JPH06202161A - Production of liquid crystal display device - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置の製造方
法に関し、とくにマトリクス状に配置した各画素に設け
た非線形素子であるＭＩＭ（金属層−絶縁体層−金属
層）素子を制御し、液晶を駆動する液晶表示装置の製造
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly to controlling a non-linear element MIM (metal layer-insulator layer-metal layer) element provided in each pixel arranged in a matrix. , A method for manufacturing a liquid crystal display device for driving a liquid crystal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のＭＩＭ素子構造を図９の平面図
と、図１０の断面図と、図１１の等価回路図を用いて説
明する。なお図１０の断面図は、図９のＡ−Ａ線におけ
る断面を示す。2. Description of the Related Art A conventional MIM element structure will be described with reference to the plan view of FIG. 9, the sectional view of FIG. 10 and the equivalent circuit diagram of FIG. The cross-sectional view of FIG. 10 shows a cross section taken along the line AA of FIG.
【０００３】図９と図１０と図１１に示すように、一方
の基板１２上に、行電極１３と、この行電極１３上に陽
極酸化層１４と、この陽極酸化層１４上に画素電極１５
とを形成する。As shown in FIGS. 9, 10, and 11, a row electrode 13, an anodized layer 14 on the row electrode 13, and a pixel electrode 15 on the anodized layer 14 are provided on one substrate 12.
To form.
【０００４】行電極１３と陽極酸化層１４と画素電極１
５からなるＭＩＭ素子３２を複数個形成した基板と、複
数のデータ電極３１を形成した他方の基板との間に液晶
３３を注入して、ＭＩＭ素子３２を制御して画像表示を
行う。Row electrode 13, anodized layer 14 and pixel electrode 1
The liquid crystal 33 is injected between the substrate on which a plurality of MIM elements 32 of 5 are formed and the other substrate on which the plurality of data electrodes 31 are formed, and the MIM elements 32 are controlled to display an image.
【０００５】この従来技術におけるＭＩＭ素子の製造方
法を、図１０の断面図を用いて説明する。A method of manufacturing the MIM element in this conventional technique will be described with reference to the sectional view of FIG.
【０００６】ガラスからなる基板１２上にスパッタリン
グ法によりタンタル膜を２００ｎｍの膜厚で形成し、第
１のフォトレジスト（図示せず）を用いて乾式エッチン
グ法により、タンタル膜のエッチングを行い、行電極１
３を形成する。A tantalum film having a thickness of 200 nm is formed on the glass substrate 12 by a sputtering method, and the tantalum film is etched by a dry etching method using a first photoresist (not shown). Electrode 1
3 is formed.
【０００７】その後、この行電極１３の表面に陽極酸化
法により陽極酸化層１４を８０ｎｍの膜厚で形成する。After that, an anodic oxide layer 14 having a film thickness of 80 nm is formed on the surface of the row electrode 13 by an anodic oxidation method.
【０００８】さらにスパッタリング法により、たとえば
酸化インジウムスズからなる透明電極膜を５０ｎｍの膜
厚で形成し、第２のフォトレジスト（図示せず）を用い
て、透明電極膜のエッチングを行い、画素電極１５を形
成する。Further, a transparent electrode film made of, for example, indium tin oxide is formed with a film thickness of 50 nm by a sputtering method, and the transparent electrode film is etched using a second photoresist (not shown) to form a pixel electrode. Form 15.
【０００９】このようにしてＭＩＭ素子を２枚のフォト
マスクにより形成し、ＭＩＭ素子を形成する。In this way, the MIM element is formed by using two photomasks to form the MIM element.
