JPH06196378A - ホトリソグラフィーの露光量算出方法 - Google Patents
ホトリソグラフィーの露光量算出方法Info
- Publication number
- JPH06196378A JPH06196378A JP4358257A JP35825792A JPH06196378A JP H06196378 A JPH06196378 A JP H06196378A JP 4358257 A JP4358257 A JP 4358257A JP 35825792 A JP35825792 A JP 35825792A JP H06196378 A JPH06196378 A JP H06196378A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- exposure amount
- mask
- resist
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ホトリソグラフィーにおいて、レジストに目
標寸法のパターンを形成するための露光量の算出方法を
提供する。 【構成】 先ず、第一工程Ｓ１では、過去の露光で照射
した露光量と、過去の露光でレジストに形成されたパタ
ーンの寸法をその露光に用いたマスクのパターン寸法の
偏差で補正した値と、露光特性曲線に基づく第一の係数
とで規定される直線の方程式に対して、新たな露光で形
成するパターンの目標寸法を代入することによって第一
の露光量を算出する。次いで、第二工程Ｓ２では、露光
特性曲線に基づく第二の係数と、新たな露光に使用する
マスクのパターン寸法の偏差とを用いて補正露光量を算
出する。そして、第三の工程Ｓ３では、第一の露光量を
補正露光量で補正し、新たな露光量Ｅn+1 を算出する。
標寸法のパターンを形成するための露光量の算出方法を
提供する。 【構成】 先ず、第一工程Ｓ１では、過去の露光で照射
した露光量と、過去の露光でレジストに形成されたパタ
ーンの寸法をその露光に用いたマスクのパターン寸法の
偏差で補正した値と、露光特性曲線に基づく第一の係数
とで規定される直線の方程式に対して、新たな露光で形
成するパターンの目標寸法を代入することによって第一
の露光量を算出する。次いで、第二工程Ｓ２では、露光
特性曲線に基づく第二の係数と、新たな露光に使用する
マスクのパターン寸法の偏差とを用いて補正露光量を算
出する。そして、第三の工程Ｓ３では、第一の露光量を
補正露光量で補正し、新たな露光量Ｅn+1 を算出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトリソグラフィーの
露光量算出方法に関し、特に形成されるパターンの寸法
精度が厳しく要求される半導体装置の製造等に用いられ
ているホトリソグラフィーで、目的寸法のパターンを得
るための露光量を算出する方法に関するものである。
露光量算出方法に関し、特に形成されるパターンの寸法
精度が厳しく要求される半導体装置の製造等に用いられ
ているホトリソグラフィーで、目的寸法のパターンを得
るための露光量を算出する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ホトリソグラフィー法は、パターンが形
成されたマスクに露光光を照射し、感光性組成物に上記
パターンを投影することによって、あらゆる倍率の投影
パターンを、上記感光性組成物に形成するものである。
このホトリソグラフィー法は、半導体製造工程において
は、レジストにパターンを形成する方法として頻繁に用
いられている。
成されたマスクに露光光を照射し、感光性組成物に上記
パターンを投影することによって、あらゆる倍率の投影
パターンを、上記感光性組成物に形成するものである。
このホトリソグラフィー法は、半導体製造工程において
は、レジストにパターンを形成する方法として頻繁に用
いられている。
【０００３】上記半導体製造工程においては、レジスト
に形成されるパターンの寸法（以下レジスト寸法）に、
高い精度が要求されている。しかし、上記ホトリソグラ
フィー法は、同じ寸法のマスクパターンを用いても、露
光光の照射量（以下露光量と記す）によってレジスト寸
法が変化するという露光特性がある。これは、マスクパ
ターンを通過する露光光が、マスクパターンのエッジで
回折するためであり、図３の露光特性曲線ａで示すよう
に、露光量が増加するとレジスト寸法が小さくなってい
く。したがって、レジストに目標寸法のパターンを正確
