JPH06183524A - キャリアカセットの管理方法および管理装置 - Google Patents

キャリアカセットの管理方法および管理装置

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JPH06183524A
JPH06183524A JP33847892A JP33847892A JPH06183524A JP H06183524 A JPH06183524 A JP H06183524A JP 33847892 A JP33847892 A JP 33847892A JP 33847892 A JP33847892 A JP 33847892A JP H06183524 A JPH06183524 A JP H06183524A
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JP
Japan
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carrier cassette
wafer
wafer carrier
cassette
identification code
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Application number
JP33847892A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruo Amada
春男 天田
Satoshi Furusawa
智 古沢
Kenji Terada
憲司 寺田
Fumihiko Ikeda
文彦 池田
Kiyohide Koizumi
清秀 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Warehouses Or Storage Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 キャリアカセットの劣化状態(清浄度、形
状、静電気量)を、前記キャリアカセットの用途別に自
動で管理する。 【構成】 キャリアカセットを、前記キャリアカセット
に設けられるキャリアカセット識別コード単位に管理す
るキャリアカセットの管理方法および管理装置であっ
て、前記管理装置は、全体を管理するホストコンピュー
タ50と、ショップごとに前記キャリアカセットを保管
する拡散/インプラ/アニール処理ショップ内ウェハキ
ャリアカセット自動ストッカ58と、半導体ウェハに処
理を施す半導体ウェハ処理装置22と、ウェハキャリア
カセットの使用来歴を判定するウェハキャリアカセット
使用来歴(アクセス回数)判定装置25と、ウェハキャ
リアカセットを洗浄するキャリアカセット洗浄装置26
とから構成されるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、板状物(特に、半導体
ウェハや液晶基板、磁気ディスク等)を収容するキャリ
アカセットの状態量を自動的に所定状態量範囲内に管理
する技術に関するものである。
【0002】例えば、半導体ウェハ製造処理工程に用い
るキャリアカセットの清浄度、または形状寸法精度、ま
たは静電気量の状態量を独立させて所定範囲に管理する
技術に関するものである。
【0003】
【従来の技術】従来、ウェハキャリアカセットは、フッ
素樹脂製ウェハキャリアカセットが主流に用いられてい
る。
【0004】このフッ素樹脂製ウェハキャリアカセット
の清浄度を維持する手段として、例えば、「月刊Sem
iconductor World誌(1992年3月
号)」121頁から127頁に記載されているように、
IPA水溶液を用いたジェットスプレー洗浄方式が報告
されている。
【0005】さらに、半導体ウェハキャリアカセットの
形状寸法を簡易的に、光学式によって検査する装置が、
キョーエイセミコン株式会社より、ウェハキャリア検査
装置、型式CA−008として市販されている。
【0006】一方、帯電防止用ウェハキャリアカセット
として、Fluoroware,Inc.社よりカーボ
ンファイバー入りPEEK(Poly−ether E
ther Ketoneの略)製のウェハキャリアカセ
ットが市販されている。
【0007】さらに、カーボン粉末含有ポリプロピレン
製および、界面活性剤塗込みポリプロピレン製の帯電防
止用ウェハキャリアカセットが市販されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来、ウェ
ハキャリアカセットの劣化状態(清浄度、形状変化、静
電気量等)を自動で、かつ、全体を管理する方法は実施
されていなかった。
【0009】また、前記従来技術において説明したウェ
ハキャリアカセットの状態を管理する個々の装置に関し
ても、以下のような課題が残されている。
【0010】(1).ウェハキャリアカセットの清浄度
を維持する手段として、前記したIPA水溶液を用いた
ジェットスプレーによって、ウェハキャリアカセットを
洗浄する方法があるが、収容される半導体ウェハ上に
は、半導体素子パターンをパターニングするホトレジス
ト膜が塗布されている場合があり、前記ホトレジスト膜
が塗布された半導体ウェハを、洗浄済のウェハキャリア
カセットに1回でもアクセスすると、ウェハキャリアカ
セットがホトレジストにより汚染される。
【0011】(2).ウェハキャリアカセットの形状寸
法精度値を維持する手段として、キョーエイセミコン株
式会社製のウェハキャリア検査装置(型式;CA−00
8)が使用されている。
【0012】ところが、ウェハキャリアカセットを洗浄
する際に、ウェハキャリアカセットが変形してしまうこ
とがあるため、ウェハキャリアカセットの変形に対する
管理は非常に面倒である。
【0013】(3).ウェハキャリアカセットの静電気
量を所定静電気量以下に管理する手段であるFlouo
