JPH06184004A - 電子受容性化合物の製造方法 - Google Patents

電子受容性化合物の製造方法

Info

Publication number
JPH06184004A
JPH06184004A JP34198392A JP34198392A JPH06184004A JP H06184004 A JPH06184004 A JP H06184004A JP 34198392 A JP34198392 A JP 34198392A JP 34198392 A JP34198392 A JP 34198392A JP H06184004 A JPH06184004 A JP H06184004A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
sulfone
acetoxyphenyl
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP34198392A
Other languages
English (en)
Inventor
Ken Iwakura
謙 岩倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP34198392A priority Critical patent/JPH06184004A/ja
Publication of JPH06184004A publication Critical patent/JPH06184004A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 記録材料用電子受容性化合物の新規な製造
方法を提供する。 【構成】 一般式(1)で表される分子内にアシルオキ
シ基を有する化合物と有機求核試薬を反応させ、フェノ
ール性水酸基を有する電子受容性化合物の製造方法。 一般式(1) 【化1】 上式中、R1 は−COR3 を、R2 は炭素原子数1〜1
2のアルキル基、炭素原子数7〜9のアラルキル基、ま
たは−COR3 等を、Xは2価の基を、Yは水素原子、
炭素原子数1〜12のアルキル基、フェニル基、炭素原
子数7〜9のアラルキル基、炭素原子数3〜5のアルケ
ニル基またはハロゲン原子等を、R3 は炭素原子数1〜
18のアルキル基、炭素原子数6〜12アリール基、炭
素原子数7〜10のアラルキル基または炭素原子数1〜
8のアルコキシ基を表す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、記録材料用電子受容性
化合物の新規な製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】記録材料用電子受容性化合物として種々
のフェノール性化合物が知られており、その合成方法も
従来より種々の方法が知られている。本発明者は、これ
ら記録材料用電子受容性化合物の簡易で、取扱いの容易
な新規な製造方法の開発を追求してきた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
な記録材料用電子受容性化合物の製造方法を提供するこ
とである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
(1)で表される分子内にアシルオキシ基を有する化合
物と有機求核試薬を反応させ、下記一般式(2)で表さ
れるフェノール性水酸基を有する電子受容性化合物の製
造方法により達成された。 一般式(1)
【0005】
【化3】
【0006】一般式(2)
【0007】
【化4】
【0008】上式中、R1 は−COR3 を、R2 は炭素
原子数1〜12のアルキル基、炭素原子数5〜7のシク
ロアルキル基、炭素原子数6〜12のアリール基、炭素
原子数7〜9のアラルキル基、炭素原子数3〜5のアル
ケニル基または−COR3 を、Xは2価の基を、Yは水
素原子、炭素原子数1〜12のアルキル基、炭素原子数
5〜7のシクロアルキル基、炭素原子数6〜12のアリ
ール基、炭素原子数7〜9のアラルキル基、炭素原子数
3〜5のアルケニル基またはハロゲン原子を、R3 は炭
素原子数1〜18のアルキル基、炭素原子数6〜12ア
リール基、炭素原子数7〜10のアラルキル基または炭
素原子数1〜8のアルコキシ基を表す。
【0009】上式中、R1 で表される−COR3 のうち
3 が炭素原子数1〜8のアルキル基、炭素原子数6〜
9アリール基、および炭素原子数1〜4のアルコキシ基
が好ましく、特に炭素原子数1〜4のアルキル基、炭素
原子数6〜8アリール基、メトキシ基およびエトキシ基
が好ましい。炭素原子数6〜8アリール基は置換基を有
していてもよく、具体的にはフェニル基、トリル基、ア
ニシル基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基およ
びニトロフェニル基が好ましい。R2 で表される基の
中、炭素原子数1〜20のアルキル基、炭素原子数6〜
20のアリール基、炭素原子数7〜18のアラルキル
基、炭素原子数3〜5のアルケニル基または上述の−C
OR3 が好ましい。Xで表される2価の基の中、炭素原
子数3〜12のアルキレン基、炭素原子8〜16のアラ
ルキレン基、炭素原子数5〜7のシクロアルキレン基、
