JPH0618816A - 光アイソレータおよびこれを用いた半導体レーザ装置 - Google Patents
光アイソレータおよびこれを用いた半導体レーザ装置Info
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- JPH0618816A JPH0618816A JP17828192A JP17828192A JPH0618816A JP H0618816 A JPH0618816 A JP H0618816A JP 17828192 A JP17828192 A JP 17828192A JP 17828192 A JP17828192 A JP 17828192A JP H0618816 A JPH0618816 A JP H0618816A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 所定の波長範囲の光や短波長帯域光に対して
適応できる光アイソレータを提供する。 【構成】 Ｃｄ1-x Ｍｎx Ｔｅ（０≦ｘ≦０．６）結晶
から成り、柱形を呈する磁気光学素子１１の軸方向両側
夫々には、偏光子１３および１４が配設されている。磁
気光学素子１１の近傍には、磁気光学素子１１に所定の
磁界を印加するコイル１２１が配設されている。コイル
１２１には、電流制御回路１２２が備えられている。磁
気光学素子１１の軸方向一方から入射される光は、ファ
ラデー効果により遮断される。
適応できる光アイソレータを提供する。 【構成】 Ｃｄ1-x Ｍｎx Ｔｅ（０≦ｘ≦０．６）結晶
から成り、柱形を呈する磁気光学素子１１の軸方向両側
夫々には、偏光子１３および１４が配設されている。磁
気光学素子１１の近傍には、磁気光学素子１１に所定の
磁界を印加するコイル１２１が配設されている。コイル
１２１には、電流制御回路１２２が備えられている。磁
気光学素子１１の軸方向一方から入射される光は、ファ
ラデー効果により遮断される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファラデー効果を利用
した光アイソレータに関し、特にその波長特性を改善し
た光アイソレータおよびこの光アイソレータを用いた半
導体レーザ装置に関する。
した光アイソレータに関し、特にその波長特性を改善し
た光アイソレータおよびこの光アイソレータを用いた半
導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】可視光半導体レーザを光信号伝送系の光
源として用いたレーザ装置において、半導体レーザ光源
からの出射光の一部が伝送路或いは伝送用光学部品の各
接続部で反射して半導体レーザ光源へ帰還することがあ
る。この場合、半導体レーザ光源の発振特性の不安定化
や雑音増加が引き起こされるという問題点がある。一般
に、光アイソレータは、帰還光を防止するために使用さ
れている。
源として用いたレーザ装置において、半導体レーザ光源
からの出射光の一部が伝送路或いは伝送用光学部品の各
接続部で反射して半導体レーザ光源へ帰還することがあ
る。この場合、半導体レーザ光源の発振特性の不安定化
や雑音増加が引き起こされるという問題点がある。一般
に、光アイソレータは、帰還光を防止するために使用さ
れている。
【０００３】図５は、従来の光アイソレータの基本的な
構造を示す図である。図５において、従来の光アイソレ
ータは、ファラデー効果を有する磁気光学素子５１と、
磁気光学素子５１の軸方向両側夫々に配された一対の偏
光子５３および５４と、磁気光学素子５１に磁界を印加
するための磁石５２とを有する。これらの構成部位は、
同軸上に配され光軸調整されている。尚、磁気光学素子
５１は一般に、ＹＩＧ結晶あるいは（ＧｄＢｉ）3 （Ｆ
ｅＡｌＧａ）5 Ｏ12（ビスマスガーネット）結晶から成
る。
構造を示す図である。図５において、従来の光アイソレ
ータは、ファラデー効果を有する磁気光学素子５１と、
磁気光学素子５１の軸方向両側夫々に配された一対の偏
光子５３および５４と、磁気光学素子５１に磁界を印加
するための磁石５２とを有する。これらの構成部位は、
同軸上に配され光軸調整されている。尚、磁気光学素子
５１は一般に、ＹＩＧ結晶あるいは（ＧｄＢｉ）3 （Ｆ
ｅＡｌＧａ）5 Ｏ12（ビスマスガーネット）結晶から成
る。
【０００４】今、矢印ａ方向に伝搬する入射光は、偏光
子５３を透過後、直線偏光となって、磁気光学素子５１
