JPH06203767A - 偏向ヨーク - Google Patents
偏向ヨークInfo
- Publication number
- JPH06203767A JPH06203767A JP34810292A JP34810292A JPH06203767A JP H06203767 A JPH06203767 A JP H06203767A JP 34810292 A JP34810292 A JP 34810292A JP 34810292 A JP34810292 A JP 34810292A JP H06203767 A JPH06203767 A JP H06203767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflection
- lead wire
- magnetic field
- electric field
- deflection yoke
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 一対の水平偏向コイル１，２または１対の垂
直偏向コイル７，８から当該偏向回路にいたるリード線
３，４，９，１０の絶縁被覆上に、電界遮蔽用の導電性
被覆３ａ，４ａ，９ａ，１０ａを設ける。 【効果】 リード線から漏洩するＶＬＥＦを効果的に遮
蔽することができる。
直偏向コイル７，８から当該偏向回路にいたるリード線
３，４，９，１０の絶縁被覆上に、電界遮蔽用の導電性
被覆３ａ，４ａ，９ａ，１０ａを設ける。 【効果】 リード線から漏洩するＶＬＥＦを効果的に遮
蔽することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、陰極線管（ＣＲＴ）に
装着されて電子ビームに偏向磁界を与える偏向ヨークに
関するものである。
装着されて電子ビームに偏向磁界を与える偏向ヨークに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＲＴを組み込んだディスプレイ装置・
モニターセットから漏洩する磁界や電界が人体に悪影響
を及ぼすとして、漏洩磁界および漏洩電界のレベルを規
制する動きがある。スウェーデン国立計量・試験評議会
（ＳＷＥＤＡＣ）は、１９８７年に漏洩磁界に関する規
制推奨値を制定（ＭＰＲ−１）し、１９９０年に漏洩電
界に関する規制推奨値を制定（ＭＰＲ−２）した。
モニターセットから漏洩する磁界や電界が人体に悪影響
を及ぼすとして、漏洩磁界および漏洩電界のレベルを規
制する動きがある。スウェーデン国立計量・試験評議会
（ＳＷＥＤＡＣ）は、１９８７年に漏洩磁界に関する規
制推奨値を制定（ＭＰＲ−１）し、１９９０年に漏洩電
界に関する規制推奨値を制定（ＭＰＲ−２）した。
【０００３】このような動向に呼応して、偏向ヨークか
らの漏洩電界を低減せしめる提案が種々なされている。
特開平２−１０４０９０号公報に開示されている発明で
は、偏向ヨークの径大端側（ＣＲＴの蛍光面側）に２個
１組の補助コイルを設け、この補助コイルに水平偏向電
流を通じて生ぜしめた逆極性磁界でもって、偏向ヨーク
から漏洩する水平偏向磁界を相殺させている。
らの漏洩電界を低減せしめる提案が種々なされている。
特開平２−１０４０９０号公報に開示されている発明で
は、偏向ヨークの径大端側（ＣＲＴの蛍光面側）に２個
１組の補助コイルを設け、この補助コイルに水平偏向電
流を通じて生ぜしめた逆極性磁界でもって、偏向ヨーク
から漏洩する水平偏向磁界を相殺させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この場合、偏向ヨーク
から漏洩する水平偏向磁界を低レベルに抑え得るもの
の、漏洩電界のレベルを低減させることはできない。
から漏洩する水平偏向磁界を低レベルに抑え得るもの
の、漏洩電界のレベルを低減させることはできない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によると、水平偏
向コイルまたは垂直偏向コイルから当該偏向回路にいた
るリード線の絶縁被覆上に、電界遮蔽用の導電性被覆を
設ける。
向コイルまたは垂直偏向コイルから当該偏向回路にいた
るリード線の絶縁被覆上に、電界遮蔽用の導電性被覆を
設ける。
【０００６】
【作用】このように構成された偏向ヨークでは、そのリ
ード線を覆う導電性被覆が電界遮蔽作用をなくすので、
