JPH06197192A - 密着イメージセンサの駆動方法およびその装置 - Google Patents
密着イメージセンサの駆動方法およびその装置Info
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- JPH06197192A JPH06197192A JP4084550A JP8455092A JPH06197192A JP H06197192 A JPH06197192 A JP H06197192A JP 4084550 A JP4084550 A JP 4084550A JP 8455092 A JP8455092 A JP 8455092A JP H06197192 A JPH06197192 A JP H06197192A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 密着イメージセンサの読取密度を変えるため
の電気的処理が容易かつ的確に行えるようにする。 【構成】 センサアレイ（第１制御回路）１に、各々信
号ＳＩと信号ＣＫとが入力される２つの入力端子３、５
と、信号ＳＩＧが出力される出力端子７とが設けられ、
出力端子７は差動アンプ９の非反転端子に接続されてい
る。また、出力端子７と差動アンプ９との間には、信号
ＣＫR が入力される入力端子１１がアナログスイッチ１
３を介して接続されているとともに、コンデンサ１５の
一方側が接続され、コンデンサ１５の他方側は接地され
ている。
の電気的処理が容易かつ的確に行えるようにする。 【構成】 センサアレイ（第１制御回路）１に、各々信
号ＳＩと信号ＣＫとが入力される２つの入力端子３、５
と、信号ＳＩＧが出力される出力端子７とが設けられ、
出力端子７は差動アンプ９の非反転端子に接続されてい
る。また、出力端子７と差動アンプ９との間には、信号
ＣＫR が入力される入力端子１１がアナログスイッチ１
３を介して接続されているとともに、コンデンサ１５の
一方側が接続され、コンデンサ１５の他方側は接地され
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＯＣＲ（オプティカル
・キャラクター・リーダー）、ファクシミリ、コピー等
の読取装置において、読取密度を変更する際に適切な密
着イメージセンサの駆動方法およびその装置に関する。
・キャラクター・リーダー）、ファクシミリ、コピー等
の読取装置において、読取密度を変更する際に適切な密
着イメージセンサの駆動方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、密着イメージセンサでは、受光
部の読取密度が固定されており、８ｄｐｍ（dop per mi
limeteｒ）や１６ｄｐｍに設定されている。例えば、マ
ルチチップ型イメージセンサの場合は、受光素子の駆動
は図６に示されている回路により行われる。この図６に
おいて、入力信号は信号ＣＫと信号ＳＩとであり、信号
ＳＩが読取周期毎（例えば、５ms/line ）に信号ＣＫと
同期されて入力される。そして、信号ＳＩはＤ型フリッ
プフロップ２に入力され、Ｄ型フリップフロップ２は、
信号ＣＫ毎にスイッチング用素子ＳＢｉ（ｉ＝１、２、
３、・・・）をＯＮさせてフォトトランジスタＰＩ（Ｉ
＝１、２、３、・・・）の情報を信号ＳＩＧとして出力
させる。具体的な信号ＣＫ、ＳＩ、ＳＩＧの関係は、図
７に示すようになっている。
部の読取密度が固定されており、８ｄｐｍ（dop per mi
limeteｒ）や１６ｄｐｍに設定されている。例えば、マ
ルチチップ型イメージセンサの場合は、受光素子の駆動
は図６に示されている回路により行われる。この図６に
おいて、入力信号は信号ＣＫと信号ＳＩとであり、信号
ＳＩが読取周期毎（例えば、５ms/line ）に信号ＣＫと
同期されて入力される。そして、信号ＳＩはＤ型フリッ
プフロップ２に入力され、Ｄ型フリップフロップ２は、
信号ＣＫ毎にスイッチング用素子ＳＢｉ（ｉ＝１、２、
３、・・・）をＯＮさせてフォトトランジスタＰＩ（Ｉ
＝１、２、３、・・・）の情報を信号ＳＩＧとして出力
させる。具体的な信号ＣＫ、ＳＩ、ＳＩＧの関係は、図
７に示すようになっている。
【０００３】この場合、各々のフォトトランジスタＰＩ
には読取周期期間（例えば、５ms）に原稿の情報（白ま
たは黒という情報）が蓄積され、素子ＳＢｉは１クロッ