に入射し、この磁気光学素子５１を伝搬中、光はその偏
波面が、磁石５２の磁界強度により通常４５°回転した
状態で偏光子５４に入射し、この偏光子５４の傾きが予
め入射光の偏波面の傾き（４５°）と等しく設定されて
いるので、この入射光を透過させる。他方、矢印ｂ方向
に伝搬する入射光は、偏光子５４と磁気光学素子５１を
透過することにより、偏光子５３の偏波面に対して９０
°傾いた偏波面をもった直線偏光になって偏光子５３に
入射されるために、この逆方向の入射光は偏光子５３を
透過しない。
子５３を透過後、直線偏光となって、磁気光学素子５１
に入射し、この磁気光学素子５１を伝搬中、光はその偏
波面が、磁石５２の磁界強度により通常４５°回転した
状態で偏光子５４に入射し、この偏光子５４の傾きが予
め入射光の偏波面の傾き（４５°）と等しく設定されて
いるので、この入射光を透過させる。他方、矢印ｂ方向
に伝搬する入射光は、偏光子５４と磁気光学素子５１を
透過することにより、偏光子５３の偏波面に対して９０
°傾いた偏波面をもった直線偏光になって偏光子５３に
入射されるために、この逆方向の入射光は偏光子５３を
透過しない。
【０００５】図６は、従来の光アイソレータを用いた半
導体レーザ装置の構成を示す図である。同図を参照し
て、この光アイソレータをさらに詳細に説明する。図６
において、従来の半導体レーザ装置は、レーザ光を出射
する半導体レーザ光源６１と、コリメーター用レンズ６
２と、光アイソレータ５０と、集光用レンズ６３と、光
を取り出すための光ファイバ６４とを有する。光アイソ
レータ５０は前述したように、磁気光学素子５１と、磁
石５２と、偏光子５３および５４とを有する。
導体レーザ装置の構成を示す図である。同図を参照し
て、この光アイソレータをさらに詳細に説明する。図６
において、従来の半導体レーザ装置は、レーザ光を出射
する半導体レーザ光源６１と、コリメーター用レンズ６
２と、光アイソレータ５０と、集光用レンズ６３と、光
を取り出すための光ファイバ６４とを有する。光アイソ
レータ５０は前述したように、磁気光学素子５１と、磁
石５２と、偏光子５３および５４とを有する。
【０００６】半導体レーザ光源６１からの出射光は、コ
リメーター用レンズ６２で平行光となり、偏光子５３、
磁気光学素子５１を透過後、偏光方向が４５°回転し、
偏光子５４を通り、集光用レンズ６３で光ファイバ６４
の端面に集光され伝搬する。偏光子５４は、磁気光学素
子５１に対し、光の透過損失が最小になるように軸が合
わせある。ここで、光ファイバ６４の前端面または後端
面で一部反射した光は、前述と逆向きの経路をたどり、
集光用レンズ６３、偏光子５４を通り、磁気光学素子５
１を通過後、偏光方向がさらに４５°回転され、コリメ
ーター用レンズ６２で半導体レーザ光源６１の端面に収
束されるが、この反射光は半導体レーザ光源６１からの
出射光に対して直行する直線偏光となっているため、半
導体レーザ光源６１の動作には影響を及ぼさない。
リメーター用レンズ６２で平行光となり、偏光子５３、
磁気光学素子５１を透過後、偏光方向が４５°回転し、
偏光子５４を通り、集光用レンズ６３で光ファイバ６４
の端面に集光され伝搬する。偏光子５４は、磁気光学素
子５１に対し、光の透過損失が最小になるように軸が合
わせある。ここで、光ファイバ６４の前端面または後端
面で一部反射した光は、前述と逆向きの経路をたどり、
集光用レンズ６３、偏光子５４を通り、磁気光学素子５
１を通過後、偏光方向がさらに４５°回転され、コリメ
ーター用レンズ６２で半導体レーザ光源６１の端面に収
束されるが、この反射光は半導体レーザ光源６１からの
出射光に対して直行する直線偏光となっているため、半
導体レーザ光源６１の動作には影響を及ぼさない。
【０００７】そして、この光アイソレータを動作させる
場合には、光の波長に対して適切な強度の磁界を磁気光
学素子５１に加える必要がある。従来の光アイソレータ
においては、磁石５２は永久磁石を使用し、この永久磁
石と磁気光学素子５１との相対位置は固定されているた
めに、磁気光学素子５１に印加される磁界強度は一定で
あった。それ故、従来の光アイソレータは、使用する光
の波長を予め定めておき、その波長に対応する強度をも
つ磁界が印加されるように設計されている。
場合には、光の波長に対して適切な強度の磁界を磁気光
学素子５１に加える必要がある。従来の光アイソレータ
においては、磁石５２は永久磁石を使用し、この永久磁
