JPH06192857A - ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング方法及びドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH06192857A JPH06192857A JP34695992A JP34695992A JPH06192857A JP H06192857 A JPH06192857 A JP H06192857A JP 34695992 A JP34695992 A JP 34695992A JP 34695992 A JP34695992 A JP 34695992A JP H06192857 A JPH06192857 A JP H06192857A
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- JP
- Japan
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- target material
- dry etching
- trap electrode
- etching
- electrode
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- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチングにより生成した粒子を静電的に吸
着し、ターゲット材料への再付着を低減する。 【構成】 ターゲット材料１５とトラップ電極１４とを
異なる電位に帯電させ、かつ、そのターゲット材料１５
とトラップ電極１４との帯電状態を調整することによ
り、トラップ電極１４に、エッチングにより生成された
ターゲット材料１５の粒子を吸着する。これにより、エ
ッチング粒子は、ターゲット材料１５に再付着しない。
着し、ターゲット材料への再付着を低減する。 【構成】 ターゲット材料１５とトラップ電極１４とを
異なる電位に帯電させ、かつ、そのターゲット材料１５
とトラップ電極１４との帯電状態を調整することによ
り、トラップ電極１４に、エッチングにより生成された
ターゲット材料１５の粒子を吸着する。これにより、エ
ッチング粒子は、ターゲット材料１５に再付着しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング方
法、及びそれを実現するためのドライエッチング装置に
関するものである。
法、及びそれを実現するためのドライエッチング装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ドライエッチングの一つであるイオンミ
リングの原理を図３で説明する。本装置は、Ａｒイオン
源１１、ニュートラライザー１３、ターゲットステージ
１６から構成される。Ａｒイオン源１１から出射したイ
オンビーム１２は、ターゲットステージ１６上のターゲ
ット材料１５に照射され、ターゲット材料１５のミリン
グを行う。
リングの原理を図３で説明する。本装置は、Ａｒイオン
源１１、ニュートラライザー１３、ターゲットステージ
１６から構成される。Ａｒイオン源１１から出射したイ
オンビーム１２は、ターゲットステージ１６上のターゲ
ット材料１５に照射され、ターゲット材料１５のミリン
グを行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
のドライエッチングでは、次のような問題点がある。即
ち、ドライエッチングにより生成した粒子がターゲット
材料１５に再付着することにより、エッチングレートの
低下、不安定性が生じる。特に、エッチング幅に対する
エッチング深さが大きい場合、再付着がより顕著とな
り、エッチングが困難となる。また、電気特性の異なる
ＡＢの二層からなるハイブリッド材料のエッチングを行
う際、一方のＡ（又はＢ）層に他方のＢ（又はＡ）層か
ら生成したエッチング粒子が付着し、Ａ（又はＢ）層の
エッチング表面の電気特性に影響を及ぼすことが問題と
なっていた。
のドライエッチングでは、次のような問題点がある。即
ち、ドライエッチングにより生成した粒子がターゲット
材料１５に再付着することにより、エッチングレートの
低下、不安定性が生じる。特に、エッチング幅に対する
エッチング深さが大きい場合、再付着がより顕著とな
り、エッチングが困難となる。また、電気特性の異なる
ＡＢの二層からなるハイブリッド材料のエッチングを行
う際、一方のＡ（又はＢ）層に他方のＢ（又はＡ）層か
ら生成したエッチング粒子が付着し、Ａ（又はＢ）層の
エッチング表面の電気特性に影響を及ぼすことが問題と
なっていた。
【０００４】尚、粒子の再付着を防止するために、トラ
ップ電極を用いて粒子を捕捉するという技術は、例え
ば、特開昭６１−６４８７８号、特開昭６３−８５５５
４号に開示されている。
ップ電極を用いて粒子を捕捉するという技術は、例え
ば、特開昭６１−６４８７８号、特開昭６３−８５５５
４号に開示されている。
