TW201921133A - 調適前饋參數之方法 - Google Patents

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Abstract

本文揭示一種用於校正用於圖案化基板之一程序中的一或多個前饋參數之值之方法，該方法包含：獲得一經圖案化基板之經量測疊對及/或對準誤差資料；取決於該經量測疊對及/或對準誤差資料計算對該一或多個前饋參數之一或多個校正值。

Description

調適前饋參數之方法
本發明係關於使用微影裝置之器件製造，且尤其係關於改良用於器件製造方法中之前饋參數之準確度。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
在微影程序中，即使當進行基板之曝光時普遍存在的微影裝置中之條件之最小變化亦可對所得器件圖案有不良影響。吾人已知，儘管微影裝置裝備有經組態以試圖保持條件恆定之系統，但微影裝置中之一些條件亦可隨著時間推移而改變，既在單個基板之曝光過程中又在自基板至基板的曝光過程中改變。因此，吾人已知使用前饋控制系統及回饋控制系統兩者來補償微影裝置中之條件改變。然而，鑒於在半導體行業中繼續需要減小可形成於器件中之特徵之大小(收縮)，需要量測及補償微影裝置中之時變條件方面的改良。
根據本發明之一第一態樣，提供一種用於校正用於圖案化基板之一程序中的一或多個前饋參數之值之方法，該方法包含：獲得一經圖案化基板之經量測疊對及/或對準誤差資料；取決於該經量測疊對及/或對準誤差資料計算對該一或多個前饋參數之一或多個校正值。
較佳地，該疊對及/或對準誤差資料係藉由一混合取樣方案量測。
較佳地，在一基板批次之處理期間調適該一或多個前饋參數。
較佳地，該等前饋參數為用於一任尼克(Zernike)漂移之校準值。
較佳地，該一或多個前饋參數為可藉由一校準程序量測的校準參數。
根據本發明之一第二態樣，提供一種器件製造方法，其包含：使用一微影裝置對一或多個基板執行複數次曝光；及根據該第一態樣之該方法調適用以控制該微影裝置之一或多個部件之該等前饋參數。
根據本發明之一第三態樣，提供一種電腦程式，該電腦程式在由一運算系統執行時致使該運算系統執行該第一態樣之該方法。
根據本發明之一第四態樣，提供一種電腦可讀媒體，其攜載在由一運算系統執行時致使該運算系統執行該第一態樣之該方法的指令。
根據本發明之一第五態樣，提供一種微影裝置，其經組態以實施該第一態樣之該方法。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
圖1說明半導體生產設施之典型佈局。微影裝置100將所要圖案施加至基板上。微影裝置係用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，被替代地稱作光罩或倍縮光罩之圖案化器件MA包含待形成於IC之個別層上之特徵(常常被稱作「產品特徵」)的電路圖案。經由圖案化器件之曝光104至提供於基板「W」(例如矽晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而將此圖案轉印至基板上之目標部分(例如包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
已知微影裝置藉由照明圖案化器件，同時同步地將基板之目標部分定位於圖案化器件之影像位置處而輻照每一目標部分。基板之經輻照目標部分被稱作「曝光場」或僅被稱作「場」。基板上之場之佈局通常為根據笛卡爾(Cartesian)二維座標系統對準(例如，沿著X軸及Y軸對準，兩條軸線彼此正交)之鄰近矩形之網路。