に形成するためには、適切な露光量を照射する必要があ
る。そこで、ホトリソグラフィー工程においては、各処
理ロット毎に適切な露光量を算出し、その値に従って露
光を行っている。
に形成されるパターンの寸法（以下レジスト寸法）に、
高い精度が要求されている。しかし、上記ホトリソグラ
フィー法は、同じ寸法のマスクパターンを用いても、露
光光の照射量（以下露光量と記す）によってレジスト寸
法が変化するという露光特性がある。これは、マスクパ
ターンを通過する露光光が、マスクパターンのエッジで
回折するためであり、図３の露光特性曲線ａで示すよう
に、露光量が増加するとレジスト寸法が小さくなってい
く。したがって、レジストに目標寸法のパターンを正確
に形成するためには、適切な露光量を照射する必要があ
る。そこで、ホトリソグラフィー工程においては、各処
理ロット毎に適切な露光量を算出し、その値に従って露
光を行っている。
【０００４】上記露光量の算出は、新たに露光を行おう
とするロットと同一製品か或いは目標とするレジスト寸
法が同じ製品の過去のデータを用いて行う。そして、露
光の投影倍率が等倍である場合には、過去に処理を行っ
たロットｎの露光量Ｅn と、その露光で得られたレジス
ト寸法Ｌn と、露光補正係数ＫE と、目標とするレジス
ト寸法ＬT を用いた式（２）により、新たな露光量Ｅn+
1 を算出する。式（２）は、図３の露光特性曲線ａを、
レジスト寸法の規格範囲内で近似した直線ｂを表すもの
である。そして、上記露光補正係数ＫE とは、直線ｂが
Ｙ軸と成す角度θ1 の正接：ｔａｎθ1 である。
とするロットと同一製品か或いは目標とするレジスト寸
法が同じ製品の過去のデータを用いて行う。そして、露
光の投影倍率が等倍である場合には、過去に処理を行っ
たロットｎの露光量Ｅn と、その露光で得られたレジス
ト寸法Ｌn と、露光補正係数ＫE と、目標とするレジス
ト寸法ＬT を用いた式（２）により、新たな露光量Ｅn+
1 を算出する。式（２）は、図３の露光特性曲線ａを、
レジスト寸法の規格範囲内で近似した直線ｂを表すもの
である。そして、上記露光補正係数ＫE とは、直線ｂが
Ｙ軸と成す角度θ1 の正接：ｔａｎθ1 である。
【数２】 上記式（２）で示した露光量Ｅn とレジスト寸法Ｌn
は、過去に処理を行った数ロットの平均値または、直前
の一ロットの値のどちらを用いても良い。
は、過去に処理を行った数ロットの平均値または、直前
の一ロットの値のどちらを用いても良い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
露光量算出方法には、以下のような問題がある。すなわ
ち、ホトリソグラフィー工程では、同一製品の同一工程
において、複数のマスクを用いている。各マスクは、パ
ターンの設計寸法を同一にしているが、実際に形成され
るマスクのパターン寸法には、多少の偏差が生じてい
る。しかし、上記の露光量の算出方法には、このマスク
寸法の偏差が考慮されていないため、この偏差がレジス
ト寸法にそのまま影響してしまう。このため、マスクの
パターン寸法の偏差は、規格内であっても、レジスト寸
法の偏差は規格を超える場合がある。
露光量算出方法には、以下のような問題がある。すなわ
ち、ホトリソグラフィー工程では、同一製品の同一工程
において、複数のマスクを用いている。各マスクは、パ
ターンの設計寸法を同一にしているが、実際に形成され
るマスクのパターン寸法には、多少の偏差が生じてい
る。しかし、上記の露光量の算出方法には、このマスク
寸法の偏差が考慮されていないため、この偏差がレジス
ト寸法にそのまま影響してしまう。このため、マスクの
パターン寸法の偏差は、規格内であっても、レジスト寸
法の偏差は規格を超える場合がある。
【０００６】そこで、本発明は、上記の課題を解決し、
ホトリソグラフィー工程において、目標とするレジスト
寸法に対して、精度の高いレジスト寸法を得ることがで
きる露光量算出方法を提供することを目的とする。ま
た、これによって、半導体製品の歩留りを向上させるこ
とを目的とする。
ホトリソグラフィー工程において、目標とするレジスト
寸法に対して、精度の高いレジスト寸法を得ることがで
きる露光量算出方法を提供することを目的とする。ま
た、これによって、半導体製品の歩留りを向上させるこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は三つの工程で構成されている。先ず、第一
工程では、過去の露光で照射した露光量と、前記過去の