【０００５】しかしながら、特開昭６１−６４８７８号
公報に記載された発明は、トラップ電極が接地されてい
るのみであり、ターゲットとトラップ電極とを積極的に
帯電させるものではなく、ターゲットとトラップ電極と
の帯電状態を調整して粒子の再付着を有効に防止するに
は、不適当である。
公報に記載された発明は、トラップ電極が接地されてい
るのみであり、ターゲットとトラップ電極とを積極的に
帯電させるものではなく、ターゲットとトラップ電極と
の帯電状態を調整して粒子の再付着を有効に防止するに
は、不適当である。
【０００６】また、特開昭６３−８５５５４号公報に記
載された発明は、上述した課題を改良するために、エッ
チングにより発生した粒子をイオン化することを提案し
ている。しかしながら、これを実現するために、イオン
源のほかに電子イオンビーム源が必要であり、このもの
をドライエッチング装置に適用した場合に、電子イオン
ビーム源によるイオン照射が、イオン源からのイオンビ
ームに影響を与えないように工夫する必要がある。
載された発明は、上述した課題を改良するために、エッ
チングにより発生した粒子をイオン化することを提案し
ている。しかしながら、これを実現するために、イオン
源のほかに電子イオンビーム源が必要であり、このもの
をドライエッチング装置に適用した場合に、電子イオン
ビーム源によるイオン照射が、イオン源からのイオンビ
ームに影響を与えないように工夫する必要がある。
【０００７】本発明の目的は、ドライエッチング時に生
成した粒子を確実に捕捉しうるドライエッチング方法及
びドライエッチング装置を提供することにある。
成した粒子を確実に捕捉しうるドライエッチング方法及
びドライエッチング装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るドライエッチング方法は、イオンビー
ムをターゲット材料に照射して、該ターゲット材料をド
ライエッチング処理するドライエッチング方法であっ
て、ターゲット材料の近傍に配置されたトラップ電極を
有し、ターゲット材料とトラップ電極とは、異なる電位
に帯電され、ドライエッチング時にターゲット材料から
生成した粒子をトラップ電極に吸着、捕捉させるもので
ある。
め、本発明に係るドライエッチング方法は、イオンビー
ムをターゲット材料に照射して、該ターゲット材料をド
ライエッチング処理するドライエッチング方法であっ
て、ターゲット材料の近傍に配置されたトラップ電極を
有し、ターゲット材料とトラップ電極とは、異なる電位
に帯電され、ドライエッチング時にターゲット材料から
生成した粒子をトラップ電極に吸着、捕捉させるもので
ある。
【０００９】また、本発明に係るドライエッチング装置
は、トラップ電極と、トラッパー電源とを有し、イオン
ビームをターゲット材料に照射して、該ターゲット材料
をドライエッチング処理するドライエッチング装置であ
って、トラップ電極は、ターゲット材料の近傍に配置さ
れ、ドライエッチング時にターゲット材料から生成され
た粒子を吸着，捕捉するものであり、トラッパー電源
は、ターゲット材料とトラップ電極とを異なる電位に帯
電させるものである。
は、トラップ電極と、トラッパー電源とを有し、イオン
ビームをターゲット材料に照射して、該ターゲット材料
をドライエッチング処理するドライエッチング装置であ
って、トラップ電極は、ターゲット材料の近傍に配置さ
れ、ドライエッチング時にターゲット材料から生成され
た粒子を吸着，捕捉するものであり、トラッパー電源
は、ターゲット材料とトラップ電極とを異なる電位に帯
電させるものである。
【００１０】
【作用】本発明においては、ターゲット材料とトラップ
電極とを異なる電位に帯電させ、且つ該ターゲット材料
とトラップ電極との帯電状態を調整することにより、ト
ラップ電極にエッチングにより生成した粒子を静電的に
吸着し、ターゲット材料への粒子の付着を防止する。
電極とを異なる電位に帯電させ、且つ該ターゲット材料
とトラップ電極との帯電状態を調整することにより、ト
ラップ電極にエッチングにより生成した粒子を静電的に
吸着し、ターゲット材料への粒子の付着を防止する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。図１は、本発明の一実施例をイオンミリング装置に
適用した場合の例を示す構成図である。
る。図１は、本発明の一実施例をイオンミリング装置に
適用した場合の例を示す構成図である。
【００１２】図１において、Ａｒイオン源１１とターゲ
ットステージ１６とが上下に向き合せに設置され、Ａｒ
イオン源１１から発したイオンビーム１２をターゲット
ステージ１６上のターゲット材料１５に向けて下向きに
照射するようになっている。
ットステージ１６とが上下に向き合せに設置され、Ａｒ
イオン源１１から発したイオンビーム１２をターゲット
ステージ１６上のターゲット材料１５に向けて下向きに
照射するようになっている。
【００１３】また、Ａｒイオン源１１とターゲットステ
ージ１６との間には、ニュートラライザー１３が設置さ
