JPH06202126A - 透明電極基板とその製造方法 - Google Patents
透明電極基板とその製造方法Info
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- JPH06202126A JPH06202126A JP113093A JP113093A JPH06202126A JP H06202126 A JPH06202126 A JP H06202126A JP 113093 A JP113093 A JP 113093A JP 113093 A JP113093 A JP 113093A JP H06202126 A JPH06202126 A JP H06202126A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電極パターンが反射して見えることなく、凹
凸のない透明電極基板を得る。また、容易に電極パター
ンが形成可能な透明電極基板の製造方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１上に酸化インジウム等の透明導
電膜３を全面的に形成し、電極パターンに応じて導電性
を必要としない部分にレーザ光４を照射して絶縁膜とす
る。そして、このレーザ光処理により、屈折率が近似し
た導電部分３ａと絶縁部分３ｂとを有する透明膜を形成
する。
凸のない透明電極基板を得る。また、容易に電極パター
ンが形成可能な透明電極基板の製造方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１上に酸化インジウム等の透明導
電膜３を全面的に形成し、電極パターンに応じて導電性
を必要としない部分にレーザ光４を照射して絶縁膜とす
る。そして、このレーザ光処理により、屈折率が近似し
た導電部分３ａと絶縁部分３ｂとを有する透明膜を形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、特にＬＣＤ表示装置
等に使用される透明導電膜を有した透明電極基板とその
製造方法に関するものである。
等に使用される透明導電膜を有した透明電極基板とその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の透明導電膜を有した透明電
極基板の製造工程を示す側面図であり、ここでは透明導
電電極（透明導電膜）の形成過程を示している。まず図
３の（ａ）に示すように、透明な基板１１上に透明導電
電極となるＩＴＯ膜１２を全面にわたって形成する。次
に図３の（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜１２上に電極パ
ターンに応じたレジスト膜１３をフォトリソグラフ法に
より形成し、その後図３の（ｃ）に示すようにＩＴＯ膜
１２をエッチングする。そして、最後に上記レジスト膜
１３を除去することにより、図３の（ｄ）に示すような
ＩＴＯパターンからなる透明導電電極を有した透明電極
基板が完成する。
極基板の製造工程を示す側面図であり、ここでは透明導
電電極（透明導電膜）の形成過程を示している。まず図
３の（ａ）に示すように、透明な基板１１上に透明導電
電極となるＩＴＯ膜１２を全面にわたって形成する。次
に図３の（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜１２上に電極パ
ターンに応じたレジスト膜１３をフォトリソグラフ法に
より形成し、その後図３の（ｃ）に示すようにＩＴＯ膜
１２をエッチングする。そして、最後に上記レジスト膜
１３を除去することにより、図３の（ｄ）に示すような
ＩＴＯパターンからなる透明導電電極を有した透明電極
基板が完成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
に形成された従来の透明電極基板にあっては、電極パタ
ーンによって導電膜の有る部分と無い部分で凹凸が生
じ、基板と導電膜の屈折率の違いにより電極パターンが
反射して見えたり、ギャップを高精度で制御するような
液晶用電極基板としては使用できない恐れがあるという
問題点があった。
に形成された従来の透明電極基板にあっては、電極パタ
ーンによって導電膜の有る部分と無い部分で凹凸が生
じ、基板と導電膜の屈折率の違いにより電極パターンが
反射して見えたり、ギャップを高精度で制御するような
液晶用電極基板としては使用できない恐れがあるという
問題点があった。
【０００４】また、従来の透明電極基板の製造方法にあ
っては、フォトリソグラフ法によりパターニングしてい
るので、工程数が多く、エッチングも条件（エッチング
液の管理）によって変わり易く、導電膜の膜質が異なる
とエッチング条件も相異するので、工程管理が難しいと
いう問題点があった。
っては、フォトリソグラフ法によりパターニングしてい
るので、工程数が多く、エッチングも条件（エッチング
液の管理）によって変わり易く、導電膜の膜質が異なる
とエッチング条件も相異するので、工程管理が難しいと
いう問題点があった。
【０００５】この発明は、上記のような問題点に着目し
てなされたもので、電極パターンが反射して見えること
なく、ギャップを高精度で制御するような液晶用電極基
板としても最適な透明電極基板を得ることを目的として
いる。
てなされたもので、電極パターンが反射して見えること
なく、ギャップを高精度で制御するような液晶用電極基
板としても最適な透明電極基板を得ることを目的として
いる。
【０００６】また、工程数が少なく、工程管理も容易な
透明電極基板の製造方法を提供することを目的としてい
る。
透明電極基板の製造方法を提供することを目的としてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の透明電極基板
は、透明基板上に、電極パターンに応じて屈折率が近似
