CN111033387B - 调适前馈参数的方法 - Google Patents

Abstract

本发明披露了一种用于校正在图案化衬底的过程中使用的一个或更多个前馈参数的值的方法，所述方法包括：获得形成图案后的衬底的被测量的重叠和/或对准误差数据；依赖于所述被测量的重叠和/或对准误差数据来计算用于所述一个或更多个前馈参数的一个或更多个校正值。

Description

调适前馈参数的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年8月14日提交的欧洲申请17186129.7的优先权，并且所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本申请中。

技术领域

本发明涉及使用光刻设备的器件制造，并且特别地涉及改进用于器件制造方法中的前馈参数的准确度。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地被称作掩模或掩模版)可以用以产生待形成在IC的单层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至设置在所述衬底上的辐射敏感材料 (抗蚀剂)层上来进行所述图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。

在光刻过程中，即使在对衬底进行曝光时光刻设备中的占主导地位的工况或条件的最小变化也可能对得到的器件图案有不良影响。已知的是，尽管光刻设备装置配备有被配置成试图保持所述工况或条件恒定的系统，但光刻设备中的一些工况或条件也可以随着时间推移而发生改变，不仅在单个衬底的曝光期间而且在从衬底到衬底(即在不同衬底之间)的曝光期间发生改变。因此，已知使用前馈控制系统和反馈控制系统两者来补偿光刻设备中的工况或条件的改变。然而，鉴于在半导体工业中持续期望减小可在器件中形成的特征的大小(即，使得可在器件中形成的特征收缩)，期望测量和补偿光刻设备中的时变条件方面的改进。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种用于校正用于图案化衬底的过程中的一个或更多个前馈参数的值的方法，所述方法包括：获得形成图案后的衬底的所测量的重叠和/或对准误差数据；依赖于所述被测量的重叠和/或对准误差数据来计算对所述一个或更多个前馈参数的一个或更多个校正值。

优选地，所述重叠和/或对准误差数据是通过混合取样方案来测量的。

优选地，在衬底批次的处理期间调适所述一个或更多个前馈参数。

优选地，所述前馈参数为用于泽尼克(Zernike)漂移的校准值。

优选地，所述一个或更多个前馈参数是能够通过校准过程测量的校准参数。

根据本发明的第二方面，提供一种器件制造方法，所述器件制造方法包括：使用光刻设备对一个或更多个衬底执行多次曝光；和根据所述第一方面的方法调适用以控制所述光刻设备的一个或更多个部件的所述前馈参数。

根据本发明的第三方面，提供一种计算机程序，所述计算机程序在由计算系统执行时使所述计算系统执行所述第一方面的方法。

根据本发明的第四方面，提供一种计算机可读介质，所述计算机可读介质携载有在由计算系统执行时使所述计算系统执行所述第一方面的方法的指令。

根据本发明的第五方面，提供一种光刻设备，所述光刻设备被配置成实施所述第一方面的方法。

附图说明

现在将参考附图通过示例的方式描述本发明的实施例，在附图中：

图1描绘光刻设备连同形成用于半导体器件的生产设施的其它设备；

图2描绘时变过程参数及其测量；

图 3A 、 图 3B 示出反馈用以调适前馈参数的实施例；

图4示出不同的测量取样技术；并且

图5为根据实施例的过程的流程图。

具体实施方式

在详细地描述本发明的实施例之前，呈现可以实施本发明的实施例的示例环境是有指导性意义的。

图1图示出半导体生产设施的典型布局。光刻设备100将期望的图案施加至衬底上。光刻设备用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，被替代地称作掩模或掩模版的图案形成装置MA包括待形成在IC的单层上的特征(常常被称作“产品特征”)的电路图案。通过将图案形成装置曝光104至设置在所述衬底上的辐射敏感材料 (抗蚀剂)层上来将此图案转印至衬底“W”(例如，硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个管芯或若干管芯)上。通常，单个衬底将包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。

