JPH0619971B2 - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
走査電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPH0619971B2 JPH0619971B2 JP59250325A JP25032584A JPH0619971B2 JP H0619971 B2 JPH0619971 B2 JP H0619971B2 JP 59250325 A JP59250325 A JP 59250325A JP 25032584 A JP25032584 A JP 25032584A JP H0619971 B2 JPH0619971 B2 JP H0619971B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- objective lens
- grid
- electron microscope
- electrons
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 イ．産業上の利用分野 本発明は走査電子顕微鏡に関するものである。
ロ．従来技術 走査電子顕微鏡は電子ビームで試料面を二次元的に走査
し、試料面から放出される二次電子、反射電子、特性Ｘ
線などを検出して、これを電気信号に変換し、ブラウン
管上に像を描かせるものである。第２図は二次電子像を
利用する方式の従来例を示したもので、試料６の側方に
二次電子検出器２を配置し、正電位を与えて二次電子を
吸引し検出するようになつている。３は対物レンズであ
る。電子ビーム５は試料６の上面に収束し、その部分か
ら放出される二次電子７が、二次電子検出器２の前面部
に印加されている高電圧に引き寄せられて、検出器２に
入射し電気信号に変換されるのであるが、このとき試料
面から放出されるのは二次電子７ばかりでなく、電子ビ
ーム５の一部が試料面で散乱されて高エネルギーの反射
電子９として再放出されており、この反射電子９が対物
レンズ３の下面などに当たり、それによつて発生する二
次電子１０もまた二次電子検出器２で検出されるため
に、試料面から二次電子像のみを観察することができ
ず、像が不鮮明になるという欠点があつた。
し、試料面から放出される二次電子、反射電子、特性Ｘ
線などを検出して、これを電気信号に変換し、ブラウン
管上に像を描かせるものである。第２図は二次電子像を
利用する方式の従来例を示したもので、試料６の側方に
二次電子検出器２を配置し、正電位を与えて二次電子を
吸引し検出するようになつている。３は対物レンズであ
る。電子ビーム５は試料６の上面に収束し、その部分か
ら放出される二次電子７が、二次電子検出器２の前面部
に印加されている高電圧に引き寄せられて、検出器２に
入射し電気信号に変換されるのであるが、このとき試料
面から放出されるのは二次電子７ばかりでなく、電子ビ
ーム５の一部が試料面で散乱されて高エネルギーの反射
電子９として再放出されており、この反射電子９が対物
レンズ３の下面などに当たり、それによつて発生する二
次電子１０もまた二次電子検出器２で検出されるため
に、試料面から二次電子像のみを観察することができ
ず、像が不鮮明になるという欠点があつた。
ハ．発明の目的 本発明は上述の欠点を解消し、試料表面の二次電子像か
ら反射電子による二次電子の影響を除去することを目的
とするものである。
ら反射電子による二次電子の影響を除去することを目的
とするものである。
ニ．発明の構成 本発明による走査電子顕微鏡は、対物レンズ下面のレン
ズ開口以外の部分を覆うように、同レンズ下面と小間隔
を隔ててグリツドを張設し、このグリツドに負電圧を印
加して構成した。
ズ開口以外の部分を覆うように、同レンズ下面と小間隔
を隔ててグリツドを張設し、このグリツドに負電圧を印
加して構成した。
ホ．作 用 グリツドの電圧を適当に選ぶことにより、比較的大きな
エネルギーを有する反射電子はグリツドを透過し、対物
レンズ下面に当つて二次電子を発生させるエネルギーの
小さな二次電子は上記グリツドにより反撥されてグリツ
ドを透過しないようにして、対物レンズ下面から発生す
る二次電子が二次電子検出器に検出されることを防止し
たものである。
エネルギーを有する反射電子はグリツドを透過し、対物
レンズ下面に当つて二次電子を発生させるエネルギーの
小さな二次電子は上記グリツドにより反撥されてグリツ
ドを透過しないようにして、対物レンズ下面から発生す
る二次電子が二次電子検出器に検出されることを防止し
たものである。
ホ．実施例 第１図は本発明の一実施例を示したもので、試料６の一
側方に二次電子検出器２が配置されており、対物レンズ
３の下面のレンズ開口４以外の部分がグリツド８で覆わ
れている。グリツド８は対物レンズ３の下面との間に若
干の間隔をおいて設けられており、アース電位となつて
いる対物レンズ３に対して負の電圧が印加されている。
１１はそのための電圧源を示している。
側方に二次電子検出器２が配置されており、対物レンズ
３の下面のレンズ開口４以外の部分がグリツド８で覆わ
れている。グリツド８は対物レンズ３の下面との間に若
干の間隔をおいて設けられており、アース電位となつて
いる対物レンズ３に対して負の電圧が印加されている。
１１はそのための電圧源を示している。
ヘ．発明の効果 本発明によれば、試料からの反射電子によつて試料面以
外の個所から放出される二次電子は、その大部分がこれ
らの二次電子放出面の前面に張設されたグリツドにより
阻止され、二次電子検出器には試料面からの二次電子の
みが入射するので、ブラウン管上に得られる二次電子像
は試料面からの情報のみを含むことになり、かつクリッ
ドは試料面から上方に放射される２次電子も反撥してい
るので、試料側方の２次電子検出器における試料面から
の２次電子の入謝効率も向上するので、したがつて電子
顕微鏡像のＳ／Ｎ比を向上し得るという利点がある。
外の個所から放出される二次電子は、その大部分がこれ
らの二次電子放出面の前面に張設されたグリツドにより
阻止され、二次電子検出器には試料面からの二次電子の
みが入射するので、ブラウン管上に得られる二次電子像
は試料面からの情報のみを含むことになり、かつクリッ
ドは試料面から上方に放射される２次電子も反撥してい
るので、試料側方の２次電子検出器における試料面から
の２次電子の入謝効率も向上するので、したがつて電子
顕微鏡像のＳ／Ｎ比を向上し得るという利点がある。
第１図は本発明の一実施例を示す概略側面断面図、第２
図は従来例の概略側面断面図である。 ２……二次電子検出器、３……対物レンズ、４……対物
レンズ開口、５……電子ビーム、６……試料、７……二
次電子、８……グリツド、９……反射電子、１０……二
次電子、１１……電圧源。
図は従来例の概略側面断面図である。 ２……二次電子検出器、３……対物レンズ、４……対物
レンズ開口、５……電子ビーム、６……試料、７……二
次電子、８……グリツド、９……反射電子、１０……二
次電子、１１……電圧源。
Claims (1)
- 【請求項１】対物レンズ下面を覆うように、対物レンズ
下面と小間隔を隔ててグリッドを張設し、該グリッドに
負電圧を印加して成ることを特徴とする走査電子顕微
鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250325A JPH0619971B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250325A JPH0619971B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128453A JPS61128453A (ja) | 1986-06-16 |
| JPH0619971B2 true JPH0619971B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=17206228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59250325A Expired - Lifetime JPH0619971B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619971B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4987311A (en) * | 1989-08-08 | 1991-01-22 | Etec Systems, Inc. | Electron-detector diode biassing scheme for improved writing by an electron beam lithography machine |
| JP6880209B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2021-06-02 | 株式会社日立ハイテク | 走査電子顕微鏡 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4728427U (ja) * | 1971-04-14 | 1972-12-01 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59250325A patent/JPH0619971B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61128453A (ja) | 1986-06-16 |
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