對微影裝置之要求為所要圖案至基板上之準確再現。所施加之產品特徵之位置及尺寸需要在某些容許度內。位置誤差可歸因於疊對誤差(常常被稱作「疊對」)而出現。疊對為相對於第二層內之第二產品特徵而置放第一層內之第一產品特徵時的誤差。微影裝置藉由在圖案化之前將每一晶圓與參考件準確地對準而最小化疊對誤差。藉由量測施加至基板之對準標記之位置而進行此操作。基於對準量測，在圖案化程序期間控制基板位置以便防止疊對誤差出現。
產品特徵之臨界尺寸(CD)之誤差可在與曝光104相關聯之施加劑量並不在規格內時出現。出於此原因，微影裝置100必須能夠準確地控制施加至基板之輻射之劑量。CD誤差亦可在基板並未相對於與圖案影像相關聯之焦平面正確地定位時出現。焦點位置誤差通常與基板表面之非平面度相關聯。微影裝置藉由在圖案化之前使用位階感測器量測基板表面構形而最小化此等焦點位置誤差。在後續圖案化期間應用基板高度校正以確保圖案化器件至基板上之正確成像(聚焦)。
為了驗證與微影程序相關聯的疊對及CD誤差，藉由度量衡裝置140檢測經圖案化基板。度量衡裝置之常見實例為散射計。散射計習知地量測專用度量衡目標之特性。此等度量衡目標表示產品特徵，惟其尺寸通常較大以便允許準確量測除外。散射計藉由偵測與疊對度量衡目標相關聯的繞射圖案之不對稱性而量測疊對。藉由對與CD度量衡目標相關聯之繞射圖案之分析而量測臨界尺寸。度量衡工具之另一實例係基於電子束(e-beam)之檢測工具，諸如掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)。
在半導體生產設施內，微影裝置100及度量衡裝置140形成「微影製造單元」或「微影叢集」之部分。微影叢集亦包含用於將感光抗蝕劑施加至基板W之塗佈裝置108、烘烤裝置110、用於將曝光圖案顯影成實體抗蝕劑圖案之顯影裝置112、蝕刻站122、執行蝕刻後退火步驟之裝置124以及可能另外的處理裝置126等。度量衡裝置經組態以在顯影(112)之後或在進一步處理(例如，蝕刻)之後檢測基板。微影製造單元內之各種裝置受到監督控制系統SCS控制，該監督控制系統發佈控制信號166 (其由自圖1中之SCS出來之箭頭展示)以經由微影裝置控制單元LACU 106來控制微影裝置從而執行配方R。該SCS允許操作不同裝置，從而得到最大產出率及產品良率。重要的控制機制為度量衡裝置140對各種裝置(經由SCS)、尤其對微影裝置100之回饋146。基於度量衡回饋之特性，判定校正性動作以改良後續基板之處理品質。
習知地藉由諸如描述於例如US2012008127A1中之進階程序控制(advanced process control，APC)之方法而控制及校正微影裝置之執行。進階程序控制技術使用施加至基板之度量衡目標之量測。製造執行系統(MES)排程APC量測且將量測結果傳達至資料處理單元。資料處理單元將量測資料之特性轉譯為包含用於微影裝置之指令之配方。此方法對於抑制與微影裝置相關聯之漂移現象極有效。
藉由處理裝置執行之度量衡資料至校正性動作之處理對於半導體製造至關重要。除度量衡資料之外，亦可需要個別圖案化器件、基板、處理裝置之特性及其他內容脈絡資料以進一步使製造程序最佳化。其中可用度量衡及內容脈絡資料整體上用以使微影程序最佳化之構架通常被稱作整體微影之部分。舉例而言，與倍縮光罩上之CD誤差相關之內容脈絡資料可用以控制各種裝置(微影裝置、蝕刻站)使得該等CD誤差將不會影響製造程序之良率。後續度量衡資料可接著用以驗證控制策略之有效性且可判定另外校正性動作。