已知光刻设备通过在照射所述图案形成装置的同时将所述衬底的目标部分同步地定位在所述图案形成装置的图像位置处来照射每个目标部分。所述衬底的被照射的目标部分被称作“曝光场”或仅被称作“场”。所述衬底上的场的布局典型地是根据笛卡尔二维坐标系来对准(例如，沿彼此正交的X轴和Y轴这两条轴线来对准)的相邻矩形的网络。

对所述光刻设备的要求是所期望的图案准确地再现于所述衬底上。所施加的产品特征的位置和尺寸需要在某些公差内。位置误差可由于重叠误差(常常被称作“重叠”)而出现。所述重叠是相对于第二层内的第二产品特征在第一层内放置第一产品特征的过程中的误差。所述光刻设备通过在形成图案之前将每个晶片与参照物准确地对准来最小化重叠误差。通过测量施加至所述衬底的对准标记的位置来进行这种操作。基于对准测量，在形成图案过程期间控制衬底位置以便防止重叠误差出现。

在与所述曝光104相关联的施加剂量并不在规格内时可能出现所述产品特征的临界尺寸(CD)的误差。出于这种原因，所述光刻设备100必须能够准确地控制施加至所述衬底的辐射的剂量。在所述衬底并没有相对于与图案图像相关联的焦平面正确地定位时也可能出现CD误差。聚焦位置误差通常与衬底表面的非平面度相关联。所述光刻设备通过在形成图案之前使用水平传感器测量衬底表面形貌来最小化这些聚焦位置误差。在后续形成图案期间应用衬底高度校正以确保所述图案形成装置正确成像(聚焦)至所述衬底上。

为了验证与光刻过程相关联的重叠和CD误差，通过量测设备 140来检查形成图案后的衬底。量测设备的常见示例为散射仪。散射仪常规地测量专用量测目标的特性。这些量测目标表示所述产品特征，除了它们的尺寸典型地较大以便允许准确测量之外。所述散射仪通过检测与重叠量测目标相关联的衍射图案的不对称性来测量所述重叠。通过对与CD量测目标相关联的衍射图案进行分析来测量临界尺寸。量测工具的另一示例是基于电子束(e-beam)的检查工具，诸如扫描电子显微镜(SEM)。

在半导体生产设施内，光刻设备100和量测设备140形成“光刻元”或“光刻簇”的一部分。光刻簇也包括用于将感光抗蚀剂涂布至衬底W的涂覆设备108、焙烤设备110、用于将经曝光图案显影成实体抗蚀剂图案的显影设备112、蚀刻站122、执行蚀刻后退火步骤的设备124、以及可能另外的处理设备126等。所述量测设备被配置成在显影(112)之后或在另外的处理(例如，蚀刻)之后检查衬底。所述光刻元内的各种设备受管理控制系统SCS控制，所述管理控制系统发出控制信号166(其由从图1中的SCS出来的箭头示出)以经由光刻设备控制单元LACU 106来控制所述光刻设备从而执行选配方案R。所述SCS允许操作不同的设备，从而得到最大生产量和产品良率。重要的控制机制是所述量测设备140对各种设备(经由SCS) 特别是对光刻设备100的反馈146。基于量测反馈的特性，确定了校正性动作以改进后续衬底的处理品质。

通过诸如在例如US2012008127A1中所描述的先进过程控制 (APC)之类的方法来常规地控制和校正光刻设备的执行。所述先进过程控制技术使用施加至所述衬底的对于量测目标的测量。制造执行系统(MES)安排APC测量并且将测量结果通信至数据处理单元。所述数据处理单元将测量数据的特性转变为包括用于光刻设备的指令的选配方案。这种方法对于抑制与所述光刻设备相关联的漂移现象非常有效。

由所述处理设备执行的量测数据至校正性动作的处理对半导体制造来说是重要的。除量测数据之外，也可能需要单独的图案形成装置、衬底、处理设备的特性和其它内容数据来进一步优化制造过程。其中可用的量测和内容数据作为整体被用以对所述光刻过程进行优化的构架通常被称作整体光刻的一部分。例如，与掩模版上的CD误差相关的内容数据可以用以控制各种设备(光刻设备、蚀刻站)使得所述CD误差将不会影响制造过程的良率。后续量测数据可接着用以验证控制策略的有效性且可确定另外的校正性动作。