SまたはSO2 が好ましい。
【0010】本発明に係わるアシルオキシ基を置換基と
して有する化合物の代表的な具体例としては、2,2−
ビス(4−アセトキシフェニル)プロパン、2,2−ビ
ス(3−メチル−4−アセトキシフェニル)プロパン、
2,2−ビス(3−クロロ−4−アセトキシフェニル)
プロパン、2,2−ビス(4−アセトキシフェニル)ブ
タン、1,1−ビス(4−アセトキシフェニル)−2−
エチルヘキサン、1,1−ビス(4−アセトキシフェニ
ル)シクロヘキサン、α,α−ビス(4−アセトキシフ
ェニル)酢酸メチルエステル、1,1−ビス(4−アセ
トキシフェニル)ブタン、1,1−ビス(4−アセトキ
シフェニル)ヘキサン、2,2−ビス(4−アセトキシ
フェニル)ヘプタン、1,1−ビス(4−アセトキシフ
ェニル)−2−エチルブタン、1,1−ビス(3−クロ
ロ−4−アセトキシフェニル)シクロヘキサン、1,4
−ビス〔1、1−ジメチル(4−アセトキシフェニル)
メチル〕ベンゼン、1,3−ビス〔1、1−ジメチル
(4−アセトキシフェニル)メチル〕ベンゼン、ビス
(4−アセトキシフェニル)スルフィド、ビス(4−ア
セトキシフェニル)スルホン、ビス(3−クロロ−4−
アセトキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(4−プ
ロピオニルオキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(4−p−ニトロベンゾイルオキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(4−アセトキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(4−p−クロロベンゾイルオキシフ
ェニル)プロパン、1,1−ビス(4−p−ニトロベン
ゾイルオキシフェニル)−2−エチルヘキサン、
【0011】2−(4−アセトキシフェニル)−2−
(4−メトキシフェニル)プロパン、2−(4−アセト
キシフェニル)−2−(4−ベンジルオキシフェニル)
プロパン、(4−アセトキシフェニル)−(4−メトキ
シフェニル)スルホン、(4−アセトキシフェニル)−
(4−ブトキシフェニル)スルホン、(4−アセトキシ
フェニル)−(4−イソプロポキシフェニル)スルホ
ン、(4−アセトキシフェニル)−(4−ベンジルオキ
シフェニル)スルホン、(3−フェニル−4−アセトキ
シフェニル)−(3−フェニル−4−メトキシフェニ
ル)スルホン、(3−フェニル−4−アセトキシフェニ
ル)−(3−フェニル−4−ヘキシルオキシフェニル)
スルホン、(3−フェニル−4−エトキシフェニル)−
(3−フェニル−4−メトキシフェニル)スルホン、
(3−フェニル−4−アセトキシフェニル)−(3−フ
ェニル−4−ベンジルオキシフェニル)スルホン、(3
−クロロ−4−アセトキシフェニル)−(3−クロロ−
4−メトキシフェニル)スルホン、(3−クロロ−4−
アセトキシフェニル)−(3−クロロ−4−ベンジルオ
キシフェニル)スルホン、(3−アリル−4−アセトキ
シフェニル)−(3−アリル−4−メトキシフェニル)
スルホン、
【0012】(4−プロピオニルオキシフェニル)−
(4−イソプロポキシフェニル)スルホン、(4−ブタ
ノイルオキシフェニル)−(4−イソプロポキシフェニ
ル)スルホン、(4−オクタノイルオキシフェニル)−
(4−イソプロポキシフェニル)スルホン、(4−フェ
ノキシアセトキシフェニル)−(4−イソプロポキシフ
ェニル)スルホン、(4−フェニルアセトキシフェニ
ル)−(4−イソプロポキシフェニル)スルホン、(4
−ベンゾイルオキシフェニル)−(4−イソプロポキシ
フェニル)スルホン、(4−p−クロロベンゾイルオキ
シフェニル)−(4−イソプロポキシフェニル)スルホ
ン、(4−p−メチルベンゾイルオキシフェニル)−
(4−イソプロポキシフェニル)スルホン、(4−p−
メトキシベンゾイルオキシフェニル)−(4−イソプロ
ポキシフェニル)スルホン、(4−p−ニトロベンゾイ
ルオキシフェニル)−(4−イソプロポキシフェニル)
スルホン、(4−m−ニトロベンゾイルオキシフェニ
ル)−(4−イソプロポキシフェニル)スルホン、(4
−o−ニトロベンゾイルオキシフェニル)−(4−イソ
プロポキシフェニル)スルホン、(4−エトキシカルボ
ニルオキシフェニル)−(4−イソプロポキシフェニ
ル)スルホン、(4−メトキシカルボニルオキシフェニ
ル)−(4−イソプロポキシフェニル)スルホン、(3
−フェニル−4−p−ニトロベンゾイルオキシフェニ
ル)−(3−フェニル−4−ヘキシルオキシフェニル)
スルホン、等があげられるが、これらに限定されるもの
ではない。
【0013】本発明に係わる有機求核試薬は、有機合成
化学における一般的な求核試薬を言うが、例えばアルキ
ルアミン類、アリールアミン類、チオフェノール類、メ
ルカプタン類、スルフィン酸類、活性メチレン化合物、
オキシム類、ヒドロキサム酸類、ヒドロキシルアミン等
が挙げられる。これらのうちで、メルカプタン類、スル
フィン酸類、オキシム類およびヒドロキサム酸類及びそ
の塩が好ましく、特にはオキシム類およびヒドロキサム
酸類が好ましい。好ましいヒドロキサム酸類のなかで下
