JPH06196539A - イオン注入プロセスのシミュレーション方法 - Google Patents
イオン注入プロセスのシミュレーション方法Info
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- JPH06196539A JPH06196539A JP34366992A JP34366992A JPH06196539A JP H06196539 A JPH06196539 A JP H06196539A JP 34366992 A JP34366992 A JP 34366992A JP 34366992 A JP34366992 A JP 34366992A JP H06196539 A JPH06196539 A JP H06196539A
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- semiconductor substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】基板深さ方向において部分的にアモルファス化
された半導体基板に対して不純物のイオンを注入した場
合の基板深さ方向における不純物濃度のプロファイルを
求める場合でも、解析的な計算の結果の精度を向上させ
る。 【構成】基板深さ方向において同一素材のアモルファス
層２１ａおよび結晶層２１ｂが存在する状態の半導体基
板２１に対して不純物のイオンを注入した場合の基板深
さ方向における不純物濃度のプロファイルの解析的計算
を行う際に、アモルファス層と結晶層とに分割して取り
扱い、アモルファス層における不純物濃度のプロファイ
ルは、アモルファス層のみからなる半導体基板に関して
既知の解析的関数のパラメータのデータベースに基いて
計算し、結晶層における不純物濃度のプロファイルは、
結晶層のみからなる半導体基板に関して既知の解析的関
数のパラメータのデータベースに基いて計算することを
特徴とする。
された半導体基板に対して不純物のイオンを注入した場
合の基板深さ方向における不純物濃度のプロファイルを
求める場合でも、解析的な計算の結果の精度を向上させ
る。 【構成】基板深さ方向において同一素材のアモルファス
層２１ａおよび結晶層２１ｂが存在する状態の半導体基
板２１に対して不純物のイオンを注入した場合の基板深
さ方向における不純物濃度のプロファイルの解析的計算
を行う際に、アモルファス層と結晶層とに分割して取り
扱い、アモルファス層における不純物濃度のプロファイ
ルは、アモルファス層のみからなる半導体基板に関して
既知の解析的関数のパラメータのデータベースに基いて
計算し、結晶層における不純物濃度のプロファイルは、
結晶層のみからなる半導体基板に関して既知の解析的関
数のパラメータのデータベースに基いて計算することを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特に半導体基板にイオン注入するプロセスのシ
ミュレーション方法に関する。
に係り、特に半導体基板にイオン注入するプロセスのシ
ミュレーション方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造プロセスにおける半導
体基板へのイオン注入プロセスのシミュレーションに際
して、イオン注入のターゲット（半導体基板）に対して
不純物のイオンを注入した場合の基板深さ方向における
不純物濃度のプロファイルを求めるために、解析的な計
算方法が多用されている。
体基板へのイオン注入プロセスのシミュレーションに際
して、イオン注入のターゲット（半導体基板）に対して
不純物のイオンを注入した場合の基板深さ方向における
不純物濃度のプロファイルを求めるために、解析的な計
算方法が多用されている。
【０００３】従来の解析的な計算方法は、ターゲットの
素材を特定してイオン注入の加速エネルギーを変えてイ
オン注入を行った場合に得られるターゲットの深さ方向
における不純物濃度のプロファイルを実測し、この実測
したプロファイルを解析的関数で近似して得られる解析
的関数のパラメータ（イオンの投影飛程Ｒｐなど）をデ
ータベース化した表に基いて計算している。このような
従来の解析的な計算方法によれば、ターゲットが単一材
質からなる場合には精度の良い結果が得られる。
素材を特定してイオン注入の加速エネルギーを変えてイ
オン注入を行った場合に得られるターゲットの深さ方向
における不純物濃度のプロファイルを実測し、この実測
したプロファイルを解析的関数で近似して得られる解析
的関数のパラメータ（イオンの投影飛程Ｒｐなど）をデ
ータベース化した表に基いて計算している。このような
従来の解析的な計算方法によれば、ターゲットが単一材