roware Inc.社のカーボンファイバー入りP
EEK製半導体ウェハキャリアカセットは、静電気量除
去効果はあるが、耐薬品性に課題がある。
【0014】また、前記カーボンファイバー入りPEE
K製半導体ウェハキャリアカセットを長時間使用する
と、静電気量除去効果が劣化する。特に、カーボン粉末
含有ポリプロピレン製および、界面活性剤塗込みポリプ
ロピレン製の帯電防止用半導体ウェハキャリアカセット
は、静電気除去効果が劣化する。
【0015】一方、フッ素樹脂製ウェハキャリアカセッ
トでは、「月刊Semiconductor Worl
d誌1992年3月号」121頁から127頁に記載さ
れている洗浄処理により、一時的にフッ素樹脂製ウェハ
キャリアカセットの静電気量が低減できても、種々の半
導体ウェハ処理装置にフッ素樹脂製ウェハキャリアカセ
ットをアクセスすることにより、静電気量が増加する問
題がある。
【0016】したがって、以上のようなウェハキャリア
カセットの状態を管理する個々の装置についての課題を
低減させるために、ウェハキャリアカセットの劣化状態
を自動的に、かつ、全体を管理する必要がある。
【0017】なお、従来の管理装置におけるウェハキャ
リアカセットは、収容される半導体ウェハと1対1の関
係であって、処理の初めから終わりまで、同じ1つのウ
ェハキャリアカセットに収容されたまま全処理工程を通
過するというものである。そのため、収容される半導体
ウェハのレジスト膜やメタル膜による汚れの問題や、形
状変形等の問題がある。
【0018】そこで、本発明の目的は、キャリアカセッ
トの劣化状態(清浄度、形状変形、静電気量)を、前記
キャリアカセットの用途別に自動で管理するキャリアカ
セットの管理技術を提供することにある。
【0019】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0020】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0021】すなわち、キャリアカセットを清浄で、か
つ、変形がなく、静電気量値をある範囲内に管理する手
段は、キャリアカセットに設置されるキャリアカセット
識別コードを識別することによって、キャリアカセット
の使用来歴と、収容される板状物(特に、半導体ウェハ
や液晶基板、磁気ディスク等)の処理来歴とをキャリア
カセット識別コード単位にコンピュータによって管理す
るものである。
【0022】さらに、前記キャリアカセットの使用来歴
は、キャリアカセットの洗浄要否判定、またはキャリア
カセットの形状寸法精度検査要否判定、またはキャリア
カセットの静電気量検査要否判定を自動的に行うもので
ある。
【0023】また、前記板状物の処理来歴は、板状物の
考えられる状態をグループ分けし、それぞれのグループ
に対して、使用するキャリアカセットをグループ別にキ
ャリアカセット識別コード単位で行うものである。
【0024】
【作用】前記した手段によれば、キャリアカセットを、
キャリアカセット単位に、キャリアカセットの洗浄来歴
情報、またはキャリアカセットの形状寸法精度検査来歴
情報、またはキャリアカセットの静電気量検査情報等の
劣化状態を表す情報を単独項目もしくは複数項目組合せ
て自動的に管理できる。
【0025】また、収容される板状物(特に、半導体ウ
ェハや液晶基板、磁気ディスク等)の処理来歴情報をキ
ャリアカセット単位に自動的に管理できる。
【0026】この結果、キャリアカセット単位に、キャ
リアカセットを用途別に管理することができ、さらに、
キャリアカセットの清浄度、またはキャリアカセットの
形状寸法精度値、またはキャリアカセットの静電気量値
を単独パラメータ値もしくは、複数パラメータ値として
所定範囲内に制御することができる。
【0027】
【実施例】図1は、本発明の一実施例であるウェハキャ
リアカセットの管理装置における管理体系を示す概念図
である。
【0028】また、図2は、本発明の一実施例である拡
散/インプラ/アニール処理ショップにおけるウェハキ
ャリアカセットの管理装置の一例を示す構成図である。
【0029】さらに、図3は、本発明の一実施例である
各ショップ(半導体ウェハが施される処理によって分け
られるグループであって、本実施例においては、図1に
示すように、5つのグループに分けられる)におけるウ
ェハキャリアカセットの洗浄−形状−静電気量管理を示
すフローチャートである。
【0030】なお、図4は、各ショップにおけるウェハ
キャリアカセットの洗浄−形状管理を示すフローチャー
トであり、図5は、各ショップにおけるウェハキャリア
カセットの洗浄−静電気量管理を示すフローチャートで
あり、図6は、各ショップにおけるウェハキャリアカセ
ットの洗浄管理を示すフローチャートであり、図7は、
各ショップにおけるウェハキャリアカセットの形状管理
を示すフローチャートであり、図8は、各ショップにお
けるウェハキャリアカセットの静電気量管理を示すフロ
ーチャートである。
【0031】また、図9は、本発明の一実施例であるウ
ェハキャリアカセットに設置されるウェハキャリアカセ
ット識別コードを示す斜視図である。
【0032】まず、図9を用いて、ウェハキャリアカセ
ット41にウェハキャリアカセット識別コード42を設
置する方法について説明する。
【0033】この実施例では、半導体ウェハ40を収容
するフッ素樹脂によって製作されたウェハキャリアカセ
ット41に、バーコード等により設定されたウェハキャ
リアカセット41を識別するコードが、フッ素樹脂によ
って封入されたウェハキャリアカセット識別コード42
として設けられている。
【0034】次に、図1および図2を用いて、本発明に
よるウェハキャリアカセットの管理装置の構成を説明す
ると、まず、本管理装置は、全体を管理するホストコン
ピュータ50と、処理が施される半導体ウェハ40の処
理来歴を管理するウェハ処理管理コンピュータ51と、
ウェハキャリアカセット41の使用来歴を管理するキャ