クについて一回しかＯＮとされないので、出力される信
号ＳＩＧの波形と読取密度とは１対１に対応する。ま
た，密着イメージセンサでは機器側の仕様によって読取
密度が変えられることがあり、例えば、Ｇ３ＦＡＸでは
８ｄｐｍ、Ｇ４ＦＡＸでは１６ｄｐｍとされる。そし
て、読み取りでは１６ｄｐｍのセンサが使用され、１６
ｄｐｍのときはそのまま読み取られ、８ｄｐｍのときに
は１ビット飛ばして読み取られるようになっている。こ
の場合、１６ｄｐｍのセンサで１ビット飛ばして読み取
られたときには、図８に示すように、６０［μｍ］程度
の細線Ｂが存在していても、「細線Ｂは存在しない」と
判断される一方、通常の８ｄｐｍセンサでは、図９に示
すように、受光素子Ａが約４倍の面積を有しているの
で、６０［μｍ］程度の細線Ｂが読み飛ばされることは
ない。従って、１６ｄｐｍのセンサで８ｄｐｍの読み取
りが行われる際には、読み取り信号に対して電気的な処
理が必要となり、その処理では機器側で読み取り信号が
補正される（読取密度が変えられる）。
には読取周期期間（例えば、５ms）に原稿の情報（白ま
たは黒という情報）が蓄積され、素子ＳＢｉは１クロッ
クについて一回しかＯＮとされないので、出力される信
号ＳＩＧの波形と読取密度とは１対１に対応する。ま
た，密着イメージセンサでは機器側の仕様によって読取
密度が変えられることがあり、例えば、Ｇ３ＦＡＸでは
８ｄｐｍ、Ｇ４ＦＡＸでは１６ｄｐｍとされる。そし
て、読み取りでは１６ｄｐｍのセンサが使用され、１６
ｄｐｍのときはそのまま読み取られ、８ｄｐｍのときに
は１ビット飛ばして読み取られるようになっている。こ
の場合、１６ｄｐｍのセンサで１ビット飛ばして読み取
られたときには、図８に示すように、６０［μｍ］程度
の細線Ｂが存在していても、「細線Ｂは存在しない」と
判断される一方、通常の８ｄｐｍセンサでは、図９に示
すように、受光素子Ａが約４倍の面積を有しているの
で、６０［μｍ］程度の細線Ｂが読み飛ばされることは
ない。従って、１６ｄｐｍのセンサで８ｄｐｍの読み取
りが行われる際には、読み取り信号に対して電気的な処
理が必要となり、その処理では機器側で読み取り信号が
補正される（読取密度が変えられる）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、縮小型
イメージセンサの場合は、光学系（レンズ倍率、集光距
離）を変えて読取密度が変化されているものの、密着イ
メージセンサでは読取密度を変化させることは従来行わ
れておらず、そのような信号補正が行われるためには、
演算装置や記憶装置などが必要となり、機器が複雑化、
大型化してコストアップにつながるという問題がある。
イメージセンサの場合は、光学系（レンズ倍率、集光距
離）を変えて読取密度が変化されているものの、密着イ
メージセンサでは読取密度を変化させることは従来行わ
れておらず、そのような信号補正が行われるためには、
演算装置や記憶装置などが必要となり、機器が複雑化、
大型化してコストアップにつながるという問題がある。
【０００５】そこで、本発明の目的は、読取密度を変え
るための電気的処理が容易かつ的確に行える密着イメー
ジセンサの駆動方法およびその装置を提供することにあ
る。
るための電気的処理が容易かつ的確に行える密着イメー
ジセンサの駆動方法およびその装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、密着イメージセンサの駆動装置に、受光素子と、こ
の受光素子を制御する第１制御回路と、この第１制御回
路により制御される受光素子から出力される信号を増幅
する増幅回路と、前記受光素子からの出力信号を接地す
る制御を行う第２制御回路とが備えられ、前記第２制御
回路に入力される信号を変化させることにより読取密度
を変化させることとして、前記目的を達成する。請求項
２記載の発明では、受光素子と、この受光素子を制御す
る第１制御回路と、この第１制御回路により制御される
受光素子から出力される信号を増幅する増幅回路と、前
記受光素子からの出力信号を接地する制御を行う第２制
御回路と、この第２制御回路に入力される信号を変化さ
せることにより読取密度を変化させる可変手段とを具備
することにより、前記目的を達成する。請求項３記載の
発明では、密着イメージセンサの駆動装置に、受光素子
と、この受光素子を制御する第１制御回路と、この第１
制御回路により制御される受光素子から出力される信号
を増幅する増幅回路と、前記受光素子からの出力信号を
接地する制御を行う第２制御回路とが備えられ、前記第
１制御回路に設けられた受光素子を選択することにより
読取密度を変化させることとして、前記目的を達成す
る。請求項４記載の発明では、受光素子と、この受光素
子を制御する第１制御回路と、この第１制御回路により
制御される受光素子から出力される信号を増幅する増幅
回路と、前記受光素子からの出力信号を接地する制御を
行う第２制御回路と、前記第１制御回路により制御され
る受光素子を選択する選択手段と、この選択手段により
選択された受光素子に対応して読取密度を変化させる可
変手段とを具備することとして、前記目的を達成する。
は、密着イメージセンサの駆動装置に、受光素子と、こ
の受光素子を制御する第１制御回路と、この第１制御回
路により制御される受光素子から出力される信号を増幅
する増幅回路と、前記受光素子からの出力信号を接地す
る制御を行う第２制御回路とが備えられ、前記第２制御
回路に入力される信号を変化させることにより読取密度
を変化させることとして、前記目的を達成する。請求項
２記載の発明では、受光素子と、この受光素子を制御す
る第１制御回路と、この第１制御回路により制御される
受光素子から出力される信号を増幅する増幅回路と、前
記受光素子からの出力信号を接地する制御を行う第２制
御回路と、この第２制御回路に入力される信号を変化さ
せることにより読取密度を変化させる可変手段とを具備
することにより、前記目的を達成する。請求項３記載の
発明では、密着イメージセンサの駆動装置に、受光素子
と、この受光素子を制御する第１制御回路と、この第１
制御回路により制御される受光素子から出力される信号
を増幅する増幅回路と、前記受光素子からの出力信号を
接地する制御を行う第２制御回路とが備えられ、前記第
１制御回路に設けられた受光素子を選択することにより
読取密度を変化させることとして、前記目的を達成す
る。請求項４記載の発明では、受光素子と、この受光素
子を制御する第１制御回路と、この第１制御回路により
制御される受光素子から出力される信号を増幅する増幅
回路と、前記受光素子からの出力信号を接地する制御を
行う第２制御回路と、前記第１制御回路により制御され
る受光素子を選択する選択手段と、この選択手段により
選択された受光素子に対応して読取密度を変化させる可
変手段とを具備することとして、前記目的を達成する。
【０００７】
【作用】本発明に係る密着イメージセンサ駆動方法で
は、第２制御回路に入力される信号が変化されることに
より、読取密度が変化される。また、本発明に係る密着
イメージセンサ駆動装置では、第２制御回路に入力され
る信号が可変手段により変化されて読取密度が変化され
る。加えて、本発明に係る密着イメージセンサ駆動方法
では、第１制御回路に設けられた受光素子が選択可能と
されることにより、読取密度が変化される。さらに、本
発明に係る密着イメージセンサ駆動装置では、選択手段
で選択された受光素子に対応して読取密度が変化され
る。
は、第２制御回路に入力される信号が変化されることに
より、読取密度が変化される。また、本発明に係る密着
イメージセンサ駆動装置では、第２制御回路に入力され
る信号が可変手段により変化されて読取密度が変化され
る。加えて、本発明に係る密着イメージセンサ駆動方法
では、第１制御回路に設けられた受光素子が選択可能と
されることにより、読取密度が変化される。さらに、本
発明に係る密着イメージセンサ駆動装置では、選択手段
で選択された受光素子に対応して読取密度が変化され
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明密着イメージセンサの駆動方法
およびその装置の一実施例を、図１ないし図９を参照し
て詳細に説明する。図１はこの実施例における駆動回路
を表したものである。この図において、センサアレイ
（第１制御回路）１には、信号ＳＩと信号ＣＫとが入力
される２つの入力端子３、５と、信号ＳＩＧが出力され
る出力端子７とが設けられ、出力端子７は差動アンプ９
の非反転端子に接続されている。また、出力端子７と差
動アンプ９との間には、信号ＣＫR が入力される入力端
子１１がアナログスイッチＡSW１３を介して接続されて
いるとともに、コンデンサ１５の一方側が接続され、コ
ンデンサ１５の他方側は接地されている。この場合、ア
ナログスイッチ１３では、信号ＳＩＧを差動アンプ９の
非反転端子に入力させるか、または、接地させるかを切
り換える制御が行われる（第２制御回路）。
およびその装置の一実施例を、図１ないし図９を参照し
て詳細に説明する。図１はこの実施例における駆動回路
を表したものである。この図において、センサアレイ
（第１制御回路）１には、信号ＳＩと信号ＣＫとが入力
される２つの入力端子３、５と、信号ＳＩＧが出力され
る出力端子７とが設けられ、出力端子７は差動アンプ９
の非反転端子に接続されている。また、出力端子７と差
動アンプ９との間には、信号ＣＫR が入力される入力端
子１１がアナログスイッチＡSW１３を介して接続されて
いるとともに、コンデンサ１５の一方側が接続され、コ
ンデンサ１５の他方側は接地されている。この場合、ア
ナログスイッチ１３では、信号ＳＩＧを差動アンプ９の
非反転端子に入力させるか、または、接地させるかを切
り換える制御が行われる（第２制御回路）。
【０００９】そして、差動アンプ９の出力端子側と反転
端子との間には、抵抗１７が介挿され、抵抗１７の反転
端子側は可変抵抗器１９を介して接地されており、差動
アンプ９の出力端子側には信号Ｖが出力される出力端子
２１が設けられている。図２は、従来の駆動回路の構成
を表したものである。本発明の一実施例に係る駆動回路
と、従来のマルチチップ型イメージセンサの駆動回路と
はほぼ同様であるが、従来では入力端子５とアナログス
イッチ１３が接続されている点が、本発明の一実施例に
おける駆動回路と異なる。すなわち、従来では信号ＣＫ
の立ち上がりと同時にアナログスイッチ１３がＯＮとな
り、信号ＳＩＧがＧＮＤレベルにリセットされ、このと
き各々の信号ＣＫ毎にリセットが行われるので、センサ
出力１ビットにつき１回のリセットがかかる。
端子との間には、抵抗１７が介挿され、抵抗１７の反転
端子側は可変抵抗器１９を介して接地されており、差動
アンプ９の出力端子側には信号Ｖが出力される出力端子
２１が設けられている。図２は、従来の駆動回路の構成
を表したものである。本発明の一実施例に係る駆動回路
と、従来のマルチチップ型イメージセンサの駆動回路と
はほぼ同様であるが、従来では入力端子５とアナログス
イッチ１３が接続されている点が、本発明の一実施例に
おける駆動回路と異なる。すなわち、従来では信号ＣＫ
の立ち上がりと同時にアナログスイッチ１３がＯＮとな
り、信号ＳＩＧがＧＮＤレベルにリセットされ、このと
き各々の信号ＣＫ毎にリセットが行われるので、センサ
出力１ビットにつき１回のリセットがかかる。
【００１０】これに対して、本発明駆動方法では、１６
ｄｐｍのセンサアレイが８ｄｐｍで読み取られる場合に
は、図３に示したように、信号ＣＫR は２ＣＫに１回ハ
イレベルとされてアナログスイッチ１３がＯＮとされ
る。また、信号Ｖは２ビット分の出力が平均化されて出
力され、データのサンプリングは図３中矢印で示される
ように、２ビット毎に１回行なえばよい。この場合、細
線が読み取られているところと、その隣の読み取られて
いないところとの合成信号が出力されるため、２ビット
がともに細線でないところに比べると出力レベルが低下
し、この低下は８ｄｐｍで細線が読み取られる（読取密
度が変化された）ことを意味する。そのため、図８に示
したような、６０［μｍ］程度の細線Ｂが存在していて
も、「細線Ｂは存在しない」と判断される問題は生じな
い。なお、１６ｄｐｍのセンサアレイが４ｄｐｍで読み
取られる場合には、同様にしてに、信号ＣＫR は４ＣＫ
に１回ハイレベルとされてアナログスイッチ１３がＯＮ
とされ、信号Ｖは４ビット分の出力が平均化されて出力
される。
ｄｐｍのセンサアレイが８ｄｐｍで読み取られる場合に
は、図３に示したように、信号ＣＫR は２ＣＫに１回ハ
イレベルとされてアナログスイッチ１３がＯＮとされ
る。また、信号Ｖは２ビット分の出力が平均化されて出
力され、データのサンプリングは図３中矢印で示される
ように、２ビット毎に１回行なえばよい。この場合、細
線が読み取られているところと、その隣の読み取られて
いないところとの合成信号が出力されるため、２ビット
がともに細線でないところに比べると出力レベルが低下
し、この低下は８ｄｐｍで細線が読み取られる（読取密
度が変化された）ことを意味する。そのため、図８に示
したような、６０［μｍ］程度の細線Ｂが存在していて
も、「細線Ｂは存在しない」と判断される問題は生じな
い。なお、１６ｄｐｍのセンサアレイが４ｄｐｍで読み
取られる場合には、同様にしてに、信号ＣＫR は４ＣＫ
に１回ハイレベルとされてアナログスイッチ１３がＯＮ
とされ、信号Ｖは４ビット分の出力が平均化されて出力
される。
【００１１】以上説明したように、この実施例では、ア
ナログスイッチ１３に入力される信号ＣＫR が変化され
ることにより読取密度が変化されるので、読取密度を変
えるための電気的処理が容易となり、かつ細線が読み飛
ばされることなく読み取りを正確に行うことができる。
また、センサアレイ（第１制御回路）１に設けられた受
光素子が適宜選択されることにより読取密度を変える方
法も可能である。
ナログスイッチ１３に入力される信号ＣＫR が変化され
ることにより読取密度が変化されるので、読取密度を変
えるための電気的処理が容易となり、かつ細線が読み飛
ばされることなく読み取りを正確に行うことができる。
また、センサアレイ（第１制御回路）１に設けられた受
光素子が適宜選択されることにより読取密度を変える方
法も可能である。
【００１２】次に、本発明密着イメージセンサの駆動装
置について説明する。図４に示すように、この実施例で
は、図６の従来例と同様に、信号ＳＩが入力されるＤ型
フリップフロップ２と、フリップフロップ２により、信
号ＣＫ毎にスイッチング動作される素子ＳＢｉ（ｉ＝
１、２、３、・・・）と、素子ＳＢｉがＯＮとされると
蓄積された情報が信号ＳＩＧとして出力されるフォトト
ランジスタＰＩ（Ｉ＝１、２、３、・・・）とを有して
おり、Ｄ型フリップフロップ２と素子ＳＢｉとの間には
論理回路４が設けられ、論理回路４は２つのＡＮＤ回路
４ａ、４ａと、ＯＲ回路４ｂとを備えている。
置について説明する。図４に示すように、この実施例で
は、図６の従来例と同様に、信号ＳＩが入力されるＤ型
フリップフロップ２と、フリップフロップ２により、信
号ＣＫ毎にスイッチング動作される素子ＳＢｉ（ｉ＝
１、２、３、・・・）と、素子ＳＢｉがＯＮとされると
蓄積された情報が信号ＳＩＧとして出力されるフォトト
ランジスタＰＩ（Ｉ＝１、２、３、・・・）とを有して
おり、Ｄ型フリップフロップ２と素子ＳＢｉとの間には
論理回路４が設けられ、論理回路４は２つのＡＮＤ回路
４ａ、４ａと、ＯＲ回路４ｂとを備えている。
【００１３】そして、一方のＡＮＤ回路４ａ１には、フ
リップフロップ２の出力信号と信号ＳＥＬとが入力さ
れ、他方のＡＮＤ回路４ａ２に設けられた２つの端子の
うち、一方の端子には、インバータ６で極性が反転され
た信号ＳＥＬが入力されており、他方の端子は隣接する
論理回路４に設けられた他方のＡＮＤ回路４ａ２が有す
る他方の端子と接続されている。また、各々のＡＮＤ回
路４ａ、４ａの出力端子はＯＲ回路４ｂに設けられた２
つの入力端子に接続され、ＯＲ回路４ｂの出力端子は素
子素子ＳＢｉに接続されている。以上の構成において、
図５から理解されるように、信号ＳＥＬがハイレベルの
ときは信号ＣＫに同期されて素子ＳＢｉが、ｉ＝１から
ｉ＝６４まで順次ＯＮとされるので、受光素子１つにつ
いてセンサ出力が１つという対応になる。一方、信号Ｓ
ＥＬがローレベルのときは２ＣＫに１回ずつ素子ＳＢｉ
と素子ＳＢ（ｉ＋1 ）が同時にＯＮとされるので、セン
サ出力は受光素子２つ分が平均された出力レベルとな
る。
リップフロップ２の出力信号と信号ＳＥＬとが入力さ
れ、他方のＡＮＤ回路４ａ２に設けられた２つの端子の
うち、一方の端子には、インバータ６で極性が反転され
た信号ＳＥＬが入力されており、他方の端子は隣接する
論理回路４に設けられた他方のＡＮＤ回路４ａ２が有す
る他方の端子と接続されている。また、各々のＡＮＤ回
路４ａ、４ａの出力端子はＯＲ回路４ｂに設けられた２
つの入力端子に接続され、ＯＲ回路４ｂの出力端子は素
子素子ＳＢｉに接続されている。以上の構成において、
図５から理解されるように、信号ＳＥＬがハイレベルの
ときは信号ＣＫに同期されて素子ＳＢｉが、ｉ＝１から
ｉ＝６４まで順次ＯＮとされるので、受光素子１つにつ
いてセンサ出力が１つという対応になる。一方、信号Ｓ
ＥＬがローレベルのときは２ＣＫに１回ずつ素子ＳＢｉ
と素子ＳＢ（ｉ＋1 ）が同時にＯＮとされるので、セン
サ出力は受光素子２つ分が平均された出力レベルとな
る。
【００１４】以上説明したように、この実施例では信号
ＳＥＬが変化されることにより、読取密度が変化される
ので、読取密度を変えるための電気的処理が容易とな
る。また、図４に示された回路に、受光素子が適宜選択
される選択手段が設けられるとともに、選択された受光
素子に対応して読取密度が変化される構成により、読取
密度を変えるための電気的処理が容易となり、かつ細線
の読み飛ばしを防止できる。
ＳＥＬが変化されることにより、読取密度が変化される
ので、読取密度を変えるための電気的処理が容易とな
る。また、図４に示された回路に、受光素子が適宜選択
される選択手段が設けられるとともに、選択された受光
素子に対応して読取密度が変化される構成により、読取
密度を変えるための電気的処理が容易となり、かつ細線
の読み飛ばしを防止できる。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明したように、請求項１記載の
密着イメージセンサ駆動方法では、第２制御回路に入力
される信号を変化させることにより、読取密度を変化さ
せる。そのため、読取密度の変更が容易となる。請求項
２記載の密着イメージセンサ駆動装置では、第２制御回
路に入力される信号を可変手段により変化させて読取密
度を変化させるので、読取密度を変えるための電気的処
理が容易となる。また、読み取り操作において、細線が
読み飛ばされることがなくなり、かつ、機器が簡素化さ
れてコストダウンを図ることが可能となる。請求項３記
載の密着イメージセンサ駆動方法では、第１制御回路に
設けられた受光素子を選択することにより、読取密度を
変化させるので、読取密度の変更が容易となる。請求項
４記載の密着イメージセンサ駆動装置では、選択手段で
選択した受光素子に対応して読取密度が変化するので、
読取密度を変えるための電気的処理が容易となり、かつ
読み取り操作において、細線が読み飛ばされることがな
くなる。さらに、機器が簡素化されてコストダウンを図
ることが可能となる。
密着イメージセンサ駆動方法では、第２制御回路に入力
される信号を変化させることにより、読取密度を変化さ
せる。そのため、読取密度の変更が容易となる。請求項
２記載の密着イメージセンサ駆動装置では、第２制御回
路に入力される信号を可変手段により変化させて読取密
度を変化させるので、読取密度を変えるための電気的処
理が容易となる。また、読み取り操作において、細線が
読み飛ばされることがなくなり、かつ、機器が簡素化さ
れてコストダウンを図ることが可能となる。請求項３記
載の密着イメージセンサ駆動方法では、第１制御回路に
設けられた受光素子を選択することにより、読取密度を
変化させるので、読取密度の変更が容易となる。請求項
４記載の密着イメージセンサ駆動装置では、選択手段で
選択した受光素子に対応して読取密度が変化するので、
読取密度を変えるための電気的処理が容易となり、かつ
読み取り操作において、細線が読み飛ばされることがな
くなる。さらに、機器が簡素化されてコストダウンを図
ることが可能となる。
【図１】本発明の好適な実施例の回路構成図である。
【図２】従来の駆動回路の構成図である。
【図３】実施例のタイミングチャートである。
【図４】他の実施例の回路構成図である。
【図５】他の実施例におけるタイミングチャートであ
る。
る。
【図６】従来の駆動回路の構成図である。
【図７】従来の駆動回路のタイミングチャートである。
１ センサアレイ ２ フリップフロップ ３ 信号ＳＩ入力端子 ４ 論理回路 ５ 信号ＣＫ入力端子 ７ 信号ＳＩＧ出力端子 ９ 差動アンプ １１ 信号ＣＫR 入力端子 １３ アナログスイッチ ＰＩ フォトトランジスタ ＢＩ スイッチング素子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施例の回路構成図である。
【図２】従来の駆動回路の構成図である。
【図３】実施例のタイミングチャートである。
【図４】他の実施例の回路構成図である。
【図５】他の実施例におけるタイミングチャートであ
る。
る。
【図６】従来の駆動回路の構成図である。
【図７】従来の駆動回路のタイミングチャートである。
【図８】細線の読み取り状態を示す説明図である。
【図９】細線の読み取り状態を示す説明図である。
【符号の説明】 １ センサアレイ ２ フリップフロップ ３ 信号ＳＩ入力端子 ４ 論理回路 ５ 信号ＣＫ入力端子 ７ 信号ＳＩＧ出力端子 ９ 差動アンプ １１ 信号ＣＫＲ入力端子 １３ アナログスイッチ ＰＩ フォトトランジスタ ＢＩ スイッチング素子
Claims (4)
- 【請求項１】 受光素子と、この受光素子を制御する第
１制御回路と、この第１制御回路により制御される受光
素子から出力される信号を増幅する増幅回路と、前記受
光素子からの出力信号を接地する制御を行う第２制御回
路とが密着イメージセンサの駆動装置に備えられ、 前記第２制御回路に入力される信号を変化させることに
より読取密度を変化させることを特徴とする密着イメー
ジセンサの駆動方法。 - 【請求項２】 受光素子と、 この受光素子を制御する第１制御回路と、 この第１制御回路により制御される受光素子から出力さ
れる信号を増幅する増幅回路と、 前記受光素子からの出力信号を接地する制御を行う第２
制御回路と、 この第２制御回路に入力される信号を変化させることに
より読取密度を変化させる可変手段とを具備することを
特徴とする密着イメージセンサの駆動装置。 - 【請求項３】 受光素子と、この受光素子を制御する第
１制御回路と、この第１制御回路により制御される受光
素子から出力される信号を増幅する増幅回路と、前記受
光素子からの出力信号を接地する制御を行う第２制御回
路とが密着イメージセンサの駆動装置に備えられ、 前記第１制御回路に設けられた受光素子を選択すること
により読取密度を変化させることを特徴とする密着イメ
ージセンサの駆動方法。 - 【請求項４】 受光素子と、 この受光素子を制御する第１制御回路と、 この第１制御回路により制御される受光素子から出力さ
れる信号を増幅する増幅回路と、 前記受光素子からの出力信号を接地する制御を行う第２
制御回路と、 前記第１制御回路により制御される受光素子を選択する
選択手段と、 この選択手段により選択された受光素子に対応して読取
密度を変化させる可変手段とを具備することを特徴とす
る密着イメージセンサの駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4084550A JPH06197192A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 密着イメージセンサの駆動方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4084550A JPH06197192A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 密着イメージセンサの駆動方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06197192A true JPH06197192A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=13833759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4084550A Pending JPH06197192A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 密着イメージセンサの駆動方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06197192A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002281234A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像読み取り装置 |
| US8552931B2 (en) | 2007-12-14 | 2013-10-08 | Rolls-Royce Plc | Sensor arrangement |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4084550A patent/JPH06197192A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002281234A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像読み取り装置 |
| US8552931B2 (en) | 2007-12-14 | 2013-10-08 | Rolls-Royce Plc | Sensor arrangement |
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