記一般式(3)で表される化合物が好ましい。 一般式(3)
【0014】
【化5】
【0015】上式中、R8 は置換基を有していてもよい
炭素原子数1〜12のアルキル基、又は置換基を有して
いてもよい炭素原子数6〜10アリール基を、R9 は水
素原子又は炭素原子数1〜8のアルキル基を表す。
【0016】上式中、R8 で表されるアルキル基の置換
基としてはアリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原
子、ピリジル基及びジアルキルアミノ基等が挙げられ
る。R 9 で表されるアリール基の置換基としてはアルキ
ル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基及びニト
ロ基等が挙げられる。R8 で表されるアルキル基の中、
炭素原子数1〜8アルキル基、フェニル置換アルキル
基、フェノキシ置換アルキル基及びジアルキルアミノ置
換アルキル基が好ましい。アリール基の中、フェニル
基、クロロ置換フェニル基、ニトロ置換フェニル基、ト
リル基、アニシル基およびジクロロ置換フェニルが好ま
しい。R9 で表される基の中、水素原子、メチル基及び
エチル基が好ましい。
【0017】本発明に係わる有機求核試薬の具体例とし
ては、アセトヒドロキサム酸、プロパノヒドロキサム
酸、ブタノヒドロキサム酸、オクタノヒドロキサム酸、
α−クロロアセトヒドロキサム酸、α−ジメチルアミノ
アセトヒドロキサム酸、α−フェニルアセトヒドロキサ
ム酸、α−フェノキシアセトヒドロキサム酸、N−メチ
ルアセトヒドロキサム酸、N−メチルプロパノヒドロキ
サム酸、N−メチルブタノヒドロキサム酸、N−メチル
−α−クロロアセトヒドロキサム酸、N−メチル−α−
ジメチルアミノアセトヒドロキサム酸、N−メチル−α
−フェニルアセトヒドロキサム酸、N−メチル−α−フ
ェノキシアセトヒドロキサム酸、ベンゾヒドロキサム
酸、
【0018】p−クロロベンゾヒドロキサム酸、p−メ
チルベンゾヒドロキサム酸、p−メトキシベンゾヒドロ
キサム酸、p−ニトロベンゾヒドロキサム酸、m−ニト
ロベンゾヒドロキサム酸、(2,4−ジクロロベンゾ)
ヒドロキサム酸、サリチルヒドロキサム酸、N−メチル
−ベンゾヒドロキサム酸、N−メチル−p−クロロベン
ゾヒドロキサム酸、N−メチル−p−ニトロベンゾヒド
ロキサム酸、N−メチル−p−メトキシベンゾヒドロキ
サム酸、ベンゾフェノンオキシム、ジフェニルグリオキ
シム、シクロヘキサノンオキシム、2−ヘキサノンオキ
シム、N−フェニルヒドロキシルアミン、N−エチル−
N−フェニルヒドロキシルアミン、N−ベンジル−N−
フェニルヒドロキシルアミン、ジドデシルアミン、4−
ベンジルオキシチオフェノール、2−メルカプト−5−
オクチルチオ−1,3,4−チアジアゾール、2−メル
カプト−5−ベンジルチオ−1,3,4−チアジアゾー
ル、2−メルカプト−5−ブチルチオ−1,3,4−チ
アジアゾール、2−メルカプトベンゾオキサゾール、ド
デシルベンゼンスルフィン酸、ドデシルベンゼンスルフ
ィン酸ナトリウムなどが挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。
【0019】本発明に係わる製造方法においては、有機
溶媒を使用してもよく、溶媒としては、ハロゲン系炭化
水素、アミド系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、
芳香族炭化水素、燐酸エステル系溶媒等が好ましい。例
えば、塩化メチレン、クロロホルム、メチルクロロホル
ム、酢酸エチル、N,N−ジメチルアセトアミド、N−
メチルピロリドン、トルエン、キシレン、パラフィン、
アルキル化ナフタレン、アルキル化ジフェニルエタン、
燐酸トリフェニル、燐酸トリシクロヘキシル、ジオクチ
ルフタレート、ジオクチルアジペート等が挙げられる。
又溶媒を使用しない場合は、溶融時反応を生じせしめて
もよく、また高分子マトリックス中で反応を生じさせて
もよい。
【0020】本発明に係わる製造方法においては、さら
に反応を促進させる添加剤を添加してもよく、添加剤と
しては、酸または塩基性化合物が好ましい。本発明に係
わる製造方法を実施する際には、一般式(1)で表され
る化合物1.0モルに対して、有機求核剤を1.0〜2
0当量使用することが好ましく、特には1.0〜10当
量使用することが好ましい。反応温度は0〜200℃が
好ましく、特に50〜180℃が好ましい 本発明に係わる製造方法は、工業的な電子受容性化合物
の製造に利用出来る他、記録材料中での電子受容性化合
物の生成方法として応用可能である。
【0021】
【実施例】以下に実施例を示すが、本発明はこれに限定
されるものではない。 〔実施例−1〕(4−アセトキシフェニル)−(4−イ
ソプロポキシフェニル)スルホン1.0gとベンゾヒド
ロキサム酸1.0gを含むキシレン溶液10mlとを1
20℃で1時間、攪拌し反応させた。反応混合物を氷水
にあけ、酢酸エチルで抽出後、シリカゲルカラムクロマ
トにより精製し、(4−ヒドロキシフェニル)−(4−
イソプロポキシフェニル)スルホンを得た。生成率を高
速液体クロマトグラフィーで求めたところ、生成率は9
7%であった。
【0022】〔実施例−2〜6〕(4−ヒドロキシフェ