リアカセット管理コンピュータ52と、処理工程によっ
てグループ分けされたショップ内のウェハキャリアカセ
ット41を管理する拡散/インプラ/アニール処理ショ
ップ内ウェハキャリアカセット管理コンピュータ53
と、ホトレジ処理ショップ内ウェハキャリアカセット管
理コンピュータ54と、ドライエッチ処理ショップ内ウ
ェハキャリアカセット管理コンピュータ55と、CVD
処理ショップ内ウェハキャリアカセット管理コンピュー
タ56と、スパッタ処理ショップ内ウェハキャリアカセ
ット管理コンピュータ57と、ウェハキァリアカセット
41の使用来歴を判定するウェハキャリアカセット使用
来歴(アクセス回数)判定装置25と、ウェハキャリア
カセット41を洗浄するキャリアカセット洗浄装置26
とから構成されている。
【0035】また、前記各ショップ内には、ウェハキャ
リアカセット41を保管する拡散/インプラ/アニール
処理ショップ内ウェハキャリアカセット自動ストッカ5
8と、ホトレジ処理ショップ内ウェハキャリアカセット
自動ストッカ59と、ドライエッチ処理ショップ内ウェ
ハキャリアカセット自動ストッカ60と、CVD処理シ
ョップ内ウェハキャリアカセット自動ストッカ61と、
スパッタ処理ショップ内ウェハキャリアカセット自動ス
トッカ62とがある。
【0036】さらに、前記各ショップ内ウェハキャリア
カセット自動ストッカ58〜62は、半導体ウェハ40
が収容されたウェハキャリアカセット41を保管してお
くウェハ入りキャリアカセット自動ストッカ20と、半
導体ウェハが入っていない空のウェハキャリアカセット
41を保管しておくウェハなしキャリアカセット自動ス
トッカ21とから構成されている。
【0037】次に、前記各装置の機能について説明す
る。
【0038】まず、ホストコンピュータ50は、ウェハ
キャリアカセット41の使用来歴に関するデータベース
と、半導体ウェハ40の処理来歴に関するデータベース
とを集中管理するものである。
【0039】また、前記各ショップ内ウェハキャリアカ
セット自動ストッカ58〜62には、半導体ウェハ40
の処理来歴を判定する図示しないウェハ処理来歴判定装
置が組み込まれている。
【0040】ここで、ウェハ入りキャリアカセット自動
ストッカ20は、該当工程未処理ウェハ入りキャリアカ
セット30を、ウェハキャリアカセット識別コード42
単位に保管している自動ストッカであり、また、ウェハ
なしキャリアカセット自動ストッカ21は、ウェハキャ
リアカセット41に設けられているウェハキャリアカセ
ット識別コード42単位に、清浄で、かつ、ウェハキャ
リアカセット41の形状寸法精度が、設定された基準値
内にあるウェハなしキャリアカセット41をウェハキャ
リアカセット識別コード42単位に保管している自動ス
トッカである。
【0041】また、半導体ウェハ処理装置(ゲート酸化
膜一貫処理装置)22は、酸化前洗浄処理と酸化処理お
よびCVD処理とを一貫処理化した装置である。
【0042】なお、ウェハキャリアカセット使用来歴
(アクセス回数)判定装置25は、ウェハキャリアカセ
ット41に設けられたウェハキャリアカセット識別コー
ド42単位に、ウェハキャリアカセット41の使用来歴
(本実施例においてはウェハアクセス回数)を判定する
装置であり、また、キャリアカセット洗浄装置26は、
ウェハキャリアカセット41を洗浄すると共に、ウェハ
キャリアカセット41の静電気量を除電処理するもので
あり、さらに、ウェハキャリアカセット41の半導体ウ
ェハ収容溝ピッチ精度や、ウェハキャリアカセット41
の変形量等の寸法精度検査を行うものである。
【0043】ここで、前記したウェハ入りキャリアカセ
ット自動ストッカ20と、ウェハなしキャリアカセット
自動ストッカ21と、半導体ウェハ処理装置(ゲート酸
化膜一貫処理装置)22と、ウェハキャリアカセット使
用来歴(アクセス回数)判定装置25と、キャリアカセ
ット洗浄装置26とは、ホストコンピュータ50とウェ
ハ処理管理コンピュータ51およびキャリアカセット管
理コンピュータ52、さらに、図示しない前記各ショッ
プごとのコントローラとによってウェハキャリアカセッ
ト識別コード42単位に情報制御、動作制御管理されて
いる。
【0044】次に、具体的に図1、図2、図9を用い
て、本発明による管理装置の動作、およびウェハキャリ
アカセット41の清浄度管理と形状寸法精度管理とにつ
いて説明する。
【0045】まず、図1において、ホストコンピュータ
50が、ウェハ処理管理コンピュータ51とキャリアカ
セット管理コンピュータ52とによって管理されている
半導体ウェハ40の処理来歴データおよびウェハキャリ
アカセット41の使用来歴データに基づいて処理すべき
ショップを判定し、各ショップ内ウェハキャリアカセッ
ト管理コンピュータ53〜57のいずれかに処理実行の
命令を伝達する。
【0046】例えば、拡散/インプラ/アニール処理シ
ョップ内ウェハキャリアカセット管理コンピュータ53
に前記命令が伝達された場合、さらに、前記拡散/イン
プラ/アニール処理ショップ内ウェハキャリアカセット
管理コンピュータ53から拡散/インプラ/アニール処
理ショップ内ウェハキャリアカセット自動ストッカ58
に前記命令が伝達される。
【0047】前記命令の伝達を受けた拡散/インプラ/
アニール処理ショップ内ウェハキャリアカセット自動ス
トッカ58においては、図示しない半導体ウェハ処理来
歴判定装置によって、ウェハキャリアカセット41に設
置されたウェハキャリアカセット識別コード42を判読
する。なお、その判読結果の情報は全てホストコンピュ
ータ50とウェハ処理管理コンピュータ51とにアップ
ロードされ、両者によって管理される。
【0048】さらに、判読後、前記拡散/インプラ/ア
ニール処理ショップ内ウェハキャリアカセット自動スト
ッカ58内のウェハ入りキャリアカセット自動ストッカ
20において、半導体ウェハ40がウェハキャリアカセ