した導電部分と絶縁部分とを有する平らな透明膜を形成
したものである。
は、透明基板上に、電極パターンに応じて屈折率が近似
した導電部分と絶縁部分とを有する平らな透明膜を形成
したものである。
【０００８】またこの発明の透明電極基板の製造方法
は、透明基板上に、酸素が化学量論的組成比より少ない
領域の酸化インジウム等の透明電極となる透明導電膜を
全面的に形成し、そのうち導電性を必要としない部分に
酸素雰囲気中でレーザ光を照射して酸素が上記化学量論
的組成比かそれより多い領域の絶縁膜を形成するように
したものである。
は、透明基板上に、酸素が化学量論的組成比より少ない
領域の酸化インジウム等の透明電極となる透明導電膜を
全面的に形成し、そのうち導電性を必要としない部分に
酸素雰囲気中でレーザ光を照射して酸素が上記化学量論
的組成比かそれより多い領域の絶縁膜を形成するように
したものである。
【０００９】
【作用】この発明の透明電極基板においては、基板上の
導電部分と絶縁部分とで凹凸がなく、平らであり、電極
パターンが見えない。
導電部分と絶縁部分とで凹凸がなく、平らであり、電極
パターンが見えない。
【００１０】またこの発明の透明電極基板の製造方法に
おいては、レーザ光の照射のみで、フォトリソグラフ法
やエッチング法を用いないので、工程数が少なく、管理
も容易である。
おいては、レーザ光の照射のみで、フォトリソグラフ法
やエッチング法を用いないので、工程数が少なく、管理
も容易である。
【００１１】
【実施例】図１はこの発明の一実施例による透明電極基
板の要部を示す側面図である。図中１は透明基板である
ガラス基板で、この上に電極パターンに応じて屈折率が
近似した導電部分３ａと絶縁部分３ｂとを有する平らな
透明膜２が形成されている。
板の要部を示す側面図である。図中１は透明基板である
ガラス基板で、この上に電極パターンに応じて屈折率が
近似した導電部分３ａと絶縁部分３ｂとを有する平らな
透明膜２が形成されている。
【００１２】図２は上記の透明電極基板の製造工程を示
す図であり、（ａ），（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図
となっている。まず図２の（ａ）に示すように、ガラス
基板１上に透明電極となる透明導電膜３として、酸素が
化学量論的組成比よりやや少ない領域の酸化インジウム
膜（Ｉｎ2 Ｏ3-y 膜）等を全面的に形成する。
す図であり、（ａ），（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図
となっている。まず図２の（ａ）に示すように、ガラス
基板１上に透明電極となる透明導電膜３として、酸素が
化学量論的組成比よりやや少ない領域の酸化インジウム
膜（Ｉｎ2 Ｏ3-y 膜）等を全面的に形成する。
【００１３】次に図２の（ｂ）に示すように、上記透明
導電膜３のうち導電性を必要としない部分、つまり電極
として必要のない部分にレーザ光４を照射して、酸素が
上記化学量論的組成比かそれより多い領域の絶縁膜（絶
縁部分３ｂ）を形成する。このレーザ光処理は酸素雰囲
気中で行い、電極パターンに応じて矢印Ａ方向にレーザ
光４を移動照射する。これにより、レーザ光処理された
部分がＩｎ2 Ｏ3-y 膜に変化し、この化学量論的組成比
を有するＩｎＯ3 膜あるいはこれより酸素含有量の多い
酸化インジウム膜は高い絶縁性を有している。
導電膜３のうち導電性を必要としない部分、つまり電極
として必要のない部分にレーザ光４を照射して、酸素が
上記化学量論的組成比かそれより多い領域の絶縁膜（絶
縁部分３ｂ）を形成する。このレーザ光処理は酸素雰囲
気中で行い、電極パターンに応じて矢印Ａ方向にレーザ
光４を移動照射する。これにより、レーザ光処理された
部分がＩｎ2 Ｏ3-y 膜に変化し、この化学量論的組成比
を有するＩｎＯ3 膜あるいはこれより酸素含有量の多い
酸化インジウム膜は高い絶縁性を有している。
【００１４】また、上記レーザ光処理をしない部分は、
酸素が化学量論的組成比よりやや不足した膜のままであ
り、透明でかつ低抵抗となっており、透明な電極膜とな
る。ここで、化学量論的組成比より酸素の不足が更に進
むと、透明から褐色に変化し、更に黒色金属色に変化す
るが、一般に使用されている酸化インジウムの透明導電
膜３はこの化学量論的組成比より僅かに酸素の不足した
領域を用いているので、問題はない。
酸素が化学量論的組成比よりやや不足した膜のままであ
り、透明でかつ低抵抗となっており、透明な電極膜とな
る。ここで、化学量論的組成比より酸素の不足が更に進
むと、透明から褐色に変化し、更に黒色金属色に変化す
るが、一般に使用されている酸化インジウムの透明導電
膜３はこの化学量論的組成比より僅かに酸素の不足した
領域を用いているので、問題はない。
【００１５】このようにして、レーザ光処理した部分を
絶縁部分３ｂ、処理していない部分を導電部分３ａとす
ることで、図２の（ｃ）に示すような透明導電パターン
を持った透明電極基板を容易に形成することができる。
この透明電極基板は、ガラス基板１上の透明膜２の導電
部分３ａと絶縁部分３ｂとが共に酸化インジウムの膜で
あり、組成比が異なっているのみで、屈折率も近似して
いるので、電極パターンが反射して見えることはない。
また、電極膜の有無によるパターニングではないので、
全く凹凸がなく、完全にフラットであり、ギャップを高
精度で制御するような液晶用電極基板としても最適であ
る。
絶縁部分３ｂ、処理していない部分を導電部分３ａとす
ることで、図２の（ｃ）に示すような透明導電パターン
を持った透明電極基板を容易に形成することができる。
この透明電極基板は、ガラス基板１上の透明膜２の導電
部分３ａと絶縁部分３ｂとが共に酸化インジウムの膜で
あり、組成比が異なっているのみで、屈折率も近似して
いるので、電極パターンが反射して見えることはない。
また、電極膜の有無によるパターニングではないので、
全く凹凸がなく、完全にフラットであり、ギャップを高
精度で制御するような液晶用電極基板としても最適であ
る。
【００１６】また、従来のようにフォトリソグラフ法や
エッチング法を用いることなく、レーザ光処理のみで容
易に形成でき、工程数が少なく、工程管理も容易であ
る。
エッチング法を用いることなく、レーザ光処理のみで容
易に形成でき、工程数が少なく、工程管理も容易であ
る。
【００１７】なお、ガラス基板１上の透明導電膜３は、
上記の酸化インジウム系だけでなく、酸化亜鉛系や酸化
チタン系でも有効であり、同様の透明電極を持つ透明電
極基板を実現することができる。
上記の酸化インジウム系だけでなく、酸化亜鉛系や酸化
チタン系でも有効であり、同様の透明電極を持つ透明電
極基板を実現することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、電極
パターンに応じて屈折率が近似した導電部分と絶縁部分
とを有する平らな透明膜を形成したので、電極パターン
が反射して見えることなく、ギャップを高精度で制御す
るような液晶用電極基板としても最適に使用できるとい
う効果がある。
パターンに応じて屈折率が近似した導電部分と絶縁部分
とを有する平らな透明膜を形成したので、電極パターン
が反射して見えることなく、ギャップを高精度で制御す
るような液晶用電極基板としても最適に使用できるとい
う効果がある。
【００１９】また、レーザ光処理のみで電極パターンを
形成するようにしたので、工程数が少なくなり、工程管
理も容易になるという効果が得られる。
形成するようにしたので、工程数が少なくなり、工程管
理も容易になるという効果が得られる。
【図１】 この発明の一実施例を示す側面図
【図２】 図１の透明電極基板の製造工程を示す説明図
【図３】 従来例を示す側面図
１ ガラス基板 ２ 透明膜 ３ 透明導電膜 ３ａ 導電部分 ３ｂ 絶縁部分 ４ レーザ光
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に、電極パターンに応じて屈
折率が近似した導電部分と絶縁部分とを有する平らな透
明膜を形成したことを特徴とする透明電極基板。 - 【請求項２】 透明基板上に、酸素が化学量論的組成比
より少ない領域の酸化インジウム等の透明電極となる透
明導電膜を全面的に形成し、そのうち導電性を必要とし
ない部分に酸素雰囲気中でレーザ光を照射して酸素が上
記化学量論的組成比かそれより多い領域の絶縁膜を形成
することを特徴とする透明電極基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP113093A JPH06202126A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 透明電極基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP113093A JPH06202126A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 透明電極基板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202126A true JPH06202126A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=11492868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP113093A Pending JPH06202126A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 透明電極基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06202126A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082589A (ja) * | 2006-01-02 | 2011-04-21 | Samsung Led Co Ltd | 窒化ガリウム系発光ダイオード素子 |
| JP2013025616A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜構造体とその製造方法およびタッチパネル |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04195023A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-15 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子 |
-
1993
- 1993-01-07 JP JP113093A patent/JPH06202126A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04195023A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-15 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082589A (ja) * | 2006-01-02 | 2011-04-21 | Samsung Led Co Ltd | 窒化ガリウム系発光ダイオード素子 |
| JP2013025616A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜構造体とその製造方法およびタッチパネル |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971202 |