質からなる場合には精度の良い結果が得られる。
【０００４】しかし、従来の解析的な計算方法では、タ
ーゲットの素材は同一であってもターゲットの深さ方向
に材質が二種類以上存在する場合には、精度の良い結果
が得られないという問題がある。
ーゲットの素材は同一であってもターゲットの深さ方向
に材質が二種類以上存在する場合には、精度の良い結果
が得られないという問題がある。
【０００５】即ち、半導体装置の製造プロセスにおいて
は、ターゲットの素材は同一であっても、ターゲットの
深さ方向に材質が二種類以上存在する場合がある。例え
ば、半導体基板に重い元素の高ドーズ量のイオンが注入
されると、注入時の衝撃によって半導体基板の表層部の
結晶がアモルファス化する。
は、ターゲットの素材は同一であっても、ターゲットの
深さ方向に材質が二種類以上存在する場合がある。例え
ば、半導体基板に重い元素の高ドーズ量のイオンが注入
されると、注入時の衝撃によって半導体基板の表層部の
結晶がアモルファス化する。
【０００６】このように基板深さ方向において部分的に
アモルファス化された半導体基板に対してイオン注入を
行った場合に得られるターゲットの深さ方向における不
純物濃度のプロファイルは、結晶質のみからなる単一材
質のターゲットに対してイオン注入を行った場合に得ら
れるプロファイルよりも浅く、アモルファスのみからな
る単一材質のターゲットに対してイオン注入を行った場
合に得られるプロファイルよりも深くなる。
アモルファス化された半導体基板に対してイオン注入を
行った場合に得られるターゲットの深さ方向における不
純物濃度のプロファイルは、結晶質のみからなる単一材
質のターゲットに対してイオン注入を行った場合に得ら
れるプロファイルよりも浅く、アモルファスのみからな
る単一材質のターゲットに対してイオン注入を行った場
合に得られるプロファイルよりも深くなる。
【０００７】図５は、以上の問題点を具体的に実証する
ために、全体が結晶からなるシリコン基板（ベア・シリ
コン）にヒ素（Ａｓ）イオンを注入して基板表層部をア
モルファス化した後にボロン（Ｂ）イオンを注入した場
合について、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析計）を用い
た実測結果（実線）および従来の解析的な計算方法によ
る計算結果（点線）を対比して示している。図６は、結
晶層のみの単一材質からなるシリコン基板に対して不純
物のイオンを注入した場合に得られたプロファイルの一
例を示している。図７は、アモルファス層のみの単一材
質からなるシリコン基板に対して不純物のイオンを注入
した場合に得られたプロファイルの一例を示している。
ために、全体が結晶からなるシリコン基板（ベア・シリ
コン）にヒ素（Ａｓ）イオンを注入して基板表層部をア
モルファス化した後にボロン（Ｂ）イオンを注入した場
合について、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析計）を用い
た実測結果（実線）および従来の解析的な計算方法によ
る計算結果（点線）を対比して示している。図６は、結
晶層のみの単一材質からなるシリコン基板に対して不純
物のイオンを注入した場合に得られたプロファイルの一
例を示している。図７は、アモルファス層のみの単一材
質からなるシリコン基板に対して不純物のイオンを注入
した場合に得られたプロファイルの一例を示している。
【０００８】図５によれば、ベア・シリコンにＡｓイオ
ンを注入した場合については、結晶層のみの単一材質か
らなるシリコン基板にＡｓイオンを注入した場合に得ら
れたプロファイル（図６）に対応する解析的関数のパラ
メータのデータベースに基いて計算した結果が、実測結
果とほぼ一致していることが分かる。
ンを注入した場合については、結晶層のみの単一材質か
らなるシリコン基板にＡｓイオンを注入した場合に得ら
れたプロファイル（図６）に対応する解析的関数のパラ
メータのデータベースに基いて計算した結果が、実測結
果とほぼ一致していることが分かる。
【０００９】しかし、基板表層部がアモルファス化され
た状態の半導体基板にＢイオンを注入した場合について
は、ターゲットの材質がアモルファスのみである場合に
得られたプロファイル（図７）に対応する解析的関数の
パラメータのデータベースに基いて計算した結果が、実
測結果とはかなりずれており、解析的な計算の結果の精
度が十分には得られないことが分かる。
た状態の半導体基板にＢイオンを注入した場合について
は、ターゲットの材質がアモルファスのみである場合に
得られたプロファイル（図７）に対応する解析的関数の
パラメータのデータベースに基いて計算した結果が、実
測結果とはかなりずれており、解析的な計算の結果の精
