JPH06188090A - 可変制御電流検知バラスト - Google Patents

可変制御電流検知バラスト

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JPH06188090A
JPH06188090A JP5214733A JP21473393A JPH06188090A JP H06188090 A JPH06188090 A JP H06188090A JP 5214733 A JP5214733 A JP 5214733A JP 21473393 A JP21473393 A JP 21473393A JP H06188090 A JPH06188090 A JP H06188090A
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lamp
output
power
voltage
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JP5214733A
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Guy J Lestician
ジェー レスティシャン ガイ
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RESUTEISHIYAN BARASUTO Inc
Lestician Ballast Inc
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RESUTEISHIYAN BARASUTO Inc
Lestician Ballast Inc
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Publication date
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14Circuit arrangements
    • H05B41/36Controlling
    • H05B41/38Controlling the intensity of light
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    • H05B41/392Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor
    • H05B41/3921Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations
    • H05B41/3925Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations by frequency variation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05B41/14Circuit arrangements
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    • H05B41/28Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
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    • H05B41/2851Arrangements for protecting lamps or circuits against abnormal operating conditions for protecting the circuit against abnormal operating conditions
    • H05B41/2855Arrangements for protecting lamps or circuits against abnormal operating conditions for protecting the circuit against abnormal operating conditions against abnormal lamp operating conditions

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  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
  • Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 諸要素の追加または変更なしにどんなラン
プにも効率的に電力を供給しうるガス放電ランプの制御
のための電子バラスト装置を提供する。 【構成】 本発明の装置は電子回路と関連諸要素とをも
つハウジング・ユニットから成る。この装置は交流電力
を受取ってこれを種々の低直流電圧に整流して電子回路
にエネルギーを与え、および1つ以上の高直流電圧に整
流してランプにエネルギーを供給する。低直流電圧と高
直流電圧の双方は直接に供給することができ、交流電力
を整流する必要を無くす。この装置は直流電圧を切換え
て周波数信号を発生させるようになっている。高周波数
(約38kHz)にマッチした出力変圧器の選択と周波
数をわずかに変化させて適正な電流を達成する能力との
ために、この装置は変性なしに種々のランプ寸法を受入
れることができる。このバラストはまた周波数を増大さ
せることによってランプを暗くすることもできる。この
装置は遠隔制御することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は1種以上のガス放電ラン
プとくに蛍光ランプへの電力を制御するための電子バラ
スト装置である。本発明は、過剰の熱発生により熱を浪
費しそして制御オプションもない蛍光ランプに使用する
バラストの問題に関する。本発明は変性することなしに
通常の蛍光ランプに電力を供給することができる。これ
は2脚標準ランプから8脚T12までの範囲の標準蛍光
ランプHO,VHO,T8,T10およびT12を包含
するが、これらに限定されない。
【0002】
【従来の技術】蛍光ランプは照明用に、戸外照明の植物
生育光として、および多くの他の用途にオフィスビル、
学校、病院、工業プラントに広範囲に使用されている。
これらのランプへの電力はバラストによって制御される
が、バラストは固有の問題をもっている。標準のバラス
トおよび複雑でない電子バラストをもつ蛍光ランプは他
の照明技術よりすぐれたいくつかの利点、たとえば匹敵
する光出力のための低いエネルギーの使用、をもつけれ