れている。
ージ１６との間には、ニュートラライザー１３が設置さ
れている。
【００１４】さらに、ターゲットステージ１６上のター
ゲット材料１５の近傍に、リング状カソード電極からな
るトラップ電極１４が設置されている。トラップ電極１
４とターゲットステージ１６とは、トラッパー電源１７
に接続され、トラップ電極１４はマイナスに、ターゲッ
トステージ１６上のターゲット材料１５はプラスにそれ
ぞれ帯電されている。
ゲット材料１５の近傍に、リング状カソード電極からな
るトラップ電極１４が設置されている。トラップ電極１
４とターゲットステージ１６とは、トラッパー電源１７
に接続され、トラップ電極１４はマイナスに、ターゲッ
トステージ１６上のターゲット材料１５はプラスにそれ
ぞれ帯電されている。
【００１５】尚、実施例の帯電極性とは逆にして、トラ
ップ電極１４をプラスに、ターゲット材料１５をマイナ
スに帯電させてもよい、また、トラップ電極１４として
グリッド又はメッシュ電極を用い、このグリッド又はメ
ッシュ電極をニュートラライザー１３とターゲット材料
１５との間にイオンビーム方向と垂直に配設してもよ
い。
ップ電極１４をプラスに、ターゲット材料１５をマイナ
スに帯電させてもよい、また、トラップ電極１４として
グリッド又はメッシュ電極を用い、このグリッド又はメ
ッシュ電極をニュートラライザー１３とターゲット材料
１５との間にイオンビーム方向と垂直に配設してもよ
い。
【００１６】図２は、図１に示したイオンミリング装置
を利用してイオンミリングを行ったループホール型赤外
線デバイスの受光部の断面図である。
を利用してイオンミリングを行ったループホール型赤外
線デバイスの受光部の断面図である。
【００１７】図２において、接着層２２及びＨｇＣｄＴ
ｅ結晶２１が図１のターゲット材料１５に相当するもの
であり、特にエッチング時に接着層２２からエッチング
粒子が生成されることとなる。
ｅ結晶２１が図１のターゲット材料１５に相当するもの
であり、特にエッチング時に接着層２２からエッチング
粒子が生成されることとなる。
【００１８】また、２１はＨｇＣｄＴｅ結晶、２２は接
着層、２３はＡｕ電極、２４はＳｉ−ＭＯＳＩＣであ
る。イオンミリングにより前記素子に直径１０μｍφの
スルーホールを形成し、スルーホール内壁にＡｕ蒸着層
２５を形成し、ＨｇＣｄＴｅ結晶２１とＡｕ電極２３を
電気的に接触させる。
着層、２３はＡｕ電極、２４はＳｉ−ＭＯＳＩＣであ
る。イオンミリングにより前記素子に直径１０μｍφの
スルーホールを形成し、スルーホール内壁にＡｕ蒸着層
２５を形成し、ＨｇＣｄＴｅ結晶２１とＡｕ電極２３を
電気的に接触させる。
【００１９】このとき、従来のイオンミリングでは接着
層２２から生成したエッチング粒子が、スルーホール内
壁やＡｕ電極２３の表面に再付着し、Ａｕ蒸着層２５と
の導通が妨げられ、本素子の電気特性が劣化するという
問題があった。従来のイオンミリングでは、マトリクス
アレイ状に６４×６４画素配列された受光部において、
ＨｄＣｄＴｅ結晶２１とＡｕ電極２３の導通が確認され
たのは、５％程度であった。
層２２から生成したエッチング粒子が、スルーホール内
壁やＡｕ電極２３の表面に再付着し、Ａｕ蒸着層２５と
の導通が妨げられ、本素子の電気特性が劣化するという
問題があった。従来のイオンミリングでは、マトリクス
アレイ状に６４×６４画素配列された受光部において、
ＨｄＣｄＴｅ結晶２１とＡｕ電極２３の導通が確認され
たのは、５％程度であった。
【００２０】そこで本発明の応用例であるイオンミリン
グ装置を用いたところ、接着層２２から生成したエッチ
ング粒子がトラップ電極１４に吸着され、再付着が低減
される。この結果９９％以上のＡｕ電極２３とＡｕ蒸着
層２５との導通が確認され、電気特性が向上する効果が
得られた、またエッチングにより生成した粒子の再付着
の低減により、従来より開口径の小さいループホールデ
バイスの試作も可能になった。
グ装置を用いたところ、接着層２２から生成したエッチ
ング粒子がトラップ電極１４に吸着され、再付着が低減
される。この結果９９％以上のＡｕ電極２３とＡｕ蒸着
層２５との導通が確認され、電気特性が向上する効果が
得られた、またエッチングにより生成した粒子の再付着
の低減により、従来より開口径の小さいループホールデ
バイスの試作も可能になった。
【００２１】尚、ここではイオンミリングへの応用例を
示したが、本発明はこれに限らず、ドライエッチングを
目的とした全てのプロセスに適用可能である。
示したが、本発明はこれに限らず、ドライエッチングを
目的とした全てのプロセスに適用可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によるイオン
ミリング方法とそれを実現するためのドライエッチング
装置により、従来型に比べエッチングレートの向上及び
安定化を図ることができる。またターゲット材料とトラ
ップ電極とを異なる電位に帯電させ、かつ、そのターゲ
ット材料とトラップ電極との帯電状態を調整することに