ット41に収容されることにより、該当工程未処理ウェ
ハ入りキャリアカセット30が処理前ウェハ入りキャリ
アカセット31となって、搬出される。
【0049】なお、前記該当工程未処理ウェハ入りキャ
リアカセット30は、ウェハキャリアカセット識別コー
ド42単位に、ウェハ入りキャリアカセット自動ストッ
カ20において一時的に保管される。
【0050】一方、前記拡散/インプラ/アニール処理
ショップ内ウェハキャリアカセット自動ストッカ58内
のウェハなしキャリアカセット自動ストッカ21には、
清浄、かつ、キャリアカセット形状寸法精度値が設定さ
れた基準値内の空のウェハキャリアカセット41が、ウ
ェハキャリアカセット識別コード42単位に保管されて
いる。
【0051】次に、ウェハ入りキャリアカセット自動ス
トッカ20から、処理前ウェハ入りキャリアカセット3
1を取り出し、半導体ウェハ処理装置(ゲート酸化膜一
貫処理装置)22のローダ部23にセットする。
【0052】一方、ウェハなしキャリアカセット自動ス
トッカ21から、処理前空キャリアカセット32を取り
出し、アンローダ部24にセットする。
【0053】この状態で、半導体ウェハ処理装置(ゲー
ト酸化膜一貫処理装置)22を起動させると、ゲート酸
化膜一貫処理した処理済み半導体ウェハ40を、アンロ
ーダ部24の処理前空キャリアカセット32に収容す
る。この処理済み半導体ウェハ40を全て収容したウェ
ハキャリアカセット41が、処理済みウェハ入りキャリ
アカセット33として、半導体ウェハ処理装置(ゲート
酸化膜一貫処理装置)処理後、ウェハ入りキャリアカセ
ット自動ストッカ20に、ウェハキャリアカセット識別
コード42単位に保管される。
【0054】さらに、ローダ部23にセットされた処理
前ウェハ入りキャリアカセット31内の処理前半導体ウ
ェハ40が空になり、処理済み空キャリアカセット35
として、ウェハキャリアカセット使用来歴(アクセス回
数)判定装置25にセットされる。
【0055】次に、ウェハキャリアカセット使用来歴
(アクセス回数)判定装置25では、ウェハキャリアカ
セット識別コード42単位に、ウェハキャリアカセット
41への半導体ウェハ40の使用来歴(アクセス回数)
を判定する。なお、その判定結果の情報は、全てホスト
コンピュータ50とキャリアカセット管理コンピュータ
52とにアップロードされ、両者によって管理される。
【0056】ここで、ウェハキャリアカセット41への
半導体ウェハ40のアクセス回数がアクセス回数管理基
準値(本基準値は、例えば、ホトレジスト膜付き半導体
ウェハ40を、ウェハキャリアカセット41にアクセス
する場合には、半導体ウェハアクセス回数管理基準値を
1回と設定する)内の場合は、ウェハアクセス回数を加
算し、回数管理済み空キャリアカセット36として、前
記回数管理済み空キャリアカセット36がウェハなしキ
ャリアカセット自動ストッカ21にセットされ、ウェハ
キャリアカセット識別コード42単位に保管される。
【0057】また、ウェハキャリアカセット41への半
導体ウェハ40のアクセス回数がアクセス回数管理基準
値外(例えば、基準値が1回と設定された時に、アクセ
ス回数の判定結果が1回以上の場合)になると、ウェハ
アクセス回数管理基準値外空キャリアカセット37とし
て、キャリアカセット洗浄装置26にセットされ、ウェ
ハアクセス回数管理基準値外空キャリアカセット37
を、洗浄、除電処理する。
【0058】さらに、洗浄、除電処理されたウェハアク
セス回数管理基準値外空キャリアカセット37は、前記
キャリアカセット洗浄装置26において、半導体ウェハ
40を収容する場所の収容溝ピッチ精度や、ウェハキャ
リアカセット41の変形量等の検査であるキャリアカセ
ット形状寸法精度検査も行う。
【0059】このキャリアカセット形状寸法精度検査に
おける検査結果として、ウェハキャリアカセット形状寸
法精度が寸法精度管理基準値内の時には、洗浄済み管理
基準値内空キャリアカセット38として、ウェハキャリ
アカセット使用来歴(アクセス回数)判定装置25にセ
ットされる。
【0060】ここで、前記ウェハキャリアカセット使用
来歴(アクセス回数)判定装置25にセットされた洗浄
済み管理基準値内空キャリアカセット38は、ウェハキ
ャリアカセット識別コード42単位に、半導体ウェハ4
0のアクセス回数がゼロクリアされる(後で説明する図
4におけるウェハキャリアカセット識別コード対応ウェ
ハアクセス回数ゼロクリア8bに相当)。
【0061】また、この半導体ウェハ40のアクセス回
数がゼロクリアされた、洗浄済み管理基準値内空キャリ
アカセット38は回数管理済み空キャリアカセット36
となって、ウェハなしキャリアカセット自動ストッカ2
1に、ウェハキャリアカセット識別コード42単位に保
管される。
【0062】一方、ウェハ入りキャリアカセット自動ス
トッカ20は、ゲート酸化膜の一貫処理が終わった処理
済みウェハ入りキャリアカセット33を、ウェハキャリ
アカセット識別コード42単位に、該当工程処理済みウ
ェハ入りキャリアカセット34として、次の処理工程へ
搬出する。
【0063】以上のように、1つのショップ内の処理工
程が終了すると、再びホストコンピュータ50から次の
ショップ内の処理に進行する命令が出され、前記命令が
ウェハ処理管理コンピュータ51またはキャリアカセッ
ト管理コンピュータ52を介して、各ショップ内ウェハ
キャリアカセット管理コンピュータ(53〜57のいず
れか)に伝達される。
【0064】次に、各ショップにおいて行われるウェハ
キャリアカセット41の清浄度管理、ウェハキャリアカ
セット41の形状寸法管理、ウェハキャリアカセット4
1の静電気量管理を自動的に管理する方法について説明
する。
【0065】まず、図3を用いて、ウェハキャリアカセ
ット41の清浄度管理、形状寸法精度管理、および静電
気量管理を自動的に行うウェハキャリアカセット洗浄−
形状−静電気量管理の例について説明する。
【0066】最初に、図示しないショップ内コントロー