とくに２ｋHz〜４００ｋHzの漏洩電界を規制値以下に低
減させることができる。
ード線を覆う導電性被覆が電界遮蔽作用をなくすので、
とくに２ｋHz〜４００ｋHzの漏洩電界を規制値以下に低
減させることができる。
【０００７】
【実施例】つぎに本発明を図示した実施例とともに説明
する。垂直偏向コイルおよび水平偏向コイルにサドル型
のものを用いたいわゆるＳＳ型偏向ヨークを示す図１に
おいて、並列接続された１対の水平偏向コイル１，２は
高電圧側端子ａおよび低電圧側端子ｂを有し、両端子
ａ，ｂから水平偏向回路にいたるリード線３，４は耐熱
ビニル線からなり、それぞれは複数本の銅素線を集合撚
りしたものの表面に、ＰＶＣ等からなる絶縁被覆を有し
ている。
する。垂直偏向コイルおよび水平偏向コイルにサドル型
のものを用いたいわゆるＳＳ型偏向ヨークを示す図１に
おいて、並列接続された１対の水平偏向コイル１，２は
高電圧側端子ａおよび低電圧側端子ｂを有し、両端子
ａ，ｂから水平偏向回路にいたるリード線３，４は耐熱
ビニル線からなり、それぞれは複数本の銅素線を集合撚
りしたものの表面に、ＰＶＣ等からなる絶縁被覆を有し
ている。
【０００８】一方、それぞれのダンピング用抵抗５，６
を並列接続してなる１対のサドル型垂直偏向コイル７，
８は直列に接続されており、この直列接続体の高電圧側
端子ｃおよび低電圧側端子ｄは、垂直偏向回路にいたる
リード線９，１０をそれぞれ接続してなり、このリード
線９，１０も耐熱ビニル電線からなる。
を並列接続してなる１対のサドル型垂直偏向コイル７，
８は直列に接続されており、この直列接続体の高電圧側
端子ｃおよび低電圧側端子ｄは、垂直偏向回路にいたる
リード線９，１０をそれぞれ接続してなり、このリード
線９，１０も耐熱ビニル電線からなる。
【０００９】これらリード線３，４，９，１０はその絶
縁被覆上に、厚さ０．０１mmの銅箔からなる導電性被覆
３ａ，４ａ，９ａ，１０ａをそれぞれ有し、この導電性
被覆は少なくとも１箇所で接地されている。
縁被覆上に、厚さ０．０１mmの銅箔からなる導電性被覆
３ａ，４ａ，９ａ，１０ａをそれぞれ有し、この導電性
被覆は少なくとも１箇所で接地されている。
【００１０】このように構成されたＳＳ偏向ヨークを１
４インチ９０度偏向型カラー受像管に装着して動作さ
せ、ＭＰＲ−２で規定されるＶＬＥＦ規定法に準拠して
当該ディスプレイモニタの前面、後面、左側面および右
側面の計４箇所でＶＬＥＦを測定したところ、図２に示
すような測定結果が得られた。この測定結果から分かる
ように、リード線３，４，９，１０を銅箔で被覆しない
場合に比較して、ディスプレイモニタの前面、後面、左
側面および右側面のそれぞれにおけるＶＬＥＦレベルが
０．４９Ｖ／ｍ，１．０１Ｖ／ｍ，３．３１Ｖ／ｍおよ
び０．２５Ｖ／ｍ減衰しており、その絶対値もＭＰＲ−
２のＶＬＭＦ規格推奨値２．５Ｖ／ｍ以下となってい
る。
４インチ９０度偏向型カラー受像管に装着して動作さ
せ、ＭＰＲ−２で規定されるＶＬＥＦ規定法に準拠して
当該ディスプレイモニタの前面、後面、左側面および右
側面の計４箇所でＶＬＥＦを測定したところ、図２に示
すような測定結果が得られた。この測定結果から分かる
ように、リード線３，４，９，１０を銅箔で被覆しない
場合に比較して、ディスプレイモニタの前面、後面、左
側面および右側面のそれぞれにおけるＶＬＥＦレベルが
０．４９Ｖ／ｍ，１．０１Ｖ／ｍ，３．３１Ｖ／ｍおよ
び０．２５Ｖ／ｍ減衰しており、その絶対値もＭＰＲ−
２のＶＬＭＦ規格推奨値２．５Ｖ／ｍ以下となってい
る。
【００１１】リード線３，４にのこぎり波水平偏向電流
が流れると、水平偏向磁界によって誘導された交番電界
がリード線３，４から放射される。この交番電界の基本
波、高調波、低調波および寄生波の各周波数は、主とし
て２ｋHz〜４００ｋHzの帯域すなわちＭＰＲ−２のバン
ド−２に規定される低周波電界（ＶＬＥＦ）に属する。
が流れると、水平偏向磁界によって誘導された交番電界
がリード線３，４から放射される。この交番電界の基本
波、高調波、低調波および寄生波の各周波数は、主とし
て２ｋHz〜４００ｋHzの帯域すなわちＭＰＲ−２のバン
ド−２に規定される低周波電界（ＶＬＥＦ）に属する。
【００１２】ＶＬＥＦを遮蔽するための遮蔽導体として
は銅やアルミニウムが適している。図３に示すように、
平面電磁波１１が遮蔽導体１２に直角に入射すると、入
射波の大部分は遮蔽導体１２との境界面で反射する。そ