ニル)−(4−イソプロポキシフェニル)スルホンの製
造実施例−1において有機求核試薬のみを各々の実施例
のものにかえ、その他は、実施例−1と同様にして反応
を行い、生成率を高速液体クロマトグラフィーを用いて
求めた。結果を下記表1に示す。 表1
【0023】
【表1】
【0024】〔実施例−7〜11〕実施例−1において
反応前駆体である(4−アセトキシフェニル)−(4−
イソプロポキシフェニル)スルホンのみを各々の実施例
のものにかえ、その他は、実施例−1と同様にして反応
を行い、生成率を高速液体クロマトグラフィーを用いて
求めた。
【0025】〔実施例−7〕 2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−メトキシ
フェニル)プロパンの製造
【0026】〔実施例−8〕 (3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)(3−フェ
ニル−4−ヘキシルオキシフェニル)スルホンの製造
【0027】〔実施例−9〕 (4−ヒドロキシフェニル)(4−イソプロポキシフェ
ニル)スルホンの製造
【0028】〔実施例−10〕 同上
【0029】〔実施例−11〕 2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンの製
造 結果を下記表2に示す。 表2
【0030】
【表2】
【0031】〔実施例−12〕(4−アセトキシフェニ
ル)−(4−イソプロポキシメトキシフェニル)スルホ
ン1.0gとベンゾヒドロキサム酸1.0gを140℃
で1分間、反応させた。反応混合物を氷水にあけ、酢酸
エチルで抽出後、シリカゲルカラムクロマトにより精製
し、(4−ヒドロキシフェニル)−(4−イソプロポキ
シフェニル)スルホンを得た。生成率を高速液体クロマ
トグラフィーで求めたところ、生成率は99%であっ
た。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(1)で表される分子内にア
    シルオキシ基を有する化合物と有機求核試薬を反応さ
    せ、下記一般式(2)で表されるフェノール性水酸基を
    有する電子受容性化合物の製造方法。 一般式(1) 【化1】 一般式(2) 【化2】 上式中、R1 は−COR3 を、R2 は炭素原子数1〜1
    2のアルキル基、炭素原子数5〜7のシクロアルキル
    基、炭素原子数6〜12のアリール基、炭素原子数7〜
    9のアラルキル基、炭素原子数3〜5のアルケニル基ま
    たは−COR3 を、Xは2価の基を、Yは水素原子、炭
    素原子数1〜12のアルキル基、炭素原子数5〜7のシ
    クロアルキル基、炭素原子数6〜12のアリール基、炭
    素原子数7〜9のアラルキル基、炭素原子数3〜5のア
    ルケニル基またはハロゲン原子を、R3 は炭素原子数1
    〜18のアルキル基、炭素原子数6〜12アリール基、
    炭素原子数7〜10のアラルキル基または炭素原子数1
    〜8のアルコキシ基を表す。
  2. 【請求項2】 有機求核試薬が、オキシム誘導体または
    ヒドロキサム酸誘導体であることを特徴とする請求項1
    記載の製造方法。
JP34198392A 1992-12-22 1992-12-22 電子受容性化合物の製造方法 Pending JPH06184004A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34198392A JPH06184004A (ja) 1992-12-22 1992-12-22 電子受容性化合物の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34198392A JPH06184004A (ja) 1992-12-22 1992-12-22 電子受容性化合物の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06184004A true JPH06184004A (ja) 1994-07-05

Family

ID=18350275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34198392A Pending JPH06184004A (ja) 1992-12-22 1992-12-22 電子受容性化合物の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06184004A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009522187A (ja) * 2006-01-03 2009-06-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 官能基化によるカーボンナノチューブの選択的配置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62167732A (ja) * 1986-01-20 1987-07-24 Asahi Chem Ind Co Ltd 芳香族ヨウ素化物の加水分解方法