微影程序對在曝光時普遍存在的條件高度敏感。因此，微影裝置具有控制系統，常常包括前饋及回饋控制迴路兩者，以維持均一條件及/或提供補償效應。儘管如此，例如疊對及焦點之一些程序參數仍可展現依據基板(晶圓)及目標部分(場)曝光序列之變化。此等變化中之一些很可能起因於掃描器中之熱效應，例如所謂的「透鏡加熱」，其導自來自投影系統之元件中之投影光束之能量的吸收。隨著持續需要在微影行業中形成較小特徵(收縮)，在現有控制及補償系統之後的殘餘效應變得愈來愈嚴重。
基於校準/設置及使用有限數目個參數(例如經施加劑量)之前饋模型的現有前饋解決方案具有有限準確度。殘餘偏移繼續存在。儘管此等偏移係小的，但其係系統性的且線性加至效能數目。殘餘效應顯現為程序參數之貫通批次(或批量)漂移。圖2描繪此漂移參數之典型實例。
如自圖2可看到，預期對程序參數p 之(熱)效應依據時間而變化。可定義描述依據時間「t」而變化的程序參數p 之變化之模型。在許多狀況下，程序參數p 展現如下形式之指數衰減：(1)
可憑經驗或理論上判定係數µ及τ。可包括於模型中之其他已知參數包括經施加曝光劑量、倍縮光罩透射率及影響裝置中之功率流的任何其他因素。應注意，可藉由與指數衰減不同的其他函數來描述程序參數之時間變化。程序參數之時間變化可隨著時間增大而不減小。程序參數之時間變化無需為單調的且可為循環的。
APC程序在回饋迴路中應用校正。APC校正為每一批次內之每個基板(亦即晶圓)之場的k參數集合。k參數參數化橫越每一基板之場之成像的失真。舉例而言，每個k參數可描述某一影像失真分量，比如以下各者中之一或多者：按比例調整誤差、桶形失真、枕形失真等。k參數亦可用作至微影系統(掃描器)之輸入以校正失真。因此： Wafer_1 (field_1: k1至kn, field_2: k1至kn,等)、Wafer_2 (field_1: k1至kn, field_2: k1至kn等)，等。
每一k參數係由回饋迴路傳回至掃描器且用以校正掃描器之相關聯部分(例如透鏡、晶圓載物台、倍縮光罩載物台)之參數。在已知系統中，針對一批次內之所有基板施用APC校正之相同集合。亦即，一批次內之所有基板之間的所應用校正相同： [wafer_1(field_1) = wafer_2(field_1)]、[wafer_1(field_2) = wafer_2(field_2)]，等。
因此，APC程序可僅校正一批次內之晶圓之平均疊對誤差，且並不涵蓋批次內疊對誤差。然而，批次內之參數漂移發生且造成疊對誤差。掃描器之每一部分歸因於在照明程序期間加熱以及在照明未發生時冷卻而漂移。針對掃描器之每一部分(例如透鏡、倍縮光罩、晶圓)使用單獨前饋校正以抵消系統之彼特定部分的加熱/冷卻效應。需要改良已知前饋技術從而改良參數改變之補償。詳言之，根據已知技術，掃描器前饋校正，諸如倍縮光罩加熱校正(RHC)、透鏡加熱前饋(LHFF)及晶圓加熱前饋(WHFF)係基於直接量測效應之耗時的校準，或基於並不如校準準確的計算方法。
對於透鏡及倍縮光罩，前饋校正係基於前饋參數µ及τ。倍縮光罩加熱造成倍縮光罩屬性之改變。此影響光路徑且造成疊對誤差。計算取決於倍縮光罩溫度之機械變形，且將機械變形分解成k參數。每一熱機械模式(亦即本徵向量)可使用µ (模態參與因子)及τ (時間常數)在時間上模型化。因此，可模型化倍縮光罩之機械變形之演進。透鏡加熱造成透鏡屬性改變及透鏡之前側空中影像之像差。像差可分解成任尼克(Zernike)。對於每一任尼克，量測且擬合加熱/冷卻行為如下。因此，µ及τ參數為用於每一任尼克漂移之校準常數： 任尼克：
為了晶圓加熱，亦即基板加熱，基於曝光劑量、基板中之場部位等使用有限元素方法(Finite Element Method，FEM)計算來模擬一組校正。FEM模型化使能夠在基板之曝光期間及時預測基板變形。此經預測變形剖面係基板場特定的，但針對所有基板係相同的。基於此經預測變形，根據已知技術在每一場及每一基板之曝光期間應用場特定前饋校正。前饋參數為每具有相同設定之所有基板之場所定義之k參數。