光刻过程对在曝光时在光刻设备中占主导地位的的条件是高度敏感的。因此，光刻设备具有控制系统，常常包括前馈控制回路和反馈控制回路两者，以维持均一条件和/或提供补偿效应。尽管如此，一些过程参数(例如重叠和聚焦)仍可展现作为衬底(晶片)和目标部分(场)曝光序列的函数的变化。这些变化中的一些变化很可能起因于扫描仪中的热效应，例如所谓的“透镜加热”，其起源于来自投影系统的元件中的投影束的能量的吸收。随着持续期望在光刻行业中形成较小特征(收缩)，在现有控制和补偿系统之后的残余效应变得越来越严重。

基于校准/设置和使用有限数目个参数(例如施加剂量)的前馈模型的现有的前馈解决方案具有有限的准确度。残余偏移维持存在。尽管这些偏移较小，但它们是系统性的且线性地添加至性能数目。残余效应表现为过程参数的贯穿批次(或批量)始终的漂移。图2描绘这种漂移参数的典型示例。

如可以从图2看到的，对过程参数p的(热)效应是预期作为时间的函数而变化。可限定对作为时间“t”的函数而变化的过程参数p 的变化进行描述的模型。在许多情况下，过程参数p展现如下形式的指数衰减：

p＝μe^-t/τ (1)

可凭经验或在理论上确定系数μ和τ。可包括于所述模型中的其它已知参数包括被施加的曝光剂量、掩模版透射率以及影响设备中的功率流的任何其它因素。应注意，可以通过与指数衰减不同的其它函数来描述所述过程参数的时间变化。所述过程参数的所述时间变化可随着时间增大而不是减小。所述过程参数的所述时间变化无需为单调的，且可以是周期性的。

APC过程在反馈回路中应用校正。APC校正是批次内的每个衬底(即晶片)的每个场的k参数的集合。所述k参数对跨越每个衬底的场的成像的失真进行参数化。例如，每个k参数可描述某一图像失真分量，比如以下中的一种或更多种：缩放误差、桶形失真、枕形失真等。所述k参数也可以用作至所述光刻系统(扫描仪)的输入以校正所述失真。因此：

晶片_1(场_1:k1-kn,场_2:k1-kn,等),晶片_2(场_1:k1-kn, 场_2:k1-kn,等),等。

每个k参数由所述反馈回路返回至所述扫描仪且用以校正所述扫描仪的相关联部分(例如透镜、晶片台、掩模版台)的参数。在已知的系统中，针对批次内的所有衬底施加相同集合的APC校正。即，批次内的所有衬底之间的所应用的校正相同：

[晶片_1(场_1)＝晶片_2(场_1)],[晶片_1(场_2)＝晶片 _2(场_2)]，等。

因此，APC过程可仅校正批次内的晶片的平均重叠误差，且并不涵盖批次内部(intra-lot)重叠误差。然而，发生批次内的参数漂移且引起重叠误差。所述扫描仪的每个部分由于在照射过程期间的加热以及在照射没有发生时的冷却而发生漂移。针对所述扫描仪的每个部分(例如透镜、掩模版、晶片)使用分开的前馈校正以抵消系统的所述特定部分的加热/冷却效应。需要改进已知的前馈技术从而对参数改变的补偿加以改进。特别地，根据已知的技术，扫描仪前馈校正，诸如掩模版加热校正(RHC)、透镜加热前馈(LHFF)以及晶片加热前馈(WHFF)，要么是基于直接测量所述效应的耗时的校准、或基于并不如所述校准般准确的计算方法。

