JPH06183864A - 窒化けい素メタライズ基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】高放熱性および高接合強度を有し、半導体モジ
ュール用部品として好適な窒化けい素メタライズ基板を
提供する。 【構成】熱伝導率が６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋである窒化
けい素基板表面に、モリブデンおよびタングステンの少
なくとも一方と活性金属窒化物とから成るメタライズ層
を一体に形成したことを特徴とする。またモリブデンお
よびタングステンの少なくとも一方に対する活性金属窒
化物の重量比を１．５〜２．５に設定したことを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、窒化けい素基板に回路
パターン等のメタライズ層を一体に形成した窒化けい素
メタライズ基板に係り、特に高放熱性および高接合強度
を要する半導体モジュール用に好適な窒化けい素メタラ
イズ基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から各種電子機器の構成部品とし
て、アルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）などのセラミックス焼
結体表面にメタライズ層を一体に形成したセラミックス
メタライズ基板が広く使用されている。

【０００３】このセラミックスメタライズ基板は、上記
セラミックス焼結体基板表面に、モリブデン−マンガン
合金、モリブデン、タングステン等の金属粉末をペース
ト状に調製したものを全面に塗布したり、または所定の
回路パターンを形成するようにスクリーン印刷等によっ
て印刷し、回路パターン等を印刷したセラミックス基板
を窒素ガス雰囲気中で１６００〜１８００℃程度の高温
度で焼成し、硬い導体層（メタライズ層）を形成して製
造されている。またメタライズ層はセラミックス基板上
に銅板を直接配置して加熱接合するＤＢＣ法（ダイレク
トボンディングカッパー法）、厚膜法、めっき法によっ
て形成される場合もある。

【０００４】上記メタライズ層を設けることにより、半
田等の接合材料に対する濡れ性が向上し、セラミックス
焼結体へ、半導体素子（ＩＣチップ）や電極板を高い接
合強度で接合することができ、その結果、半導体素子か
らの発熱の放散性や素子の動作信頼性を良好に保つこと
ができる。またセラミックス基板の裏面にもメタライズ
層を形成することにより、セラミックス基板の応力緩和
および反り（熱変形）防止の目的も達成できる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記セ
ラミックスメタライズ基板のうち、Ａｌ₂ Ｏ₃ 基板を使
用したメタライズ基板においては、Ａｌ₂ Ｏ₃ の熱伝導
率が低いために良好な放熱性が得られず、半導体素子の
高密度集積化および高出力化に伴う放熱対策に充分対応
できない問題点があった。

【０００６】また酸化ベリリウム（ＢｅＯ）基板を使用
した場合においては、特にＢｅＯは酸化物系のセラミッ
クスの中では最も熱伝導率が高い放熱性に優れた材料で
あるが、その毒性のため製造上および取扱い上の難点が
多い。

【０００７】さらにＡｌＮ基板を使用した場合には、熱
伝導率が高く充分な放熱性が得られるが、メタライズ層
を焼成して形成する際に液相が接合表面部に染み出し、
AlN基板とメタライズ層との接合強度が低下するととも
に色むらが発生し易くなるという問題点があった。その
結果、使用中に繰り返し作用する熱負荷によってメタラ
イズ層が剥離して放熱性が急減し、電子機器の動作信頼
性が低下する問題点があった。

【０００８】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、特に高放熱性および高接合強度を有
し、半導体モジュール用部品として好適な窒化けい素メ
タライズ基板を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するため、種々のセラミックス焼結体にメタライズ
層を形成してセラミックスメタライズ基板を調製し、そ
れらの放熱性、メタライズ層の接合強度、外観を比較検
討した。

【００１０】その結果、曲げ強度や破壊靭性値などの機
械的特性に優れる窒化けい素は、焼成プロセス条件を最
適化することにより、６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋという高
い熱伝導率を有する焼結体となることが判明した。そし
てこの窒化けい素焼結体表面にメタライズ層原料を印刷
して焼成した場合においても、液相の染み出しおよびそ
の染み出しに起因する基板の変色や色むらが少なく、窒
化けい素基板に対するメタライズ層の接合強度を高く維
持できることも判明した。さらに上記のような高い熱伝
導率を有し、機械的強度が高い窒化けい素基板を使用す
ることにより、従来のＡｌ₂ Ｏ₃ 基板やＡｌＮ基板と同
等の強度を与えるように設定した場合には窒化けい素基
板の厚さを１／２程度に減少させることができる。した
がって、熱抵抗の減少に伴い、従来の高熱伝導性ＡｌＮ
基板を使用した場合と同等の放熱性を有する窒化けい素
メタライズ基板が得られることが確認された。本発明は
上記知見に基づいて完成されたものである。