對於所有已知校準程序，前饋參數，諸如針對倍縮光罩及透鏡加熱之µ及τ及針對基板加熱之k參數為在生產程序期間不改變的靜態參數。前饋參數可被認為靜態的，此係由於可僅約每兩個月執行耗時的校準程序一次，且因此校準參數極不頻繁地改變。
在根據已知技術之程序期間，基於靜態前饋參數計算所應用之前饋校正。然而，由於前饋參數係靜態的，故其相對於系統組件之實際校準狀態係過時的且導致前饋校正不準確。使用不準確的(亦即不正確)前饋校正參數會增大疊對誤差。
本發明之實施例藉由調適前饋參數使得其更頻繁地被更新且在生產程序期間不再靜態從而對已知技術進行改良。
實施例藉由計算對前饋參數之校正且將此等校正應用於回饋程序中來更新前饋參數。此輔助藉由APC程序進行之疊對誤差校正。APC程序受到輔助，此係由於藉由更新前饋參數以在給出實際校準狀態的情況下提供較準確校正，疊對誤差之絕對量得以減小且較小校正為該APC程序所需。另外，實施例允許將批次內校正應用至基板。
在生產程序期間量測疊對誤差。實施例使用經量測疊對誤差以計算對前饋參數之校正。藉由回饋迴路將校正應用至前饋參數。因此前饋參數取決於疊對誤差予以控制。
在生產程序期間執行對準量測。實施例使用經量測對準誤差以計算對前饋參數之校正。藉由回饋迴路將校正應用至前饋參數。因此前饋參數取決於對準誤差予以控制。
圖3B示範預期實施例達成的倍縮光罩加熱之改良之補償。然而，實施例包括藉由系統之在已知系統中運用靜態校準參數而校準的任何其他部分之前饋參數校正來改良補償，諸如透鏡加熱之補償。
圖3A展示在已知系統中之操作。在圖3A中，301為靜態參數之儲存器，302為倍縮光罩加熱資料庫，303為倍縮光罩溫度感測器掃描器，304為熱機械預測模型，305為如由散射量測工具提供之經量測疊對誤差資料或如通常由微影裝置或獨立工具量測(藉由在基板經曝光至圖案化程序之前量測對準標記之位置)之經量測對準誤差資料，且306為APC中之經模型化疊對參數。如圖3A中所展示，倍縮光罩加熱資料庫含有在校準程序期間判定的歷時兩個月尚未執行且在生產程序期間未經更新的經校準靜態參數。
圖3B展示在一實施例中如何改良操作。獲得經量測疊對誤差或對準誤差資料且隨後使用該經量測疊對誤差或對準誤差資料以計算對前饋參數之校正。可將校正應用於回饋迴路中。存在至包含可調適參數之資料庫307之反饋路徑。308為倍縮光罩加熱資料庫，其中之參數取決於回饋而改變。
藉由量測取樣獲得經量測疊對誤差或對準誤差。為了判定疊對誤差或對準誤差，許多不同的取樣技術係可能的。圖4展示密集取樣、固定稀疏取樣及混合取樣。密集取樣之優點為，可頻繁地計算疊對誤差或對準誤差。然而，量測程序係慢的。固定稀疏取樣需要比密集取樣較少的量測時間，但並不提供來自基板上與密集取樣相同的部位範圍之量測。混合取樣具有與固定稀疏取樣相同的量測時間，且藉由堆疊量測，允許獲得來自與密集取樣相同的部位範圍之量測資料。混合取樣亦可被稱作分散式取樣。
在HVM中，歸因於所需要之長量測時間而通常不使用密集取樣，且常常使用固定稀疏取樣。然而，愈來愈多地使用混合取樣佈局，其中稀疏佈局在不同基板之間不同。藉由堆疊量測，獲得其中遍及一或多個批次量測每一點的密集取樣佈局。藉由密集取樣或混合取樣，有可能計算對前饋參數之校正值。
因此，藉由在生產程序期間量測取樣來獲得疊對誤差或對準誤差。疊對誤差或對準誤差接著用以計算對前饋參數之校正值。
