JPH06201620A - 試料の熱物性評価方法及びその装置 - Google Patents
試料の熱物性評価方法及びその装置Info
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- JPH06201620A JPH06201620A JP155993A JP155993A JPH06201620A JP H06201620 A JPH06201620 A JP H06201620A JP 155993 A JP155993 A JP 155993A JP 155993 A JP155993 A JP 155993A JP H06201620 A JPH06201620 A JP H06201620A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は，試料の熱物性定数の測定および熱
物性定数から得られる試料の物理的な状態の評価を常に
正確に行い得る試料の熱物性評価方法及びその装置の提
供を目的とする。 【構成】 試料に接した気体の圧力を測定し，該圧力に
対応した気体の屈折率，屈折率の温度勾配および熱拡散
長を求める。これにより，圧力変化による試料からの反
射光の位相変化および位相変化による見かけ上の熱膨張
量を算出することができるので，これを用いて試料の真
の熱膨張量を求めることができる。また，略真空状態下
では試料に接する媒質が存在しないため，反射光の位相
変化は熱膨張のみによって生じる。従って，試料の真の
熱膨張量を測定することができる。
物性定数から得られる試料の物理的な状態の評価を常に
正確に行い得る試料の熱物性評価方法及びその装置の提
供を目的とする。 【構成】 試料に接した気体の圧力を測定し，該圧力に
対応した気体の屈折率，屈折率の温度勾配および熱拡散
長を求める。これにより，圧力変化による試料からの反
射光の位相変化および位相変化による見かけ上の熱膨張
量を算出することができるので，これを用いて試料の真
の熱膨張量を求めることができる。また，略真空状態下
では試料に接する媒質が存在しないため，反射光の位相
変化は熱膨張のみによって生じる。従って，試料の真の
熱膨張量を測定することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，試料の熱物性評価方法
及びその装置に係り，詳しくは試料の熱物性定数の測定
および熱物性定数から得られる試料の物理的な状態の評
価を行う試料の熱物性評価方法及びその装置に関するも
のである。
及びその装置に係り，詳しくは試料の熱物性定数の測定
および熱物性定数から得られる試料の物理的な状態の評
価を行う試料の熱物性評価方法及びその装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】試料に周期的に強度変調した励起光を照
射すると，試料はこの光の吸収により発熱し，これによ
り熱膨張する。照射光は周期的に強度変調しているた
め，発熱による試料の温度変化は周期的となり，試料は
熱膨張振動をおこす。これらの熱応答を計測することに
より試料を評価する手法は，光音響法ないしは光熱変位
法として知られている。図４は，上記光熱変位法による
従来の試料の熱物性評価装置Ａｏの一例における概略構
成を示す模式図である。図４に示す如く，従来の試料の
熱物性評価装置Ａｏに適用される評価方法では，まずポ
ンプレーザ１から出た励起光（ポンプ光）はチョッパ２
により断続した光束になり，レンズ３によって測定試料
４の表面に照射される。このとき試料４がポンプ光を吸
収する材質の場合，上記したように試料４は，ポンプ光
のエネルギを断続的に吸収してその温度が周期的に変化
するため，試料４の表面に熱膨張振動が生じる。一般
に，熱膨張振動の振幅は１０-11 ｍ程度と非常に小さい
ので，光学的な干渉技術を利用して測定される。ここで
は，プローブレーザ５としてＨｅ−Ｎｅレーザを用いた
マイケルソン型の干渉計が用いられている。プローブレ
ーザ５から出た光（プローブ光）はビームスプリッタ６
により２方向に分けられる。一方のプローブ光は測定試
料４に向かい，試料４の表面で反射される。反射された
プローブ光は試料４の表面の熱膨張による周期的な位相
変化の影響を受け，再度ビームスプリッタ６で反射さ