石と磁気光学素子５１との相対位置は固定されているた
めに、磁気光学素子５１に印加される磁界強度は一定で
あった。それ故、従来の光アイソレータは、使用する光
の波長を予め定めておき、その波長に対応する強度をも
つ磁界が印加されるように設計されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の光アイソレータ
は、前述したように適応可能な光の波長が一定であり、
光の波長が所定の範囲にわたる場合には、磁気光学素子
内における偏波面のファラデー回転角ＱF が所定値から
変動してしまい、適当に機能しないという問題点があ
る。
は、前述したように適応可能な光の波長が一定であり、
光の波長が所定の範囲にわたる場合には、磁気光学素子
内における偏波面のファラデー回転角ＱF が所定値から
変動してしまい、適当に機能しないという問題点があ
る。
【０００９】また、従来の光アイソレータは、その磁気
光学素子がＹＩＧ結晶あるいはビスマスガーネット結晶
から成るため、比較的短波長（例えば、０．６μｍ〜
０．８μｍ）の光に対しては、挿入損失が大きく、消光
比が小さいという問題点がある。
光学素子がＹＩＧ結晶あるいはビスマスガーネット結晶
から成るため、比較的短波長（例えば、０．６μｍ〜
０．８μｍ）の光に対しては、挿入損失が大きく、消光
比が小さいという問題点がある。
【００１０】さらに、従来の光アイソレータを用いた半
導体レーザ装置は、磁気光学素子の挿入損失が大きく、
消光比が小さいため、対象光の波長が１．３μｍ〜１．
５μｍ帯である通信用が主であり、波長０．６μｍ〜
０．８μｍ帯の計測用には不適であるという問題点があ
る。
導体レーザ装置は、磁気光学素子の挿入損失が大きく、
消光比が小さいため、対象光の波長が１．３μｍ〜１．
５μｍ帯である通信用が主であり、波長０．６μｍ〜
０．８μｍ帯の計測用には不適であるという問題点があ
る。
【００１１】本発明の課題は、所定の波長範囲の光に対
して適応できる光アイソレータを提供することである。
して適応できる光アイソレータを提供することである。
【００１２】本発明の他の課題は、短波長帯域光に適し
た光アイソレータを提供することである。
た光アイソレータを提供することである。
【００１３】本発明のさらに他の課題は、帰還光の悪影
響なく、所定の波長範囲の光を出射できる半導体レーザ
装置を提供することである。
響なく、所定の波長範囲の光を出射できる半導体レーザ
装置を提供することである。
【００１４】本発明のさらに他の課題は、帰還光の悪影
響のない、計測用の半導体レーザ装置を提供することで
ある。
響のない、計測用の半導体レーザ装置を提供することで
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、柱形を
呈する磁気光学素子と、該磁気光学素子の軸方向両側夫
々に配設された偏光子と、前記磁気光学素子の近傍に配
設され、該磁気光学素子に所定の磁界を印加する磁界印
加手段とを有し、ファラデー効果により前記軸方向一方
から入射される光を遮断する光アイソレータにおいて、
前記磁気光学素子は、Ｃｄ1-x Ｍｎx Ｔｅ（０≦ｘ≦
０．６）結晶から成り、前記磁界印加手段は、電流制御
回路を備えるコイルからなることを特徴とする光アイソ
レータが得られる。
呈する磁気光学素子と、該磁気光学素子の軸方向両側夫
々に配設された偏光子と、前記磁気光学素子の近傍に配
設され、該磁気光学素子に所定の磁界を印加する磁界印
加手段とを有し、ファラデー効果により前記軸方向一方
から入射される光を遮断する光アイソレータにおいて、
前記磁気光学素子は、Ｃｄ1-x Ｍｎx Ｔｅ（０≦ｘ≦
０．６）結晶から成り、前記磁界印加手段は、電流制御
回路を備えるコイルからなることを特徴とする光アイソ
レータが得られる。
【００１６】本発明によればさらに、レーザ光を出射す
る半導体レーザ光源と、前記レーザ光を平行なレーザ光
に変換するコリメーター用レンズと、前記軸方向他方か
ら前記平行なレーザ光の入射される前記光アイソレータ
と、前記軸方向一方から出射されるレーザ光を集光する
集光レンズと、集光されたレーザ光を伝搬する光ファイ
バとを有する半導体レーザ装置が得られる。
る半導体レーザ光源と、前記レーザ光を平行なレーザ光
に変換するコリメーター用レンズと、前記軸方向他方か
ら前記平行なレーザ光の入射される前記光アイソレータ