露光でレジストに形成されたパターンの寸法をその露光
に用いたマスクのパターン寸法の偏差で補正した値と、
露光特性曲線に基づく第一の係数と、で規定される直線
の方程式に対して、新たな露光で形成するパターンの目
標寸法を代入することによって第一の露光量を算出す
る。次いで、第二工程では、露光特性曲線に基づく第二
の係数と、新たな露光に使用するマスクのパターン寸法
の偏差とを用いて補正露光量を算出する。そして、第三
の工程では、前記第一の露光量を前記補正露光量で補正
し、新たな露光量を算出する。
に、本発明は三つの工程で構成されている。先ず、第一
工程では、過去の露光で照射した露光量と、前記過去の
露光でレジストに形成されたパターンの寸法をその露光
に用いたマスクのパターン寸法の偏差で補正した値と、
露光特性曲線に基づく第一の係数と、で規定される直線
の方程式に対して、新たな露光で形成するパターンの目
標寸法を代入することによって第一の露光量を算出す
る。次いで、第二工程では、露光特性曲線に基づく第二
の係数と、新たな露光に使用するマスクのパターン寸法
の偏差とを用いて補正露光量を算出する。そして、第三
の工程では、前記第一の露光量を前記補正露光量で補正
し、新たな露光量を算出する。
【０００８】
【作用】先ず、第一の工程では、マスクのパターンの寸
法偏差＝０の場合に、目標寸法のパターンを得るための
第一の露光量が算出される。次いで、第二の工程では、
新たな露光に用いるマスクのパターン寸法の偏差に対応
する補正露光量が算出される。そして、第三の工程で
は、上記第一の露光量を上記補正露光量で補正し、新た
な露光に用いるマスクのパターン寸法の偏差を補正した
新たな露光量が算出される。
法偏差＝０の場合に、目標寸法のパターンを得るための
第一の露光量が算出される。次いで、第二の工程では、
新たな露光に用いるマスクのパターン寸法の偏差に対応
する補正露光量が算出される。そして、第三の工程で
は、上記第一の露光量を上記補正露光量で補正し、新た
な露光に用いるマスクのパターン寸法の偏差を補正した
新たな露光量が算出される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を説明する。図２
に、本発明を実施するための露光量算出システムの構成
図を示した。露光量算出システムは、マスク寸法測定手
段１、レジスト寸法測定手段２、入力部３、演算部４、
記憶部５の各要素で構成されている。そして、上記演算
部４に各要素がそれぞれ接続し、演算部４が露光装置６
に接続している。
に、本発明を実施するための露光量算出システムの構成
図を示した。露光量算出システムは、マスク寸法測定手
段１、レジスト寸法測定手段２、入力部３、演算部４、
記憶部５の各要素で構成されている。そして、上記演算
部４に各要素がそれぞれ接続し、演算部４が露光装置６
に接続している。
【００１０】上記マスク寸法測定手段１は、ホトリソグ
ラフィー工程に使用されるマスクのパターン寸法（以
下、マスク寸法と記す）を測定するものである。また、
上記レジスト寸法測定手段２は、ホトリソグラフィー工
程でレジストに形成されたパターンの寸法（以下、レジ
スト寸法と記す）を測定するものである。そして、上記
入力部３は、ホトリソグラフィー工程に関する条件及び
処理ロットに関するデータを入力するものである。さら
に、上記演算部４は、各手段及び入力部３から送られた
データを処理し、処理したデータを記憶部５に記憶させ
ると共に、記憶部５に記憶されたデータを用いて露光量
の算出を行い、露光装置６に指示を与えるものである。
ラフィー工程に使用されるマスクのパターン寸法（以
下、マスク寸法と記す）を測定するものである。また、
上記レジスト寸法測定手段２は、ホトリソグラフィー工
程でレジストに形成されたパターンの寸法（以下、レジ
スト寸法と記す）を測定するものである。そして、上記
入力部３は、ホトリソグラフィー工程に関する条件及び
処理ロットに関するデータを入力するものである。さら
に、上記演算部４は、各手段及び入力部３から送られた
データを処理し、処理したデータを記憶部５に記憶させ
ると共に、記憶部５に記憶されたデータを用いて露光量
の算出を行い、露光装置６に指示を与えるものである。
【００１１】上記のように構成された露光量算出システ
ムは、以下のように作動させる。先ず、記憶部５に、各
製品の目標レジスト寸法ＬT 、露光量補正係数ＫE 、マ
スク寸法偏差補正係数ＫM を登録する。これらの値の登
録は、入力部３から行う。