ども、これらのバラストは依然として過度の熱発生によ
りエネルギーを浪費し、そしてそれらは本発明によりえ
られる特徴を欠いている。標準バラストは嵩ばったエネ
ルギー浪費変圧器を使用して高電圧、低周波数信号を発
生させてランプフィラメントを励起している。本発明は
低電圧、高周波数の信号を使用してフィラメントを励起
する。現存するバラストは特定のランプ設計に対して特
定のインピーダンスのマッチングを必要としている。本
発明は変性なしに広範囲のランプ寸法に電力を供給する
ことができる。
【0003】本発明を使用すれば、ランプは冷たく燃
え、より永く持続し、そして少ない電力を使用しながら
明るい光を生ずる。本発明はまたより複雑な水準の制御
をもち、現在の技術状態から利用しうる。それはランプ
を暗くすることができ、パワーアップを遅延させてラン
プの寿命を改良することができ、ランプが消化または燃
えつきたときを検知することができ、そして電力を減少
または完全にシャットダウンすることによって応答する
ことができ、そして遠隔制御またはプログラム性ユニッ
トにより制御することができる。
【0004】本発明はランプがバラスト設計に個々にマ
ッチすることを必要としない。本発明は変性なしに標準
425maランプ、800maHOランプ、1500m
aVHOランプ、T8、T10またはT12ランプに電
力を供給することができる。従来の技術はそれぞれのラ
ンプのインピーダンスをバラストにマッチさせてランプ
の電流を限定することを必要とする。本発明の装置は、
変圧器の巻線のリアクタンスおよび僅かの周波数変化に
よるランプ電流の限定と組合せてランプのインピーダン
スを可能にする操作周波数(代表的に約38kHz)に
おいて変圧器の性能特性を使用する。
【0005】国際特許WO83/02537は遥かに低
い周波数(20kHz)を使用している。それは周波数
を増大させることによってランプを暗くする出力変圧器
の周波数特性を使用しているけれども、その定常状態の
操作は変圧器の周波数中央帯にある。これは低周波数
(変圧器リアクタンスは周波数に比例する)と組合せ
て、定常状態操作中ランプ荷重はバラストにマッチさせ
なければならないことを意味する。それぞれの追加ラン
プは追加の出力変圧器を必要とする。更にこの設計はタ
イミング回路に追加の変圧器を必要とする。
【0006】米国特許第4,853,598号は高周波
数装置(30kHz)を開示しているが、出力変圧器の
周波数中間帯域で操作する装置である。この設計は電圧
を下げることによって暗くなり、それぞれのランプの荷
重にマッチするように調整されなければならない。
【0007】米国特許第4,998,045号は出力変
圧器の周波数中間帯域で操作され、タイミング回路のパ
ルス幅(デューティ・サイクル)および周波数を変える
ことによって暗くなる装置を開示している。このバラス
トは荷重にマッチさせなければならない。
【0008】米国特許第4,998,046号はアーク
電圧およびフィラメント電圧に別々の変圧器をもつ複雑
な装置を開示している。追加のランプは余分の変圧器お
よび新荷重にマッチする追加のバラスト・キャパシター
を必要とする。
【0009】従来技術は広範囲であるけれども、これら
の特許のどれ1つとして諸要素を追加または変更するこ
とによってインピーダンスのマッチングを行なうことな
しにどんな寸法のランプにも電力を供給しうるように出
力変圧器の特性の十分な利点を享受する電子バラストを
開示しているものはない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は蛍光ランプの
ようなガス放電ランプの制御のための電子バラスト装置
に関するものである。本発明によれば諸要素の追加また
は変更なしにどんな寸法のランプにも電力を供給しう
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の装置は電子回路
と関連要素を備えるハウジングから成る。この装置は交
流電力を受取ってこれを種々の低電圧直流に整流して電
子回路に電力を供給し、そしてダブラー回路の使用によ
って1つ以上の高直流電圧に変えてランプに電力を供給
する。低直流電圧と高直流電圧の双方は直接に供給する
ことができ、交流電圧を整流する必要を無くす。
【0012】高電圧直流電力は複数のMOSFET(金
属酸化物半導体フィールド効果トランジスタ)に供給さ
れる。MOSFETはパルス幅モジュレーション(PW
M)回路によって制御され、PWM回路は相互にパルス
から180電気度離れた2つのパルス列を出力する。P
WM回路は高周波出力が複数の出力変圧器に供給される
ようにMOSFETを切換えるスイッチング回路を制御
する。変圧器の出力側からの電力は1つ以上の蛍光ラン
プに供給される。PWM回路は従ってランプに供給され
る周波数を制御する。
【0013】変圧器の電気特性および回路のインピーダ
ンスは2つの重要な特徴が誘導されるようにえらばれ
る。変圧器は電圧がほぼ一定に保たれ周波数が増大する
「高周波帯域」で操作され、出力電流の減少を生ぜしめ
る。これはバラストが周波数範囲を増大させることによ
ってランプを暗くすることを可能にする。第2に、この
領域の操作において、変圧器の1次巻線および変圧器の
2次巻線のリアクタンス値は顕著になる。約38kHz
の定常状態操作周波数の場合、リアクタンスは周波数に
比例するので、これらの値は大きい。種々のランプを設
置するとき、ランプのインピーダンスはMOSFETに
反射して戻る全インピーダンスの一部になる。ランプ電
流が増大するにつれて、ランプの抵抗は減少して更なる
電流の増大を可能にする。やや周波数の変化を伴うラン
プのインピーダンスと組合せた出力変圧器の全インピー
ダンスはランプ電流を限定する働きをする。設置したラ
ンプのいづれかについて、電流および周波数の異なった
定常状態操作点は電圧がほぼ一定に保たれるときに達成
される。再配線または要素変化なしに種々のランプ荷重
を入力させるのは設計公称操作周波数における変化器特
性の現象である。
【0014】フィラメントを打つランプに加えた高周波
数電圧はランプを点灯させる。本発明は変圧器に入力し
た周波数を増大させ、それによって電圧を一定に保ちな
がら出力電流を低くすることによって、ランプを暗くす
ることができる。電流が減少するにつれてランプは暗く
なる。従って、出力変圧器の操作周波数および対応する
周波数応答は本発明の装置の設計において重要である。
【0015】1個以上のランプが燃えつきるか又は除か
れたときは、装置はこれを検知して完全にシャットダウ
ンするか又は必要な残存ランプへの出力を減少させる。
本発明は通常のバラストよりも高い効率で且つ殆どの電
子バラストよりも大きい部分で高い効率で操作される。
高い周波数および対応して小さい出力変圧器が必要とさ