对于透镜和掩模版，前馈校正是基于前馈参数μ和τ的。掩模版加热引起掩模版属性的改变。这影响光路径且引起重叠误差。依赖于掩模版温度计算出机械变形，且将所述机械变形分解成k参数。可使用μ(模态参与因子)和τ(时间常数)来在时间上建模每个热机械模式(即特征向量)。因此，可对所述掩模版的机械变形的演变进行建模。透镜加热引起透镜属性改变和透镜的前空间图像的像差。所述像差可分解成泽尼克。对于每个泽尼克，测量并拟合加热/冷却行为如下。因此，μ和τ参数是用于每个泽尼克漂移的校准常数：

泽尼克：

为了晶片加热，即衬底加热，基于所述曝光剂量、衬底中的场部位等使用有限元方法(FEM)计算来模拟校正的集合。FEM建模使得能够在所述衬底的曝光期间及时预测衬底变形。这种被预测的变形轮廓是特定于衬底场的，但对所有衬底是相同的。基于这种被预测的变形，根据已知的技术在每个场和每个衬底的曝光期间应用了特定于场的前馈校正。前馈参数是针对具有相同设定的所有衬底的每个场而限定的k参数。

对于所有已知的校准过程，所述前馈参数，诸如针对掩模版和透镜加热的μ和τ、以及针对衬底加热的k参数是在生产过程期间不改变的静态参数。所述前馈参数可被认为静态的，这是由于可仅约每两个月执行一次耗时的校准过程，且因此校准参数非常不频繁地改变。

在根据已知的技术的过程期间，基于静态前馈参数计算出被施加的前馈校正。然而，由于前馈参数是静态的，因此它们相对于所述系统的组件的实际校准状态是过时的并且导致所述前馈校正不准确。使用不准确的(即不正确的)前馈校正参数会增大所述重叠误差。

本发明的实施例通过调适所述前馈参数使得它们被频繁得多地更新且在生产过程期间不再是静态的，从而对已知的技术进行改进。

实施例通过计算对所述前馈参数的校正且将这些校正应用于反馈过程中来更新所述前馈参数。这有助于通过所述APC过程进行的重叠误差校正。所述APC过程受到辅助，这是由于通过更新所述前馈参数以在给出实际校准状态的情况下提供较准确的校正，重叠误差的绝对量被减小且所述APC过程需要较小的校正。另外，实施例允许向衬底施加批次内部校正。

在生产过程期间测量所述重叠误差。实施例使用所测量的重叠误差来计算对所述前馈参数的校正。由反馈回路向所述前馈参数施加校正。因此所述前馈参数以依赖于重叠误差的方式受控制。

在生产过程期间执行对准测量。实施例使用所测量的对准误差来计算对所述前馈参数的校正。由反馈回路向所述前馈参数施加校正。因此所述前馈参数以依赖于所述对准误差的方式受控制。

图3B展示了实施例预期实现的对于掩模版加热的有所改进的补偿。然而，实施例包括通过系统的在已知系统中利用静态校准参数所校准的任何其它部分的前馈参数校正来改进补偿，诸如透镜加热的补偿。

图3A示出在已知系统中的操作。在图3A中，301是静态参数的储存装置，302是掩模版加热数据库，303是掩模版温度传感器扫描仪，304是热机械预测模型，305是如由散射测量工具提供的被测量的重叠误差数据、或如典型地由光刻设备或独立的工具所测量(通过在衬底被曝光至图案形成过程之前测量对准标记的位置)的被测量的对准误差数据，且306是APC中的被建模的重叠参数。如图3A 中示出的，掩模版加热数据库包含了在校准过程期间所确定的历时两个月尚未执行的、且在生产过程期间没有被更新的被校准的静态参数。

图3B示出在实施例中如何改进操作。获得被测量的重叠误差或对准误差数据，且随后使用所述被测量的重叠误差或对准误差数据来计算对所述前馈参数的校正。可以在反馈回路中施加校正。存在通往包括可调适参数的数据库307的反馈路径。308是掩模版加热数据库，掩模版加热数据库中的参数依赖于反馈而改变。