ラからの制御により、スタート1aを実行させると、ウ
ェハキャリアカセット41に設けられているウェハキャ
リアカセット識別コード42を読み込み、ウェハキャリ
アカセット識別コード42の解読2aを行う。解読した
ウェハキャリアカセット識別コード42を情報媒体とし
て、ウェハキャリアカセット41へのウェハアクセス回
数をウェハ使用来歴(アクセス回数)判定3aにおいて
判定する。
【0067】例えば、ホトレジスト膜付き半導体ウェハ
40をウェハキャリアカセット41にアクセスする場合
には、半導体ウェハ使用来歴(アクセス回数)管理基準
値を1回と設定し、ウェハ使用来歴(アクセス回数)判
定3aにおけるウェハアクセス回数が1回以上の場合
(アクセス回数管理基準値外)には、ウェハキャリアカ
セット洗浄処理4aを行い、ウェハキャリアカセット形
状寸法精度判定5aを行う。
【0068】このウェハキャリアカセット洗浄処理4a
では、ウェハキャリアカセット41のクリーニング処理
と静電気の除電処理を行う次に、ウェハキャリアカセッ
ト形状寸法精度判定5aにおいて、半導体ウェハ収容溝
ピッチ精度や、ウェハキャリアカセット変形量等の判定
を行い、その結果が寸法精度値管理基準外の時は、ウェ
ハキャリアカセット使用不可6aとする。
【0069】一方、ウェハキャリアカセット形状寸法精
度判定5aにおける半導体ウェハ収容溝ピッチ精度や、
ウェハキャリアカセット変形量等の判定結果が寸法精度
値管理基準内の時は、ウェハキャリアカセット静電気量
計測7aを行い、計測したウェハキャリアカセット41
の静電気量が、静電気量基準値外の場合には、ウェハキ
ャリアカセット洗浄処理4aに戻る(B経路)。
【0070】一方、計測したウェハキャリアカセット4
1の静電気量が静電気量管理基準値内の場合は、ウェハ
キャリアカセット識別コード42に対応するウェハアク
セス回数ゼロクリア8aを行い、ウェハキャリアカセッ
ト識別コード解読2aに処理が進む(A経路)。
【0071】また、ウェハ使用来歴(アクセス回数)判
定3aの半導体ウェハアクセス回数が0回の場合(アク
セス回数管理基準値内)には、ウェハキャリアカセット
識別コード42に対応して、ウェハアクセス回数加算9
aを行い、半導体ウェハ処理装置22(図2参照)にウ
ェハキャリアカセット41をセッティング10aする。
【0072】次に、図4を用いて、ウェハキャリアカセ
ット41の清浄度管理と形状寸法精度管理とを自動的に
行うウェハキャリアカセット洗浄−形状管理の例につい
て説明する。
【0073】最初に、図示しないショップ内コントロー
ラからの制御により、スタート1bを実行させると、ウ
ェハキャリアカセット41に設けられているウェハキャ
リアカセット識別コード42を読み込み、ウェハキャリ
アカセット識別コード42の解読2bを行う。解読した
ウェハキャリアカセット識別コード42を情報媒体とし
て、ウェハキャリアカセット41へのウェハアクセス回
数をウェハ使用来歴(アクセス回数)判定3bにおいて
判定する。
【0074】例えば、バルク半導体ウェハ40をウェハ
キャリアカセット41にアクセスする場合には、半導体
ウェハ使用来歴(アクセス回数)管理基準値を2回と設
定し、ウェハ使用来歴(アクセス回数)判定3bにおけ
るウェハアクセス回数が2回以上の場合(アクセス回数
管理基準値外)には、ウェハキャリアカセット洗浄処理
4bを行い、ウェハキャリアカセット形状寸法精度判定
5bを行う。
【0075】前記ウェハキャリアカセット洗浄処理4b
を実施後、ウェハキャリアカセット形状寸法精度判定5
bにおける半導体ウェハ収容溝ピッチ精度や、ウェハキ
ャリアカセット変形量等の判定結果が寸法精度管理基準
値外の時は、ウェハキャリアカセット使用不可6bとす
る。
【0076】一方、ウェハキャリアカセット形状寸法精
度判定5bにおける半導体ウェハ収容溝ピッチ精度や、
ウェハキャリアカセット変形量等の判定結果が寸法精度
管理基準値内の時には、ウェハキャリアカセット識別コ
ード42に対応するウェハアクセス回数ゼロクリア8b
を行い、ウェハキャリアカセット識別コード解読2bに
進む(C経路)。
【0077】また、ウェハ使用来歴(アクセス回数)判
定3bにおけるウェハアクセス回数が2回以下の場合
(アクセス回数管理基準値内)には、ウェハキャリアカ
セット識別コード42に対応して、ウェハアクセス回数
を加算9bし、半導体ウェハ処理装置22(図2参照)
にウェハキャリアカセット41をセッティング10bす
る。
【0078】次に、図5を用いて、ウェハキャリアカセ
ット41の清浄度管理と静電気量管理とを自動的に行う
ウェハキャリアカセット洗浄−静電気量管理の例につい
て説明する。
【0079】最初に、図示しないショップ内コントロー
ラからの制御により、スタート1cを実行させると、ウ
ェハキャリアカセット41に設けられているウェハキャ
リアカセット識別コード42を読み込み、ウェハキャリ
アカセット識別コード42の解読2cを行う。解読した
ウェハキャリアカセット識別コード42を情報媒体とし
て、ウェハキャリアカセット41へのアクセス回数をウ
ェハ使用来歴(アクセス回数)判定3cにおいて判定す
る。
【0080】例えば、ホトレジスト膜付き半導体ウェハ
40をウェハキャリアカセット41にアクセスする場合
には、半導体ウェハ使用来歴(アクセス回数)管理基準
値を1回と設定し、ウェハ使用来歴(アクセス回数)判
定3cにおけるウェハアクセス回数が1回以上の場合
(アクセス回数管理基準値外)には、ウェハキャリアカ
セット洗浄処理4cを行う。このウェハキャリアカセッ
ト洗浄処理4cにおいては、ウェハキャリアカアセット
41のクリーニング処理と静電気の除電処理を行う。
【0081】前記、ウェハキャリアカセット洗浄処理4
cを実施した後、ウェハキャリアカセット静電気量計測
7cを行い、計測したウェハキャリアカセット41の静
電気量が、静電気量基準値外の場合には、ウェハキャリ