れ，光検出器７に入射する。他方のプローブ光は参照ミ
ラー８に向かい，この参照ミラー８で反射されてビーム
スプリッタ６を通過し，光検出器７に入射する。そし
て，試料４から戻ってきた上記一方のプローブ光と干渉
を起こす。ここで，プローブレーザ５の周波数が１種類
であるホモダイン干渉の場合は，干渉信号の強度は熱膨
張振動振幅の余弦関数で与えられ，またプローブレーザ
５の周波数が２種類であるヘテロダイン干渉の場合に
は，干渉信号のビート（うなり）波形の位相が熱膨張振
動振幅に従って変化することになる。これらの干渉信号
をロックインアンプ等により位相検波すれば，微小な熱
膨張量を求めることができる。熱膨張量は試料４の熱伝
導率，熱膨張率などの熱物性定数と密接に関連してい
て，またそれらは試料４の結晶欠陥密度などの物理的な
状態を反映している。ところで，光熱変位法では，チョ
ッパ２の断続（変調）周波数を高くするとポンプ光の熱
エネルギを試料４の表面に閉じこめることができる。従
って，光熱変位法を用いて熱膨張量を求めることによ
り，試料４の表層の熱物性定数の測定および熱物性定数
から得られる試料４の物理的な状態（例えば結晶欠陥，
イオン注入量など）の評価を行うことができた。
射すると，試料はこの光の吸収により発熱し，これによ
り熱膨張する。照射光は周期的に強度変調しているた
め，発熱による試料の温度変化は周期的となり，試料は
熱膨張振動をおこす。これらの熱応答を計測することに
より試料を評価する手法は，光音響法ないしは光熱変位
法として知られている。図４は，上記光熱変位法による
従来の試料の熱物性評価装置Ａｏの一例における概略構
成を示す模式図である。図４に示す如く，従来の試料の
熱物性評価装置Ａｏに適用される評価方法では，まずポ
ンプレーザ１から出た励起光（ポンプ光）はチョッパ２
により断続した光束になり，レンズ３によって測定試料
４の表面に照射される。このとき試料４がポンプ光を吸
収する材質の場合，上記したように試料４は，ポンプ光
のエネルギを断続的に吸収してその温度が周期的に変化
するため，試料４の表面に熱膨張振動が生じる。一般
に，熱膨張振動の振幅は１０-11 ｍ程度と非常に小さい
ので，光学的な干渉技術を利用して測定される。ここで
は，プローブレーザ５としてＨｅ−Ｎｅレーザを用いた
マイケルソン型の干渉計が用いられている。プローブレ
ーザ５から出た光（プローブ光）はビームスプリッタ６
により２方向に分けられる。一方のプローブ光は測定試
料４に向かい，試料４の表面で反射される。反射された
プローブ光は試料４の表面の熱膨張による周期的な位相
変化の影響を受け，再度ビームスプリッタ６で反射さ
れ，光検出器７に入射する。他方のプローブ光は参照ミ
ラー８に向かい，この参照ミラー８で反射されてビーム
スプリッタ６を通過し，光検出器７に入射する。そし
て，試料４から戻ってきた上記一方のプローブ光と干渉
を起こす。ここで，プローブレーザ５の周波数が１種類
であるホモダイン干渉の場合は，干渉信号の強度は熱膨
張振動振幅の余弦関数で与えられ，またプローブレーザ
５の周波数が２種類であるヘテロダイン干渉の場合に
は，干渉信号のビート（うなり）波形の位相が熱膨張振
動振幅に従って変化することになる。これらの干渉信号
をロックインアンプ等により位相検波すれば，微小な熱
膨張量を求めることができる。熱膨張量は試料４の熱伝
導率，熱膨張率などの熱物性定数と密接に関連してい
て，またそれらは試料４の結晶欠陥密度などの物理的な
状態を反映している。ところで，光熱変位法では，チョ
ッパ２の断続（変調）周波数を高くするとポンプ光の熱
エネルギを試料４の表面に閉じこめることができる。従
って，光熱変位法を用いて熱膨張量を求めることによ
り，試料４の表層の熱物性定数の測定および熱物性定数
から得られる試料４の物理的な状態（例えば結晶欠陥，
イオン注入量など）の評価を行うことができた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】干渉計による熱膨張の
計測は，上述したように反射光の位相変化の検出に基づ
いている。しかし，反射光の位相は熱膨張だけでなく試
料４に接する媒質（一般には気体）の屈折率の変化によ
っても影響を受ける。試料４がポンプ光のエネルギを断
続的に吸収すると，試料４の温度が周期的に変化し，そ