【００１１】すなわち本発明に係る窒化けい素メタライ
ズ基板は、熱伝導率が６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋである窒
化けい素基板表面に、モリブデンおよびタングステンの
少なくとも一方と活性金属窒化物とから成るメタライズ
層を一体に形成したことを特徴とする。

【００１２】またモリブデンおよびタングステンの少な
くとも一方に対する活性金属窒化物の重量比を１．５〜
２．５に設定したことを特徴とする。

【００１３】さらにメタライズ層の表面にニッケルまた
はニッケル合金から成るめっき層を一体に形成するとよ
い。

【００１４】ここで本発明に係る窒化けい素メタライズ
基板に使用される熱伝導率６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋの窒
化けい素基板は下記のように組成およびプロセス条件を
最適化して製造される。すなわち、酸素を１．７重量％
以下、Ｆｅ，Ｃａ，Ｍｇなどの不純物陽イオン元素を
０．３重量％以下、α相型窒化けい素を９０重量％以上
含有し、平均粒径０．８μｍ以下の窒化けい素粉末に、
希土類元素を酸化物に換算して２〜７．５重量％と、ア
ルミニウムをアルミナ換算で０．５〜２重量％添加した
原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体
を脱脂後、温度１８００〜２０００℃で雰囲気加圧焼結
し、上記焼結温度から、上記希土類元素により焼結時に
形成された液相が凝固する温度までに至る焼結体の冷却
速度を毎時１００℃以下に設定して製造される。

【００１５】上記製造方法によれば、窒化けい素基板の
結晶組織中に希土類元素等を含む粒界相が形成され、気
孔率が１．５％以下、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、
三点曲げ強度が室温で８０kg／mm² 以上の機械的特性お
よび熱伝導特性が共に優れた窒化けい素基板が得られ
る。

【００１６】また上記製造方法において使用され、基板
の主成分となる窒化けい素粉末としては、焼結性、強度
および熱伝導率を考慮して、酸素含有量が１．７重量％
以下、好ましくは０．５〜１．５重量％、Ｆｅ，Ｍｇ，
Ｃｅなどの不純物陽イオン元素含有量が０．３重量％以
下、好ましくは０．２重量％以下に抑制され、焼結性が
優れたα相型窒化けい素を９０重量％以上、好ましくは
９３重量％以上含有し、平均粒径が０．８μｍ以下、好
ましくは０．４〜０．６μｍ程度の微細な窒化けい素粉
末を使用するとよい。

【００１７】平均粒径が０．８μｍ以下の微細な原料粉
末を使用することにより、少量の焼結助剤であっても気
孔率が１．５％以下の緻密な焼結体基板を形成すること
が可能であり、また焼結助剤が熱伝導特性を阻害するお
それも減少する。またＦｅ，Ｍｇ，Ｃａなどの不純物陽
イオン元素も熱伝導性を阻害する物質となるため、６０
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を確保するためには、上記不
純物陽イオン元素の含有量は０．３重量％以下に設定さ
れる。特にβ相型と比較して焼結性に優れたα相型窒化
けい素を９０重量％以上含有する窒化けい素原料粉末を
使用することにより、高密度の焼結体基板を製造するこ
とができる。

【００１８】また窒化けい素原料粉末に焼結助剤として
添加する希土類元素としてはＹ，Ｌａ，Ｓｃ，Ｐｒ，Ｃ
ｅ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ｇｄなどの酸化物もしくは焼結操作に
より、これらの酸化物となる物質が単独で、または２種
以上の酸化物を組み合せたものを含んでもよいが、特に
酸化イットリウム（Ｙ₂ Ｏ₃ ）が好ましい。これらの焼
結助剤は、窒化けい素原料粉末と反応して液相を生成
し、焼結促進剤として機能する。