れるためである。
【0016】この装置によって操作されるランプはまた
寿命が長い。フィラメント上の小さい一定電圧、フィラ
メントとフィラメント・スパッターリングの高操作周波
数カットダウンとの間の低い電圧、およびランプの高水
準での電圧電位の低下の組合せによってランプの蛍光が
一端から他端に均一に枯渇されるからである。これはラ
ンプの寿命を6倍ほどにまで増大させる。
【0017】
【実施例】本発明は添付図面を参照して以下の記述を読
むとき、更に十分に理解されるであろう。図1は本発明
の好ましい態様の電気プロセスのフローダイヤグラムを
示す。図2〜図5は本発明の1つの好ましい態様の電気
図式ダイヤグラムであり、種々の要素の詳細な相互関係
を示すものである。
【0018】本発明は1種以上のガス放電ランプたとえ
ば蛍光ランプを制御するための電子バラスト装置を含
む。図1のフローチャートは枠1で一般的に示す本発明
の1つの態様を表わす。
【0019】この図には中性リードおよび熱リード(こ
の態様において120ボルト)によって交流電力3の入
力がある。この装置は交流電力3に接続する部材をも
つ。整流器5はいくつかの機能を果たす。必要に応じて
交流電力3を種々の直流電圧に整流して装置1の電子回
路1に電力を供給する。
【0020】整流器5はまた直流電力3を高電圧直流電
力に変換する。この電力は整流器5によって変換され、
交流電圧3からダブラー回路7を介して直流電力電圧7
に至る。(この態様において、これはアースに対して3
75ボルト直流をもたらす。)
【0021】ダブラー回路7は直流電力を供給して2つ
のMOSFET25および27に接地する。MOSFE
Tの切換えはゲート・ドライバー回路23によって制御
され、この回路はまた、下記の制御セクションにおい
て、パルス幅モジュール(PWM)回路15によって制
御される。MOSFET25および27は180電気度
の間隔を置いて高電圧と接地との間に交互に着火され、
高周波数出力は2つの絶縁変圧器29および31の入力
に供給される。これは高周波数を中性リードに対して対
称、交流信号にみる。中性リードはフィルタをもち、正
弦波に近い。
【0022】絶縁変圧器29および31の出力は蛍光ラ
ンプ33および35に接続する部材に供給される。1個
以上のランプをそれぞれの変圧器に接続させることがで
きる。変圧器29および31のそれぞれの出力も存在し
ていて、下記の比較回路13に接続されている。
【0023】比較回路は外部発生の制御信号17を受信
して、この信号を変圧器29および31の出力からのフ
ィードバック信号と比較する。この制御信号は装置をオ
ンおよびオフにすることができるか又はランプのダイミ
ング(暗くなること)を制御する。比較回路13はタイ
ミング信号をPWM回路にインプットする。このPWM
回路15はタイミング信号を上記のMOSFETゲート
・ドライバー23に送る。MOSFETの着火を制御す
ることによって、MOSFET25および27の出力は
可変周波数の電圧波形である。この高周波数電圧は蛍光
ランプのフィラメントを励起して光を生ぜしめる。周波
数を僅かに変化させることによって、適切な操作条件が
達成される。周波数を増大させることによって、ランプ
を暗くすることができる。BOSFET25および27
の着火を阻止することによって、ランプは完全にシャッ
ト・オフされる。
【0024】誤りを検出しうるランプ検知回路19が存
在する。整流器5からの電力信号およびランプ33およ
び35からのフィードバック信号はランプの電流引抜き
を検知するランプ検知回路19にインプットされる。ラ
ンプ検知回路19は誤り検出回路21への供給を行な
う。誤り検出回路21はいつ誤りが生じたかを検出す
る。1個以上のランプが燃えつきたとき又は1個以上の
ランプが失なわれて荷重変化が生じ、それによって荷重
の電流引抜きが変化したときに起る。このような誤りが
検出されると、誤り検出器21はMOSFETゲート・
ドライバー23にMOSFET切換え回路25および2
7への信号を変化させ、それによってランプへの電力は
減少するか又は完全にシャット・オフされる。
【0025】図2〜図5を参照して、図式ダイヤグラム
101は本発明の好ましい態様の詳細を示している。セ
グメント103および105は120ボルト交流の主要
入力を示す。この交流信号は次の3つの方法で使用され
る、すなわち高電圧バイアスを電力切換えネットワーク
に供給すること、12ボルト電力供給において使用する
こと、および変圧器ネットワーク中でオフセット電圧と
して使用すること、である。フューズ119は過電流保
護装置として役立つ。
【0026】交流電圧は1000μFの電力キャパシタ
ー129、155、およびダイオード127、153に
よって整流される。整流法の副産物は出力電圧が線13
1を横切って線157に約325Vに2倍になることで
ある。103が正であるとき153は155を導いて荷
重される。103が負であるとき105は正であって1
29を荷電する。103が正に戻ると、129は放電し
て155の負の基準を約180ボルト直流にする。キャ
パシター155は荷電して負の基準に別の180Vを加
えて、127および129の接合に対して153および
155の接合において約360〜375ボルトをもたら
す。この電圧は後に述べるスイッチ・ネットワークの操
作電圧として役立つ。ダイオード127とキャパシター
129の接点は線131によって系の接地133に接続
される。レジスタ159(16.2kΩ)は電力キャパ
シター129および155に貯蔵される高電圧をブリー
ト・オフするためのドレイン装置として役立つ。
【0027】整流された電圧は2.5kΩ電力レジスタ
115によりステップダウンされ、12ボルト電力供給
電圧を駆動するのに使用される。レジスタ115は線1
07によって電圧調節器109に接続されてその出力を
基準レジスタ117(82Ω)および111(1.8k
Ω)を使用して約30ボルトに調節する。線113上の
119の出力電圧は470μFキャパシタによって濾過
されて波形電圧が除去される。109およびキャパシタ
123(線113)の出力ピンの接点でとった調節器出
力は次いで切換え用FETのバイアス電圧として使用さ
れる。FET141のゲートは線149に接続され、線
149は交流電線から150kΩレジスタ147に接続
される。このドレイン電圧はゼナー・ダイオード13
5、ゼナー・ダイオード137、および30.1kΩレ
ジスタ139によって24Vにおいて調節され、このレ
ジスタは24Vを線143の6Vに落として後に述べる
比較器ネットワークにおいて使用される。電源電圧は線
145上で12Vに調節されて電子要素の電圧供給とし
て使用される。
【0028】変圧器 85回転1次巻線213の一面はMOSFET177の