通过测量取样来获得被测量的重叠误差或对准误差。为了确定重叠误差或对准误差，许多不同的取样技术是可能的。图4示出密集取样、固定稀疏取样以及混合取样。密集取样的优点为，可频繁地计算重叠误差或对准误差。然而，测量过程是缓慢的。固定稀疏取样需要比密集取样更少的测量时间，但并不提供来自衬底上与密集取样相同的部位范围的测量。混合取样具有与固定稀疏取样相同的测量时间，且通过叠置测量结果，允许获得来自与密集取样相同的部位范围的测量数据。混合取样也可以被称作分布式取样。

在HVM中，归因于所需要的长测量时间而通常不使用密集取样，且常常使用固定稀疏取样。然而，越来越多地使用混合取样布局，其中稀疏布局在衬底与衬底之间不同。通过叠置测量结果，获得其中在一个或更多个批次上测量每个点的密集取样布局。利用密集取样或混合取样，可能计算对所述前馈参数的校正值。

因此，通过在生产过程期间测量取样来获得重叠误差或对准误差。重叠误差或对准误差接着用以计算针对所述前馈参数的校正值。

描述重叠误差或对准误差的重叠或对准数据表示失真指纹。可如何使用重叠或对准数据以确定对所述前馈参数的调整的示例是针对当前施加的前馈校正将要解除校正(de-correct)所述重叠或对准数据。可确定表示由于所施加的前馈校正的不准确度而导致的误差的残余值。所述残余值可以用以确定对k参数的调整。所述前馈参数可接着被调整，因此，所施加的前馈校正减小所述残余值。

对于掩模版加热，使用被测量的重叠或对准以建模相关的k参数漂移。被建模的值用以计算对μ和τ参数的调整。

对于透镜加热，使用被测量的重叠误差或对准误差以使用以下方程式来计算泽尼克：

重叠/对准误差＝灵敏度×泽尼克

针对每个重叠/对准测量结构的灵敏度是恒定的，且可测量和/或计算所述灵敏度。根据所计算的泽尼克，可计算对μ和τ参数的校正值。

对于衬底加热，可比较重叠/对准误差与基于FEM的热机械模型模拟，且可基于所述比较来计算对所述前馈参数(k参数)的校正。在这种情况下对所述前馈参数的校正涉及对被预测的失真指纹以因子“λ”(缩放参数)进行缩放。因此，在这种情况下并不调适时间演变参数，而是调适所述衬底的被预测的加热诱发的失真，以便得到衬底加热效应的较好的前馈校正。

除了上述内容以外，实施例也包括控制已知系统中的许多不同的基本静态值前馈机器常数中的任一基本静态值前馈机器常数。实施例使用反馈以改变所述机器常数从而改进它们的准确度。

实施例的优点包括：

-由于例如透镜和掩模版加热导致重叠误差减小而且无需重新校准所述系统以获得静态校准参数；

-通过APC过程施加的校正的频率和准确度增大；以及

-计算的前馈校正是更可用的，这是因为它们在若干衬底批次、或衬底批次的子集内自动微调。

实施例在半导体器件的高容量制造(HVM)中特别有利。

为了减小误差，可以将过程参数(本发明的实施例施加至所述过程参数)的示例包括：边缘放置误差(EPE)、重叠、CD、CDU、侧壁角、线边缘粗糙度和聚焦。适用于测量这些参数的标识和测量技术是在本领域中众所周知的。

图5为示出根据实施例的过程的流程图。在步骤501中，过程开始。在步骤503中，依赖于一个或更多个前馈参数对衬底执行过程。在步骤505中，测量被处理的衬底的属性。在步骤507中，依赖于被测量的属性来计算对一个或更多个前馈参数的一个或更多个校正值。在步骤509中，依赖于所述一个或更多个校正值来调适所述前馈参数。在步骤511中，过程结束。

虽然上文已描述本发明的具体实施例，但应了解，可以与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。

在上述实施例中，根据被测量的数据来计算校正值并且反馈所述校正值以改变前馈参数的值。校正值可以是：待使用的前馈参数的新的值中的任一值，作为绝对或相对量的所述前馈参数的所需的改变，或可作为依据来计算这些校正值中的任一校正值的数据。