よりエッチングにより生成した粒子を確実に捕捉するこ
とができ、ターゲット材料への再付着を防止でき、その
再付着により引き起こされる電気特性の劣化を防ぐこと
ができるという効果を有する。
ミリング方法とそれを実現するためのドライエッチング
装置により、従来型に比べエッチングレートの向上及び
安定化を図ることができる。またターゲット材料とトラ
ップ電極とを異なる電位に帯電させ、かつ、そのターゲ
ット材料とトラップ電極との帯電状態を調整することに
よりエッチングにより生成した粒子を確実に捕捉するこ
とができ、ターゲット材料への再付着を防止でき、その
再付着により引き起こされる電気特性の劣化を防ぐこと
ができるという効果を有する。
【図１】本発明のドライエッチング装置の実施例である
イオンミリング装置を示す構成図である。
イオンミリング装置を示す構成図である。
【図２】ループホール型赤外線デバイスの受光部のプロ
セス断面図である。
セス断面図である。
【図３】従来型のイオンミリング装置を示す説明図であ
る。
る。
１１ Ａｒイオン源 １２ イオンビーム １３ ニュートラライザー １４ トラッブ電極 １５ ターゲット材料 １６ ターゲットステージ １７ トラッパー電源 ２１ ＨｇＣｄＴｅ結晶 ２２ 接着層 ２３ Ａｕ電極 ２４ Ｓｉ−ＭＯＳＩＣ ２５ Ａｕ蒸着層
Claims (2)
- 【請求項１】 イオンビームをターゲット材料に照射し
て、該ターゲット材料をドライエッチング処理するドラ
イエッチング方法であって、 ターゲット材料の近傍に配置されたトラップ電極を有
し、ターゲット材料とトラップ電極とは、異なる電位に
帯電され、 ドライエッチング時にターゲット材料から生成した粒子
をトラップ電極に吸着、捕捉させることを特徴とするド
ライエッチング方法。 - 【請求項２】 トラップ電極と、トラッパー電源とを有
し、イオンビームをターゲット材料に照射して、該ター
ゲット材料をドライエッチング処理するドライエッチン
グ装置であって、 トラップ電極は、ターゲット材料の近傍に配置され、ド
ライエッチング時にターゲット材料から生成された粒子
を吸着，捕捉するものであり、 トラッパー電源は、ターゲット材料とトラップ電極とを
異なる電位に帯電させるものであることを特徴とするド
ライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34695992A JPH06192857A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34695992A JPH06192857A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06192857A true JPH06192857A (ja) | 1994-07-12 |
Family
ID=18386984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34695992A Pending JPH06192857A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06192857A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005025101B3 (de) * | 2005-05-27 | 2006-07-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zur Reinigung von Innenräumen in Vakuumkammern |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6385554A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | マスク・パタ−ンの欠陥修正方法およびその欠陥修正装置 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP34695992A patent/JPH06192857A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6385554A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | マスク・パタ−ンの欠陥修正方法およびその欠陥修正装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005025101B3 (de) * | 2005-05-27 | 2006-07-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zur Reinigung von Innenräumen in Vakuumkammern |
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