描述疊對誤差或對準誤差之疊對或對準資料表示失真指紋。可如何使用疊對或對準資料以判定對前饋參數之調整的實例係針對對當前應用之前饋校正待解校正的疊對或對準資料。可判定表示歸因於所應用前饋校正之不準確度之誤差的殘餘值。殘餘值可用以判定對k參數之調整。前饋參數可接著經調整，因此，所應用前饋校正減小殘餘值。
對於倍縮光罩加熱，使用經量測疊對或對準以模型化相關k參數漂移。經模型化值係用以計算對µ及τ參數之調整。
對於透鏡加熱，使用經量測疊對誤差或對準誤差以使用以下方程式來計算任尼克： 疊對/對準誤差=敏感度×任尼克
針對每一疊對/對準量測結構之敏感度係恆定的，且可量測及/或計算敏感度。自所計算之任尼克，可計算對µ及τ參數之校正值。
對於基板加熱，可比較疊對/對準誤差與基於FEM之熱機械模型模擬，且可基於該比較計算對前饋參數(k參數)之校正。在此狀況下對前饋參數之校正涉及將經預測失真指紋以因數「λ」(按比例調整參數)按比例調整。因此，在此狀況下並不調適時間演進參數，而是調適基板之經預測加熱誘發之失真，從而得到基板加熱效應之較好前饋校正。
除了上述內容以外，實施例亦包括控制已知系統中之許多不同的基本上靜態值前饋機器常數中的任一者。實施例使用回饋以改變該等機器常數從而改良其準確度。
實施例之優點包括： - 歸因於例如透鏡及倍縮光罩加熱之疊對誤差減小，且無需重新校準系統以獲得靜態校準參數； - 藉由APC程序應用之校正之頻率及準確度增大；及 - 計算前饋校正更可用，此係因為其在若干基板批次或基板批次之子集內自動微調。
實施例在半導體器件之大容量製造HVM中特別有利。
為了減小誤差可將本發明之實施例應用至之程序參數之實例包括：邊緣置放誤差(EPE)、疊對、CD、CDU、側壁角、線邊緣粗糙度及焦點。適用於量測此等參數之標記物及量測技術在此項技術中係熟知的。
圖5為展示根據實施例之程序的流程圖。在步驟501中，程序開始。在步驟503中，取決於一或多個前饋參數對基板執行程序。在步驟505中，量測經處理基板之屬性。在步驟507中，取決於經量測屬性計算對一或多個前饋參數之一或多個校正值。在步驟509中，取決於該一或多個校正值調適前饋參數。在步驟511中，程序結束。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。
在上述實施例中，自經量測資料計算校正值且回饋該等校正值以改變前饋參數之值。校正值可為待使用之前饋參數之新值中的任一者，作為絕對或相對量的前饋參數之所需改變，或可從中計算此等校正值中之任一者的資料。
一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列之電腦程式，該等機器可讀指令經組態以指示如圖1中所描繪之各種裝置執行量測及最佳化步驟且控制如上文所描述之後續曝光程序。舉例而言，可在圖1之控制單元LACU或監督控制系統SCS或兩者之組合內執行此電腦程式。亦可提供其中儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟)。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
下文之經編號實施例清單中揭示本發明之另外實施例： 1. 一種調適用於一圖案化程序中之一或多個前饋參數之方法，該方法包含： 使用一或多個前饋參數對一基板執行一圖案化程序，該一或多個前饋參數經組態以減小由倍縮光罩加熱、透鏡加熱及基板加熱中之一或多者造成的失真效應； 量測該經處理基板之疊對及/或對準誤差資料； 取決於該經量測疊對及/或對準誤差資料計算對該一或多個前饋參數之一或多個校正值；及 取決於該一或多個校正值調適該等前饋參數。 2. 如實施例1之方法，其中使用一混合取樣方案來量測該疊對及/或對準誤差資料。 3. 