のため試料４の表面に熱膨張振動が生じる。同時に試料
４の周期的な温度上昇により，試料４に接した気体の温
度が上昇し，その結果気体の屈折率が下がる。これによ
り，反射光の位相が真空中より遅れ，見かけ上熱膨張量
が大きく測定される（図５（ａ）〜（ｄ）参照）。本発
明はこのような従来の技術における課題を解決するため
に，試料の熱物性を常に正確に評価できる試料の熱物性
評価方法及びその装置を提供することを目的とするもの
である。
計測は，上述したように反射光の位相変化の検出に基づ
いている。しかし，反射光の位相は熱膨張だけでなく試
料４に接する媒質（一般には気体）の屈折率の変化によ
っても影響を受ける。試料４がポンプ光のエネルギを断
続的に吸収すると，試料４の温度が周期的に変化し，そ
のため試料４の表面に熱膨張振動が生じる。同時に試料
４の周期的な温度上昇により，試料４に接した気体の温
度が上昇し，その結果気体の屈折率が下がる。これによ
り，反射光の位相が真空中より遅れ，見かけ上熱膨張量
が大きく測定される（図５（ａ）〜（ｄ）参照）。本発
明はこのような従来の技術における課題を解決するため
に，試料の熱物性を常に正確に評価できる試料の熱物性
評価方法及びその装置を提供することを目的とするもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，本発明が採用する第１の手段は，その要旨とすると
ころが，試料に励起光を照射してそれによる該試料の熱
膨張振動を計測して試料の評価を行う熱物性評価方法に
おいて，上記試料に接する気体の圧力を測定し，該圧力
に対応した上記気体の屈折率，該屈折率の温度勾配及び
熱拡散長を求め，得られたこれらの値に基づいて上記試
料に係る熱膨張量を補正する点に係る試料の熱物性評価
方法である。更に，本発明が採用する第２の手段は，そ
の要旨とするところが，試料に励起光を照射してそれに
よる該試料の熱膨張振動を計測して試料の評価を行う熱
物性評価装置において，上記試料に接する気体の圧力を
測定する圧力測定手段と，上記圧力に対応した上記気体
の屈折率，該屈折率の温度勾配及び熱拡散長を求め，得
られたこれらの値に基づいて上記試料に係る熱膨張量を
補正する補正手段とを具備してなる点に係る試料の熱物
性評価装置である。更にまた，本発明が採用する第３の
手段は，その要旨とするところが，試料に励起光を照射
してそれによる該試料の熱膨張振動を計測して試料の評
価を行う熱物性評価方法において，少なくとも上記試料
に接する領域を略真空状態にする点に係る試料の熱物性
評価方法である。
に，本発明が採用する第１の手段は，その要旨とすると
ころが，試料に励起光を照射してそれによる該試料の熱
膨張振動を計測して試料の評価を行う熱物性評価方法に
おいて，上記試料に接する気体の圧力を測定し，該圧力
に対応した上記気体の屈折率，該屈折率の温度勾配及び
熱拡散長を求め，得られたこれらの値に基づいて上記試
料に係る熱膨張量を補正する点に係る試料の熱物性評価
方法である。更に，本発明が採用する第２の手段は，そ
の要旨とするところが，試料に励起光を照射してそれに
よる該試料の熱膨張振動を計測して試料の評価を行う熱
物性評価装置において，上記試料に接する気体の圧力を
測定する圧力測定手段と，上記圧力に対応した上記気体
の屈折率，該屈折率の温度勾配及び熱拡散長を求め，得
られたこれらの値に基づいて上記試料に係る熱膨張量を
補正する補正手段とを具備してなる点に係る試料の熱物
性評価装置である。更にまた，本発明が採用する第３の
手段は，その要旨とするところが，試料に励起光を照射
してそれによる該試料の熱膨張振動を計測して試料の評
価を行う熱物性評価方法において，少なくとも上記試料
に接する領域を略真空状態にする点に係る試料の熱物性
評価方法である。
【０００５】
【作用】本発明に係る熱物性評価方法及びその装置で
は，試料に接した気体の圧力を測定し，該圧力に対応し
た気体の屈折率，屈折率の温度勾配および熱拡散長を求
める。これにより，圧力変化による試料からの反射光の
位相変化および位相変化による見かけ上の熱膨張量を算
出することができるので，これを用いて試料の真の熱膨
張量を求めることができる。また，略真空状態下では試
料に接する媒質が存在しないため，反射光の位相変化は