アカセット洗浄処理4cに戻る(E経路)。
【0082】一方、計測したウェハキャリアカセット4
1の静電気量が静電気量管理基準値内の場合は、ウェハ
キャリアカセット識別コード42に対応するウェハアク
セス回数ゼロクリア8cを行い、ウェハキャリアカセッ
ト識別コード解読2cに処理が進む(D経路)。
【0083】また、ウェハ使用来歴(アクセス回数)判
定3cにおけるウェハアクセス回数が0回の場合(アク
セス回数管理基準値内)には、ウェハキャリアカセット
識別コード42に対応して、ウェハアクセス回数を加算
9cし、半導体ウェハ処理装置22(図2参照)にウェ
ハキャリアカセット41をセッティング10cする。
【0084】次に、図6を用いて、ウェハキャリアカセ
ット41の清浄度管理を自動的に行うウェハキャリアカ
セット洗浄管理の例について説明する。
【0085】最初に、図示しないショップ内コントロー
ラからの制御により、スタート1dを実行させると、ウ
ェハキャリアカセット41に設けられているウェハキャ
リアカセット識別コード42を読み込み、ウェハキャリ
アカセット識別コード42の解読2dを行う。解読した
ウェハキャリアカセット識別コード42を情報媒体とし
て、ウェハキャリアカセット41へのウェハアクセス回
数をウェハ使用来歴(アクセス回数)判定3dにおいて
判定する。
【0086】例えば、ホトレジスト膜付き半導体ウェハ
40をウェハキャリアカセット41にアクセスする場合
には、半導体ウェハ使用来歴(アクセス回数)管理基準
値を1回と設定し、ウェハ使用来歴(アクセス回数)判
定3dにおけるウェハアクセス回数が1回以上の場合
(アクセス回数管理基準値外)には、ウェハキャリアカ
セット洗浄処理4dを行い、ウェハキャリアカセット識
別コード42に対応するウェハアクセス回数ゼロクリア
8dを実行し、その後、ウェハキャリアカセット識別コ
ード解読2dに処理が進む(F経路)。
【0087】また、ウェハ使用来歴(アクセス回数)判
定3dにおけるウェハアクセス回数が0回の場合(アク
セス回数管理基準値内)には、ウェハキャリアカセット
識別コード42に対応して、ウェハアクセス回数を加算
9dし、半導体ウェハ処理装置22(図2参照)にウェ
ハキャリアカセット41をセッティング10dする。
【0088】次に、図7を用いて、ウェハキャリアカセ
ット41の形状寸法精度管理を自動的に行うウェハキャ
リアカセット形状管理の例について説明する。
【0089】最初に、図示しないショップ内コントロー
ラからの制御により、スタート1eを実行させると、ウ
ェハキャリアカセット41に設けられているウェハキャ
リアカセット識別コード42を読み込み、ウェハキャリ
アカセット識別コード42の解読2eを行う。解読した
ウェハキャリアカセット識別コード42を情報媒体とし
て、ウェハキャリアカセット41へのウェハアクセス回
数をウェハ使用来歴(アクセス回数)判定3eにおいて
判定する。
【0090】例えば、ホトレジスト膜付き半導体ウェハ
40をウェハキャリアカセット41にアクセスする場合
には、半導体ウェハ使用来歴(アクセス回数)管理基準
値を1回と設定し、ウェハ使用来歴(アクセス回数)判
定3eにおけるウェハアクセス回数が1回以上の場合
(アクセス回数管理基準値外)には、ウェハキャリアカ
セット形状寸法精度判定5eを行い、ウェハキャリアカ
セット41の寸法精度値が、ウェハキャリアカセット4
1の形状変形等によって、寸法精度管理基準値外の時
は、ウェハキャリアカセット41を使用不可6eとす
る。
【0091】一方、ウェハキャリアカセット形状寸法精
度判定5eにおいて、ウェハキャリアカセット変形によ
るウェハキャリアカセット41の寸法精度値が、寸法精
度管理基準値内の時には、ウェハキャリアカセット識別
コード42に対応するウェハアクセス回数ゼロクリア8
eを行い、ウェハキャリアカセット識別コード解読2e
に進む(G経路)。
【0092】また、ウェハ使用来歴(アクセス回数)判
定3eにおけるウェハアクセス回数が0回の場合(アク
セス回数管理基準値内)には、ウェハキャリアカセット
識別コード42に対応して、ウェハアクセス回数を加算
9eし、半導体ウェハ処理装置22(図2参照)にウェ
ハキャリアカセット41をセッティグ10eする。
【0093】次に、図8を用いて、ウェハキャリアカセ
ット41の静電気量管理を自動的に行うウェハキャリア
カセット静電気量管理の例について説明する。
【0094】最初に、図示しないショップ内コントロー
ラからの制御により、スタート1fを実行させると、ウ
ェハキャリアカセット41に設けられているウェハキャ
リアカセット識別コード42を読み込み、ウェハキャリ
アカセット識別コード42の解読2fを行う。解読した
ウェハキャリアカセット識別コード42を情報媒体とし
て、ウェハキャリアカセット41へのウェハアクセス回
数をウェハ使用来歴(アクセス回数)判定3fにおいて
判定する。
【0095】例えば、アルミニウム(メタル)膜付き半
導体ウェハ40をウェハキャリアカセット41にアクセ
スする場合には、半導体ウェハ使用来歴(アクセス回
数)管理基準値を1回と設定し、ウェハ使用来歴(アク
セス回数)判定3fにおけるウェハアクセス回数が1回
以上の場合(アクセス回数管理基準値外)には、ウェハ
キャリアカセット41の静電気量計測7fを行い、計測
したキャリアカセット41の静電気量が、静電気量基準
値外の場合には、ウェハキャリアカセット41を使用不
可6fとする。
【0096】一方、計測したウェハキャリアカセット4
1の静電気量が静電気量管理基準値内の場合は、ウェハ
キャリアカセット識別コード42に対応するウェハアク
セス回数ゼロクリア8fを行い、ウェハキャリアカセッ
ト識別コード解読2fに処理が進む(H経路)。
【0097】また、ウェハ使用来歴(アクセス回数)判
定3fにおけるウェハアクセス回数が0回の場合(アク
セス回数管理基準値内)には、ウェハアクセス回数を加
算9fし、半導体ウェハ処理装置22(図2参照)にウ
