層 １２ 保護層 ２０ 絶縁基板 ２１ 第１導体 ２２ 層間絶縁層 ２３ 発熱層 ２４ 第２導体（行電極） ３０ 行電極 ３１ 列電極 ３２ 行電極用ドライバ ３３ 列電極用ドライバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 6956−2Ｈ Ｂ４１Ｍ 5/18 １０１ Ｆ 6956−2Ｈ １０１ Ａ
Claims (4)
- 【請求項１】 電気信号に応じた可視的表示を行うため
の熱書き込み型可逆性記録媒体と、該記録媒体への熱書
き込み手段とを少なくとも有する表示装置において、前
記熱書き込み手段が、絶縁基板上に微小発熱体素子を２
次元マトリックス状に配置した構成のものである表示装
置。 - 【請求項２】 熱書き込み型可逆性記録媒体が装置本体
より脱着可能なものである請求項１記載の表示装置。 - 【請求項３】 熱書き込み型可逆性記録媒体の構成が透
明支持体／記録層／保護層であり、該記録層が熱により
光散乱状態の変化、または変色あるいは除色を示す材料
で構成され、かつ前記微小発熱体素子が第１導体、第２
導体およびこれら導体と接した発熱層からなる請求項１
または２記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記微小発熱体素子の発熱体層が、ＤＬ
Ｃ膜（ダイヤモンドライクカーボン膜）、ａ−ＳｉＣ膜
およびポリシリコン膜よりなる群から選ばれたものであ
る請求項３記載の表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1821193A JPH06206324A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1821193A JPH06206324A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06206324A true JPH06206324A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11965319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1821193A Pending JPH06206324A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06206324A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016047283A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2016-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 画像形成媒体および画像形成媒体の製造方法ならびに画像形成方法 |
| KR20210020788A (ko) | 2019-08-14 | 2021-02-24 | 주식회사 바이오톡스텍 | 하이드로퀴논 유도체, 및 오베티콜릭산을 포함하는 비알콜성 지방간염의 예방 또는 치료용 약학조성물 |
-
1993
- 1993-01-08 JP JP1821193A patent/JPH06206324A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016047283A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2016-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 画像形成媒体および画像形成媒体の製造方法ならびに画像形成方法 |
| JPWO2016047283A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2017-08-10 | 富士フイルム株式会社 | 画像形成媒体および画像形成媒体の製造方法ならびに画像形成方法 |
| US10183518B2 (en) | 2014-09-24 | 2019-01-22 | Fujifilm Corporation | Image forming medium, method for producing image forming medium, and image forming method |
| TWI656983B (zh) * | 2014-09-24 | 2019-04-21 | 日商富士軟片股份有限公司 | 影像形成媒體、影像形成媒體的製造方法以及影像形成方法 |
| KR20210020788A (ko) | 2019-08-14 | 2021-02-24 | 주식회사 바이오톡스텍 | 하이드로퀴논 유도체, 및 오베티콜릭산을 포함하는 비알콜성 지방간염의 예방 또는 치료용 약학조성물 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7532260B2 (en) | Cholesteric liquid crystal display system | |
| US20030214475A1 (en) | Display medium | |
| US20030202136A1 (en) | Display having front contacts and printable area | |
| JP2924623B2 (ja) | 光書き込み型液晶表示記録装置 | |
| JP2001334693A (ja) | 電子棚札の書込み消去装置と書込み消去可能な電子棚札 | |
| JPH06206324A (ja) | 表示装置 | |
| US6888607B2 (en) | Rewritable sign system | |
| US7129911B2 (en) | Segmented display having uniform optical properties | |
| JPS62278529A (ja) | 表示装置 | |
| US5854614A (en) | Display device and method for visualizing computer generated image information | |
| EP0113414A2 (en) | Matrix-addressed smectic liquid crystal display device | |
| JP2566149B2 (ja) | 光学変調素子 | |
| JPS61198129A (ja) | 画像記録装置 | |
| JP2630966B2 (ja) | 像形成方法 | |
| JP3906652B2 (ja) | 電子記録媒体重ね書込装置 | |
| JP3704956B2 (ja) | 画像記録装置及び画像記録方法 | |
| JP3018651B2 (ja) | 表示パネル | |
| JPH08192590A (ja) | 両面表示記録媒体及び両面表示記録媒体への記録方法 | |
| JPH06274107A (ja) | 微小発熱部材、微小発熱表示部材、及び該部材を備えた表示装置 | |
| JPS61120115A (ja) | 液晶表示パネル | |
| JPS62113128A (ja) | 熱書込み型液晶表示装置 | |
| JPS62238533A (ja) | 光学変調素子の駆動法 | |
| Kavoossi et al. | Active imaging and visual information on paper and paper-based products | |
| JPH05173491A (ja) | 表示部材 | |
| US20030160906A1 (en) | Image forming method |