度が十分には得られないことが分かる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
イオン注入プロセスのシミュレーション方法は、イオン
注入のターゲットの深さ方向に同一素材の二種類以上の
材質が存在する場合には、解析的な計算の結果の精度が
十分には得られないという問題があった。
イオン注入プロセスのシミュレーション方法は、イオン
注入のターゲットの深さ方向に同一素材の二種類以上の
材質が存在する場合には、解析的な計算の結果の精度が
十分には得られないという問題があった。
【００１１】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、基板深さ方向において部分的にアモルファス
化された半導体基板に対して不純物のイオンを注入した
場合の基板深さ方向における不純物濃度のプロファイル
を求める場合でも、解析的な計算の結果の精度が十分に
得られるようになるイオン注入プロセスのシミュレーシ
ョン方法を提供することを目的とする。
たもので、基板深さ方向において部分的にアモルファス
化された半導体基板に対して不純物のイオンを注入した
場合の基板深さ方向における不純物濃度のプロファイル
を求める場合でも、解析的な計算の結果の精度が十分に
得られるようになるイオン注入プロセスのシミュレーシ
ョン方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入プロ
セスのシミュレーション方法は、基板深さ方向において
同一素材のアモルファス層および結晶層が存在する状態
の半導体基板に対して不純物のイオンを注入した場合の
基板深さ方向における不純物濃度のプロファイルの解析
的計算を行う際に、上記アモルファス層と結晶層とに分
割して取り扱い、上記半導体基板のアモルファス層にお
ける不純物濃度のプロファイルについては、アモルファ
ス層のみの単一材質からなる半導体基板に対して不純物
のイオンを注入した場合に得られたプロファイルを解析
的関数で近似して得られる解析的関数のパラメータのデ
ータベースに基いて計算し、前記半導体基板の結晶層に
おける不純物濃度のプロファイルについては、結晶層の
みの単一材質からなる半導体基板に対して不純物のイオ
ンを注入した場合に得られたプロファイルを解析的関数
で近似して得られる解析的関数のパラメータのデータベ
ースに基いて計算することを特徴とする。
セスのシミュレーション方法は、基板深さ方向において
同一素材のアモルファス層および結晶層が存在する状態
の半導体基板に対して不純物のイオンを注入した場合の
基板深さ方向における不純物濃度のプロファイルの解析
的計算を行う際に、上記アモルファス層と結晶層とに分
割して取り扱い、上記半導体基板のアモルファス層にお
ける不純物濃度のプロファイルについては、アモルファ
ス層のみの単一材質からなる半導体基板に対して不純物
のイオンを注入した場合に得られたプロファイルを解析
的関数で近似して得られる解析的関数のパラメータのデ
ータベースに基いて計算し、前記半導体基板の結晶層に
おける不純物濃度のプロファイルについては、結晶層の
みの単一材質からなる半導体基板に対して不純物のイオ
ンを注入した場合に得られたプロファイルを解析的関数
で近似して得られる解析的関数のパラメータのデータベ
ースに基いて計算することを特徴とする。
【００１３】
【作用】基板深さ方向において部分的にアモルファス化
された半導体基板に対して不純物のイオンを注入した場
合の基板深さ方向における不純物濃度のプロファイルを
求める場合でも、アモルファス層と結晶層とに分割し、
それぞれに対応して得られた基板深さ方向における不純
物濃度のプロファイルを解析的関数で近似して得られる
解析的関数のパラメータのデータベースに基いて計算す
るので、解析的な計算の結果の精度が十分に得られるよ
うになる。
された半導体基板に対して不純物のイオンを注入した場
合の基板深さ方向における不純物濃度のプロファイルを
求める場合でも、アモルファス層と結晶層とに分割し、
それぞれに対応して得られた基板深さ方向における不純
物濃度のプロファイルを解析的関数で近似して得られる
解析的関数のパラメータのデータベースに基いて計算す
るので、解析的な計算の結果の精度が十分に得られるよ
うになる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明のイオン注入プロセスのシ
ミュレーション方法の一実施例を示すフローチャートで
ある。
に説明する。図１は、本発明のイオン注入プロセスのシ
ミュレーション方法の一実施例を示すフローチャートで
ある。
【００１５】本発明のシミュレーション方法では、基板
深さ方向において同一素材のアモルファス層および結晶