ムは、以下のように作動させる。先ず、記憶部５に、各
製品の目標レジスト寸法ＬT 、露光量補正係数ＫE 、マ
スク寸法偏差補正係数ＫM を登録する。これらの値の登
録は、入力部３から行う。
【００１２】次いで、記憶部５に、マスク寸法に関する
データを記憶させる。マスク寸法測定手段１による、各
マスクのマスク寸法の測定は、ホトリソグラフィー工程
に先立って行われる。測定された各マスク寸法と各マス
クに関するマスク情報は、演算部４に送られて、例えば
表１に示すような状態で記憶部５に記憶される。記憶部
５に記憶されるデータは、各マスク番号ｍ毎に、設計寸
法Ｄ、マスク寸法測定手段１で測定したマスク寸法Ｍm
と、これらの値の差を示すマスク寸法偏差Ｓm である。
データを記憶させる。マスク寸法測定手段１による、各
マスクのマスク寸法の測定は、ホトリソグラフィー工程
に先立って行われる。測定された各マスク寸法と各マス
クに関するマスク情報は、演算部４に送られて、例えば
表１に示すような状態で記憶部５に記憶される。記憶部
５に記憶されるデータは、各マスク番号ｍ毎に、設計寸
法Ｄ、マスク寸法測定手段１で測定したマスク寸法Ｍm
と、これらの値の差を示すマスク寸法偏差Ｓm である。
【表１】
【００１３】さらに、記憶部５には、過去にホトリソグ
ラフィー処理を行ったロットのレジスト寸法に関するデ
ータを順次記憶させる。レジスト寸法測定手段２では、
ホトリソグラフィー処理を行う毎にレジスト寸法が測定
される。測定されたレジスト寸法と、各ロットに関する
ロット情報は、演算部４に送られて、例えば表２に示す
ような状態で各製品毎に記憶部５に記憶される。記憶さ
れるデータは、ロット番号ｎ毎に、露光に使用したマス
ク番号ｍ、照射した露光量Ｅn 、そのときに得られたレ
ジスト寸法Ｌn 、補正レジスト寸法ＬＲn である。
ラフィー処理を行ったロットのレジスト寸法に関するデ
ータを順次記憶させる。レジスト寸法測定手段２では、
ホトリソグラフィー処理を行う毎にレジスト寸法が測定
される。測定されたレジスト寸法と、各ロットに関する
ロット情報は、演算部４に送られて、例えば表２に示す
ような状態で各製品毎に記憶部５に記憶される。記憶さ
れるデータは、ロット番号ｎ毎に、露光に使用したマス
ク番号ｍ、照射した露光量Ｅn 、そのときに得られたレ
ジスト寸法Ｌn 、補正レジスト寸法ＬＲn である。
【表２】
【００１４】そして、新たな露光を行う場合には、演算
部４で新たな露光量を算出する。この場合、先ず、入力
部３から露光処理を行うロットの製品名、ロット番号ｎ
+1、使用するマスク番号ｍを入力する。演算部４では、
入力されたデータを記憶部５に記憶させると共に、その
データをもとに、記憶部５を検索する。そして、マスク
情報（表１）からは、使用するマスク番号ｍに関する情
報を引き出し、ロット情報（表２）からは、同じ製品の
最新ロットｎに関する情報を引き出す。また、入力され
た製品名から、その製品の目的レジスト寸法ＬT が引き
出される。演算部５では、引き出した各情報をもとに、
新たな露光量Ｅn+1 を算出する。
部４で新たな露光量を算出する。この場合、先ず、入力
部３から露光処理を行うロットの製品名、ロット番号ｎ
+1、使用するマスク番号ｍを入力する。演算部４では、
入力されたデータを記憶部５に記憶させると共に、その
データをもとに、記憶部５を検索する。そして、マスク
情報（表１）からは、使用するマスク番号ｍに関する情
報を引き出し、ロット情報（表２）からは、同じ製品の
最新ロットｎに関する情報を引き出す。また、入力され
た製品名から、その製品の目的レジスト寸法ＬT が引き
出される。演算部５では、引き出した各情報をもとに、
新たな露光量Ｅn+1 を算出する。
【００１５】ここで、上記で示した記憶部５に記憶され
る各数値の詳細を説明する。 （１）ＬT ：目標とするレジスト寸法を示す。 （２）ＫE ：露光補正係数を示す。図３の露光特性曲線
ａを、レジスト寸法の規格範囲内で近似した直線ｂがＹ
軸と成す角度θ1 の正接（ｔａｎθ1 ）である。 （３）ＫM ：マスク補正係数を示す。図３の露光特性曲
線ａを、目標とするレジスト寸法ＬT の付近で近似した
直線ｃがＹ軸と成す角度θ2 の正接（ｔａｎθ2）であ
る。 （４）Ｓm ：マスク寸法偏差を示す。露光に使用したマ
スクｍのパターン寸法Ｍm と、マスクの設計寸法Ｄとの
差である。 （５）Ｅn ：過去の露光量を示す。露光を行おうとする
ロットと同一製品のロットを過去に露光した時に照射し
た露光量である。 （６）ＬＲn ：補正レジスト寸法を示す。上記Ｅn の露