【００１９】上記焼結助剤の添加量は、酸化物換算で原
料粉末に対して２〜７．５重量％の範囲に設定される。
この添加量が２重量％未満と過少の場合は、焼結体基板
が緻密化されず低強度で低熱伝導率の焼結体基板が形成
される。一方、添加量が７．５重量％を超える過量とな
ると、過量の粒界相が生成し、熱伝導率の低下や強度が
低下し始めるので上記範囲に設定される。特に好ましく
は３〜６重量％に設定することが望ましい。

【００２０】さらに上記基板製法における他の添加成分
としてのアルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）は、上記希土類元素の
焼結促進剤の機能を助長する役目を果すものであり、特
に加圧焼結を行なう場合に著しい効果を発揮するもので
ある。アルミニウム源としてのＡｌ₂ Ｏ₃ の添加量が
０．５重量％未満の場合においては緻密化が不充分であ
る一方、２重量％を超える過量となる場合には過量の粒
界相を生成したり、または窒化けい素に固溶し始め、熱
伝導の低下が起こるため、添加量は０．５〜２重量％の
範囲に設定される。特に強度、熱伝導率共に良好な性能
を確保するためには添加量を０．７〜１．５重量％の範
囲に設定することが望ましい。

【００２１】また焼結体基板の気孔率はメタライズ基板
の熱伝導率および強度に大きく影響するため１．５％以
下に設定される。気孔率が１．５％を超えると熱伝導の
妨げとなり、焼結体基板の熱伝導率が低下するとともに
強度低下が起こる。

【００２２】また、窒化けい素結晶組織に形成される粒
界相は焼結体基板の熱伝導率に大きく影響するため、本
発明で使用する窒化けい素基板においては粒界相の２０
％以上が結晶相で占めるように設定される。結晶相が２
０％未満では熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となるよう
な放熱特性に優れ、かつ高温強度に優れた焼結体が得ら
れないからである。

【００２３】さらに上記のように窒化けい素基板の気孔
率を１．５％以下にし、また窒化けい素結晶組織に形成
される粒界相の２０％以上が結晶相で占めるようにする
ためには、窒化けい素成形体を温度１８００〜２０００
℃で０．５〜１０時間程度、加圧焼結し、かつ焼結操作
完了直後における焼結体の冷却速度を毎時１００℃以下
に調整制御することが必要である。

【００２４】焼結温度を１８００℃未満に設定した場合
には、焼結体の緻密化が不充分で気孔率が１．５vol%以
上になり機械的強度および熱伝導性が共に低下してしま
う。一方焼結温度が２０００℃を超えると窒化けい素成
分自体が蒸発分解し易くなる。特に加圧焼結ではなく、
常圧焼結を実施した場合には、１８００℃付近より窒化
けい素の分解蒸発が始まる。

【００２５】上記焼結操作完了直後における焼結体の冷
却速度は粒界相を結晶化させるために重要な制御因子で
あり、冷却速度が毎時１００℃を超えるような急速冷却
を実施した場合には、焼結体組織の粒界相が非結晶質
（ガラス相）となり、焼結体に生成した液相が結晶相と
して粒界相に占める面積割合が２０％未満となり、強度
および熱伝導性が共に低下してしまう。

【００２６】上記冷却速度を厳密に調整すべき温度範囲
は、所定の焼結温度（１８００〜２０００℃）から、前
記の焼結助剤の反応によって生成する液相が凝固するま
での温度範囲で充分である。ちなみに前記のような焼結
助剤を使用した場合の液相凝固点は概略１６００〜１５
００℃程度である。そして少なくとも焼結温度から上記
液相凝固温度に至るまでの焼結体基板の冷却速度を毎時
１００℃以下、好ましくは５０℃以下に制御することに
より、粒界相の大部分が結晶相になり、熱伝導率および
機械的強度が共に優れた焼結体基板が得られる。