して、その残余が遮蔽導体１２内を通過するものの、こ
こでも抵抗損によって減衰する。そして、その残部が裏
面側の境界面で再び反射するので、その残部だけが裏面
側へ透過する。これらの反射および吸収による減衰損失
たる遮蔽率Ｌ（ｄＢ）は下式で与えられる。ただし、こ
こでは副次的に生じる遮蔽導体内境界面での反復反射
や、これによる吸収は無視している。
は銅やアルミニウムが適している。図３に示すように、
平面電磁波１１が遮蔽導体１２に直角に入射すると、入
射波の大部分は遮蔽導体１２との境界面で反射する。そ
して、その残余が遮蔽導体１２内を通過するものの、こ
こでも抵抗損によって減衰する。そして、その残部が裏
面側の境界面で再び反射するので、その残部だけが裏面
側へ透過する。これらの反射および吸収による減衰損失
たる遮蔽率Ｌ（ｄＢ）は下式で与えられる。ただし、こ
こでは副次的に生じる遮蔽導体内境界面での反復反射
や、これによる吸収は無視している。
【００１３】
【数１】
【００１４】上式の第１項は吸収損による遮蔽率を表
し、渦電流による抵抗損が原因であり、μとσとの積の
平方根に比例する。また、第２項および第３項は表面の
反射による遮蔽率を表し、とくに第３項はσとμとの比
の対数に比例する。また、吸収損による第１項は厚さｔ
に比例し、反射損による第３項は厚さに無関係である。
し、渦電流による抵抗損が原因であり、μとσとの積の
平方根に比例する。また、第２項および第３項は表面の
反射による遮蔽率を表し、とくに第３項はσとμとの比
の対数に比例する。また、吸収損による第１項は厚さｔ
に比例し、反射損による第３項は厚さに無関係である。
【００１５】したがって、上式から、周波数帯域が比較
的低いＶＬＥＦを効果的に遮蔽するためには、比導電率
σが高く、かつ、比透磁率μが小さい遮蔽材料を使用す
ればよいことが分かる。
的低いＶＬＥＦを効果的に遮蔽するためには、比導電率
σが高く、かつ、比透磁率μが小さい遮蔽材料を使用す
ればよいことが分かる。
【００１６】なお、本実施例ではＳＳ偏向ヨークおよび
１４インチ９０度偏向型カラー受像管を用いたが、これ
に限定されるものではない。また、耐熱ビニル電線を被
覆する導電材料も銅箔に限定されるものでない。さら
に、導電材料による耐熱ビニル電線の被覆は、複数本の
耐熱ビニル電線のうち、少なくとも１本またはその一部
分に施しても、ここから漏洩するＶＬＥＦを遮蔽するこ
とができる。導電材料としては、体積抵抗率が１０2Ω
ｍ以下、比磁化率が−８．８×１０-5以上のものを用い
るのがよい。また、導電材料で耐熱ビニル電線に限定さ
れず、耐熱ビニル絶縁シールド線を使用してもよく、こ
の場合も前述と同様のＶＬＥＦ遮蔽効果を得ることがで
きる。
１４インチ９０度偏向型カラー受像管を用いたが、これ
に限定されるものではない。また、耐熱ビニル電線を被
覆する導電材料も銅箔に限定されるものでない。さら
に、導電材料による耐熱ビニル電線の被覆は、複数本の
耐熱ビニル電線のうち、少なくとも１本またはその一部
分に施しても、ここから漏洩するＶＬＥＦを遮蔽するこ
とができる。導電材料としては、体積抵抗率が１０2Ω
ｍ以下、比磁化率が−８．８×１０-5以上のものを用い
るのがよい。また、導電材料で耐熱ビニル電線に限定さ
れず、耐熱ビニル絶縁シールド線を使用してもよく、こ
の場合も前述と同様のＶＬＥＦ遮蔽効果を得ることがで
きる。
【００１７】図４に示す実施例のものでは、前述のよう
に構成された偏向ヨーク１３を装着してなるカラー受像
管１４が、そのガラス製フェースパネル１５の外面に透
明導電膜１６を有し、この透明導電膜１６は接地されて
いる。この場合、水平偏向コイルおよび電子ビームによ
って誘導されるＶＬＥＦを、フェースパネル１５の前面
において遮蔽せしめることができる。
に構成された偏向ヨーク１３を装着してなるカラー受像
管１４が、そのガラス製フェースパネル１５の外面に透
明導電膜１６を有し、この透明導電膜１６は接地されて
いる。この場合、水平偏向コイルおよび電子ビームによ
って誘導されるＶＬＥＦを、フェースパネル１５の前面
において遮蔽せしめることができる。
【００１８】透明導電膜１６を塗布形成した領域での表
面抵抗率は１×１０7Ω／□以下となすのがよい。なぜ
なら、この表面抵抗率を３×１０2Ω／□、５×１０5Ω
／□、４×１０9Ω／□の３種にそれぞれ設定し、当該
ディスプレイセットの前面、後面、左側面、右側面にお