層が存在する状態の半導体基板に対して不純物のイオン
を注入した場合の基板深さ方向における不純物濃度のプ
ロファイルの解析的計算を行う際に、上記アモルファス
層と結晶層とに分割して取り扱う。
深さ方向において同一素材のアモルファス層および結晶
層が存在する状態の半導体基板に対して不純物のイオン
を注入した場合の基板深さ方向における不純物濃度のプ
ロファイルの解析的計算を行う際に、上記アモルファス
層と結晶層とに分割して取り扱う。
【００１６】即ち、ステップＳ１では、上記半導体基板
の結晶層における不純物濃度のプロファイルについて、
結晶層のみの単一材質からなる半導体基板に対して不純
物のイオンを注入した場合に得られたプロファイル（例
えば図６）を解析的関数で近似して得られる解析的関数
のパラメータのデータベースに基いて計算する。
の結晶層における不純物濃度のプロファイルについて、
結晶層のみの単一材質からなる半導体基板に対して不純
物のイオンを注入した場合に得られたプロファイル（例
えば図６）を解析的関数で近似して得られる解析的関数
のパラメータのデータベースに基いて計算する。
【００１７】そして、ステップＳ２では、アモルファス
層における不純物濃度のプロファイルについて、前記半
導体基板のアモルファス層のみの単一材質からなる半導
体基板に対して不純物のイオンを注入した場合に得られ
たプロファイル（例えば図７）を解析的関数で近似して
得られる解析的関数のパラメータのデータベースに基い
て計算する。図２は、図１の方法にしたがって基板のア
モルファス層と結晶層とに分割してシミュレーションを
行った様子を示している。
層における不純物濃度のプロファイルについて、前記半
導体基板のアモルファス層のみの単一材質からなる半導
体基板に対して不純物のイオンを注入した場合に得られ
たプロファイル（例えば図７）を解析的関数で近似して
得られる解析的関数のパラメータのデータベースに基い
て計算する。図２は、図１の方法にしたがって基板のア
モルファス層と結晶層とに分割してシミュレーションを
行った様子を示している。
【００１８】図３は、本発明方法の適用例として、Ｂｉ
ＣＭＯＳ集積回路にバイポーラトランジスタを形成する
際のベース領域形成用のボロンイオン注入プロセスに適
用した場合における半導体基板を示す断面図である。
ＣＭＯＳ集積回路にバイポーラトランジスタを形成する
際のベース領域形成用のボロンイオン注入プロセスに適
用した場合における半導体基板を示す断面図である。
【００１９】図３に示すように、全体が結晶からなるＰ
型シリコン基板（ベア・シリコン）２１上にシリコン酸
化膜２２を形成した後、ＮＰＮトランジスタのエミッタ
領域形成用にＡｓイオンを注入する。この場合、Ａｓイ
オンのドーズ量は、例えば１０15程度と高いので、Ａｓ
イオンの投影飛程Ｒｐを過ぎた付近までの基板表層部２
１ａがアモルファス化する。これにより、後続のＢイオ
ンの注入によるチャネリングが防止される。この後、さ
らに、ベース領域形成用のＢイオンを注入し、アニール
により注入イオンを活性化してエミッタ領域およびベー
ス領域を形成する。
型シリコン基板（ベア・シリコン）２１上にシリコン酸
化膜２２を形成した後、ＮＰＮトランジスタのエミッタ
領域形成用にＡｓイオンを注入する。この場合、Ａｓイ
オンのドーズ量は、例えば１０15程度と高いので、Ａｓ
イオンの投影飛程Ｒｐを過ぎた付近までの基板表層部２
１ａがアモルファス化する。これにより、後続のＢイオ
ンの注入によるチャネリングが防止される。この後、さ
らに、ベース領域形成用のＢイオンを注入し、アニール
により注入イオンを活性化してエミッタ領域およびベー
ス領域を形成する。
【００２０】図４は、上記したＢイオンの注入プロセス
のシミュレーションに際して、本発明方法を用いた解析
的な計算方法による計算結果を実線で示している。対比
のため、従来の解析的な計算方法による計算結果を点線
で示している。
のシミュレーションに際して、本発明方法を用いた解析
的な計算方法による計算結果を実線で示している。対比
のため、従来の解析的な計算方法による計算結果を点線
で示している。
【００２１】図４から、本発明を用いた解析的な計算方
法による計算結果は、従来例の説明に際して図４中に実
線で示したＳＩＭＳによる実測結果とほぼ一致している
ことが分かる。
法による計算結果は、従来例の説明に際して図４中に実
線で示したＳＩＭＳによる実測結果とほぼ一致している
ことが分かる。
【００２２】即ち、ベア・シリコンにＡｓイオンを注入
した場合については、ターゲットの材質が結晶のみであ
る場合に対応する解析的関数のパラメータのデータベー
スに基いて計算した結果が、実測結果とほぼ一致してい
ることが分かる。
した場合については、ターゲットの材質が結晶のみであ
