JPH06204378A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06204378A JPH06204378A JP36205192A JP36205192A JPH06204378A JP H06204378 A JPH06204378 A JP H06204378A JP 36205192 A JP36205192 A JP 36205192A JP 36205192 A JP36205192 A JP 36205192A JP H06204378 A JPH06204378 A JP H06204378A
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- Japan
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- lead frame
- plating
- treatment
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードフレームに対する鍍金処理の省人化およ
び鍍金層厚の均等化。 【構成】多数の半導体素子１３を搭載してなる単位長の
リードフレーム１２を順次に突き合わせて配列。突き合
わせ面を中心とするスポット領域Ａに連結のためのレー
ザ溶接を施して帯状体を得る。この帯状体を移送させる
過程で半導体素子１３の樹脂封止部にバリ取り処理を、
そして、リードフレーム１２の露出部分に鍍金処理をそ
れぞれ施し、こののち、帯状体を単位長のリードフレー
ムに分離する。 【効果】バリ取りおよび鍍金の各処理が連続的・自動的
に行える。併せて鍍金層厚の均等化が得られる。処理後
の分離も容易。
び鍍金層厚の均等化。 【構成】多数の半導体素子１３を搭載してなる単位長の
リードフレーム１２を順次に突き合わせて配列。突き合
わせ面を中心とするスポット領域Ａに連結のためのレー
ザ溶接を施して帯状体を得る。この帯状体を移送させる
過程で半導体素子１３の樹脂封止部にバリ取り処理を、
そして、リードフレーム１２の露出部分に鍍金処理をそ
れぞれ施し、こののち、帯状体を単位長のリードフレー
ムに分離する。 【効果】バリ取りおよび鍍金の各処理が連続的・自動的
に行える。併せて鍍金層厚の均等化が得られる。処理後
の分離も容易。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、とくに樹脂封止型半導体装置の製造において、その
外部リード部分に半田やスズ等からなる鍍金層を形成す
る方法に関するものである。
法、とくに樹脂封止型半導体装置の製造において、その
外部リード部分に半田やスズ等からなる鍍金層を形成す
る方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置の製造工程
において、半導体素子の外部リード部分に半田やスズ等
からなる鍍金層をデイップ法または電気めっき法により
形成することが一般に行われている。この場合、単位長
のリードフレームに搭載された多数の半導体素子の樹脂
封止部にバリ取り処理を施したのち、リードフレームの
露出部分に鍍金処理を施し、しかるのち、リードフレー
ムの外枠部分およびタイバンド部分を切除して半導体素
子の単位に分離する。
において、半導体素子の外部リード部分に半田やスズ等
からなる鍍金層をデイップ法または電気めっき法により
形成することが一般に行われている。この場合、単位長
のリードフレームに搭載された多数の半導体素子の樹脂
封止部にバリ取り処理を施したのち、リードフレームの
露出部分に鍍金処理を施し、しかるのち、リードフレー
ムの外枠部分およびタイバンド部分を切除して半導体素
子の単位に分離する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、単位長のリー
ドフレームを一つの処理単位としてバリ取りおよび鍍金
の各処理を施すのであるから、多大の労力を要するのみ
ならず層厚の均一な鍍金層を得難いという課題があっ
た。とくに鍍金層厚のばらつきは処理条件差によって生
じ、リードフレームの相互間では勿論のこと、個々のリ
ードフレームにおいても、その長手方向の中間部と両端
部とで少なからぬ差を生じ、これが製造歩留まりの向上
を阻む要因となっていた。
ドフレームを一つの処理単位としてバリ取りおよび鍍金
の各処理を施すのであるから、多大の労力を要するのみ
ならず層厚の均一な鍍金層を得難いという課題があっ
た。とくに鍍金層厚のばらつきは処理条件差によって生
じ、リードフレームの相互間では勿論のこと、個々のリ
ードフレームにおいても、その長手方向の中間部と両端
部とで少なからぬ差を生じ、これが製造歩留まりの向上
を阻む要因となっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法による