と、前記軸方向一方から出射されるレーザ光を集光する
集光レンズと、集光されたレーザ光を伝搬する光ファイ
バとを有する半導体レーザ装置が得られる。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明による光アイ
ソレータの実施例を説明する。
ソレータの実施例を説明する。
【００１８】図１は、本実施例による光アイソレータを
示す概略構造図である。図１において、本実施例による
光アイソレータ１０は、Ｃｄ0.8 Ｍｎ0.2 Ｔｅ結晶から
成り、柱形（断面１mm×１mm）を呈する磁気光学素子１
１と、磁気光学素子１１を周方向に覆囲するソレノイド
コイル１２１と、磁気光学素子１１（ソレノイドコイル
１２１）の両側に配された偏光子１３および１４とを有
する。ソレノイドコイル１２１には、電流制御回路１２
２が接続されていて、ソレノイドコイル１２１と電流制
御回路１２２とで磁界印加手段としての電磁石１２が構
成されている。
示す概略構造図である。図１において、本実施例による
光アイソレータ１０は、Ｃｄ0.8 Ｍｎ0.2 Ｔｅ結晶から
成り、柱形（断面１mm×１mm）を呈する磁気光学素子１
１と、磁気光学素子１１を周方向に覆囲するソレノイド
コイル１２１と、磁気光学素子１１（ソレノイドコイル
１２１）の両側に配された偏光子１３および１４とを有
する。ソレノイドコイル１２１には、電流制御回路１２
２が接続されていて、ソレノイドコイル１２１と電流制
御回路１２２とで磁界印加手段としての電磁石１２が構
成されている。
【００１９】図２は、本実施例による光アイソレータを
用いた半導体レーザ装置の構造を示す図である。図２に
おいて、本半導体レーザ装置は、レーザ光を出射する半
導体レーザ光源２１と、コリメーター用レンズ２２と、
図１に示す光アイソレータ１０と、集光用レンズ２３
と、光を取り出すための光ファイバ２４とを有する。
用いた半導体レーザ装置の構造を示す図である。図２に
おいて、本半導体レーザ装置は、レーザ光を出射する半
導体レーザ光源２１と、コリメーター用レンズ２２と、
図１に示す光アイソレータ１０と、集光用レンズ２３
と、光を取り出すための光ファイバ２４とを有する。
【００２０】次に、本光アイソレータの消光比を測定し
た。図３（ａ）および（ｂ）は、消光比の測定方法を示
す原理図である。図３（ａ）において、消光比の測定方
法は、波長可変型の半導体レーザ光源３１から出射させ
た光（波長０．６〜０．８μｍ）を、コリメーター用レ
ンズ３２で平行光にし、偏光子３３を通して規定される
直線偏光成分のみを、本光アイソレータ１０の磁気光学
素子１１の一端に入射し、磁気光学素子１１を透過して
他端より伝搬した光を光電変換素子３５により電気信号
として計測する。尚、磁気光学素子１１の向きを、順方
向と逆方向との双方について計測する。今、順方向損失
ＦＬを、ＦＬ＝１０×ｌｏｇ（Ｉin／Ｉout1）、逆方向
損失ＢＬを、ＢＬ＝１０×ｌｏｇ（Ｉin／Ｉout2）と表
すと、順方向と逆方向の出射光の強度比である消光比Ｂ
Ｌ−ＦＬは、ＢＬ−ＦＬ＝１０×ｌｏｇ（Ｉout2／Ｉ
out1）で表される。
た。図３（ａ）および（ｂ）は、消光比の測定方法を示
す原理図である。図３（ａ）において、消光比の測定方
法は、波長可変型の半導体レーザ光源３１から出射させ
た光（波長０．６〜０．８μｍ）を、コリメーター用レ
ンズ３２で平行光にし、偏光子３３を通して規定される
直線偏光成分のみを、本光アイソレータ１０の磁気光学
素子１１の一端に入射し、磁気光学素子１１を透過して
他端より伝搬した光を光電変換素子３５により電気信号
として計測する。尚、磁気光学素子１１の向きを、順方
向と逆方向との双方について計測する。今、順方向損失
ＦＬを、ＦＬ＝１０×ｌｏｇ（Ｉin／Ｉout1）、逆方向
損失ＢＬを、ＢＬ＝１０×ｌｏｇ（Ｉin／Ｉout2）と表
すと、順方向と逆方向の出射光の強度比である消光比Ｂ
Ｌ−ＦＬは、ＢＬ−ＦＬ＝１０×ｌｏｇ（Ｉout2／Ｉ
out1）で表される。
【００２１】測定結果を図４に示す。図４は、消光比Ｂ
Ｌ−ＦＬが３０ｄＢ以上となる場合の、各波長に対する
磁界の設定値を示す図である。
Ｌ−ＦＬが３０ｄＢ以上となる場合の、各波長に対する
磁界の設定値を示す図である。
【００２２】図４より、本実施例による光アイソレータ
では、０．６μｍ〜０．８μｍまでの波長範囲におい
て、３０ｄＢ以上の消光比を得られることがわかる。