JPS63316743A (ja) * 1987-06-17 1988-12-26 Fuji Photo Film Co Ltd 脱アシル化方法
JPH0372434A (ja) * 1989-04-19 1991-03-27 Fuji Photo Film Co Ltd 脱アシル化剤および脱アシル化方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62167732A (ja) * 1986-01-20 1987-07-24 Asahi Chem Ind Co Ltd 芳香族ヨウ素化物の加水分解方法
JPS63316743A (ja) * 1987-06-17 1988-12-26 Fuji Photo Film Co Ltd 脱アシル化方法
JPH0372434A (ja) * 1989-04-19 1991-03-27 Fuji Photo Film Co Ltd 脱アシル化剤および脱アシル化方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009522187A (ja) * 2006-01-03 2009-06-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 官能基化によるカーボンナノチューブの選択的配置
US8283453B2 (en) 2006-01-03 2012-10-09 International Business Machines Corporation Selective placement of carbon nanotubes through functionalization
US8859048B2 (en) 2006-01-03 2014-10-14 International Business Machines Corporation Selective placement of carbon nanotubes through functionalization

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20000068178A (ko) 플로르페니콜의 중간체를 제조하는 방법
JP2006298940A (ja) ジアリールヨードニウムフルオロアルキルスルホネート塩
JP2003012708A (ja) 芳香族ビニル化合物の重合抑制方法
JPH11140001A (ja) 芳香族ビニル化合物蒸留時の重合防止方法
JPH06184004A (ja) 電子受容性化合物の製造方法
Miller et al. N-(polyfluoroaryl)-hydroxylamines. synthesis and properties
FR2681595A1 (fr) Procede d'esterification de sels d'acides carboxyliques.
Barluenga et al. A simple and general route to aryl iodides from arenes
JPH032134B2 (ja)
JPH06256263A (ja) 電子受容性化合物の製造方法
CN114524798B (zh) 一种苯并二硫杂环衍生物及其制备方法与应用
JPS63235390A (ja) ビニル化合物の重合防止剤
JP2829472B2 (ja) ベンゾトリアゾール誘導体の製造方法
Wuts et al. Trimethylsilyl directed aromatic sulfonation with sulfur trioxide-dioxane complex
JP4093612B2 (ja) N,n−ジ置換ヒドロキシルアミン類の製造方法
JPS6322033A (ja) 脱ハロゲン方法
FR2505327A1 (fr) Procede d'halogenation en meta de n-(o,o'-dialkyl phenyl) alaninates et homologues
JPH0529378B2 (ja)
JPH06298689A (ja) o−ジヒドロキシル化芳香族化合物の製造方法
WO1998045385A1 (fr) Composition inhibitrice de la polymerisation radicalaire de monomeres insatures ethyleniquement ainsi que procede d'inhibition de la polymerisation radicalaire desdits monomeres
JP2987957B2 (ja) 1,3−ジヒドロキシアセトン誘導体及びその製造方法
JPH06128198A (ja) カーボネート化合物の製造方法
JP2001294548A (ja) 芳香族ケトン類の製造方法およびその触媒
WO2000000467A1 (fr) Procede de preparation de derives perfluoroalkyle sulfones aromatiques
Panja New synthetic methods based on electrophilic (superelectrophilic) and nucleophilic reactions