電源とMOSFET165のドレインとの接点において
切換え用信号によって2次変圧器の85回転巻線183
と平衡に発振される。213の他面は1回転2次巻線2
53、0.033μFキャパシター205の波形ネット
ワークおよびバリスター209に線207に接続され、
そして線401によってランプ600のフィラメント6
02にも接続される。MOSFETネットワークによっ
て発生する切換え用信号は実質的に方形の波であり、そ
してこの信号はそれがランプに接続される前に調整され
なければならない。キャパシター205は信号を平滑に
し、そしてバリスター209は過電圧スパイクに対して
保護して、ほぼ正弦波形の対称波をもたらす。一面の2
次巻線は1次巻線に接続されるが、他面は線403によ
ってランプ600のフィラメント602の多面に接続さ
れる。これはフィラメント602を横切って小さい電位
差を生ぜしめる。600の他面において、フィラメント
604の一面は2回転2次巻線259の一面に結び付け
られる。フィラメント602の他面はランプ700のフ
ィラメント702の一面に接続される。巻線259の他
面は線407によってフィラメント702の反対側の面
に接続される。2次巻線255(1回転)はそれぞれ線
411および413によってランプ700のフィラメン
ト704の反対側の面に接続されたそれぞれの面をも
つ。従ってすべてのフィラメントはそれらを横切って小
さい電位差をもつ。411に接続する255の面も、ト
ロイド201の中心から線199によって接続される交
流バス125に接続される。これはランプを励起するオ
フセット電圧を巻線255に与えて、それぞれのランプ
のフィラメント間に電圧があるようにし、これは2次巻
線213を横切る電圧にほぼ等しい。
【0029】2次巻線(1回転)は電流検知装置として
作用し、後に述べる補助ランプ検知回路の1つへの入力
とに使用される。257の一面はダイオード247を通
過するが、他方は線277によって接地299に接続さ
れる。
【0030】2次変圧器の機能は、それらが平行に操作
されるのでまず鏡の働きをする。1次巻線183は、線
181からの1次変圧器として同じMOSFET切換え
信号によって励起される。キャパシター195(0.0
33μM)およびバリスター193(0.033μF)
およびバリスター(193)は、巻線183に接続する
線189の正弦波に方形波を形どる。
【0031】一面の2次巻線331(一回転)は線18
5によって1次に接続され、これに対して他面は線41
5によってランプ800のフィラメント802に接続さ
れる。1次はフィラメント802の他面に接続され、こ
れはフィラメント802を横切って小さい電位差を発生
する。ランプ800の他面において、フィラメント80
4の一面は線417によって2次巻線337(2回転)
の一面に結び付けられる。他のフィラメントは線421
によってランプ900のフィラメント902に接続され
る。フィラメント902の他面は線419によって2次
巻線の残りの面に接続される。2次巻線(一回転)は線
425によってランプ900のフィラメント904に接
続する一面および線423によってフィラメント904
の他面に接続する他面をもつ。425に接続する333
の面はまた、トロイド309の中心を通るジャンパー線
を介して接続される整流された交流バス125にも接続
される。これは巻線335にランプを励起するオフセッ
ト電圧を与え、それによってそれぞれのフィラメント間
に電圧が存在するようになり、この電圧は1次巻線18
3を横切る電圧にほぼ等しい。
【0032】2次巻線336(一回転)は電流検知装置
として働き、後述する補助ランプ検知回路の1つへの入
力として使用される。335の一面はダイオード271
を通過するが、他面は線277によって接地299に接
続される。
【0033】誤り検出器 ランプ負荷の不在において、または過度の負荷の存在に
おいて、MOSFETスイッチ・ネットワークは苛酷な
過電流モードで操作される。この条件は負荷として働く
唯一のフィラメントが存在するように初期の定常状態を
続ける。ランプは未だイオン化していないからである。
それ故に誤り検出器が必要である。回路の操作は次のと
おりである。
【0034】基準電圧は20kΩレジスター817と1
0kΩレジスター809の抵抗ネットワークによって比
較器805の高入力において確立される。これらのレジ
スターは12V供給815使用する単純電圧分割器によ
り基準を形成する。供給815は12V815と接地8
39との間に接続された1μFキャパシター813によ
って濾過された。線381からの検知用入力はシリーズ
10kΩレジスター801を通過して805の低入力で
終る。この入力が高入力の基準水準以下であると(すな
わち誤り条件の期間中であるような状態であると)、8
05の出力は高い。この入力が基準値(通常の操作条
件)より上であると、805の出力は低い。レジスター
823(3.3MΩ)を使用して805の出力を発振に
対して安定化させる。レジスター823は805の高出
力ピンと高入力との間に接続される。レジスター831
(10kΩ)は805の出力ピンと12V供給ラインと
の間のプル・アップ・レジスターとして役立つ。この出
力のノイズはすべて接地843への1μFキャパシター
によって除去される。通常の操作条件下で、805の出
力は始めに高く且つ後に低下する。これはランプが始め
にスタートされると、それらのランプは誤りの状態に似
ているようにみえ、そしてそれらが設定された後には通
常の負荷のようにみえるからである。誤りの状態の場合
のように、ランプが点灯しないと、805の出力は高い
ままでいる。
【0035】805の出力はタイマー・チップ855の
トリガー入力859に供給される。このタイマー・チッ
プは時間遅延ワン・ショット回路として働くように配置
される。遅延の長さは2.2MΩレジスター835と1
μFキャパシター847との組合せによって決定され
る。835と847との接点は線857と851によっ
て855の双方のタイミング・ピンに接続される。85
5の供給ピン863とリセット・ピン861は一緒に短
縮されて12V815供給ラインに直接に結びつけられ
る。855の接地ピンは線849によって接地バスに結
びつけられる。
【0036】805の出力が低くなると、落下縁は85
5のタイマーを操作開始にさせる。835および847
によって決定して、遅延の後に、855の出力は高くな
り、高くとどまる。805の出力が高いままでいると、
落下縁は存在せず、855の出力は低いままでいる。
【0037】出力はシリーズの1MΩレジスター889
によって次の比較器段階から緩衝され、すべてのノイズ
は1μFのキャパシター809によって除かれる。基準
電圧は12V直流と接地との間に接続された均等の2.