实施例可包括包含机器可读指令的一个或更多个序列的计算机程序，所述机器可读指令被配置成指示如图1中所描绘的各种设备以执行测量和优化步骤并且控制如上文描述的后续曝光过程。例如，可以在图1的控制单元LACU或管理控制系统SCS或两者的组合内执行这种计算机程序。也可以提供其中储存有这种计算机程序的数据储存介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。

尽管上文可特定地参考在光学光刻的情境下对本发明的实施例的使用，但应了解，本发明可以用于其它应用(例如压印光刻术)中，且在情境允许的情况下不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的形貌压入被供应至所述衬底的抗蚀剂层中，在衬底上，所述抗蚀剂是通过施加电磁辐射、热、压力或其组合而固化的。在抗蚀剂固化之后，将所述图案形成装置移出所述抗蚀剂，从而在其中留下图案。

下文的被编号的实施例的清单中披露了本发明的另外的实施例：

1.一种调适用于图案形成过程中的一个或更多个前馈参数的方法，所述方法包括：

使用一个或更多个前馈参数对衬底执行图案形成过程，所述一个或更多个前馈参数被配置成减小由掩模版加热、透镜加热以及衬底加热中的一个或更多个引起的失真效应；

测量被处理的衬底的重叠和/或对准误差数据；

依赖于被测量的重叠和/或对准误差数据来计算用于所述一个或更多个前馈参数的一个或更多个校正值；以及

依赖于所述一个或更多个校正值来调适所述前馈参数。

2.根据实施例1所述的方法，其中使用混合取样方案来测量所述重叠和/或对准误差数据。

3.根据实施例1或2所述的方法，其中在衬底批次的处理期间调适所述一个或更多个前馈参数。

4.根据任一前述实施例所述的方法，其中所述前馈参数是被配置成限定泽尼克漂移模型的时间常数。

5.根据实施例1至3中任一项所述的方法，其中所述前馈参数是被配置成限定掩模版加热模型的时间常数。

6.根据实施例1至3中任一项所述的方法，其中所述前馈参数是由于衬底加热而引起的所述衬底的特定于场的加热诱发的失真。

7.根据实施例4或5所述的方法，其中所述一个或更多个校正值中的一校正值是被更新的时间常数。

8.根据实施例6所述的方法，其中所述一个或更多个校正值的中的一校正值是被配置成缩放所述特定于场的加热诱发的失真的缩放参数。

9.根据任一前述实施例所述的方法，其中所述一个或更多个前馈参数是能通过校准过程测量的校准参数。

10.一种器件制造方法，所述器件制造方法包括：

使用光刻设备对一个或更多个衬底执行多次曝光；和

根据任一前述实施例所述的方法对用以控制所述光刻设备的一个或更多个部件的所述前馈参数进行调适。

11.一种计算机程序，所述计算机程序在由计算系统执行时使所述计算系统执行根据任一前述实施例所述的方法。

12.—种计算机可读介质，所述计算机可读介质承载在由计算系统执行时使所述计算系统执行根据实施例1至10中任一项所述的方法的指令。

13.一种光刻设备，所述光刻设备被配置成实施根据实施例1至 10中任一项所述的方法。

14.一种用于校正在图案化衬底的过程中使用的一个或更多个前馈参数的值的方法，所述方法包括：

获得形成图案后的衬底的被测量的重叠和/或对准误差数据；

依赖于所述被测量的重叠和/或对准误差数据来计算用于所述一个或更多个前馈参数的一个或更多个校正值。

15.根据实施例14所述的方法，其中所述前馈参数被配置成减小由掩模版加热、透镜加热以及衬底加热中的一个或更多个引起的失真效应。

16.根据实施例15所述的方法，所述方法还包括依赖于所述一个或更多个校正值来调适所述前馈参数的步骤。

17.根据实施例14所述的方法，其中使用混合取样方案来测量所述重叠和/或对准误差数据。

18.根据实施例17所述的方法，其中在衬底批次的处理期间调适所述一个或更多个前馈参数。

19.实施例14至18中任一项所述的方法，其中所述前馈参数是被配置成限定泽尼克漂移模型的时间常数。

20.根据实施例14至18中任一项所述的方法，其中所述前馈参数是被配置成限定掩模版加热模型的时间常数。

21.根据实施例14至18中任一项所述的方法，其中所述前馈参数是由于衬底加热而引起的所述衬底的特定于场的加热诱发的失真。

22.根据实施例14至20中任一项所述的方法，其中校正值是被更新的时间常数。

23.根据实施例21所述的方法，其中校正值是被配置成缩放所述特定于场的加热诱发的失真的缩放参数。