熱膨張のみによって生じる。従って，試料の真の熱膨張
量を測定することができる。
は，試料に接した気体の圧力を測定し，該圧力に対応し
た気体の屈折率，屈折率の温度勾配および熱拡散長を求
める。これにより，圧力変化による試料からの反射光の
位相変化および位相変化による見かけ上の熱膨張量を算
出することができるので，これを用いて試料の真の熱膨
張量を求めることができる。また，略真空状態下では試
料に接する媒質が存在しないため，反射光の位相変化は
熱膨張のみによって生じる。従って，試料の真の熱膨張
量を測定することができる。
【０００６】
【実施例】以下，添付図面を参照して本発明を具体化し
た実施例に付き説明し，本発明の理解に供する。尚以下
の実施例は，本発明を具体化した一例であって，本発明
の技術的範囲を限定する性格のものではない。ここに，
図１は本発明の一実施例に係る試料の熱物性評価方法を
適用することのできる熱物性評価装置の概略構成を示す
ブロック図，図２は試料表面に接する領域の圧力と試料
表面からの反射光の位相変化の増加率との関係を示すグ
ラフ，図３は試料表面に接する領域の圧力と試料のみか
け上の熱膨張量との関係を示すグラフである。試料の熱
膨張および空気の温度上昇が引き起こす屈折率低下によ
る反射光の位相変化は，１次元の熱伝導モデルでは以下
のように表すことができる。ここで，数式中に現れる記
号の物理的な意味を以下に定義する。 λ0 ：真空中のプローブ光の波長 μa ：空気の熱拡散長 μs ：試料の熱拡散長 β ：空気の（体積）熱膨張率 α ：試料の（線）熱膨張率 ΔＴs （ｚ）：ポンプ光の照射による試料の温度上昇
（深さｚ） Δｎ（ｚ） ：ポンプ光の照射による空気の屈折率変化
（深さｚ） Ｔ0 ：試料表面の温度 ｄｎ／ｄＴ：空気の屈折率の温度勾配 ω：ポンプ光の断続角周波数 ｅ：水蒸気の圧力 κa ：空気の熱伝導率 ρa ：空気の密度 Ｃa ：空気の比熱 κs ：試料の熱伝導率 ρs ：試料の密度 Ｃs ：試料の比熱 ｎ0 ，Ｔ0 ，Ｐ0 ：基準状態での空気の屈折率，温度，
圧力 ｎ ，Ｔ ，Ｐ ：測定状態での空気の屈折率，温度，
圧力
た実施例に付き説明し，本発明の理解に供する。尚以下
の実施例は，本発明を具体化した一例であって，本発明
の技術的範囲を限定する性格のものではない。ここに，
図１は本発明の一実施例に係る試料の熱物性評価方法を
適用することのできる熱物性評価装置の概略構成を示す
ブロック図，図２は試料表面に接する領域の圧力と試料
表面からの反射光の位相変化の増加率との関係を示すグ
ラフ，図３は試料表面に接する領域の圧力と試料のみか
け上の熱膨張量との関係を示すグラフである。試料の熱
膨張および空気の温度上昇が引き起こす屈折率低下によ
る反射光の位相変化は，１次元の熱伝導モデルでは以下
のように表すことができる。ここで，数式中に現れる記
号の物理的な意味を以下に定義する。 λ0 ：真空中のプローブ光の波長 μa ：空気の熱拡散長 μs ：試料の熱拡散長 β ：空気の（体積）熱膨張率 α ：試料の（線）熱膨張率 ΔＴs （ｚ）：ポンプ光の照射による試料の温度上昇
（深さｚ） Δｎ（ｚ） ：ポンプ光の照射による空気の屈折率変化
（深さｚ） Ｔ0 ：試料表面の温度 ｄｎ／ｄＴ：空気の屈折率の温度勾配 ω：ポンプ光の断続角周波数 ｅ：水蒸気の圧力 κa ：空気の熱伝導率 ρa ：空気の密度 Ｃa ：空気の比熱 κs ：試料の熱伝導率 ρs ：試料の密度 Ｃs ：試料の比熱 ｎ0 ，Ｔ0 ，Ｐ0 ：基準状態での空気の屈折率，温度，
圧力 ｎ ，Ｔ ，Ｐ ：測定状態での空気の屈折率，温度，
圧力
【０００７】まず，真空中での試料の熱膨張ｈの影響に
よる反射光の位相変化ΔΦvsは以下のように表される。
よる反射光の位相変化ΔΦvsは以下のように表される。
【数１】 他方，空気中での試料の熱膨張ｈの影響による反射光の
位相変化ΔΦasは上記（１）の場合と同様に，以下のよ
うに表される。
位相変化ΔΦasは上記（１）の場合と同様に，以下のよ
うに表される。
【数２】 更に，空気の温度上昇の影響による反射光の位相変化Δ
Φa は以下のように表される。
Φa は以下のように表される。
【数３】 従って，空気が存在することによる反射光の位相変化の
増加率Ｒa は，上記〜式より以下のように表され
る。
増加率Ｒa は，上記〜式より以下のように表され