ェハキャリアカセット41をセッティング10fする。
【0098】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【0099】例えば、本実施例において説明したウェハ
キャリアカセットの使用来歴判定装置は、前記ウェハキ
ャリアカセットに設置されたバーコード等によるウェハ
キャリアカセット識別コードを解読し、単に、半導体ウ
ェハのアクセス回数を判定するものであるが、半導体ウ
ェハをモニタリングすることによって、前記半導体ウェ
ハに付着しているパーティクル量等を検知し、その結果
によって判定を下す判定装置であってもよい。
【0100】また、前記モニタリングによる判定装置
と、本実施例において説明したアクセス回数を判定する
装置との組合せであってもよい。
【0101】なお、本発明は、半導体ウェハのキャリア
カセット管理に限定されることなく、液晶基板、磁気デ
ィスク等の板状物のキャリアカセット管理技術に適用す
ることができる。
【0102】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0103】(1).キャリアカセットに収容される半
導体ウェハなどの板状物の処理来歴管理を行うことか
ら、使用するキャリアカセットの用途別管理ができるた
め、各用途毎にキャリアカセットが混在して使われるこ
とを防げ、キャリアカセットの劣化状態の悪化を最小限
に留めることができる。
【0104】(2).キャリアカセットの清浄度を、常
に清浄な状態に維持できることから、前記板状物をキャ
リアカセットにアクセスする際に、キャリアカセットに
付着した異物が、前記板状物上にパーティクルとして転
写されることがないため、パーティクルによる素子パタ
ーンの欠陥不良がなくなる。
【0105】(3).キャリアカセットの形状寸法精度
を、所定精度範囲内に維持できることから、キャリアカ
セットを前記板状物の処理装置や検査装置にセットし、
自動的に前記板状物をハンドリングしても、キャリアカ
セットの変形に伴う前記板状物のハンドリングミスを撲
滅できる。
【0106】(4).キャリアカセットに帯電する静電
気量を所定値以下に管理できることから、キャリアカセ
ットに前記板状物をアクセスする際に、キャリアカセッ
トの静電気による前記板状物への帯電量を少なくできる
ため、前記静電気によるパーティクルの付着を防止で
き、さらに、静電気による素子破壊を防止できる。
【0107】(5).前記(1),(2),(3),(4)に
よる相乗効果として、高品質な半導体素子を製造するこ
とができる。
【0108】さらに、前記板状物のハンドリングミスに
よる、装置トラブルがなくなり、前記板状物の製造装置
稼働率の向上を図ることができる。
【0109】(6).キャリアカセットの変形が防止で
き、かつ、キャリアカセットを高清浄度に保つことがで
きることから、各板状物の製造装置毎に専用キャリアカ
セットを用意する必要性がなくなり、前記キャリアカセ
ットの購入価格を低減できる。
【0110】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるウェハキャリアカセッ
トの管理装置におけるウェハキャリアカセットの管理体
系を示す概念図である。
【図2】本発明の一実施例である拡散/インプラ/アニ
ール処理ショップにおけるウェハキャリアカセットの管
理装置の一例を示す構成図である。
【図3】本発明の一実施例である各ショップにおけるウ
ェハキャリアカセットの洗浄−形状−静電気量管理の例
を示すフローチャートである。
【図4】本発明の一実施例である各ショップにおけるウ
ェハキャリアカセットの洗浄−形状管理の例を示すフロ
ーチャートである。
【図5】本発明の一実施例である各ショップにおけるウ
ェハキャリアカセットの洗浄−静電気量管理の例を示す
フローチャートである。
【図6】本発明の一実施例である各ショップにおけるウ
ェハキャリアカセットの洗浄管理の例を示すフローチャ
ートである。
【図7】本発明の一実施例である各ショップにおけるウ
ェハキャリアカセットの形状管理の例を示すフローチャ
ートである。
【図8】本発明の一実施例である各ショップにおけるウ
ェハキャリアカセットの静電気量管理の例を示すフロー
チャートである。
【図9】本発明の一実施例であるウェハキャリアカセッ
トに設置されるウェハキャリアカセット識別コードを示
す斜視図である。
【符号の説明】
1a〜1f スタート 2a〜2f ウェハキャリアカセット識別コード解読 3a〜3f ウェハ使用来歴(アクセス回数)判定 4a〜4d ウェハキャリアカセット洗浄処理 5a,5b,5e ウェハキャリアカセット形状寸法精
度判定 6a,6b,6e,6f ウェハキャリアカセット使用
不可 7a,7c,7f ウェハキャリアカセット静電気量計
測 8a〜8f ウェハキャリアカセット識別コード対応ウ
ェハアクセス回数ゼロクリア 9a〜9f ウェハキャリアカセット識別コード対応
で、ウェハアクセス回数加算 10a〜10f 半導体ウェハ処理装置にウェハキャリ
アカセットセッティング 20 ウェハ入りキャリアカセット自動ストッカ 21 ウェハなしキャリアカセット自動ストッカ 22 半導体ウェハ処理装置(ゲート酸化膜一貫処理装
置) 23 ローダ部 24 アンローダ部 25 ウェハキャリアカセット使用来歴(アクセス回
数)判定装置 26 キャリアカセット洗浄装置 30 該当工程未処理ウェハ入りキャリアカセット 31 処理前ウェハ入りキャリアカセット 32 処理前空キャリアカセット 33 処理済みウェハ入りキャリアカセット 34 該当工程処理済みウェハ入りキャリアカセット 35 処理済み空キャリアカセット 36 回数管理済み空キャリアカセット 37 ウェハアクセス回数管理基準値外空キャリアカセ