如實施例1或2之方法，其中在一基板批次之處理期間調適該一或多個前饋參數。 4. 如任一前述實施例之方法，其中該等前饋參數為經組態以定義一任尼克漂移模型之時間常數。 5. 如實施例1至3中任一項之方法，其中該等前饋參數為經組態以定義一倍縮光罩加熱模型之時間常數。 6. 如實施例1至3中任一項之方法，其中該等前饋參數為歸因於基板加熱之該基板之場特定加熱誘發之失真。 7. 如實施例4或5之方法，其中該一或多個校正值之一校正值為一經更新時間常數。 8. 如實施例6之方法，其中該一或多個校正值之一校正值為經組態以按比例調整該等場特定加熱誘發之失真的一按比例調整參數。 9. 如任一前述實施例之方法，其中該一或多個前饋參數為可藉由一校準程序量測的校準參數。 10. 一種器件製造方法，其包含： 使用一微影裝置對一或多個基板執行複數次曝光；及 根據任一前述實施例之方法調適用以控制該微影裝置之一或多個部件之該等前饋參數。 11. 一種電腦程式，其在由一運算系統執行時致使該運算系統執行如任一前述實施例之方法。 12. 一種電腦可讀媒體，其攜載在由一運算系統執行時致使該運算系統執行如實施例1至10中任一項之方法的指令。 13. 一種微影裝置，其經組態以實施如實施例1至10中任一項之方法。 14. 一種用於校正用於圖案化基板之一程序中的一或多個前饋參數之值之方法，該方法包含： 獲得一經圖案化基板之經量測疊對及/或對準誤差資料； 取決於該經量測疊對及/或對準誤差資料計算對該一或多個前饋參數之一或多個校正值。 15. 如實施例14之方法，其中該等前饋參數經組態以減小由倍縮光罩加熱、透鏡加熱及基板加熱中之一或多者造成的失真效應。 16. 如實施例15之方法，其進一步包含取決於該一或多個校正值調適該等前饋參數之一步驟。 17. 如實施例14之方法，其中使用一混合取樣方案來量測該疊對及/或對準誤差資料。 18. 如實施例17之方法，其中在一基板批次之處理期間調適該一或多個前饋參數。 19. 如實施例14至18中任一項之方法，其中該等前饋參數為經組態以定義一任尼克漂移模型之時間常數。 20. 如實施例14至18中任一項之方法，其中該等前饋參數為經組態以定義一倍縮光罩加熱模型之時間常數。 21. 如實施例14至18中任一項之方法，其中該等前饋參數為歸因於基板加熱之該基板之場特定加熱誘發之失真。 22. 如實施例14至20中任一項之方法，其中一校正值為一經更新時間常數。 23. 如實施例21之方法，其中一校正值為經組態以按比例調整該等場特定加熱誘發之失真的一按比例調整參數。 24. 如實施例14至23中任一項之方法，其中該一或多個前饋參數為可藉由一校準程序量測的校準參數。 25. 一種器件製造方法，其包含： 使用一微影裝置對一或多個基板執行複數次曝光；及 根據如實施例14至24中任一項之方法調適用以控制該微影裝置之一或多個部件之該等前饋參數。 26. 一種電腦程式，其在由一運算系統執行時致使該運算系統執行如實施例14至25中任一項之方法。 27. 一種電腦可讀媒體，其攜載在由一運算系統執行時致使該運算系統執行如實施例14至25中任一項之方法的指令。 28. 一種微影裝置，其經組態以實施如實施例14至25中任一項之方法。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如具有為或約為365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在1奈米至100奈米之範圍內之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。可使用合適源在UV及EUV波長內進行散射計及其他檢測裝置之實施，且本發明決不限於使用IR及可見光輻射之系統。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。反射組件很可能用於在UV及/或EUV範圍內操作之裝置中。