【００２７】上記窒化けい素基板は、例えば以下のよう
なプロセスを経て製造される。すなわち前記所定の粒
径、および不純物含有量の微細な窒化けい素粉末に対し
て所定量の焼結助剤、有機バインダ等の必要な添加剤を
加えて原料混合体を調整し、次に得られた原料混合体を
成形して所定形状の成形体を得る。原料混合体の成形法
としては、汎用の金型プレス法、ドクターブレード法の
ようなシート成形法などが適用できる。上記成形操作に
引き続いて、成形体を非酸化性雰囲気中で温度６００〜
８００℃で１〜２時間加熱して、予め添加していた有機
バインダを充分に除去し、脱脂する。次に脱脂処理され
た成形体を窒素ガス、水素ガスやアルゴンガスなどの不
活性ガス雰囲気中で１８００〜２０００℃の温度で所定
時間雰囲気加圧焼結を行なう。

【００２８】上記製法によって製造された窒化けい素基
板は気孔率１．５％以下で、６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋ
（２５℃）の熱伝導率を有し、また三点曲げ強度が常温
で８０kg／mm² 以上と機械的特性にも優れている。

【００２９】また上記窒化けい素基板表面に一体に形成
されるメタライズ層は、導電材料としてのＭｏおよびＷ
の少なくとも一方と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂなどの活
性金属の窒化物から成る。このメタライズ層に含有され
るＴｉなどの活性金属の窒化物（例えばＴｉＮ）は、Ｍ
ｏやＷなどの導電材料を緻密化するとともに、焼成時に
窒化けい素基板表面において、ＴｉＮ，Ｔｉシリサイ
ド，Ｔｉ−Ｓｉ−Ｎ化合物を形成し、メタライズ層を基
板表面に強固に接合する機能を有する。

【００３０】上記ＭｏやＷなどの導電材料に対する活性
金属窒化物の重量比は１．５〜２．５の範囲に設定され
る。重量比が１．５未満の場合は、メタライズ層の窒化
けい素基板に対する接合強度を高める機能が不充分であ
り、一方、重量比が２．５を超える場合においてもメタ
ライズ層の接合強度が低下し、かつめっき層を形成させ
る場合の密着性が悪くなるため、上記重量比の範囲にお
いてメタライズ層のピール強度が最大値をとる。

【００３１】本発明に係る窒化けい素メタライズ基板
は、例えば次のような手順で製造される。すなわち上記
導電材料としてのＭｏまたはＷの原料粉末と、活性金属
窒化物粉末とを所定の重量比となるように秤量混合し、
得られた混合体にエチルセルロースなどのバインダと、
酢酸ブチルなどの溶剤とを添加して撹拌することにより
メタライズペーストを調製し、このメタライズペースト
を、前記の製法で調製した高熱伝導性窒化けい素基板表
面にスクリーン印刷法等によって印刷して所定の導体層
（回路）パターンを形成する。次に半導体層パターンを
印刷した窒化けい素基板を乾燥後、窒素ガス等の非酸化
性雰囲気中で温度１６００〜１８００℃で焼成して製造
される。

【００３２】さらにメタライズ層の保護、およびメタラ
イズ層に半導体素子や電極材を接合するために使用する
半田等の接合材料との濡れ性を改善するため、メタライ
ズ層表面にニッケル（Ｎｉ）やＮｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ａｇな
どのニッケル合金から成るめっき層を形成してもよい。
このめっき層の厚さは１〜６μｍ程度に設定され、汎用
の電解めっき法や無電解めっき法を使用して形成され
る。

【００３３】

【作用】上記構成に係る窒化けい素メタライズ基板によ
れば、メタライズ層を焼成して形成する際に液相の染み
出しが少ない高熱伝導性窒化けい素基板を使用している
ため、液相の染み出しに起因するメタライズ層に接合強
度の経時劣化が少なく、高い放熱性および接合強度を有
する耐久性に優れた窒化けい素メタライズ基板を得るこ
とができる。また液相の染み出しによる基板の色むら、
変色も減少し、メタライズ基板の製品歩留りを大幅に改
善することもできる。

【００３４】特に従来のＡｌＮ基板およびＡｌ₂ Ｏ₃ 基
板と比較して機械的強度が極めて大きい窒化けい素基板
を使用しているため、従来と同等の強度に設定した場合
には窒化けい素基板の厚さを１／２程度に低減でき、よ
り高密度な実装が可能となる上に、厚さの減少に比例し
て熱抵抗が減少し、従来材であるＡｌＮ基板と同等の放
熱性を得ることもできる。