【００１０】このときＭＩＭ素子面積は、図９の平面図
に示すように行電極１３と画素電極１５の交差部１９の
面積である。この交差部１９の面積によって、ＭＩＭ素
子容量が決定される。At this time, the MIM element area is the area of the intersection portion 19 of the row electrode 13 and the pixel electrode 15 as shown in the plan view of FIG. The area of the intersection 19 determines the MIM element capacitance.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】近年、アクティブマト
リクス液晶パネルは大画面でしかも高画質が要求されて
おり、さらに液晶パネルを用いたビューファインダーや
プロジェクションテレビへと応用が広がり、より高精細
パターンが要求されている。In recent years, active matrix liquid crystal panels are required to have a large screen and high image quality, and further spread to viewfinders and projection televisions using the liquid crystal panel, so that higher definition patterns can be obtained. Is required.
【００１２】液晶を駆動するための印加電圧は、液晶層
とＭＩＭ素子容量との容量比に分割され、液晶容量とＭ
ＩＭ素子容量との容量比が小さいと、液晶に充分な大き
さの電圧が印加されないため、書き込みができず、液晶
表示装置の表示品質を低下させてしまう。The applied voltage for driving the liquid crystal is divided into the capacitance ratio of the liquid crystal layer and the MIM element capacitance, and the liquid crystal capacitance and M
If the capacitance ratio with the IM element capacitance is small, a sufficiently large voltage is not applied to the liquid crystal, so writing is not possible and the display quality of the liquid crystal display device is degraded.
【００１３】たとえば大きさ１インチパネルのビューフ
ァインダー液晶パネルの場合、画素数１０万画素におけ
る１つの画素寸法は、約３０×４０μｍであり、ＭＩＭ
素子面積は２μｍ2 以下が要求される。For example, in the case of a viewfinder liquid crystal panel having a size of 1 inch, one pixel size of 100,000 pixels is about 30 × 40 μm.
The element area is required to be 2 μm 2 or less.
【００１４】しかし、従来の製造方法により、大型の基
板内にＭＩＭ素子面積を２μｍ2 以下の大きさで均一性
良く形成することは非常に困難である。またさらにＭＩ
Ｍ素子を小さくするとＭＩＭ素子面積バラツキによるＭ
ＩＭ特性差を生じ、表示品質上問題を有している。However, it is very difficult to form the MIM element area of 2 μm 2 or less in a large-sized substrate with good uniformity by the conventional manufacturing method. In addition, MI
If the size of the M element is reduced, M due to the MIM element area variation
This causes a difference in IM characteristics and causes a problem in display quality.
【００１５】本発明の目的は上記課題を解決して、表示
品質が良好な液晶表示装置の製造方法を提供することで
ある。An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device having good display quality.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、下記記載の液晶表示装置の製造方
法を採用する。In order to achieve the above object, the present invention employs the following method for manufacturing a liquid crystal display device.
【００１７】本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板
上の全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第１の
フォトレジストを形成し、第１のフォトレジストをマス
クにして行電極材料をエッチングして行電極を形成する
工程と、第１のフォトレジストの一部を除去し行電極に
陽極酸化電極取り出し部を二重露光により形成する工程
と、行電極の側壁部を陽極酸化して陽極酸化層を形成す
る工程と、全面に透明電極膜を形成する工程と、第１の
フォトレジストを除去すると同時に第１のフォトレジス
ト上の透明電極膜を除去する工程と、第２のフォトレジ
ストを形成し、第２のフォトレジストをマスクにして透
明電極膜をエッチングして画素電極を形成する工程と、
第２のフォトレジストを除去する工程とを有することを
特徴とする。According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, a row electrode material is formed on the entire surface of a substrate, a first photoresist is formed on the row electrode material, and the first photoresist is used as a mask. A step of etching the electrode material to form a row electrode, a step of removing a part of the first photoresist and forming an anodized electrode lead-out portion on the row electrode by double exposure, and a sidewall portion of the row electrode being anodized. A step of forming an anodized layer by oxidation, a step of forming a transparent electrode film on the entire surface, a step of removing the first photoresist and a step of removing the transparent electrode film on the first photoresist at the same time, a second step Forming a photoresist, and using the second photoresist as a mask to etch the transparent electrode film to form a pixel electrode,
And a step of removing the second photoresist.