2MΩレジスター873と891によって確立され、そ
れらの接点は883の高入力に接続される。883への
低入力は889と869との接点から取られる。入力8
55が低いと、833の出力は高いままとどまり、入力
が873と891によって決定された水準より上に上昇
するときにのみ低くなる。この出力は、883の高入力
に接続する873および891の出力ピンと接点との間
に接続される3.3MΩレジスター879によって安定
化される。この区分の最後の成分は、833の出力と1
2V供給ラインとの間に接続される499kΩプル・ア
ップ・レジスター875である。
【0038】883の出力は次いで線845によってM
OSFETドライバー341のシャット・ダウン・ピン
に接続される。この信号が高いときには発振は起らな
い。シャット・ダウン信号が低いとき、発振は通常のよ
うに許される。
【0039】MOSFETゲート・ドライバー MOSFETゲート・ドライバー回路を使用してMOS
FET177および165のゲートでの適正な回転、す
なわち逆電流がなく適正なゲート電圧が保たれること、
を保証する。
【0040】12V供給線は線349によってゲート・
ドライバー341に電力を供給する。341の接地は線
351で行なわれるが、この線は線339にも接続され
る。線351は接地133に結びつけられる線163に
接続している。線667および343は341への入力
であってパルス幅モジュレーションから方形波を発振す
る。実際に、347および343は3個の制御信号のう
ちの2つである。線345(シャットダウン入力)が低
くとどまる限り、これらの入力はゲート・ドライバー3
41が切換用出力を制御することを可能にする。誤り検
出器回路から線345に電圧が加わると、ゲート・ドラ
イバー341の出力は、線345の電圧がゼロに降下す
るまで働かない。
【0041】ゲート・ドライバー341の切換用出力
は、線169が低い電圧側のスイッチであり線170が
高い電圧側のスイッチである場合の線169および17
0において見出される。高い側の電圧は177の電源に
おいて高電圧をとり、これを20Ωレジスター363、
ダイオード365、および0.1μFキャパシター36
1から成るブートストラップ回路に供給することによっ
て確立される。線353の12Vはダイオード365に
363を通過後に伝導させる。この区分はキャパシター
361のチャジング・スキームとして働く。キャパシタ
ー361は線355と線357との間に接続される。キ
ャパシター361は電源177の電力を貯蔵してこれを
高い側のスイッチング電圧として使用する。キャパシタ
ー361とダイオード363との間の接点は線357に
よってゲート・ドライバー341に接続される。
【0042】MOSFET切換え用回路 MOSFET177および165は半ブリッジ形態に接
続され、高電圧スイッチングを与えて変圧器を操作して
ランプを駆動させる。177のドレインの高電圧供給は
線157によって153と155の接点においてダブラ
ー回路の出力から取られる。この点に存在する波紋は
0.68μFフィルター・キャパシターによって除かれ
る。このキャパシターは高電圧供給と接地との間に接続
される。177のゲートはゲート・ドライバー回路の高
電圧出力によってオンに回転され、20Ωレジスター1
71は線173によって接続され、ゲート電圧水準を徐
々に減少するためのバッファーとして作用する。
【0043】ゲートがオンに回転されると、高電圧供給
は177の電源によりスイッチされ、これは165のド
レインに接続され、ブートストラップ回路は線183に
よって接続され、そして変圧器213の1次に接続され
る。これはランプを駆動するのに使用する高電力発振信
号である。線169および170の341からの切換え
信号は相から180電気度の交流を起し、177がオン
であるとき165はオフであり、従って177の電源と
165のドレインとの接点において電圧は325Vであ
る。177のゲートがオフであるとき、165はオンに
なり、接点におりる電位を接地に等しくする。165の
ゲートは線175によって接続される20Ωレジスター
167により177と同様にオンになり電圧のゲート回
転を軟化するように作用する。
【0044】パルス幅モジュレーター回路 パルス幅モジュレーター(PWM)回路はPWMチップ
671を使用してタイミング信号をMOSFETゲート
・ドライバー回路に供給し、そして究極的にMOSFE
T発振の周波数を制御する。これらのタイミング信号は
他の手段によっても発生させうるが、この態様において
はこのPWM回路が交流高周波数タイミング信号を供給
する。
【0045】PWM671の電力は線661によって接
続される12V供給線から来る。キャパシター693
(10μF)は線691によって12Vラインから接地
への局部フィルターとして作用する。12V供給はまた
線669および663によってチップ出力トランジスタ
のコレクターにも接続され、そしてこの電圧供給はそれ
らのバイアス電圧として役立つ。PWM671の接地6
51は695によって供給され、これはまた679によ
ってデッドタイム制御ピンに、673によって非インバ
ート入力#1に、および647によって非インバート入
力#2にも接続される。調整基準出力は線655によっ
て657、653、および645に接続される。0.1
μFキャパシター641は639によって653から線
643によって接地651に接続されて直流電圧を平滑
にする。この直流電圧はPWM671の誤り増幅器のイ
ンバート入用として、ならびに出力制御電圧として役立
つ。671のタイミングは、線699によって接地に接
続された22.6kΩレジスター697と1000pF
キャパシター701との組合せによって決定される。レ
ジスター697は683によってPWM671におよび
649によって接地に接続されるが、キャパシター70