では、０．６μｍ〜０．８μｍまでの波長範囲におい
て、３０ｄＢ以上の消光比を得られることがわかる。
【００２３】尚、本実施例においては、磁気光学素子１
１として、Ｃｄ0.8 Ｍｎ0.2 Ｔｅ結晶を用いたが、組成
比がＣｄ1-x Ｍｎx Ｔｅ（０≦ｘ≦０．６）であればよ
く、組成が変化した場合には、磁気光学素子１１の断面
積等と印加磁界（電流制御回路１２２の電流値）を加減
すれば良い。
１として、Ｃｄ0.8 Ｍｎ0.2 Ｔｅ結晶を用いたが、組成
比がＣｄ1-x Ｍｎx Ｔｅ（０≦ｘ≦０．６）であればよ
く、組成が変化した場合には、磁気光学素子１１の断面
積等と印加磁界（電流制御回路１２２の電流値）を加減
すれば良い。
【００２４】次に、他の結晶から成る磁気光学素子を用
いた光アイソレータを作成し、比較例とした。まず、比
較例１として、実施例における磁気光学素子１１を、Ｙ
ＩＧ結晶から成るものにかえて光アイソレータを作製し
た。さらに、比較例２として、磁気光学素子１１を（Ｇ
ｄＢｉ）3 （ＦｅＡｌＧａ）5 Ｏ12（ビスマスガーネッ
ト）結晶から成るものにかえて光アイソレータを作製し
た。尚、両比較例において、磁気光学素子を他の結晶か
ら成るとした以外は、実施例と同様の構成とした。
いた光アイソレータを作成し、比較例とした。まず、比
較例１として、実施例における磁気光学素子１１を、Ｙ
ＩＧ結晶から成るものにかえて光アイソレータを作製し
た。さらに、比較例２として、磁気光学素子１１を（Ｇ
ｄＢｉ）3 （ＦｅＡｌＧａ）5 Ｏ12（ビスマスガーネッ
ト）結晶から成るものにかえて光アイソレータを作製し
た。尚、両比較例において、磁気光学素子を他の結晶か
ら成るとした以外は、実施例と同様の構成とした。
【００２５】実施例ならびに比較例１および２につい
て、０．６〜０．８μｍ帯における挿入損失及び消光比
を測定した。測定結果を表１に示す。
て、０．６〜０．８μｍ帯における挿入損失及び消光比
を測定した。測定結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１において、実施例による光アイソレー
タでは、挿入損失が１ｄＢ未満、消光比３５ｄＢを越え
ているのに対し、比較例１によるものは、この帯域では
挿入損失が大きく、消光比が全く取れず、また、比較例
２によるものは、消光比は３５ｄＢを越えているもの
の、挿入損失が３ｄＢを超過している。一般に、計測器
などに使われる半導体レーザ装置においては、光アイソ
レータの挿入損失は１ｄＢ以下、消光比は３５ｄＢ以上
が必要とされており、０．６〜０．８μｍ帯で最も効率
よく動作するのは実施例１のみであり、比較例１および
２によるものは実用的とはいえない。
タでは、挿入損失が１ｄＢ未満、消光比３５ｄＢを越え
ているのに対し、比較例１によるものは、この帯域では
挿入損失が大きく、消光比が全く取れず、また、比較例
２によるものは、消光比は３５ｄＢを越えているもの
の、挿入損失が３ｄＢを超過している。一般に、計測器
などに使われる半導体レーザ装置においては、光アイソ
レータの挿入損失は１ｄＢ以下、消光比は３５ｄＢ以上
が必要とされており、０．６〜０．８μｍ帯で最も効率
よく動作するのは実施例１のみであり、比較例１および
２によるものは実用的とはいえない。
【００２８】
【発明の効果】本発明による光アイソレータは、電流制
御回路を備えるコイルを有するため、磁気光学素子に印
加される磁界強度を調整でき、所定の波長範囲の光に対
して適応できる。また、磁気光学素子は、Ｃｄ1-x Ｍｎ
x Ｔｅ（０≦ｘ≦０．６）結晶から成るため、特に、
０．６〜０．８μｍ帯短波長帯域光に適する。
御回路を備えるコイルを有するため、磁気光学素子に印
加される磁界強度を調整でき、所定の波長範囲の光に対
して適応できる。また、磁気光学素子は、Ｃｄ1-x Ｍｎ
x Ｔｅ（０≦ｘ≦０．６）結晶から成るため、特に、
０．６〜０．８μｍ帯短波長帯域光に適する。
【００２９】さらに、本発明による半導体レーザ装置
は、Ｃｄ1-x Ｍｎx Ｔｅ（０≦ｘ≦０．６）結晶から成
る磁気光学素子を有する光アイソレータを用いたため、
帰還光の悪影響がないことは勿論、０．６〜０．８μｍ
帯短波長帯域光に対して挿入損失が低く、消光比が高
い。このため計測用としての使用が期待できる。
は、Ｃｄ1-x Ｍｎx Ｔｅ（０≦ｘ≦０．６）結晶から成
る磁気光学素子を有する光アイソレータを用いたため、
帰還光の悪影響がないことは勿論、０．６〜０．８μｍ