24.根据实施例14至23中任一项所述的方法，其中所述一个或更多个前馈参数是能通过校准过程测量的校准参数。

25.一种器件制造方法，所述器件制造方法包括：

使用光刻设备对一个或更多个衬底执行多次曝光；和

根据实施例14至24中任一项所述的方法对用以控制所述光刻设备的一个或更多个部件的前馈参数进行调适。

26.—种计算机程序，所述计算机程序在由计算系统执行时使所述计算系统执行根据实施例14至25中任一项所述的方法。

27.一种计算机可读介质，所述计算机可读介质承载在由计算系统执行时使所述计算系统执行根据实施例14至25中任一项所述的方法的指令。

28.一种光刻设备，所述光刻设备被配置成实施根据实施例14 至25中任一项所述的方法。

本发明中所使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如具有为或约为365纳米、355纳米、248纳米、193纳米、157纳米或126纳米的波长)和极紫外线 (EUV)辐射(例如具有在1纳米至100纳米的范围内的波长)，以及粒子束，诸如离子束或电子束。可使用合适的源在UV和EUV波长内进行散射仪以及其它检查设备的实施，且本公开绝不限于使用IR 和可见光辐射的系统。

术语“透镜”在情境允许的情况下可指各种类型的光学部件中的任一个或其组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式以及静电式光学部件。反射部件很可能用于在UV和/或EUV范围内操作的设备中。

本发明的广度和范围不应受上述示例性实施例中的任一实施例限制，而应仅根据随附权利要求书及其等效物加以限定。

Claims (14)

1.一种用于由反馈控制回路来校正在图案化衬底的过程中所使用的基于建模的前馈控制回路的一个或更多个前馈参数的值的方法，所述方法包括：

获得形成图案后的衬底的被实际测量的重叠和/或对准误差数据；

依赖于所述被实际测量的重叠和/或对准误差数据、而非任何建模数据或模拟数据，来计算用于所述基于建模的前馈控制回路的所述一个或更多个前馈参数的一个或更多个校正值。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述前馈参数被配置成减小由掩模版加热、透镜加热以及衬底加热中的一个或更多个引起的失真效应。

3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括依赖于所述一个或更多个校正值来调适所述前馈参数的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，使用混合取样方案来测量所述重叠和/或对准误差数据。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，在衬底批次的处理期间调适所述一个或更多个前馈参数。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述前馈参数是被配置成限定泽尼克漂移模型的时间常数。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述前馈参数是被配置成限定掩模版加热模型的时间常数。

8.根据权利要求2所述的方法，其中，所述前馈参数是由于衬底加热而引起的所述衬底的特定于场的加热诱发的失真。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其中，校正值是被更新的时间常数。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，校正值是被配置成缩放所述特定于场的加热诱发的失真的缩放参数。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个前馈参数是能通过校准过程测量的校准参数。

12.一种器件制造方法，所述方法包括：

使用光刻设备对一个或更多个衬底执行多次曝光；和

根据权利要求3所述的方法对用以控制所述光刻设备的一个或更多个部件的所述前馈参数进行调适。

13.一种计算机可读介质，所述计算机可读介质承载在由计算系统执行时使所述计算系统执行根据权利要求1所述的方法的指令。

14.一种光刻设备，所述光刻设备被配置成实施根据权利要求3所述的方法。

Images