1は線681から接地に接続される。697と線683
との接点において、16.2kΩシリーズのレジスター
635の一面が取付けられ、これは後述のダイミング信
号を基準とする発振周波数に影響を及ぼす。
【0046】PWM671の出力は線665および66
7において、出力トランジスターのエミッターから採取
される。これらの出力は次いでゲート・ドライバー34
1の入力に接続される。レジスター377および379
(それぞれ10kΩ)はそれぞれ線373および375
によってそれぞれの出力ラインを横切って閉鎖されて接
地371に接続して出力を局部的に安定化させる。
【0047】ランプ検知回路 トロイド203および217の出力は2次巻線255を
通る電流を表わす。これは交流電圧であり、直流電圧に
整流させなければならない。ダイオード219、22
1、223および225は十分な波ブリッジ整流器層の
形状にある。この十分な波に整流された信号は次いで
0.1μFキャパシター227中で濾過されて波紋が除
去される。キャパシター227は一面で219と221
との接点に接続され、他面で223と225との接点に
接続される。シャットダウン回路への入力はこの点から
採取され、線381によってレジスター801に接続さ
れる。レジスター229および231(それぞれ182
Ω)は線235によって接続されるキャパシターのブリ
ーダーとして役立つ。これらのレジスターは均等であ
り、合計が2に等しい1つのレジスターによって置き換
えることができる。2つのレジスターが直列であること
はこの態様にとって重要なことではない。ダイオード2
75および0.1μFキャパシター279は227と2
29との接点と組合されて接地される。
【0048】第2のランプの検知回路の操作は、変圧器
の操作が同じである限り、第1のそれと同様である。3
11を横切るトロイドの出力は2次巻線333を通過す
る電流を表わす。これは交流電圧であり、直流に整流さ
れなければならない。ダイオード315、319、32
1、および317は十分な波ブリッジ整流器の層の形状
にある。この十分な波の整流された信号は次いで0.1
μFキャパシター332中で濾過されて波紋が除去され
る。キャパシター332は一面で315と319との接
点に接続され、他面で317と321との接点に接続さ
れる。この接点は線325によってダイオード223と
225との接点に接続される。シャットダウン回路への
入力は315と317との接点から採取され、線381
によってレジスター801に接続される。レジスター3
27および329(それぞれ182Ω)はキャパシター
322のブリーダーとして役立つ。これらのレジスター
は均等であり、合計2に等しい1個のレジスターに置き
換えることができる。2個のレジスターが直列であるこ
とはこの態様において重要なことではない。
【0049】ランプ検知回路にとどまる回路はバラスト
の操作にとって重要なことではない。然しながら、余分
の回路は電流検知、誤りの検出、およびダイミング・モ
ジュラスを設置するための別の手段を与える。この態様
はこれらの回路を将来の態様の開発のために手つかずに
残す。
【0050】ダイオード243、245、262、およ
び263は2元トロイダルの十分な波ブリッジ回路の出
力を一緒に合計するために使用される。実質的に、それ
らは別の十分な波ブリッジ段階として使用する。261
と243との接点は線249によって後述の比較器ネッ
トワーク中のレジスタ571と575との接点に接続さ
れる。245と263との接点は線251によって比較
器ネットワーク中のレジスター505とキャパシター5
11との接点に接続される。
【0051】ダイオード247は巻線257からランプ
検出信号の正の部分のみを通す。この正の部分は、ダイ
オード271をも通過する巻線335の正の部分とその
後に合計される。271と247との接点、線269
(常に正の電圧である)をFET301のゲートに加
え、16.2kΩレジスター289中にまず通し、レジ
スター289を線287によってダイオード接点に接続
し且つ線303によってゲートに接続する。ゲートの電
圧は289の抵抗ネットワーク、3.8kΩ285およ
び2k電位差計281によって分割される。このネット
ワークを使用して、281の値を調節することによって
FET301のゲートの電圧をオンにセットする。キャ
パシター295(22μF)フィルターは線303と線
297の接地との間のノイズを濾過する。これは巻線2
57および335から来る信号を浸透していてもよい。
キャパシター305(0.1μF)は線307によって
FET301のドレイン電圧を線501を介して比較器
629のピンから来る電圧に結合するためにのみ役立
つ。FET301の電源は線297によって接地299
に接続される。
【0052】比較器回路 ここの電力供給区分において誘導される6V供給531
は、比較器525の高入力において基準電圧として作用
する。6V供給531は0.1μFキャパシターによっ
て531から接地513に濾過され、531から接地5
13に分岐される9.91kΩレジスター537によっ
て局部的に安定化される。この低い入力は、PWM回路
の線637からの調節5V出力からその水準を得る。こ
の比較器はインバート様式にあるので、線523への出
力は高い。出力は、それが出力と接地との間に接続した
22μFキャパシター517を帯電させるので、徐々に
上昇する。出力の上昇速度はプル・アップ・レジスター
521(45k)によって制御される。521の値が小
さいほど517は速く帯電する。レジスター521は一
面において525の出力に接続され、他面において12
V供給ラインの接点に、および10.7kΩレジスター
505に接続される。ここでのレジスター505はダイ
オード245と263との接点のプル・アップ・レジス
ターとして働き、その電位差はほとんど接地される。キ