【００１８】本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板
上の全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第１の
フォトレジストを形成し、第１のフォトレジストをマス
クにして行電極材料をエッチングして行電極を形成する
工程と、遮蔽板を用いて第１のフォトレジストを露光し
第１のフォトレジストの一部を除去し行電極に陽極酸化
電極取り出し部を二重露光により形成する工程と、行電
極の側壁部を陽極酸化して陽極酸化層を形成する工程
と、全面に透明電極膜を形成する工程と、第１のフォト
レジストを除去すると同時に第１のフォトレジスト上の
透明電極膜を除去する工程と、第２のフォトレジストを
形成し、第２のフォトレジストをマスクにして透明電極
膜をエッチングして画素電極を形成する工程と、第２の
フォトレジストを除去する工程とを有することを特徴と
する。According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, a row electrode material is formed on the entire surface of a substrate, a first photoresist is formed on the row electrode material, and the first photoresist is used as a mask. A step of forming a row electrode by etching the electrode material, and exposing the first photoresist using a shielding plate to remove a part of the first photoresist, and exposing the row electrode to the anodized electrode lead-out portion by double exposure. And a step of forming a anodic oxide layer by anodizing the side wall portion of the row electrode, a step of forming a transparent electrode film on the entire surface, and a step of removing the first photoresist and at the same time the first photoresist. A step of removing the upper transparent electrode film, a step of forming a second photoresist, a step of etching the transparent electrode film using the second photoresist as a mask to form a pixel electrode, and a step of removing the second photoresist. Excluding Characterized by a step of.
【００１９】[0019]
【実施例】以下に本発明の液晶表示装置の製造方法にお
ける実施例を、図面を用いて説明する。図１から図７は
本発明の液晶表示装置の製造方法を工程順に示す断面図
であり、図８は本発明の液晶表示装置の製造方法を説明
するための平面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 7 are cross-sectional views showing a method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention in the order of steps, and FIG. 8 is a plan view for explaining the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention.
【００２０】まず図１に示すように、ガラスからなる基
板１２上に、行電極材料２０としてタンタル膜をスパッ
タリング法により１００〜５００ｎｍの膜厚で形成す
る。First, as shown in FIG. 1, a tantalum film is formed as a row electrode material 20 on the substrate 12 made of glass to a thickness of 100 to 500 nm by a sputtering method.
【００２１】その後、ポジ型のフォトレジストを行電極
材料２０上の全面に、回転塗布法により形成し、第１の
フォトマスクを用いて露光、現像処理を行いフォトレジ
ストのパターンニングを行い、第１のフォトレジスト１
６を形成する。After that, a positive photoresist is formed on the entire surface of the row electrode material 20 by a spin coating method, and exposure and development processes are performed using the first photomask to pattern the photoresist. 1 photoresist 1
6 is formed.
【００２２】このとき第１のフォトレジスト１６のポス
トベークは行わず、図２に示す陽極酸化電極取り出し部
１８を形成するための露光処理を行うまで、第１のフォ
トレジスト１６が感光しないようにする。At this time, the first photoresist 16 is not post-baked, and the first photoresist 16 is not exposed to light until the exposure process for forming the anodized electrode lead-out portion 18 shown in FIG. 2 is performed. To do.
【００２３】その後、第１のフォトレジスト１６をマス
クにして乾式エッチング法により、行電極材料２０であ
るタンタル膜をパターンニングし、行電極１３を形成す
る。その行電極１３の平面パターン形状は、図８の破線
２６に示す。After that, the tantalum film, which is the row electrode material 20, is patterned by dry etching using the first photoresist 16 as a mask to form the row electrode 13. The plane pattern shape of the row electrode 13 is shown by a broken line 26 in FIG.