る場合に対応する解析的関数のパラメータのデータベー
スに基いて計算した結果が、実測結果とほぼ一致してい
ることが分かる。
【００２３】また、基板表層部がアモルファス化された
状態のシリコン基板２１にＢイオンを注入した場合につ
いては、アモルファス層２１ａに対しては、図７に示し
たように、ターゲットの材質がアモルファスのみである
場合に対応する既知の解析的関数のパラメータのデータ
ベースに基いて計算する。
状態のシリコン基板２１にＢイオンを注入した場合につ
いては、アモルファス層２１ａに対しては、図７に示し
たように、ターゲットの材質がアモルファスのみである
場合に対応する既知の解析的関数のパラメータのデータ
ベースに基いて計算する。
【００２４】そして、アモルファス層２１ａより下層の
結晶層２１ｂに対しては、図８に示したように、ターゲ
ットの材質が結晶のみである場合に対応する既知の解析
的関数のパラメータのデータベースに基いて計算した結
果が、実測結果とほぼ一致していることが分かる。
結晶層２１ｂに対しては、図８に示したように、ターゲ
ットの材質が結晶のみである場合に対応する既知の解析
的関数のパラメータのデータベースに基いて計算した結
果が、実測結果とほぼ一致していることが分かる。
【００２５】
【発明の効果】上述したように本発明のイオン注入プロ
セスのシミュレーション方法によれば、基板深さ方向に
おいて部分的にアモルファス化された半導体基板に対し
て不純物のイオンを注入した場合の基板深さ方向におけ
る不純物濃度のプロファイルを求める場合でも、解析的
な計算の結果の精度が十分に得られるようになる。
セスのシミュレーション方法によれば、基板深さ方向に
おいて部分的にアモルファス化された半導体基板に対し
て不純物のイオンを注入した場合の基板深さ方向におけ
る不純物濃度のプロファイルを求める場合でも、解析的
な計算の結果の精度が十分に得られるようになる。
【図１】本発明のイオン注入プロセスのシミュレーショ
ン方法の一実施例を示すフローチャート。
ン方法の一実施例を示すフローチャート。
【図２】図１の方法にしたがって基板のアモルファス層
と結晶層とに分割してシミュレーションを行った様子を
示す特性図。
と結晶層とに分割してシミュレーションを行った様子を
示す特性図。
【図３】ＢｉＣＭＯＳ集積回路にバイポーラトランジス
タを形成する際のベース領域形成用のボロンイオン注入
プロセスに本発明方法を適用した場合における半導体基
板を示す断面図。
タを形成する際のベース領域形成用のボロンイオン注入
プロセスに本発明方法を適用した場合における半導体基
板を示す断面図。
【図４】図２のボロンイオン注入プロセスのシミュレー
ションに際して本発明方法を用いた解析的な計算方法に
よる計算結果および従来の解析的な計算方法による計算
結果を対比して示す特性図。
ションに際して本発明方法を用いた解析的な計算方法に
よる計算結果および従来の解析的な計算方法による計算
結果を対比して示す特性図。
【図５】基板深さ方向において部分的にアモルファス化
された半導体基板に対して不純物のイオンを注入した場
合の基板深さ方向における不純物濃度のプロファイルを
実測した結果および従来の解析的な計算方法により計算
した結果を対比して示す特性図。
された半導体基板に対して不純物のイオンを注入した場
合の基板深さ方向における不純物濃度のプロファイルを
実測した結果および従来の解析的な計算方法により計算
した結果を対比して示す特性図。
【図６】結晶層のみの単一材質からなる半導体基板に対
して不純物のイオンを注入した場合に得られたプロファ
イルの一例を示す図。
して不純物のイオンを注入した場合に得られたプロファ
イルの一例を示す図。
【図７】アモルファス層のみの単一材質からなる半導体
基板に対して不純物のイオンを注入した場合に得られた
プロファイルの一例を示す図。
基板に対して不純物のイオンを注入した場合に得られた
プロファイルの一例を示す図。
２１…シリコン基板、２１ａ…基板表層部のアモルファ
ス層、２１ｂ…結晶層、２２…シリコン酸化膜。
ス層、２１ｂ…結晶層、２２…シリコン酸化膜。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板深さ方向において同一素材のアモル
ファス層および結晶層が存在する状態の半導体基板に対
して不純物のイオンを注入した場合の基板深さ方向にお
ける不純物濃度のプロファイルの解析的計算を行う際
に、 上記アモルファス層と結晶層とに分割して取り扱い、 上記半導体基板のアモルファス層における不純物濃度の
プロファイルについては、アモルファス層のみの単一材
質からなる半導体基板に対して不純物のイオンを注入し
た場合に得られたプロファイルを解析的関数で近似して