光で得られたレジスト寸法Ｌn を、使用したマスクのマ
スク寸法偏差で補正した値であり、Ｌn からＳmを引い
た値である。この補正レジスト寸法ＬＲn は、用いたマ
スクが寸法どおりであった場合にその露光量Ｅｎで形成
されるレジスト寸法である。 尚、上記露光特性曲線ａは、同じ寸法のマスクパターン
を用いても、露光量によってレジスト寸法が変化する、
ホトリソグラフィー工程の特性を示す曲線である。ま
た、過去の露光に関する値は、過去に露光を行った最新
ロットあるいは、数ロットの平均値を用いる。
る各数値の詳細を説明する。 （１）ＬT ：目標とするレジスト寸法を示す。 （２）ＫE ：露光補正係数を示す。図３の露光特性曲線
ａを、レジスト寸法の規格範囲内で近似した直線ｂがＹ
軸と成す角度θ1 の正接（ｔａｎθ1 ）である。 （３）ＫM ：マスク補正係数を示す。図３の露光特性曲
線ａを、目標とするレジスト寸法ＬT の付近で近似した
直線ｃがＹ軸と成す角度θ2 の正接（ｔａｎθ2）であ
る。 （４）Ｓm ：マスク寸法偏差を示す。露光に使用したマ
スクｍのパターン寸法Ｍm と、マスクの設計寸法Ｄとの
差である。 （５）Ｅn ：過去の露光量を示す。露光を行おうとする
ロットと同一製品のロットを過去に露光した時に照射し
た露光量である。 （６）ＬＲn ：補正レジスト寸法を示す。上記Ｅn の露
光で得られたレジスト寸法Ｌn を、使用したマスクのマ
スク寸法偏差で補正した値であり、Ｌn からＳmを引い
た値である。この補正レジスト寸法ＬＲn は、用いたマ
スクが寸法どおりであった場合にその露光量Ｅｎで形成
されるレジスト寸法である。 尚、上記露光特性曲線ａは、同じ寸法のマスクパターン
を用いても、露光量によってレジスト寸法が変化する、
ホトリソグラフィー工程の特性を示す曲線である。ま
た、過去の露光に関する値は、過去に露光を行った最新
ロットあるいは、数ロットの平均値を用いる。
【００１６】次に、演算部４で行われる新たな露光量Ｅ
n+1 の算出方法を、図１のフーチャートに従って説明す
る。演算部４では、上記で示した各値を数１に当てはめ
て、目的寸法ＬT を得るための新たな露光量Ｅn+1 を算
出する。
n+1 の算出方法を、図１のフーチャートに従って説明す
る。演算部４では、上記で示した各値を数１に当てはめ
て、目的寸法ＬT を得るための新たな露光量Ｅn+1 を算
出する。
【数１】 上記式（１）では、先ず、第一の工程で、過去の露光量
Ｅn と、補正レジスト寸法ＬＲn と、露光補正係数ＫE
とで上記直線ｂを規定し、目標とするレジスト寸法ＬT
代入して、第一の露光量を算出する。（ステップＳ１）
ここで得られる第一の露光量は、マスクのパターンの寸
法偏差＝０の場合に、目標寸法のパターンを得るための
露光量である。次いで、第二の工程で、マスク補正係数
ＫM と、新たな露光に使用するマスクのマスク寸法偏差
Ｓm とを用いて、補正露光量を算出する。（ステップ
２）ここで得られる補正露光量は、新たな露光に用いる
マスクのマスク寸法偏差Ｓm に対応する露光量である。
そして、第三の工程で、上記第一の露光量に上記補正露
光量を加えることによって、使用するマスクの寸法偏差
Ｓm を補正した、新たな露光量Ｅn+1 を算出する。（ス
テップ３）
Ｅn と、補正レジスト寸法ＬＲn と、露光補正係数ＫE
とで上記直線ｂを規定し、目標とするレジスト寸法ＬT
代入して、第一の露光量を算出する。（ステップＳ１）
ここで得られる第一の露光量は、マスクのパターンの寸
法偏差＝０の場合に、目標寸法のパターンを得るための
露光量である。次いで、第二の工程で、マスク補正係数
ＫM と、新たな露光に使用するマスクのマスク寸法偏差
Ｓm とを用いて、補正露光量を算出する。（ステップ
２）ここで得られる補正露光量は、新たな露光に用いる
マスクのマスク寸法偏差Ｓm に対応する露光量である。
そして、第三の工程で、上記第一の露光量に上記補正露
光量を加えることによって、使用するマスクの寸法偏差
Ｓm を補正した、新たな露光量Ｅn+1 を算出する。（ス
テップ３）
【００１７】以下、上記の露光量算出方法で算出した露
光量を用いて、ホトリソグラフィー処理のシミュレーシ
ョンを行った結果を示す。各ロットの処理には、設計寸
法が同一の４枚のマスクを用いた。また、投影倍率は等
倍で露光を行った。使用したマスクは、始めのロット番
号１からロット番号５まではマスク寸法偏差Ｓｍ＝＋
０．１μｍのマスクを用いた。そして、ロット番号６か