【００２４】つぎにポストベーク処理をしていない第１
のフォトレジスト１６を、第２のフォトマスクを用いて
露光処理して、二重露光を行い、第１のフォトレジスト
１６の現像処理を行い、図２に示す陽極酸化電極取り出
し部１８を行電極１３に形成する。Next, the first that is not post-baked
Of the photoresist 16 of FIG. 2 is exposed to light using a second photomask, double exposure is performed, development of the first photoresist 16 is performed, and the anodized electrode lead-out portion 18 shown in FIG. 13 is formed.
【００２５】この陽極酸化電極取り出し部１８の平面パ
ターン形状は、図８の一点鎖線交差部２３に示す。The plane pattern shape of the anodic oxidation electrode lead-out portion 18 is shown by the alternate long and short dash line intersection portion 23 in FIG.
【００２６】この陽極酸化電極取り出し部１８は基板１
２のエッジ領域に設け、しかも陽極酸化電極取り出し部
１８寸法は、基板１２のエッジより５〜１０ｍｍであ
り、寸法精度を必要としない部分である。このため、フ
ォトマスクを使用せず、陽極酸化電極取り出し部１８以
外を遮光板を用いて遮蔽し、露光処理して、陽極酸化電
極取り出し部１８を形成することもできる。The anodic oxidation electrode take-out portion 18 is the substrate 1
The dimension of the anodic oxidation electrode lead-out portion 18 provided in the second edge region is 5 to 10 mm from the edge of the substrate 12 and does not require dimensional accuracy. Therefore, it is also possible to form the anodized electrode lead-out portion 18 by using a light-shielding plate to shield the portions other than the anodized electrode lead-out portion 18 and performing an exposure process without using a photomask.
【００２７】その後、図３に示すように、０．０１ｗｔ
％クウェン酸溶液中で、陽極酸化電極取り出し部１８を
電極として用いて、陽極酸化処理を行う。After that, as shown in FIG. 3, 0.01 wt.
% Couenoic acid solution, anodizing treatment is performed using the anodizing electrode extraction portion 18 as an electrode.
【００２８】この結果、行電極１３上に第１のフォトレ
ジスト１６を形成したまま陽極酸化処理をおこなうた
め、第１のフォトレジスト１６を被覆していない行電極
１３の側壁部を陽極酸化することになり、行電極１３側
壁部のみに８０ｎｍの厚さを有する陽極酸化層１４を形
成することができる。As a result, since the anodic oxidation treatment is performed with the first photoresist 16 formed on the row electrode 13, the side wall portion of the row electrode 13 which is not covered with the first photoresist 16 is anodized. Thus, the anodic oxide layer 14 having a thickness of 80 nm can be formed only on the side wall portion of the row electrode 13.
【００２９】その後、図４に示すように、酸化インジウ
ムスズからなる透明電極膜２１を、酸素０．５〜１％含
むアルゴンガスをスパッタチャンバー内に導入し、スパ
ッター圧を１０ｍＴｏｒｒに制御するスパッタリング法
により１００ｎｍの膜厚で形成する。Thereafter, as shown in FIG. 4, the transparent electrode film 21 made of indium tin oxide is introduced into the sputtering chamber by argon gas containing 0.5 to 1% of oxygen, and the sputtering pressure is controlled to 10 mTorr. To have a film thickness of 100 nm.
【００３０】その後、図５に示すように、第１のフォト
レジスト１６を湿式法によって除去し、第１のフォトレ
ジスト１６上の透明電極膜２１を、この第１のフォトレ
ジスト１６と同時に除去する。After that, as shown in FIG. 5, the first photoresist 16 is removed by a wet method, and the transparent electrode film 21 on the first photoresist 16 is removed at the same time as the first photoresist 16. .
【００３１】つぎにフォトレジストを回転塗布法により
全面に形成し、第３のフォトマスクを用いて露光、現像
し、第２のフォトレジスト１７を形成する。Next, a photoresist is formed on the entire surface by a spin coating method, and exposed and developed using a third photomask to form a second photoresist 17.