けるＶＬＥＦをＭＰＲ−２に準拠して測定した結果は図
５のａに示すものとなるので（ｂは塗布前）、ＶＬＥＦ
規制推奨値２．５Ｖ／ｍ以下を満足する表面抵抗率は１
×１０7Ω／□以下となるからである。
面抵抗率は１×１０7Ω／□以下となすのがよい。なぜ
なら、この表面抵抗率を３×１０2Ω／□、５×１０5Ω
／□、４×１０9Ω／□の３種にそれぞれ設定し、当該
ディスプレイセットの前面、後面、左側面、右側面にお
けるＶＬＥＦをＭＰＲ−２に準拠して測定した結果は図
５のａに示すものとなるので（ｂは塗布前）、ＶＬＥＦ
規制推奨値２．５Ｖ／ｍ以下を満足する表面抵抗率は１
×１０7Ω／□以下となるからである。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によると、偏向ヨー
クの偏向コイルと偏向回路との間に介在して偏向エネル
ギを伝達するリード線の周囲を導電材料で被覆するだけ
で、リード線から漏洩するＶＬＥＦを効果的に遮蔽する
ことができる。
クの偏向コイルと偏向回路との間に介在して偏向エネル
ギを伝達するリード線の周囲を導電材料で被覆するだけ
で、リード線から漏洩するＶＬＥＦを効果的に遮蔽する
ことができる。
【図１】本発明を実施した偏向ヨークの電気的結線図
【図２】同偏向ヨークのＶＬＥＦ特性図
【図３】遮蔽導体に対する電磁波の反射・吸収および透
過の様子を説明するための図
過の様子を説明するための図
【図４】本発明を実施した偏向ヨークをカラー受像管に
装着した装置の斜視図
装着した装置の斜視図
【図５】同装置のＶＬＥＦ特性図
１，２ 水平偏向コイル ３，４，９，１０ リード線 ７，８ 垂直偏向コイル ３ａ，４ａ，９ａ，１０ａ 導電性被覆
Claims (1)
- 【請求項１】水平偏向コイルまたは垂直偏向コイルから
当該偏向回路にいたるリード線の絶縁被覆上に、電界遮
蔽用の導電性被覆を設けてなることを特徴とする偏向ヨ
ーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34810292A JPH06203767A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 偏向ヨーク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34810292A JPH06203767A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 偏向ヨーク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06203767A true JPH06203767A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18394751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34810292A Pending JPH06203767A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 偏向ヨーク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06203767A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2181704A2 (en) | 2002-12-30 | 2010-05-05 | Angiotech International Ag | Drug delivery from rapid gelling polymer composition |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP34810292A patent/JPH06203767A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2181704A2 (en) | 2002-12-30 | 2010-05-05 | Angiotech International Ag | Drug delivery from rapid gelling polymer composition |
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