本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
100‧‧‧微影裝置
104‧‧‧曝光
106‧‧‧微影裝置控制單元LACU
108‧‧‧塗佈裝置
110‧‧‧烘烤裝置
112‧‧‧顯影裝置
122‧‧‧蝕刻站
124‧‧‧裝置
126‧‧‧處理裝置
140‧‧‧度量衡裝置
146‧‧‧回饋
166‧‧‧控制信號
301‧‧‧靜態參數之儲存器
302‧‧‧倍縮光罩加熱資料庫
303‧‧‧倍縮光罩溫度感測器掃描器
304‧‧‧熱機械預測模型
305‧‧‧經量測疊對誤差資料或經量測對準誤差資料
306‧‧‧進階程序控制(APC)中之經模型化疊對參數
307‧‧‧資料庫
308‧‧‧倍縮光罩加熱資料庫
501‧‧‧步驟
503‧‧‧步驟
505‧‧‧步驟
507‧‧‧步驟
509‧‧‧步驟
511‧‧‧步驟
MA‧‧‧圖案化器件
R‧‧‧配方
SCS‧‧‧監督控制系統
W‧‧‧基板
現在將參看隨附圖式作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中： 圖1描繪微影裝置連同形成用於半導體器件之生產設施的其他裝置； 圖2描繪時變程序參數及其量測； 圖3 (包含圖3(a)及圖3(b))展示回饋用以調適前饋參數之實施例； 圖4展示不同量測取樣技術；及 圖5為根據一實施例之程序的流程圖。

Claims (15)

  1. 一種用於校正用於圖案化基板之一程序中的一或多個前饋參數之值之方法，該方法包含： 獲得一經圖案化基板之經量測疊對及/或對準誤差資料； 取決於該經量測疊對及/或對準誤差資料計算對該一或多個前饋參數之一或多個校正值。
  2. 如請求項1之方法，其中該等前饋參數經組態以減小由倍縮光罩加熱、透鏡加熱及基板加熱中之一或多者造成的失真效應。
  3. 如請求項2之方法，其進一步包含取決於該一或多個校正值調適該等前饋參數之一步驟。
  4. 如請求項1之方法，其中使用一混合取樣方案來量測該疊對及/或對準誤差資料。
  5. 如請求項3之方法，其中在一基板批次之處理期間調適該一或多個前饋參數。
  6. 如請求項2之方法，其中該等前饋參數為經組態以定義一任尼克漂移模型之時間常數。
  7. 如請求項2之方法，其中該等前饋參數為經組態以定義一倍縮光罩加熱模型之時間常數。
  8. 如請求項2之方法，其中該等前饋參數為歸因於基板加熱之該基板之場特定加熱誘發之失真。
  9. 如請求項6或7之方法，其中一校正值為一經更新時間常數。
  10. 如請求項8之方法，其中一校正值為經組態以按比例調整該等場特定加熱誘發之失真的一按比例調整參數。
  11. 如請求項1之方法，其中該一或多個前饋參數為可藉由一校準程序量測的校準參數。
  12. 一種器件製造方法，其包含： 使用一微影裝置對一或多個基板執行複數次曝光；及 根據如請求項3之方法調適用以控制該微影裝置之一或多個部件之該等前饋參數。
  13. 一種電腦程式，其在由一運算系統執行時致使該運算系統執行如請求項1之方法。
  14. 一種電腦可讀媒體，其攜載在由一運算系統執行時致使該運算系統執行如請求項1之方法的指令。
  15. 一種微影裝置，其經組態以實施如請求項3之方法。
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