【００３２】その後、図７に示すように、第２のフォト
レジスト１７をエッチングマスクにして、湿式エッチン
グあるいは乾式エッチング法を用いて透明電極膜２１の
エッチングを行い、透明電極膜２１からなる画素電極１
５を形成する。After that, as shown in FIG. 7, the second photoresist 17 is used as an etching mask to etch the transparent electrode film 21 using a wet etching method or a dry etching method, so that the pixel electrode formed of the transparent electrode film 21 is etched. 1
5 is formed.
【００３３】つぎに、第２のフォトレジスト１７を除去
し、ＭＩＭ素子３２を行電極１３の側壁部に形成する。Next, the second photoresist 17 is removed, and the MIM element 32 is formed on the side wall portion of the row electrode 13.
【００３４】このＭＩＭ素子３２の平面パターン形状を
図８の実線交差部２４に示し、画素電極１５の平面パタ
ーン形状を図８の実線２２に示す。The plane pattern shape of the MIM element 32 is shown by the solid line intersection 24 in FIG. 8, and the plane pattern shape of the pixel electrode 15 is shown by the solid line 22 in FIG.
【００３５】さらにその後、真空雰囲気中で温度３５０
℃、１時間の熱処理を行い、ＭＩＭ素子特性の安定化を
図る。このようにしてＭＩＭ素子を２枚、または３枚の
フォトマスクにより形成する。After that, at a temperature of 350 in a vacuum atmosphere.
Heat treatment is performed at 1 ° C. for 1 hour to stabilize the MIM element characteristics. In this way, the MIM element is formed by using two or three photomasks.
【００３６】本発明における液晶表示装置の製造方法
は、行電極１３の側壁部にＭＩＭ素子３２を形成するこ
とにより、素子面積が小さく、素子容量の小さなＭＩＭ
素子を簡便に形成することができ、良好な表示品質を有
する液晶表示装置がえられた。In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the MIM element 32 is formed on the side wall portion of the row electrode 13 so that the element area is small and the element capacitance is small.
A liquid crystal display device having a good display quality, in which the element can be easily formed, was obtained.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
液晶表示装置の製造方法においては、ＭＩＭ素子を行電
極の側壁部に形成している。このことによりＭＩＭ素子
容量を小さくし、液晶容量とＭＩＭ素子容量との容量比
を充分に大きくとることが可能となり、表示品質が従来
より遥かに向上した。またさらに本発明の製造方法によ
るＭＩＭ素子面積は、行電極の側壁、つまりタンタル膜
の厚さと、行電極と画素電極との接続部の長さの積であ
り、本発明の実施例では１μｍ2 のＭＩＭ素子面積が容
易に形成できた。このため、ＭＩＭ素子面積ばらつきが
非常に少ないアクティブマトリクス基板を、簡便な製造
方法で提供することが可能となる。As is apparent from the above description, in the method of manufacturing the liquid crystal display device of the present invention, the MIM element is formed on the side wall portion of the row electrode. As a result, the MIM element capacity can be reduced and the capacity ratio between the liquid crystal capacity and the MIM element capacity can be made sufficiently large, and the display quality can be improved much more than in the past. MIM device area by the manufacturing method of the still further present invention, the side walls of the row electrodes, i.e. the thickness of the tantalum film is the product of the length of the connecting portion between the row electrodes and the pixel electrodes, in the embodiment of the present invention 1 [mu] m 2 It was possible to easily form the MIM element area. For this reason, it becomes possible to provide an active matrix substrate with a very small variation in MIM element area by a simple manufacturing method.
【図１】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a liquid crystal display device in an example of the present invention.
【図２】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a liquid crystal display device in an example of the present invention.
【図３】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the liquid crystal display device in the example of the present invention.
【図４】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the liquid crystal display device in the example of the present invention.
【図５】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the liquid crystal display device in the example of the present invention.
【図６】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the liquid crystal display device in the example of the present invention.
【図７】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the liquid crystal display device in the example of the present invention.
【図８】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a method for manufacturing a liquid crystal display device in an example of the present invention.