る。
【数４】 ここで屈折率ｎは，乾燥空気の場合
【数５】 と表されるので，この屈折率の温度勾配ｄｎ／ｄＴは以
下の式で与えられる。
下の式で与えられる。
【数６】 また，空気及び試料の熱拡散長μa ，μs は以下の式
で与えられる。
で与えられる。
【数７】 ここで上記〜式を前期式に代入し，空気及び試料
としての例えばシリコンの物性値（表１参照）を用いる
と，空気中でこのシリコンを測定した場合の位相変化の
増加率Ｒa を求めることができる。この増加率Ｒa は見
かけ上の熱膨張量の増加率に等しい。
としての例えばシリコンの物性値（表１参照）を用いる
と，空気中でこのシリコンを測定した場合の位相変化の
増加率Ｒa を求めることができる。この増加率Ｒa は見
かけ上の熱膨張量の増加率に等しい。
【０００８】
【表１】 即ち，空気の熱伝導率κa は分子条件が満たされるほど
の低い圧力でなければ圧力に依存しない。また，空気の
密度ρa は圧力に反比例するので，空気の温度Ｔ＝２７
ｄｅｇの場合について増加率Ｒa を圧力Ｐの関数として
表すと図２のようになる。ここで，本発明の一実施例に
係る試料の熱物性評価装置Ａ（図１参照）により，試料
８（シリコン）に接する空気の圧力と干渉計５を用いて
得られる光熱変位量を測定した結果との関係を図３に示
す。尚第１図中，１はポンプレーザ，２はミラー，３は
レンズ，４はプローブレーザ，５は干渉計である。ま
た，６はガラス窓７を備え，上記試料８及び該試料８を
載置して位置決めするためのＸ−Ｙステージ９を収容す
るチャンバ，１０は上記チャンバ６内の圧力計測用の圧
力計（圧力測定手段），１１は信号処理回路，１２は上
記チャンバ６内を排気するポンプである。更に１３はデ
ータ処理用のパーソナルコンピュータ，１４はメモリ，
１５は上記試料８のハンドリング用のロボット１６を制
御するコントローラ，１７は上記チャンバ６に対する流
量調節弁である。そして，熱膨張量の補正に係る一連の
演算処理は，上記パーソナルコンピュータ１３内のメモ
リに予め記憶された処理プログラムにより実行される。
これが補正手段に相当する。
の低い圧力でなければ圧力に依存しない。また，空気の
密度ρa は圧力に反比例するので，空気の温度Ｔ＝２７
ｄｅｇの場合について増加率Ｒa を圧力Ｐの関数として
表すと図２のようになる。ここで，本発明の一実施例に
係る試料の熱物性評価装置Ａ（図１参照）により，試料
８（シリコン）に接する空気の圧力と干渉計５を用いて
得られる光熱変位量を測定した結果との関係を図３に示
す。尚第１図中，１はポンプレーザ，２はミラー，３は
レンズ，４はプローブレーザ，５は干渉計である。ま
た，６はガラス窓７を備え，上記試料８及び該試料８を
載置して位置決めするためのＸ−Ｙステージ９を収容す
るチャンバ，１０は上記チャンバ６内の圧力計測用の圧
力計（圧力測定手段），１１は信号処理回路，１２は上
記チャンバ６内を排気するポンプである。更に１３はデ
ータ処理用のパーソナルコンピュータ，１４はメモリ，
１５は上記試料８のハンドリング用のロボット１６を制
御するコントローラ，１７は上記チャンバ６に対する流
量調節弁である。そして，熱膨張量の補正に係る一連の
演算処理は，上記パーソナルコンピュータ１３内のメモ
リに予め記憶された処理プログラムにより実行される。
これが補正手段に相当する。
【０００９】尚，前述の図３には，図２における増加率
Ｒa を圧力Ｐ＝７６０ｔｏｒｒで規格化した理論値によ
る曲線も併せて記入した。同図により前述の測定結果と
結論的に求められた増加率Ｒa は良く一致していること
がわかる。このことは, 当該評価装置Ａにより，試料８
に接した気体の圧力を測定し，この圧力に対応した気体
の屈折率，該屈折率の温度勾配および熱拡散長を求め，
それらを用いて熱膨張量を補正することが可能であるこ
とを表している。また，図３は，試料８（または試料８
および当該測定装置本体）をチャンバ６（図１参照）内
において真空中に封入することによっても，試料８の真
の熱膨張量を直接的に測定することができることを示し
ている。従って，本実施例方法及びその装置によって
は，例えば試料８の熱物性を常に正確に評価することが
できるようになる。尚，前述の屈折率ｎは，水蒸気を含
んだ実際の空気の場合
Ｒa を圧力Ｐ＝７６０ｔｏｒｒで規格化した理論値によ
る曲線も併せて記入した。同図により前述の測定結果と
結論的に求められた増加率Ｒa は良く一致していること
がわかる。このことは, 当該評価装置Ａにより，試料８
に接した気体の圧力を測定し，この圧力に対応した気体
の屈折率，該屈折率の温度勾配および熱拡散長を求め，
それらを用いて熱膨張量を補正することが可能であるこ
とを表している。また，図３は，試料８（または試料８
および当該測定装置本体）をチャンバ６（図１参照）内
において真空中に封入することによっても，試料８の真
の熱膨張量を直接的に測定することができることを示し
ている。従って，本実施例方法及びその装置によって
は，例えば試料８の熱物性を常に正確に評価することが
できるようになる。尚，前述の屈折率ｎは，水蒸気を含
んだ実際の空気の場合
【数８】 と表わされるので，この屈折率の温度勾配ｄＮ／ｄＴは
以下の′式で与えられる。
以下の′式で与えられる。
【数９】 従って，，′，′及び式を用いると，より正確
に熱膨張量を補正できる。また，上記実施例においては
簡単のために１次元の熱伝導モデルを用いた。３次元の
モデルを用いた補正式にて補正すれば，さらに正確に熱
膨張量を補正することができる。
に熱膨張量を補正できる。また，上記実施例においては
簡単のために１次元の熱伝導モデルを用いた。３次元の
モデルを用いた補正式にて補正すれば，さらに正確に熱
膨張量を補正することができる。
【００１０】
【発明の効果】本発明に係る試料の熱物性評価方法及び
その装置は上記したように構成されているため，試料の
真の熱膨張量を求めることができ，該試料の熱物性を常
に正確に評価することができる。
その装置は上記したように構成されているため，試料の
真の熱膨張量を求めることができ，該試料の熱物性を常
に正確に評価することができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る試料の熱物性評価方
法を適用することのできる熱物性評価装置の概略構成を
示すブロック図。
法を適用することのできる熱物性評価装置の概略構成を
示すブロック図。
【図２】 試料表面に接する領域の圧力と試料表面から
の反射光の位相変化の増加率との関係を示すグラフ。
の反射光の位相変化の増加率との関係を示すグラフ。
【図３】 試料表面に接する領域の圧力と試料のみかけ
上の熱膨張量との関係を示すグラフ。
上の熱膨張量との関係を示すグラフ。
【図４】 光熱変位法による従来の試料の熱物性評価装
置の一例における概略構成を示す模式図。
置の一例における概略構成を示す模式図。
【図５】 真空中又は空気中の反射光の位相変化を示す
説明図。
説明図。
Ａ…熱物性評価装置 １…ポンプレー
ザ ４…プローブレーザ ５…干渉計 ６…チャンバ ８…試料 １０…圧力計（圧力測定手段） １１…信号処理
回路 １２…排気ポンプ １３…パーソナ
ルコンピュータ １４…メモリ １７…流量調節
弁
ザ ４…プローブレーザ ５…干渉計 ６…チャンバ ８…試料 １０…圧力計（圧力測定手段） １１…信号処理
回路 １２…排気ポンプ １３…パーソナ
ルコンピュータ １４…メモリ １７…流量調節
弁
Claims (3)
- 【請求項１】 試料に励起光を照射してそれによる該試
料の熱膨張振動を計測して試料の評価を行う熱物性評価
方法において，上記試料に接する気体の圧力を測定し，
該圧力に対応した上記気体の屈折率，該屈折率の温度勾
配及び熱拡散長を求め，得られたこれらの値に基づいて
上記試料に係る熱膨張量を補正することを特徴とする試
料の熱物性評価方法。 - 【請求項２】 試料に励起光を照射してそれによる該試
料の熱膨張振動を計測して試料の評価を行う熱物性評価
装置において，上記試料に接する気体の圧力を測定する
圧力測定手段と，上記圧力に対応した上記気体の屈折
率，該屈折率の温度勾配及び熱拡散長を求め，得られた
これらの値に基づいて上記試料に係る熱膨張量を補正す
る補正手段とを具備してなることを特徴とする試料の熱
物性評価装置。 - 【請求項３】 試料に励起光を照射してそれによる該試
料の熱膨張振動を計測して試料の評価を行う熱物性評価
方法において，少なくとも上記試料に接する領域を略真