【００３５】さらに窒化けい素基板の熱膨脹係数が、Ｓ
ｉを主成分とする半導体素子の熱膨脹係数に近似するこ
とになり、半導体素子を一体に接合し繰り返し熱衝撃を
作用させた場合においても熱膨脹差に起因する応力の発
生が少なく、クラックなどの欠陥が生じにくい利点があ
る。

【００３６】

【実施例】次に本発明を以下に示す実施例を参照して具
体的に説明する。

【００３７】実施例１〜５ 酸素１．３重量％、陽イオン不純物０．１５重量％含有
し、α相型窒化けい素９７％を含む平均粒径０．５５μ
ｍの窒化けい素原料粉末に対して、焼結助剤として平均
粒径０．７μｍのＹ₂ Ｏ₃ （酸化イットリウム）粉末５
重量％、平均粒径０．５μｍのＡｌ₂ Ｏ₃ （アルミナ）
粉末１．５重量％を添加し、エチルアルコール中で２４
時間湿式混合した後に乾燥して原料粉末混合体を調整し
た。次に得られた原料粉末混合体に有機バインダを所定
量添加して均一に混合した後に、１０００kg／cm² の成
形圧力でプレス成形し、長さ５０mm×幅５０mm×厚さ５
mmの成形体を多数製作した。次に得られた成形体を７０
０℃の雰囲気ガス中において２時間脱脂した後に、この
脱脂体を窒素ガス雰囲気中７．５気圧にて１９００℃で
６時間保持し、緻密化焼結を実施した後に、焼結炉に付
設した加熱装置への通電量を制御して焼結炉内温度が１
５００℃まで降下するまでの間における焼結体の冷却速
度が５０℃／hrとなるように調整して焼結体を冷却し、
それぞれ実施例１〜５用の窒化けい素基板を多数調製し
た。

【００３８】一方、導体材料としてのＭｏ粉末およびＷ
粉末と、活性金属窒化物としてのＴｉＮ粉末およびＮｂ
Ｎ粉末とを表１に示す重量比率となるように秤量混合し
て５種類の混合体を調製し、さらにバインダとしてのエ
チルセルロースおよび溶剤としての酢酸ブチルを添加し
て撹拌し、５種類の均一なメタライズペーストを調製し
た。

【００３９】次の各メタライズペーストを、前記製法で
調製した高熱伝導性窒化けい素基板表面にスクリーン印
刷し、さらに乾燥後、窒化雰囲気中で温度１７００〜１
８００℃で焼成し、メタライズ層としての回路パターン
を一体に形成した。

【００４０】さらに半田等の接合材料に対する濡れ性を
改善するために、表１に示すような組成を有する厚さ２
μｍのめっき層を無電解めっき法によりそれぞれ形成し
て実施例１〜５に係る窒化けい素メタライズ基板をそれ
ぞれ製造した。

【００４１】比較例１〜３ 一方、セラミックス基板として、それぞれＡｌ₂ Ｏ₃ 焼
結体基板（比較例１用）、ＡｌＮ焼結体基板（比較例２
用）およびＢｅＯ焼結体基板（比較例３用）を使用し、
各焼結体基板表面に表１に示す組成を有するメタライズ
層およびめっき層を実施例１〜５と同様な条件で形成し
てそれぞれ比較例１〜３に係る各種セラミックスメタラ
イズ基板を多数調製した。

【００４２】こうして調製した実施例１〜５および比較
例１〜３に係る各セラミックス基板について、室温（２
５℃）における熱伝導率、３点曲げ強度、メタライズ層
の接合強度、半田付け性等の特性値を測定するととも
に、色むら等の外観不良率を計測した。なお、接合強度
は、各試料メタライズ基板を下記条件のヒートサイクル
を１００回繰り返す熱衝撃試験（ＴＣＴ）を実施した後
におけるメタライズ層のピール強度として測定した。ヒ
ートサイクルは−５０℃で３０分間冷却し、室温で１０
分間保持し、＋１５０℃で３０分間加熱し、室温で１０
分間保持する加熱冷却操作を１サイクルとした。