と、多数の半導体素子を搭載してなる単位長のリードフ
レームを順次に突き合わせて配列し、この突き合わせ面
を中心とするスポット領域に連結のためのレーザ溶接を
施して帯状体を得、この帯状体を移送させる過程におい
て前記半導体素子の樹脂封止部にバリ取り処理を、そし
て、前記リードフレームの露出部分に鍍金処理をそれぞ
れ施し、しかるのち、前記帯状体を単位長のリードフレ
ームに分離する。
と、多数の半導体素子を搭載してなる単位長のリードフ
レームを順次に突き合わせて配列し、この突き合わせ面
を中心とするスポット領域に連結のためのレーザ溶接を
施して帯状体を得、この帯状体を移送させる過程におい
て前記半導体素子の樹脂封止部にバリ取り処理を、そし
て、前記リードフレームの露出部分に鍍金処理をそれぞ
れ施し、しかるのち、前記帯状体を単位長のリードフレ
ームに分離する。
【０００５】
【作用】このように構成すると、単位長のリードフレー
ムが順次に連結された状態で連続的または間欠的に移送
され、この移送の過程でバリ取りおよび鍍金の各処理を
受けるので、両処理は人手にたよることなくエンドレス
で進行する。このため、単位長のリードフレームの相互
間における鍍金層厚のばらつきや、個々のリードフレー
ムの長手方向位置における鍍金層厚のばらつきを最少限
に抑えることができる。また、リードフレームは微細な
スポット領域でのみ連結され、連結のためのレーザ溶接
は突き合わせ面を溶かして搭載半導体素子に悪影響を与
ず、しかも、前記処理を終えた帯状体の分離作業を容易
ならしめる。
ムが順次に連結された状態で連続的または間欠的に移送
され、この移送の過程でバリ取りおよび鍍金の各処理を
受けるので、両処理は人手にたよることなくエンドレス
で進行する。このため、単位長のリードフレームの相互
間における鍍金層厚のばらつきや、個々のリードフレー
ムの長手方向位置における鍍金層厚のばらつきを最少限
に抑えることができる。また、リードフレームは微細な
スポット領域でのみ連結され、連結のためのレーザ溶接
は突き合わせ面を溶かして搭載半導体素子に悪影響を与
ず、しかも、前記処理を終えた帯状体の分離作業を容易
ならしめる。
【０００６】
【実施例】つぎに本発明を図示した実施例とともに説明
する。図１に示すように、Ｕ字状にう回した移送通路１
の最初の位置に設定されたワーク支給２の工程におい
て、ワーク支給器から順次に繰り出されたリードフレー
ム構体は、次のレーザ溶接３の工程において順次に連結
されて帯状体を形成する。そして、この帯状体はバリ浮
かし４、水洗５、バリ取り６、鍍金処理７、洗浄８、乾
燥９および分離１０の各工程を経て収納される。
する。図１に示すように、Ｕ字状にう回した移送通路１
の最初の位置に設定されたワーク支給２の工程におい
て、ワーク支給器から順次に繰り出されたリードフレー
ム構体は、次のレーザ溶接３の工程において順次に連結
されて帯状体を形成する。そして、この帯状体はバリ浮
かし４、水洗５、バリ取り６、鍍金処理７、洗浄８、乾
燥９および分離１０の各工程を経て収納される。
【０００７】図２およびそのＡ部を拡大した図３に示す
ように、リードフレーム構体１１は単位長のリードフレ
ーム１２とこれに搭載された多数の半導体素子１３とか
らなる。リードフレーム１２は板厚０．１〜１．０ｍｍ
の鉄ニッケル合金、銅または銅合金等からなり、各半導
体素子１３に対する多数のリード部分１２ａと、これを
横切るタイバンド部分１２ｂと、外枠部分１２ｃとを有
している。また、多数の半導体素子１３はリードフレー
ム１２の長手方向に等間隔で配列されており、それぞれ
はエポキシ樹脂等を用いて樹脂封止された集積回路形式
のものである。
ように、リードフレーム構体１１は単位長のリードフレ
ーム１２とこれに搭載された多数の半導体素子１３とか
らなる。リードフレーム１２は板厚０．１〜１．０ｍｍ
の鉄ニッケル合金、銅または銅合金等からなり、各半導
体素子１３に対する多数のリード部分１２ａと、これを
横切るタイバンド部分１２ｂと、外枠部分１２ｃとを有
している。また、多数の半導体素子１３はリードフレー
ム１２の長手方向に等間隔で配列されており、それぞれ
はエポキシ樹脂等を用いて樹脂封止された集積回路形式
のものである。
【０００８】ワーク支給器から順次に繰り出されたリー
ドフレーム構体１１は、そのリードフレーム１２の長手
方向端部で互いに突き合わされてレーザ溶接される。こ
のレーザ溶接は、多数のリードフレーム構体１１を順次
に連結するためのもので、リードフレーム１２の突き合
わせ面１４を中心とするスポット領域１５にレーザビー
ム光を照射することによって達成される。レーザ溶接器
として最大定格出力５０ワット、最大出力エネルギ５０
ジュール（パルス幅１０ｍｓ時）のＹＡＧレーザを用い
ることができる。実際には、２分岐形式光ファイバを通