ャパシター511(0.1μF)は線251と接地51
3との間に接続される。
【0053】525の出力も比較器589の高入力に接
続される。589の低入力は621の調節された5V出
力から採取される。589の高入力はそれが低入力より
高い電位差にあるまで上昇する。この点において、出力
は徐々に上昇する。それは1μFキャパシター583を
帯電させつつあるからである。その正の面は589の出
力および比較器629の高入力に接続される。キャパシ
ター583の負の面は接地に接続される。589の出力
はまた100kΩレジスター597に取付けられ、そし
て597は10kΩレジスター547、1pFキャパシ
ター567、およびオプト絶縁器チップ555に接続す
る。これらのレジスターを後述のダイミング様式で作用
する。
【0054】キャパシター629は589の出力から高
入力を得る。低入力はダイオード243と261との接
点から来り、この接点はレジスター575(32.7k
Q)と571(100kΩ)との接点に入る。レジスタ
ー571はダイオード243と261との接点と安定用
の接地との間を行くが、レジスター575はこの接点か
ら629の低入力に行く。また、629の低入力に合わ
せて、0.047μFキャパシター579が線577に
よって接続されており、これは629の出力からのフィ
ードバック・キャパシターとして接続される。この入力
はランプ検知回路から採取される。ランプが未だ点灯さ
れないときは信号は低いが、ひとたびランプが点灯され
ると、ここでの電圧は高くなる。低入力は高入力よりも
速く高になり、それはゆるやかな傾斜より多い。高入力
の電圧が低入力の電圧を越えると、629の出力は高く
なる。
【0055】629の出力は619の出力、線621に
よる619の低入力、フィードバック・キャパシター5
79、およびシリーズのレジスター635に接続され
る。619の高入力は100kΩバッファー・レジスタ
ー607を介して589の低入力から来る。このピンに
おいてノイズを取り出すために、0.1μFキャパシタ
ー615が高入力から接地に分岐される。619の低入
力は629の出力に接続される。比較器619を使用し
てスタートアップにおいてレジスター635の上に存在
する電圧を減少させる。低入力での入力が比較器629
の結果として最後に高になると、619の出力も次いで
高くなる。
【0056】制御信号 線557と559との間の光学分離器555の入力ピン
に情報を出力する外部装置によって制御信号が供給され
る。この情報はバラストを暗くするために、または装置
をオンまたはオフに遠隔操作するために使用することが
できる。信号が存在しないときは555のコレクターに
おける電圧は線553において5Vである。それはレジ
スター547を介して671の調節出力電圧に接続され
ているからである。555のエミッターは線561によ
って接地565に接続される。555のコレクターから
接地563に接続されたキャパシター567はノイズ・
フィルターとして役立つ。制御信号、この場合はダイマ
ー信号、はPWM信号を555のコレクターに出現さ
せ、そしてこの信号のパルス幅はダイマー入力に応じて
変化する。デューティ・サイクルが減少し、且つデット
・タイムが555のコレクターにおいて増大すると、こ
の点でのより低い平均電圧が比較器589の出力におけ
る電圧を低くして583をドレイン・オフにする。58
3がドレイン・オフになると、629の高入力の電圧は
減少し、これが629の出力の電圧をドロップ・オフに
する。レジスター635は比較器部分とPWM部分との
間のタイミング干渉装置である。635の上に電圧が加
わると、それは671の抵抗タイミングにおいてみられ
る有効抵抗を変化させる。この有効抵抗が変化すると、
発振の周波数は増大してランプは暗くなる。
【0057】オン・オフのリモート・コントローラーの
ために、555への入力は直流電圧であり、これが55
5のコレクターをゼロ・ボルトにまで降下させる。この
点において、ダイミングのときと同じ特性が示される。
ただしダイミングの代りにバラストがシャット・オフに
なる。
【0058】本発明を使用して蛍光灯を広範囲の用途に
点灯することができる。それはタイマーによって制御さ
れた、水槽に光を与えるための蛍光灯を点灯することが
できる。それはホト・セルによって制御されたハウス植
物に光を与えるために使用されるランプを点灯すること
ができる。
【0059】本発明はオフィス・ビル、学校、病院およ
び工業用プラントまたは大量の光が蓄蔵されるその他の
場所において、大きなエネルギー節約を達成することが
できる。この種の用途は大きなエネルギー節約から多く
のランプの利点がえられる場合のみならず、ランプの出
力を遠隔操作で正確に制御する能力からも利益を受け
る。また、このような場所ですべてのランプが必ずしも
同じ種類のものである必要はないので、使用者は巻き直
し又は変性なしに交換バルブ型の能力からも利益を得る
であろう。
【0060】本発明はまた区域またビルボードのいづれ
かを照明する戸外用途にとっても理想的である。遠隔の
場所で長時間光を与える必要性のために、この用途は本
発明のエネルギー節約からも及びランプの出力を制御す
る能力からも利益を受ける。いうまでもなく、上記の教
示に照らして、本発明の多数の変性と変化が可能であ
る。それ故、特許請求の範囲内で本発明がここに特に述
べたもの以外で実施しうることが理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好ましい態様の電気プロセスのフロー
・ダイヤグラムを示す説明図である。
【図2】本発明の好ましい態様の電気図式ダイヤグラム
であり、種々の要素の詳細な相互関係を示す説明図であ
る。
【図3】本発明の好ましい態様の電気図式ダイヤグラム
であり、種々の要素の詳細な相互関係を示す説明図であ
る。