空状態にすることを特徴とする試料の熱物性評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP155993A JPH06201620A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 試料の熱物性評価方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP155993A JPH06201620A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 試料の熱物性評価方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06201620A true JPH06201620A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=11504886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP155993A Pending JPH06201620A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 試料の熱物性評価方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06201620A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7164481B2 (en) | 2003-09-01 | 2007-01-16 | Kabushiki Kaisha Ohara | Coefficient of linear expansion measuring apparatus and coefficient of linear expansion measuring method |
| US7182510B2 (en) * | 2005-04-04 | 2007-02-27 | David Gerard Cahill | Apparatus and method for measuring thermal conductivity |
| WO2008103528A1 (en) * | 2007-02-22 | 2008-08-28 | M-I L.L.C | Crystallization point automated test apparatus |
| WO2008103527A1 (en) * | 2007-02-22 | 2008-08-28 | M-I L.L.C. | Pressurized crystallization point automated test apparatus |
-
1993
- 1993-01-08 JP JP155993A patent/JPH06201620A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7164481B2 (en) | 2003-09-01 | 2007-01-16 | Kabushiki Kaisha Ohara | Coefficient of linear expansion measuring apparatus and coefficient of linear expansion measuring method |
| US7182510B2 (en) * | 2005-04-04 | 2007-02-27 | David Gerard Cahill | Apparatus and method for measuring thermal conductivity |
| WO2008103528A1 (en) * | 2007-02-22 | 2008-08-28 | M-I L.L.C | Crystallization point automated test apparatus |
| WO2008103527A1 (en) * | 2007-02-22 | 2008-08-28 | M-I L.L.C. | Pressurized crystallization point automated test apparatus |
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