ット 38 洗浄済み管理基準値内空キャリアカセット 40 半導体ウェハ 41 ウェハキャリアカセット 42 ウェハキャリアカセット識別コード 50 ホストコンピュータ 51 ウェハ処理管理コンピュータ 52 キャリアカセット管理コンピュータ 53 拡散/インプラ/アニール処理ショップ内ウェハ
キャリアカセット管理コンピュータ 54 ホトレジ処理ショップ内ウェハキャリアカセット
管理コンピュータ 55 ドライエッチ処理ショップ内ウェハキャリアカセ
ット管理コンピュータ 56 CVD処理ショップ内ウェハキャリアカセット管
理コンピュータ 57 スパッタ処理ショップ内ウェハキャリアカセット
管理コンピュータ 58 拡散/インプラ/アニール処理ショップ内ウェハ
キャリアカセット自動ストッカ 59 ホトレジ処理ショップ内ウェハキャリアカセット
自動ストッカ 60 ドライエッチ処理ショップ内ウェハキャリアカセ
ット自動ストッカ 61 CVD処理ショップ内ウェハキャリアカセット自
動ストッカ 62 スパッタ処理ショップ内ウェハキャリアカセット
自動ストッカ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 文彦 東京都千代田区神田駿河台四丁目6番地 株式会社日立製作所内 (72)発明者 小泉 清秀 東京都千代田区神田駿河台四丁目6番地 株式会社日立製作所内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウェハなどの板状物のキャリアカ
    セットを管理する方法であって、前記キャリアカセット
    に、前記キャリアカセットを識別するキャリアカセット
    識別コードを設け、前記キャリアカセット識別コード単
    位に、キャリアカセットの使用来歴をデータベースとし
    て、コンピュータが管理することを特徴とするキャリア
    カセットの管理方法。
  2. 【請求項2】 前記キャリアカセット識別コード単位に
    管理されたキャリアカセットの使用来歴データに基づい
    て、キャリアカセット識別コード単位に、キャリアカセ
    ットの劣化状態を管理することを特徴とする請求項1記
    載のキャリアカセットの管理方法。
  3. 【請求項3】 前記キャリアカセットの劣化状態とし
    て、該キャリアカセットの清浄度、形状変形、静電気量
    等の少なくとも1つを管理することを特徴とする請求項
    2記載のキャリアカセットの管理方法。
  4. 【請求項4】 キャリアカセットをセッティングする装
    置間(または工程間)におけるキャリアカセットの搬送
    途中に、キャリアカセットの使用来歴を判定する使用来
    歴判定装置を設け、前記キャリアカセットをセッティン
    グする装置間(または工程間)におけるキャリアカセッ
    トの使用来歴を、キャリアカセット識別コード単位に、
    コンピュータが集中管理することを特徴とするキャリア
    カセットの管理方法。
  5. 【請求項5】 キャリアカセットのグループ別管理を、
    キャリアカセットを識別するキャリアカセット識別コー
    ド単位に、コンピュータが集中管理することを特徴とす
    るキャリアカセットの管理方法。
  6. 【請求項6】 キャリアカセットの使用来歴管理データ
    ベースと、収容する半導体ウェハなどの板状物の状態に
    よって分けたキャリアカセットのグループを、識別する
    キャリアカセット識別コード単位に管理する前記板状物
    の処理来歴管理データベースとを、コンピュータが集中
    管理することを特徴とするキャリアカセットの管理方
    法。
  7. 【請求項7】 半導体ウェハなどの板状物のキャリアカ
    セットを、前記キャリアカセットに設けられるキャリア
    カセット識別コード単位に管理する装置であって、前記
    キャリアカセットの使用来歴管理データベースと前記板
    状物の処理来歴管理データベースとを前記キャリアカセ
    ット識別コード単位に集中管理するコンピュータと、キ
    ャリアカセットをグループ別に保管するストッカと、前
    記キャリアカセット識別コードによってキャリアカセッ
    トの使用来歴を判定する装置と、キャリアカセットを洗
    浄する装置と、キャリアカセットを除電する装置と、キ
    ャリアカセットの形状を検査する装置とから構成される
    ことを特徴とするキャリアカセットの管理装置。
JP33847892A 1992-12-18 1992-12-18 キャリアカセットの管理方法および管理装置 Pending JPH06183524A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6567716B2 (en) 2001-01-31 2003-05-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device production management system, and semiconductor device production method
KR100529389B1 (ko) * 1999-06-22 2005-11-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 제조를 위한 세정장비 운용 방법
JP2010129669A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理システム
JP2011091197A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Toppan Printing Co Ltd 異常検出システム
CN105555684A (zh) * 2013-11-22 2016-05-04 株式会社岛津制作所 基板处理系统

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