帯短波長帯域光に対して挿入損失が低く、消光比が高
い。このため計測用としての使用が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による光アイソレータを示す
概略構造図である。
概略構造図である。
【図２】図１に示す光アイソレータを用いた半導体レー
ザ装置を示す概略構造図である。
ザ装置を示す概略構造図である。
【図３】光アイソレータの消光比を測定する方法を示す
原理図である。
原理図である。
【図４】図１に示す光アイソレータの消光比が３０ｄＢ
以上となる場合の、各波長に対する磁界の設定値を示す
図である。
以上となる場合の、各波長に対する磁界の設定値を示す
図である。
【図５】従来例による光アイソレータを示す概略構造図
である。
である。
【図６】図５に示す光アイソレータを用いた半導体レー
ザ装置を示す概略構造図である。
ザ装置を示す概略構造図である。
１０ 光アイソレータ １１ 磁気光学素子 １３、１４ 偏光子 ２１ 半導体レーザ光源 ２２ コリメーター用レンズ ２３ 集光用レンズ ２４ 光ファイバ ５２ 磁石 １２１ コイル １２２ 電流制御回路
Claims (2)
- 【請求項１】 柱形を呈する磁気光学素子と、該磁気光
学素子の軸方向両側夫々に配設された偏光子と、前記磁
気光学素子の近傍に配設され、該磁気光学素子に所定の
磁界を印加する磁界印加手段とを有し、ファラデー効果
により前記軸方向一方から入射される光を遮断する光ア
イソレータにおいて、前記磁気光学素子は、Ｃｄ1-x Ｍ
ｎx Ｔｅ（０≦ｘ≦０．６）結晶から成り、前記磁界印
加手段は、電流制御回路を備えるコイルからなることを
特徴とする光アイソレータ。 - 【請求項２】 レーザ光を出射する半導体レーザ光源
と、前記レーザ光を平行なレーザ光に変換するコリメー
ター用レンズと、前記軸方向他方から前記平行なレーザ
光の入射される請求項１記載の光アイソレータと、前記
軸方向一方から出射されるレーザ光を集光する集光レン
ズと、集光されたレーザ光を伝搬する光ファイバとを有
する半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17828192A JPH0618816A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 光アイソレータおよびこれを用いた半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17828192A JPH0618816A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 光アイソレータおよびこれを用いた半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0618816A true JPH0618816A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16045729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17828192A Pending JPH0618816A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 光アイソレータおよびこれを用いた半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618816A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011150208A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光アイソレータ |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP17828192A patent/JPH0618816A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011150208A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光アイソレータ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010404 |