【図4】本発明の好ましい態様の電気図式ダイヤグラム
であり、種々の要素の詳細な相互関係を示す説明図であ
る。
【図5】本発明の好ましい態様の電気図式ダイヤグラム
であり、種々の要素の詳細な相互関係を示す説明図であ
る。
【符号の説明】
3 交流電力 5 整流器 7 ダブラー回路 11 12V,6V供給 13 比較器回路 14 ランプ検知回路 15 パルス幅モジュレーター回路 17 制御信号 21 誤り検出器 23 MOSFETゲート・ドライバー 25 MOSFET#1スイッチ回路 27 MOSFET#2スイッチ回路 29 絶縁変圧器 No.1 31 絶縁変圧器 No.2 33 ランプ 35 ランプ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1種以上のガス放電ランプへの電力を制
    御するための電子バラスト装置であって、 (a)電子回路および関連要素を取付けるためのハウジ
    ング・ユニット; (b)このハウジング・ユニットに取付けた次の要素を
    含む電子回路; (i)この回路に接続してこの回路に交流電力入力を加
    える手段、(ii)ランプをオンおよびオフに切替えて
    回路を制御するためのスイッチ手段、(iii)交流電
    力入力を1つ以上の低電圧出力を含む複数の直流出力に
    変換するための整流回路、(iv)外部制御信号を受信
    してこれを装置の出力からのフィードバックと比較して
    パルス幅モジュレーション(PWM)回路を制御する比
    較回路、(v)少なくとも1つのタイミング信号をMO
    SFETゲート・ドライバー回路に送るPWM回路、
    (vi)PWM回路からのタイミング信号を受信してス
    イッチング制御を2つのMOSFETに供給するMOS
    FETゲート・ドライバー回路、(vii)ダブリング
    整流回路からの直流電力を受信し、MOSFETゲート
    ・ドライバー回路によって、高周波数電圧が出力される
    ように制御されるMOSFET、(viii)初期パワ
    ーアップ中にMOSFETスイッチングの初期遅延を発
    生させてランプの寿命と有効性を改良するための発生手
    段、(ix)MOSFETの出力に変圧器の入力を接続
    させた2つの絶縁変圧器、(x)整流器からの入力を受
    信してランプの出力を検出する、且つシャットダウン回
    路に接続する、ランプ検知回路、(xi)少なくとも1
    つのランプがなくなったときに電力を少なくとも部分的
    に減少させるためのシャットダウン回路、および(xi
    i)絶縁変圧器からの電力出力をランプに接続する部
    材、から成ることを特徴とする電子バラスト装置。
  2. 【請求項2】 スイッチのオンおよびオフの切換えを遠
    隔制御する手段を更に含む請求項1の電子バラスト装
    置。
  3. 【請求項3】 PWM回路の制御によって光が暗くなる
    ように装置を遠隔制御する手段を更に含む請求項1の電
    子バラスト装置。
  4. 【請求項4】 プログラム性タイマーおよびダイマーに
    よって装置を制御する手段を更に含む請求項1の電子バ
    ラスト装置。
  5. 【請求項5】 1種以上のガス放電ランプへの電力を制
    御するための電子バラスト装置であって、 (a)電子回路および関連要素を取付けるためのハウジ
    ング・ユニット; (b)このハウジング・ユニットに取付けた次の要素を
    含む電子回路; (i)接続して直流電力入力を加える手段、(ii)ラ
    ンプをオンおよびオフに切替えるスイッチ手段、(ii
    i)電子要素に接続してこれに低電圧直流電力を加える
    手段、(iv)外部制御信号を受信してこれを装置の出
    力からのフィードバックと比較してパルス幅モジュレー
    ション(PWM)回路を制御する比較回路、(v)少な
    くとも1つのタイミング信号をMOSFETゲート・ド
    ライバー回路に送るPWM回路、(vi)PWM回路か
    らのタイミング信号を受信してスイッチング制御を2つ
    のMOSFETに供給するMOSFETゲート・ドライ
    バー回路、(vii)高電圧直流電力を受信し、MOS
    FETゲート・ドライバー回路によって、高周波数電圧
    が出力されるように制御されるMOSFET、(vii
    i)パワーアップ中にMOSFETスイッチングの初期
    遅延を発生させてランプの寿命と有効性を改良するため
    の発生手段、(ix)MOSFETの出力に変圧器の入
    力を接続させた2つの絶縁変圧器、(x)整流器からの
    入力を受信してランプの出力を検出する、且つシャット
    ダウン回路に接続する、ランプ検知回路、(xi)少な
    くとも1つのランプがなくなったときに電力を少なくと
    も部分的に減少させるためのシャットダウン回路、およ
    び(xii)絶縁変圧器からの電力出力をランプに接続
    する部材、から成ることを特徴とする電子バラスト装
    置。
  6. 【請求項6】 スイッチのオンおよびオフの切換えを遠
    隔制御する手段を更に含む請求項5の電子バラスト装
    置。
  7. 【請求項7】 PWM回路の制御によって光が暗くなる
    ように装置を遠隔制御する手段を更に含む請求項5の電
    子バラスト装置。
  8. 【請求項8】 プログラム性タイマーおよびダイマーに
    よって装置を制御する手段を更に含む請求項5の電子バ
    ラスト装置。
JP5214733A 1992-07-06 1993-06-30 可変制御電流検知バラスト Pending JPH06188090A (ja)

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