【００４３】また半田付け性はメタライズ層の半田に対
する濡れ性を評価するために測定したものであり、下記
方法で測定した。すなわち直径５mmの球状の半田塊をメ
タライズ層表面上に載置した後に溶融せしめたときに元
の半田塊の高さ（５mm）から溶融半田の盛上り高さに至
るまでの高さの減少割合（％）で半田付け性を評価し
た。

【００４４】以上の測定結果を下記表１に示す。

【００４５】

【表１】

【００４６】表１に示す結果から明らかなように、実施
例１〜５に係る窒化けい素メタライズ基板によれば、メ
タライズ層を焼成して形成する際に、液相の染み出しが
少ないため、ヒートサイクル試験後においてもメタライ
ズ層の接合強度の経時的な低下が少なく、耐久性および
外観に優れた窒化けい素メタライズ基板が得られた。特
に同じ厚さでセラミックス基板を調製した場合には、比
較例２に示すＡｌＮ基板を用いた場合より熱伝導率は低
下するが、ＡｌＮ基板と同等の強度を付与するようにＳ
ｉ₃ Ｎ₄ 基板の厚さを設定すると厚さはＡｌＮ基板の１
／２程度になる。そのため、６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋの
高熱伝導率を有するＳｉ₃ Ｎ₄ 基板を使用することによ
り、ＡｌＮ基板を使用した場合と同等の放熱性を有する
メタライズ基板が得られた。また基板厚さを低減できる
ため、半導体素子をより高密度に実装した半導体モジュ
ールが実現した。

【００４７】一方、比較例１に係るＡｌ₂ Ｏ₃ メタライ
ズ基板によれば、熱伝導率が低く半導体モジュールの高
出力化に対応できず、また比較例２のＡｌＮメタライズ
基板は熱伝導率は高いが、メタライズ層形成時に液相の
染み出しが顕著になり、接合強度が低下するとともに色
むら発生率が高くなり、製品歩留りが低下した。さらに
比較例３のＢｅＯメタライズ基板においては、熱伝導率
は高いが曲げ強度が小さく、薄型化することは困難であ
った。

【００４８】

【発明の効果】以上説明の通り本発明に係る窒化けい素
メタライズ基板は、メタライズ層を焼成して形成する際
に液相の染み出しが少ない高熱伝導性窒化けい素基板を
使用しているため、液相の染み出しに起因するメタライ
ズ層に接合強度の経時劣化が少なく、高い放熱性および
接合強度を有する耐久性に優れた窒化けい素メタライズ
基板を得ることができる。また液相の染み出しによる基
板の色むら、変色も減少し、メタライズ基板の製品歩留
りを大幅に改善することもできる。

【００４９】特に従来のＡｌＮ基板およびＡｌ₂ Ｏ₃ 基
板と比較して機械的強度が極めて大きい窒化けい素基板
を使用しているため、従来と同等の強度に設定した場合
には窒化けい素基板の厚さを１／２程度に低減でき、よ
り高密度な実装が可能となる上に、厚さの減少に比例し
て熱抵抗が減少し、従来材であるＡｌＮ基板と同等の放
熱性を得ることもできる。

【００５０】さらに窒化けい素基板の熱膨脹係数が、Ｓ
ｉ主成分とする半導体素子の熱膨脹係数に近似すること
になり、半導体素子を一体に接合し繰り返し熱衝撃を作
用させた場合においても熱膨脹差に起因する応力の発生
が少なく、クラックなどの欠陥が生じにくい利点があ
る。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 熱伝導率が６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋであ
   る窒化けい素基板表面に、モリブデンおよびタングステ
   ンの少なくとも一方と活性金属窒化物とから成るメタラ
   イズ層を一体に形成したことを特徴とする窒化けい素メ
   タライズ基板。
2. 【請求項２】 モリブデンおよびタングステンの少なく
   とも一方に対する活性金属窒化物の重量比を１．５〜
   ２．５に設定したことを特徴とする請求項１記載の窒化
   けい素メタライズ基板。
3. 【請求項３】 メタライズ層の表面にニッケルまたはニ
   ッケル合金から成るめっき層を一体に形成したことを特
   徴とする請求項１記載の窒化けい素メタライズ基板。