【図９】従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を示す
平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a liquid crystal display device using a conventional MIM element.
【図１０】従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を示
す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device using a conventional MIM element.
【図１１】ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の等価回路
を示す回路図である。FIG. 11 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display device using MIM elements.
１２ 基板 １３ 行電極 １４ 陽極酸化層 １５ 画素電極 １８ 陽極酸化電極取り出し部 12 substrate 13 row electrode 14 anodized layer 15 pixel electrode 18 anodized electrode extraction part
Claims (2)
電極材料上に第１のフォトレジストを形成し、第１のフ
ォトレジストをマスクにして行電極材料をエッチングし
て行電極を形成する工程と、第１のフォトレジストの一
部を除去し行電極に陽極酸化電極取り出し部を二重露光
により形成する工程と、行電極の側壁部を陽極酸化して
陽極酸化層を形成する工程と、全面に透明電極膜を形成
する工程と、第１のフォトレジストを除去すると同時に
第１のフォトレジスト上の透明電極膜を除去する工程
と、第２のフォトレジストを形成し、第２のフォトレジ
ストをマスクにして透明電極膜をエッチングして画素電
極を形成する工程と、第２のフォトレジストを除去する
工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。1. A row electrode material is formed on the entire surface of a substrate, a first photoresist is formed on the row electrode material, and the row electrode material is etched by using the first photoresist as a mask to form the row electrode. A step of forming, a step of removing a part of the first photoresist and forming an anodized electrode lead-out portion on the row electrode by double exposure, and a sidewall of the row electrode is anodized to form an anodized layer. A step of forming a transparent electrode film on the entire surface, a step of removing the first photoresist and a step of removing the transparent electrode film on the first photoresist at the same time, a step of forming a second photoresist, and a second step And a step of removing the second photoresist by etching the transparent electrode film using the photoresist as a mask, and a step of removing the second photoresist.
電極材料上に第１のフォトレジストを形成し、第１のフ
ォトレジストをマスクにして行電極材料をエッチングし
て行電極を形成する工程と、遮蔽板を用いて第１のフォ
トレジストを露光し第１のフォトレジストの一部を除去
し行電極に陽極酸化電極取り出し部を二重露光により形
成する工程と、行電極の側壁部を陽極酸化して陽極酸化
層を形成する工程と、全面に透明電極膜を形成する工程
と、第１のフォトレジストを除去すると同時に第１のフ
ォトレジスト上の透明電極膜を除去する工程と、第２の
フォトレジストを形成し、第２のフォトレジストをマス
クにして透明電極膜をエッチングして画素電極を形成す
る工程と、第２のフォトレジストを除去する工程とを有
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。2. A row electrode material is formed on the entire surface of a substrate, a first photoresist is formed on the row electrode material, and the row electrode material is etched by using the first photoresist as a mask to form the row electrode. A step of forming, a step of exposing the first photoresist using a shielding plate to remove a part of the first photoresist, and forming an anodized electrode lead-out portion on the row electrode by double exposure, A step of anodizing the side wall portion to form an anodized layer; a step of forming a transparent electrode film on the entire surface; a step of removing the first photoresist and at the same time a transparent electrode film on the first photoresist. And a step of forming a second photoresist, etching the transparent electrode film using the second photoresist as a mask to form a pixel electrode, and removing the second photoresist. Tosu Liquid crystal display device manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1596793A JPH06202161A (en) | 1993-01-05 | 1993-01-05 | Production of liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1596793A JPH06202161A (en) | 1993-01-05 | 1993-01-05 | Production of liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202161A true JPH06202161A (en) | 1994-07-22 |
Family
ID=11903491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1596793A Pending JPH06202161A (en) | 1993-01-05 | 1993-01-05 | Production of liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06202161A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5866301A (en) * | 1997-04-08 | 1999-02-02 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film diode |
-
1993
- 1993-01-05 JP JP1596793A patent/JPH06202161A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5866301A (en) * | 1997-04-08 | 1999-02-02 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film diode |
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