らはマスク寸法偏差Ｓｍ＝−０．１５μｍ，−０．０５
μｍ，−０．１０μｍのマスクを順次繰り返し用いて露
光を行った。そして、上記処理を行って得たレジスト寸
法等のロット情報を順次蓄積し、新たな露光量Ｅn+1 の
算出し、その露光量Ｅn+1 を用いて順次露光を行った。
光量を用いて、ホトリソグラフィー処理のシミュレーシ
ョンを行った結果を示す。各ロットの処理には、設計寸
法が同一の４枚のマスクを用いた。また、投影倍率は等
倍で露光を行った。使用したマスクは、始めのロット番
号１からロット番号５まではマスク寸法偏差Ｓｍ＝＋
０．１μｍのマスクを用いた。そして、ロット番号６か
らはマスク寸法偏差Ｓｍ＝−０．１５μｍ，−０．０５
μｍ，−０．１０μｍのマスクを順次繰り返し用いて露
光を行った。そして、上記処理を行って得たレジスト寸
法等のロット情報を順次蓄積し、新たな露光量Ｅn+1 の
算出し、その露光量Ｅn+1 を用いて順次露光を行った。
【００１８】上記のようにして得られた各ロットのレジ
スト寸法の偏差を、図４に示した。ここで示したよう
に、各ロットのレジスト寸法偏差を０．０６μｍの範囲
内に収めることができた。これは、図５の従来の露光量
算出方法で算出した露光量で、露光を行った場合のレジ
スト偏差と比較すると約１／５である。
スト寸法の偏差を、図４に示した。ここで示したよう
に、各ロットのレジスト寸法偏差を０．０６μｍの範囲
内に収めることができた。これは、図５の従来の露光量
算出方法で算出した露光量で、露光を行った場合のレジ
スト偏差と比較すると約１／５である。
【００１９】尚、上記実施例においては、投影倍率が等
倍の露光に関して説明を行ったが、上記式（１）のマス
ク寸法偏差Ｓm に関わる項目で、マスク寸法偏差Ｓm に
投影倍率を乗じることによって、縮小、及び拡大投影時
の露光量を算出することができる。また、本発明を実施
する露光量算出システムは、上記実施例で示したものに
限るものではない。
倍の露光に関して説明を行ったが、上記式（１）のマス
ク寸法偏差Ｓm に関わる項目で、マスク寸法偏差Ｓm に
投影倍率を乗じることによって、縮小、及び拡大投影時
の露光量を算出することができる。また、本発明を実施
する露光量算出システムは、上記実施例で示したものに
限るものではない。
【００２０】
【発明の効果】以上、実施例で説明したように、本発明
の露光量算出方法によれば、ホトリソグラフィー処理に
おいて、マスクのパターン寸法の偏差を露光量で補正で
きる。このため、レジストに形成さるパターンの寸法の
精度が改善され、半導体製造工程においては、製品の歩
留りの向上が期待される。
の露光量算出方法によれば、ホトリソグラフィー処理に
おいて、マスクのパターン寸法の偏差を露光量で補正で
きる。このため、レジストに形成さるパターンの寸法の
精度が改善され、半導体製造工程においては、製品の歩
留りの向上が期待される。
【図１】本発明の露光量算出方法の手順を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図２】本発明の露光量算出方法を実施するシステムの
一例を示す構成図である。
一例を示す構成図である。
【図３】露光特性曲線を示すグラフである。
【図４】本発明を用いた場合のレジスト寸法偏差を示す
グラフである。
グラフである。
【図５】従来の方法を用いた場合のレジスト寸法偏差を
示すグラフである。
示すグラフである。
ＬT 目標とするレジスト寸法 Ｅn+1 新たな露光量 Ｅn 過去の露光量 Ｌn 過去の露光によるレジスト寸法 Ｓm 各マスクのパターン寸法の偏差 ＬＲn 補正レジスト寸法 ＫE 露光量補正係数 ＫM マスク寸法補正係数
Claims (1)
- 【請求項１】 ホトリソグラフィーにおいて、レジスト
に目標寸法のパターンを形成するための新たな露光量を
算出する方法であって、 過去の露光で照射した露光量と、前記過去の露光でレジ
ストに形成されたパターンの寸法をその露光に用いたマ
スクのパターン寸法の偏差で補正した値と、露光特性曲
線に基づく第一の係数と、で規定される直線の方程式に
対して、新たな露光で形成するパターンの目標寸法を代
入することによって第一の露光量を算出する第一の工程
と、 露光特性曲線に基づく第二の係数と、新たな露光に使用
するマスクのパターン寸法の偏差とを用いて補正露光量
を算出する第二の工程と、 前記第一の露光量を前記補正露光量で補正する第三の工
程とからなることを特徴とするホトリソグラフィーの露