じて８〜３０ジュール（パルス幅２〜５ｍｓ）の出力エ
ネルギを、直径約０．６ｍｍの２箇所のスポット領域１
５に表面側から照射するだけで、機械的および電気的な
連結が得られる。レーザ溶接時に生じた肉だまり等のた
めに突き合わせ面１４に微細なギャップを生じても、強
い引っ張り力に耐え得る連結効果が得られる。
ドフレーム構体１１は、そのリードフレーム１２の長手
方向端部で互いに突き合わされてレーザ溶接される。こ
のレーザ溶接は、多数のリードフレーム構体１１を順次
に連結するためのもので、リードフレーム１２の突き合
わせ面１４を中心とするスポット領域１５にレーザビー
ム光を照射することによって達成される。レーザ溶接器
として最大定格出力５０ワット、最大出力エネルギ５０
ジュール（パルス幅１０ｍｓ時）のＹＡＧレーザを用い
ることができる。実際には、２分岐形式光ファイバを通
じて８〜３０ジュール（パルス幅２〜５ｍｓ）の出力エ
ネルギを、直径約０．６ｍｍの２箇所のスポット領域１
５に表面側から照射するだけで、機械的および電気的な
連結が得られる。レーザ溶接時に生じた肉だまり等のた
めに突き合わせ面１４に微細なギャップを生じても、強
い引っ張り力に耐え得る連結効果が得られる。
【０００９】かかるレーザ溶接によって得られた帯状体
を移送通路１に沿って連続的または間欠的に移送させる
ために、１対のローラを用いることができる。本例で
は、乾燥９の工程と分離１０の工程との間に１対のロー
ラ（図示せず）を設け、このローラを動力伝達手段とし
て前記帯状体を引っ張る構成をとっている。このため、
一連の処理を開始するにあたり、移送通路１に沿って走
る適当なテープをあらかじめ敷設しておき、このテープ
の終端に前記帯状体の先端部を連結する。
を移送通路１に沿って連続的または間欠的に移送させる
ために、１対のローラを用いることができる。本例で
は、乾燥９の工程と分離１０の工程との間に１対のロー
ラ（図示せず）を設け、このローラを動力伝達手段とし
て前記帯状体を引っ張る構成をとっている。このため、
一連の処理を開始するにあたり、移送通路１に沿って走
る適当なテープをあらかじめ敷設しておき、このテープ
の終端に前記帯状体の先端部を連結する。
【００１０】バリ浮かし４の工程およびバリ取り５の工
程では、半導体素子１３の樹脂封止部からリードフレー
ムに沿って不規則に突出したバリを膨潤させて取り除
く。すなわち、前記バリは有機溶剤やアルカリ系無機薬
品に浸漬して化学的に膨潤させたのち、風圧または水圧
等を利用して物理的に取り除く。
程では、半導体素子１３の樹脂封止部からリードフレー
ムに沿って不規則に突出したバリを膨潤させて取り除
く。すなわち、前記バリは有機溶剤やアルカリ系無機薬
品に浸漬して化学的に膨潤させたのち、風圧または水圧
等を利用して物理的に取り除く。
【００１１】鍍金処理７の工程においては、リードフレ
ーム１２の露出表面に半田またはスズ等の鍍金層をディ
ップ法または電気めっき法によって形成する。そして、
洗浄８および乾燥９の各工程を経て分離１０の工程に入
る。分離１０の工程では、一連の処理を終えた帯状体を
その連結部で分離する。この連結部はレーザ溶接を施し
た微細なスボット領域であるから、折り曲げ方向の力に
対して脆く、リードフレーム構体１１の単位で順次に折
り畳むように力を加えるだげで難なく分離できる。な
お、単位長に分離されたのちのリードフレーム構体に対
しては在来どおり、そのリードフレームの外枠部分およ
びタイバンド部分を切除して、半導体素子の単位に細分
離するのはいうまでもない。
ーム１２の露出表面に半田またはスズ等の鍍金層をディ
ップ法または電気めっき法によって形成する。そして、
洗浄８および乾燥９の各工程を経て分離１０の工程に入
る。分離１０の工程では、一連の処理を終えた帯状体を
その連結部で分離する。この連結部はレーザ溶接を施し
た微細なスボット領域であるから、折り曲げ方向の力に
対して脆く、リードフレーム構体１１の単位で順次に折
り畳むように力を加えるだげで難なく分離できる。な
お、単位長に分離されたのちのリードフレーム構体に対
しては在来どおり、そのリードフレームの外枠部分およ
びタイバンド部分を切除して、半導体素子の単位に細分
離するのはいうまでもない。
【００１２】図４に示す実施例のものでは、単位長のリ
ードフレーム構体１１をその長手方向端部で順次に突き
合わせ配列した第１の配列体１６に、これと同様の第２
の配列体１７を並設して側面同士で突き合わせている。
この場合、第１の配列体１６を構成する多数のリードフ
レーム構体１１の突き合わせ面１８と、第２の配列体１
７を構成する多数のリードフレーム構体１１の突き合わ
せ面１９との間に間隔Ｂを設けているので、第１の配列
体１６と第２の配列体１７との突き合わせ面２０を中心
とするスポット領域２１にレーザ溶接を施すだけで、第
１よび第２の配列体１６，１７を帯状に連結することが
できる。かかる複合配列は２列に限定されず、３列以上
であってもよい。
ードフレーム構体１１をその長手方向端部で順次に突き
合わせ配列した第１の配列体１６に、これと同様の第２
の配列体１７を並設して側面同士で突き合わせている。
この場合、第１の配列体１６を構成する多数のリードフ
レーム構体１１の突き合わせ面１８と、第２の配列体１
７を構成する多数のリードフレーム構体１１の突き合わ
せ面１９との間に間隔Ｂを設けているので、第１の配列
体１６と第２の配列体１７との突き合わせ面２０を中心
とするスポット領域２１にレーザ溶接を施すだけで、第
１よび第２の配列体１６，１７を帯状に連結することが
できる。かかる複合配列は２列に限定されず、３列以上
であってもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によると、多数の半
導体素子を搭載してなる単位長のリードフレームを連結
して帯状体となすので、バリ取りおよび鍍金の各処理を
連続的かつ自動的に行うことができ、大幅な省人化を図
ることができるのみならず、鍍金層厚を均等化でき、し
かも、処理後の帯状体を元の単位長に難なく分離できる
ので、製造能率および製造歩留まりを格段に高めること
ができる。
導体素子を搭載してなる単位長のリードフレームを連結
して帯状体となすので、バリ取りおよび鍍金の各処理を
連続的かつ自動的に行うことができ、大幅な省人化を図
ることができるのみならず、鍍金層厚を均等化でき、し
かも、処理後の帯状体を元の単位長に難なく分離できる
ので、製造能率および製造歩留まりを格段に高めること
ができる。
【図１】本発明を適用して半導体装置を製造する工程の
ブロック図
ブロック図
【図２】本発明を適用して形成された帯状体の一部分の
平面図
平面図
【図３】図２のＡ部を拡大した平面図
【図４】本発明の他の実施例における帯状体の一部分の
平面略図
平面略図
１２ リードフレーム １３ 半導体素子 １４ 突き合わせ面 １５ スポット領域
Claims (1)
- 【請求項１】多数の半導体素子を搭載してなる単位長の
リードフレームを順次に突き合わせて配列し、この突き
合わせ面を中心とするスポット領域に連結のためのレー
ザ溶接を施して帯状体を得、この帯状体を移送させる過
程において前記半導体素子の樹脂封止部にバリ取り処理
を、そして、前記リードフレームの露出部分に鍍金処理
をそれぞれ施し、しかるのち、前記帯状体を単位長のリ
ードフレームに分離することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36205192A JPH0736432B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36205192A JPH0736432B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204378A true JPH06204378A (ja) | 1994-07-22 |
| JPH0736432B2 JPH0736432B2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=18475747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36205192A Expired - Lifetime JPH0736432B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736432B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101151561B1 (ko) * | 2010-06-17 | 2012-05-30 | 유춘환 | 반도체 장치용 리드 프레임의 접합방법 |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP36205192A patent/JPH0736432B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101151561B1 (ko) * | 2010-06-17 | 2012-05-30 | 유춘환 | 반도체 장치용 리드 프레임의 접합방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0736432B2 (ja) | 1995-04-19 |
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Legal Events
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