得られる解析的関数のパラメータのデータベースに基い
て計算し、前記半導体基板の結晶層における不純物濃度
のプロファイルについては、結晶層のみの単一材質から
なる半導体基板に対して不純物のイオンを注入した場合
に得られたプロファイルを解析的関数で近似して得られ
る解析的関数のパラメータのデータベースに基いて計算
することを特徴とするイオン注入プロセスのシミュレー
ション方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のイオン注入プロセスのシ
ミュレーション方法において、 前記アモルファス層は、シリコン結晶基板にヒ素イオン
が比較的高いドーズ量で注入されることにより基板表層
部に生じたものであり、 前記アモルファス層および結晶層が存在する状態のシリ
コン結晶基板に対してボロンのイオンを注入した場合の
基板深さ方向における不純物濃度のプロファイルの解析
的計算を行うことを特徴とするイオン注入プロセスのシ
ミュレーション方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34366992A JPH06196539A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | イオン注入プロセスのシミュレーション方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34366992A JPH06196539A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | イオン注入プロセスのシミュレーション方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196539A true JPH06196539A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18363329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34366992A Pending JPH06196539A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | イオン注入プロセスのシミュレーション方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196539A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0864991A2 (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-16 | NEC Corporation | Method and apparatus of establishing a region to be made amorphous |
| CN1308816C (zh) * | 2002-03-14 | 2007-04-04 | 旺宏电子股份有限公司 | 离子注入机台工艺参数自动预调系统及方法 |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP34366992A patent/JPH06196539A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0864991A2 (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-16 | NEC Corporation | Method and apparatus of establishing a region to be made amorphous |
| EP0864991A3 (en) * | 1997-03-10 | 2000-03-01 | NEC Corporation | Method and apparatus of establishing a region to be made amorphous |
| US6212487B1 (en) | 1997-03-10 | 2001-04-03 | Nec Corporation | Method and apparatus of establishing a region to be made amorphous |
| CN1308816C (zh) * | 2002-03-14 | 2007-04-04 | 旺宏电子股份有限公司 | 离子注入机台工艺参数自动预调系统及方法 |
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