光量算出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35825792A JP3152776B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ホトリソグラフィーの露光量算出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35825792A JP3152776B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ホトリソグラフィーの露光量算出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196378A true JPH06196378A (ja) | 1994-07-15 |
| JP3152776B2 JP3152776B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=18458355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35825792A Expired - Fee Related JP3152776B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ホトリソグラフィーの露光量算出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3152776B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001166497A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-06-22 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
| US7118834B2 (en) | 2003-04-04 | 2006-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure method, exposure quantity calculating system using the exposure method and semiconductor device manufacturing method using the exposure method |
| JP2010232458A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 露光量制御方法及び露光装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101740652B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 이종구 | 휴대용 본질 안전 방폭 라이트 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP35825792A patent/JP3152776B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001166497A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-06-22 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
| JP4649717B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2011-03-16 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
| US7118834B2 (en) | 2003-04-04 | 2006-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure method, exposure quantity calculating system using the exposure method and semiconductor device manufacturing method using the exposure method |
| US7575835B2 (en) | 2003-04-04 | 2009-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure method, exposure quantity calculating system using the exposure method and semiconductor device manufacturing method using the exposure method |
| JP2010232458A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 露光量制御方法及び露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3152776B2 (ja) | 2001-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3409493B2 (ja) | マスクパターンの補正方法および補正装置 | |
| US10739688B2 (en) | Method and apparatus for fabricating wafer by calculating process correction parameters | |
| JPH07220995A (ja) | 光強度分布シミュレーション方法 | |
| EP2620976B1 (en) | Overlay model for aligning and exposing semiconductor wafers | |
| US6906780B1 (en) | Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field lens distortion | |
| JP2910716B2 (ja) | 光強度計算のパラメトリック解析方法 | |
| CN110036347B (zh) | 改变蚀刻参数的方法 | |
| JP6664007B2 (ja) | レコードを整合させる方法、保守のスケジュールを作成する方法、および装置 | |
| TW201921133A (zh) | 調適前饋參數之方法 | |
| JP2000133579A5 (ja) | ||
| Vanoppen et al. | Lithographic scanner stability improvements through advanced metrology and control | |
| JP3152776B2 (ja) | ホトリソグラフィーの露光量算出方法 | |
| JP2011066323A (ja) | 露光処理の補正方法 | |
| KR20010058692A (ko) | 반도체 웨이퍼의 오버레이 파라미터 보정 방법 | |
| JP3952986B2 (ja) | 露光方法及びそれを用いた露光量算出システム | |
| JPS63308317A (ja) | 荷電ビ−ム露光装置 | |
| JP2806307B2 (ja) | レンズディストーションの測定用レチクル及びその測定方法 | |
| Cain et al. | Optimum sampling for characterization of systematic variation in photolithography | |
| EP4036646A1 (en) | Metrology methods and appratuses | |
| EP4060409A1 (en) | Novel interface definition for lithographic apparatus | |
| EP4250009A1 (en) | Setup and control methods for a lithographic process and associated apparatuses | |
| JPH04177717A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置および露光方法 | |
| US6873399B2 (en) | Exposure system and method | |
| KR20230147100A (ko) | 리소그래피 장치에 대한 신규 인터페이스 규정 | |
| JP2000306812A (ja) | アライメント方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |