JPH06181351A - レーザダイオード駆動回路 - Google Patents
レーザダイオード駆動回路Info
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- JPH06181351A JPH06181351A JP35417392A JP35417392A JPH06181351A JP H06181351 A JPH06181351 A JP H06181351A JP 35417392 A JP35417392 A JP 35417392A JP 35417392 A JP35417392 A JP 35417392A JP H06181351 A JPH06181351 A JP H06181351A
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- monitor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザダイオードに駆動電流を流すためのレ
ーザダイオード駆動回路に関するものであり、調整部品
点数を削減し調整が簡単なようにすることを目的とす
る。 【構成】 レーザダイオード11と、レーザダイオード
11の出力光をモニタするモニタ部12と、モニタ部1
2の出力に基づいてレーザダイオード11に流すパルス
電流IP を制御するパルス電流制御部13と、レーザダ
イオード11の出力光の発光遅延td を検出する発光遅
延検出部14と、発光遅延検出部14で検出した発光遅
延の大きさを小とするようにレーザダイオード11に流
す直流バイアス電流IDCの大きさを制御する直流バアイ
ス電流制御部15とを備えたものである。
ーザダイオード駆動回路に関するものであり、調整部品
点数を削減し調整が簡単なようにすることを目的とす
る。 【構成】 レーザダイオード11と、レーザダイオード
11の出力光をモニタするモニタ部12と、モニタ部1
2の出力に基づいてレーザダイオード11に流すパルス
電流IP を制御するパルス電流制御部13と、レーザダ
イオード11の出力光の発光遅延td を検出する発光遅
延検出部14と、発光遅延検出部14で検出した発光遅
延の大きさを小とするようにレーザダイオード11に流
す直流バイアス電流IDCの大きさを制御する直流バアイ
ス電流制御部15とを備えたものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレーザダイオードに駆動
電流を流すためのレーザダイオード駆動回路に関するも
のである。
電流を流すためのレーザダイオード駆動回路に関するも
のである。
【0002】レーザダイオード駆動回路は電気信号をレ
ーザダイオードを用いて光信号に変調する光変調部の電
気回路部に適用できる。かかるレーザダイオード駆動回
路では、その駆動電流の調整を手間をかけずに簡単にで
きることが必要とされる。
ーザダイオードを用いて光信号に変調する光変調部の電
気回路部に適用できる。かかるレーザダイオード駆動回
路では、その駆動電流の調整を手間をかけずに簡単にで
きることが必要とされる。
【0003】
【従来の技術】電気信号を光信号に変換するレーザダイ
オードは、図6に示されるように、しきい値電流Ith、
微分効率η、発光遅延td 、バイアス発光Pthなどを主
たるパラメータとして持つが、これらのパラメータはそ
れぞれ温度特性とチップごとのバラツキを有する。これ
に起因してレーザダイオードは光出力パワー変動あるい
は波形劣化を引き起こすため、レーザダイオードの駆動
にあたっては負帰還回路を用いて光出力パワー変動を抑
え、またバラツキからくる波形劣化は各レーザダイオー
ドのチップごとに可変抵抗器等を用いて調整を行ってい
る。
オードは、図6に示されるように、しきい値電流Ith、
微分効率η、発光遅延td 、バイアス発光Pthなどを主
たるパラメータとして持つが、これらのパラメータはそ
れぞれ温度特性とチップごとのバラツキを有する。これ
に起因してレーザダイオードは光出力パワー変動あるい
は波形劣化を引き起こすため、レーザダイオードの駆動
にあたっては負帰還回路を用いて光出力パワー変動を抑
え、またバラツキからくる波形劣化は各レーザダイオー
ドのチップごとに可変抵抗器等を用いて調整を行ってい
る。
【0004】レーザダイオードの従来の駆動方法を説明
する。レーザダイオードは、図7に示されるように、入
力電流I対光パワー出力Pの特性は温度によって変動
し、また発光遅延などの問題があるため、駆動電流を直
流バイアス電流IDCとパルス電流IP の2つに分けて、
レーザダイオードの駆動を制御している。
する。レーザダイオードは、図7に示されるように、入
力電流I対光パワー出力Pの特性は温度によって変動
し、また発光遅延などの問題があるため、駆動電流を直
流バイアス電流IDCとパルス電流IP の2つに分けて、
レーザダイオードの駆動を制御している。
【0005】この直流バイアス電流IDCとパルス電流I
P の温度による値を図8に示されるように複数のサンプ
ル値についてプロットして直線に結ぶと、直流バイアス
電流IDCとパルス電流IP の関係は各サンプル値により
次の関数に近似できる。 IP =α・IDC+β ・・・(1) よって出力パワーおよび波形を安定化するためには、こ
のαとβを各レーザダイオードのチップごとに設定する
必要がある。
P の温度による値を図8に示されるように複数のサンプ
ル値についてプロットして直線に結ぶと、直流バイアス
電流IDCとパルス電流IP の関係は各サンプル値により
次の関数に近似できる。 IP =α・IDC+β ・・・(1) よって出力パワーおよび波形を安定化するためには、こ
のαとβを各レーザダイオードのチップごとに設定する
必要がある。
【0006】このαとβを各チップごとに設定する方式
の従来のレーザダイオード駆動回路の概略構成が図9に
示される。図9において、1はレーザダイオードであ
り、24’はレーザダイオード1に流す直流バイアス電
流IDCの電流源、23’はレーザダイオード1に流すパ
ルス電流IP の電流源、21’はデータ入力に応じてパ
ルス電流IP の通電をオン/オフするスイッチ回路、3
1はレーザダイオード1の出力光をモニタするホトダイ
オード、R1は出力パワーの調整を行うための可変抵抗
器、32’はモニタした出力光を電圧に変換する増幅
器、7は増幅器32’の出力に基づいてパルス電流源2
3’のパルス電流IP と直流バイアス電流源24’の直
流バイアス電流IDCを適正値に制御する制御回路であ
る。制御回路7には可変抵抗器R2とR3が外付けされ
ており、これらの可変抵抗器R2とR3はα、βの設定
を行うために用いられる。
の従来のレーザダイオード駆動回路の概略構成が図9に
示される。図9において、1はレーザダイオードであ
り、24’はレーザダイオード1に流す直流バイアス電
流IDCの電流源、23’はレーザダイオード1に流すパ
ルス電流IP の電流源、21’はデータ入力に応じてパ
ルス電流IP の通電をオン/オフするスイッチ回路、3
1はレーザダイオード1の出力光をモニタするホトダイ
オード、R1は出力パワーの調整を行うための可変抵抗
器、32’はモニタした出力光を電圧に変換する増幅
器、7は増幅器32’の出力に基づいてパルス電流源2
3’のパルス電流IP と直流バイアス電流源24’の直
流バイアス電流IDCを適正値に制御する制御回路であ
る。制御回路7には可変抵抗器R2とR3が外付けされ
ており、これらの可変抵抗器R2とR3はα、βの設定
を行うために用いられる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のレーザダイオード駆動回路では、出力パワーの調整と
α、βの設定を行うために可変抵抗器R1、R2、R3
を必要とし、それらの調整に手間がかかる。またこれら
調整用の部品点数(R1〜R3)をこれ以上減らすこと
ができず、調整に関しての量産時のコストダウンを図れ
ない。
のレーザダイオード駆動回路では、出力パワーの調整と
α、βの設定を行うために可変抵抗器R1、R2、R3
を必要とし、それらの調整に手間がかかる。またこれら
調整用の部品点数(R1〜R3)をこれ以上減らすこと
ができず、調整に関しての量産時のコストダウンを図れ
ない。
【0008】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、調整部品点数を削
減し調整を簡単に行えるようにすることにある。
のであり、その目的とするところは、調整部品点数を削
減し調整を簡単に行えるようにすることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】図1は本発明に係る原理
説明図である。本発明に係るレーザダイオード駆動回路
は、レーザダイオード11と、レーザダイオード11の
出力光をモニタするモニタ部12と、モニタ部12の出
力に基づいてレーザダイオード11に流すパルス電流I
P を制御するパルス電流制御部13と、レーザダイオー
ド11の出力光の発光遅延td を検出する発光遅延検出
部14と、発光遅延検出部14で検出した発光遅延の大
きさを小とするようにレーザダイオード11に流す直流
バイアス電流IDCの大きさを制御する直流バアイス電流
制御部15とを備えたものである。
説明図である。本発明に係るレーザダイオード駆動回路
は、レーザダイオード11と、レーザダイオード11の
出力光をモニタするモニタ部12と、モニタ部12の出
力に基づいてレーザダイオード11に流すパルス電流I
P を制御するパルス電流制御部13と、レーザダイオー
ド11の出力光の発光遅延td を検出する発光遅延検出
部14と、発光遅延検出部14で検出した発光遅延の大
きさを小とするようにレーザダイオード11に流す直流
バイアス電流IDCの大きさを制御する直流バアイス電流
制御部15とを備えたものである。
【0010】上述のレーザダイオード駆動回路におい
て、モニタ部12は、レーザダイオード11の出力光を
ホトダイオードによりモニタし、そのモニタ出力電流を
広帯域増幅器を用いた並列帰還回路からなる電流/電圧
変換回路で電圧値に変換するよう構成することができ
る。
て、モニタ部12は、レーザダイオード11の出力光を
ホトダイオードによりモニタし、そのモニタ出力電流を
広帯域増幅器を用いた並列帰還回路からなる電流/電圧
変換回路で電圧値に変換するよう構成することができ
る。
【0011】また上述のレーザダイオード駆動回路にお
いて、発光遅延検出部14は、キャパシタと、パルス電
流の印加信号と該モニタ部のモニタ出力とを比較して発
光遅延期間を検出する比較手段と、この比較手段で検出
した期間中充電電流をキャパシタに流すスイッチ手段
と、パルス電流の印加停止中にキャパシタの充電電荷を
放電させる第2のスイッチ手段とで構成することができ
る。
いて、発光遅延検出部14は、キャパシタと、パルス電
流の印加信号と該モニタ部のモニタ出力とを比較して発
光遅延期間を検出する比較手段と、この比較手段で検出
した期間中充電電流をキャパシタに流すスイッチ手段
と、パルス電流の印加停止中にキャパシタの充電電荷を
放電させる第2のスイッチ手段とで構成することができ
る。
【0012】
【作用】本発明のレーザダイオード駆動回路において
は、レーザダイオード11の出力光をモニタ部12でモ
ニタし、このモニタ部12の出力に基づいてレーザダイ
オード11に流すパルス電流IP をパルス電流制御部1
3で制御し、さらにレーザダイオード11の出力光の発
光遅延td を発光遅延検出部14で検出してこの発光遅
延の大きさを小とするようにレーザダイオード11に流
す直流バイアス電流IDCの大きさを直流バイアス電流制
御部15で制御する。
は、レーザダイオード11の出力光をモニタ部12でモ
ニタし、このモニタ部12の出力に基づいてレーザダイ
オード11に流すパルス電流IP をパルス電流制御部1
3で制御し、さらにレーザダイオード11の出力光の発
光遅延td を発光遅延検出部14で検出してこの発光遅
延の大きさを小とするようにレーザダイオード11に流
す直流バイアス電流IDCの大きさを直流バイアス電流制
御部15で制御する。
【0013】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図2には本発明の一実施例としてのレーザダイオ
ード駆動回路が示される。図2において、1はレーザダ
イオードである。2はこのレーザダイオード1に駆動電
流(パルス電流IP と直流バイアス電流IDC)を通電す
るLD駆動部であり、パルス電流IP の大きさを制御す
るための定電流源としてのトランジスタ23と、直流バ
イアス電流IDCの大きさを制御するための定電流源とし
てのトランジスタ24と、入力データに応じてパルス電
流IP の通電のオン/オフを制御する差動対トランジス
タ21、22とにて構成される。
する。図2には本発明の一実施例としてのレーザダイオ
ード駆動回路が示される。図2において、1はレーザダ
イオードである。2はこのレーザダイオード1に駆動電
流(パルス電流IP と直流バイアス電流IDC)を通電す
るLD駆動部であり、パルス電流IP の大きさを制御す
るための定電流源としてのトランジスタ23と、直流バ
イアス電流IDCの大きさを制御するための定電流源とし
てのトランジスタ24と、入力データに応じてパルス電
流IP の通電のオン/オフを制御する差動対トランジス
タ21、22とにて構成される。
【0014】3は波形モニター部であり、この波形モニ
ター部3では、ホトダイオード31によりレーザダイオ
ード1の出力光の波形をモニターし、このホトダイオー
ド31の出力電流を高帯域増幅器32と抵抗器33を用
いた並列帰還回路からなるI/V変換回路により電圧信
号に変換するように構成することで、I/V変換回路の
高速化を図っている。
ター部3では、ホトダイオード31によりレーザダイオ
ード1の出力光の波形をモニターし、このホトダイオー
ド31の出力電流を高帯域増幅器32と抵抗器33を用
いた並列帰還回路からなるI/V変換回路により電圧信
号に変換するように構成することで、I/V変換回路の
高速化を図っている。
【0015】4はパルス電流制御部であり、このパルス
電流制御部4は、波形モニター部3の出力波形のピーク
電圧を検出するピーク検出回路41、基準電圧源44の
基準電圧Vref1を発生する基準電圧源44、ピーク検出
回路41のピーク電圧(f)と基準電圧Vref1との誤差
を増幅する増幅器42、および、フィードバックループ
の時定数τ1 を決定するτ1 部43により構成され、モ
ニター波形の振幅が一定になるようにパルス電流IP 用
のトランジスタ23のベース電圧を制御する。
電流制御部4は、波形モニター部3の出力波形のピーク
電圧を検出するピーク検出回路41、基準電圧源44の
基準電圧Vref1を発生する基準電圧源44、ピーク検出
回路41のピーク電圧(f)と基準電圧Vref1との誤差
を増幅する増幅器42、および、フィードバックループ
の時定数τ1 を決定するτ1 部43により構成され、モ
ニター波形の振幅が一定になるようにパルス電流IP 用
のトランジスタ23のベース電圧を制御する。
【0016】5は直流バイアス電流制御部であり、この
直流バイアス電流制御部5は、波形モニター部3のモニ
ター波形(a)と駆動パルス電流IP を抵抗器20によ
り電圧変換した波形(b)(基準パルス)とのアンド論
理をとるアンドゲート51、このアンドゲート51の出
力信号(c)のパルス幅に応じてキャパシタ56に充電
を行うスイッチ52、充電電流I1 を発生する定電流源
54、キャパシタ56にチャージされた電荷を基準パル
ス(b)のレベルにより放電を行うスイッチ53、放電
電流I2 を発生する定電流源55、そのチャージ波形の
ピーク検出を行うピーク検出回路57、基準電圧Vref2
を発生する基準電圧源58、ピーク検出回路57の出力
電圧(e)と基準電圧Vref2との誤差を増幅する増幅器
59、および、フィードバックループの時定数τ2 を決
定するτ2 部50により構成される。この直流バイアス
電流制御部5はモニター波形(a)の立上りと基準パル
ス(b)の立上りとの差(すなわち発光遅延量td )が
目標値ts となるように、直流バイアス電流IDC用のト
ランジスタ24のベース電圧を制御する。
直流バイアス電流制御部5は、波形モニター部3のモニ
ター波形(a)と駆動パルス電流IP を抵抗器20によ
り電圧変換した波形(b)(基準パルス)とのアンド論
理をとるアンドゲート51、このアンドゲート51の出
力信号(c)のパルス幅に応じてキャパシタ56に充電
を行うスイッチ52、充電電流I1 を発生する定電流源
54、キャパシタ56にチャージされた電荷を基準パル
ス(b)のレベルにより放電を行うスイッチ53、放電
電流I2 を発生する定電流源55、そのチャージ波形の
ピーク検出を行うピーク検出回路57、基準電圧Vref2
を発生する基準電圧源58、ピーク検出回路57の出力
電圧(e)と基準電圧Vref2との誤差を増幅する増幅器
59、および、フィードバックループの時定数τ2 を決
定するτ2 部50により構成される。この直流バイアス
電流制御部5はモニター波形(a)の立上りと基準パル
ス(b)の立上りとの差(すなわち発光遅延量td )が
目標値ts となるように、直流バイアス電流IDC用のト
ランジスタ24のベース電圧を制御する。
【0017】ここで、目標値td は、キャパシタ56の
静電容量をCchとすると、 (I1 /Cch)×td =Vref2 であるから、 td =Cch・Vref2/I1 ・・・(2) となる。この(2)式から分かるように、目標値td は
基準電圧Vref2を変化させることによって所望の値に設
定することができる。
静電容量をCchとすると、 (I1 /Cch)×td =Vref2 であるから、 td =Cch・Vref2/I1 ・・・(2) となる。この(2)式から分かるように、目標値td は
基準電圧Vref2を変化させることによって所望の値に設
定することができる。
【0018】なお、τ1 部43とτ2 部50は、LD駆
動部2のパルス電流IP と直流バイアス電流IDCが同時
に変化されないようにするために、それらの電流制御の
タイミングに遅延を持たせるためのものであり、時定数
はτ2 ≫τ1 に設定する。
動部2のパルス電流IP と直流バイアス電流IDCが同時
に変化されないようにするために、それらの電流制御の
タイミングに遅延を持たせるためのものであり、時定数
はτ2 ≫τ1 に設定する。
【0019】この実施例回路の動作が図3のタイムチャ
ートを参照して以下に説明される。図3において、
(a)は波形モニター部3からのモニター波形、(b)
はLD駆動部2の駆動電気波形(基準パルス)、(c)
はアンドゲート51からの発光遅延パルス、(d)はキ
ャパシタ56の端子に現れる発光遅延量の電圧波形、
(e)はピーク検出回路57で検出された電圧波形
(d)のピーク検出波形、(f)はピーク検出回路41
で検出されたモニター波形(a)のピーク検出波形であ
る。
ートを参照して以下に説明される。図3において、
(a)は波形モニター部3からのモニター波形、(b)
はLD駆動部2の駆動電気波形(基準パルス)、(c)
はアンドゲート51からの発光遅延パルス、(d)はキ
ャパシタ56の端子に現れる発光遅延量の電圧波形、
(e)はピーク検出回路57で検出された電圧波形
(d)のピーク検出波形、(f)はピーク検出回路41
で検出されたモニター波形(a)のピーク検出波形であ
る。
【0020】この実施例回路では、波形モニター部3に
おいては、レーザダイオード1の光出力をホトダイオー
ド31にて高速モニターし、パルス電流制御部4におい
ては、光波形モニター電流のピーク値が一定になるよう
に、パルス電流IP に負帰還をかけるIP 制御用のフィ
ードバック制御を行い、一方、直流バイアス電流制御部
5においては、光波形立上りの遅延量(発光遅延量
td )をパルス幅で検出し、このパルス幅が一定になる
ように直流バイアス電流IDCに負帰還をかけるIDC制御
用のフィードバック制御を行い、この二つのフィードバ
ック制御を独立にかけてレーザダイオード1の光出力の
安定化を図るものである。
おいては、レーザダイオード1の光出力をホトダイオー
ド31にて高速モニターし、パルス電流制御部4におい
ては、光波形モニター電流のピーク値が一定になるよう
に、パルス電流IP に負帰還をかけるIP 制御用のフィ
ードバック制御を行い、一方、直流バイアス電流制御部
5においては、光波形立上りの遅延量(発光遅延量
td )をパルス幅で検出し、このパルス幅が一定になる
ように直流バイアス電流IDCに負帰還をかけるIDC制御
用のフィードバック制御を行い、この二つのフィードバ
ック制御を独立にかけてレーザダイオード1の光出力の
安定化を図るものである。
【0021】ここで、発光遅延量td は、図4に示され
るように、レーザダイオード1にパルス電流IP 波形を
通電してからレーザダイオード1の出力光をモニターし
た光波形モニター電流(a)が出力されるまでの遅延時
間であり、この発光遅延量td を直流バイアス電流IDC
とパルス電流IP で表すと、 td =τs ・log e 〔IP /(IDC+IP −Ith)〕 となる。ここで、Ithはしきい値電流である。,また、
τs はレーザダイオードが固有に持つ係数である。
るように、レーザダイオード1にパルス電流IP 波形を
通電してからレーザダイオード1の出力光をモニターし
た光波形モニター電流(a)が出力されるまでの遅延時
間であり、この発光遅延量td を直流バイアス電流IDC
とパルス電流IP で表すと、 td =τs ・log e 〔IP /(IDC+IP −Ith)〕 となる。ここで、Ithはしきい値電流である。,また、
τs はレーザダイオードが固有に持つ係数である。
【0022】図3に示されるように、モニター波形
(a)と駆動基準パルス(b)とがアンドゲート51に
入力されると、アンドゲート51は両者が“H”の期間
だけ“H”となる発光遅延パルス(c)を出力する。こ
の発光遅延パルス(c)が“H”の期間はスイッチ52
がオンになり、定電流源54の充電電流I1 によってキ
ャパシタ56が充電される。よってスイッチ52がオン
の期間(すなわち発光遅延量td の期間)が大きいほど
キャパシタ56の端子電圧(d)は大きくなるので、こ
のキャパシタ56により発光遅延量td は電圧値からな
る波形(d)に変換される。
(a)と駆動基準パルス(b)とがアンドゲート51に
入力されると、アンドゲート51は両者が“H”の期間
だけ“H”となる発光遅延パルス(c)を出力する。こ
の発光遅延パルス(c)が“H”の期間はスイッチ52
がオンになり、定電流源54の充電電流I1 によってキ
ャパシタ56が充電される。よってスイッチ52がオン
の期間(すなわち発光遅延量td の期間)が大きいほど
キャパシタ56の端子電圧(d)は大きくなるので、こ
のキャパシタ56により発光遅延量td は電圧値からな
る波形(d)に変換される。
【0023】キャパシタ56の発光遅延量の電圧波形
(d)のピーク電圧はピーク検出回路57により検出さ
れ、そのピーク検出波形(e)が増幅器59で基準電圧
Vref2と比較され、その誤差がτ2 部50を経てトラン
ジスタ24に帰還され、その直流バイアス電流IDCを誤
差がなくなる方向に変化させる。これにより発光遅延量
td は基準電圧Vref2により設定される目標値ts に逐
次収束していく。
(d)のピーク電圧はピーク検出回路57により検出さ
れ、そのピーク検出波形(e)が増幅器59で基準電圧
Vref2と比較され、その誤差がτ2 部50を経てトラン
ジスタ24に帰還され、その直流バイアス電流IDCを誤
差がなくなる方向に変化させる。これにより発光遅延量
td は基準電圧Vref2により設定される目標値ts に逐
次収束していく。
【0024】よって、目標値ts の値としては、基準電
圧Vref2を調整することによって、しきい値tthをやや
下回る値になるように設定しておけば、発光遅延量td
を最小とすることができる。
圧Vref2を調整することによって、しきい値tthをやや
下回る値になるように設定しておけば、発光遅延量td
を最小とすることができる。
【0025】このように、本実施例回路では、 光出力波形モニター部3の応答を速くして光出力波
形の立上りの発光遅延量td を検出することによる直流
バイアス電流IDCの制御 光出力波形のピーク値を検出することによるパルス
電流IP の制御 の2つのフィードバックコントロールを行っており、こ
れにより従来回路の調整抵抗器R2、R3を削除してい
る。
形の立上りの発光遅延量td を検出することによる直流
バイアス電流IDCの制御 光出力波形のピーク値を検出することによるパルス
電流IP の制御 の2つのフィードバックコントロールを行っており、こ
れにより従来回路の調整抵抗器R2、R3を削除してい
る。
【0026】図5には上述の実施例回路の更に具体的な
構成が示される。この実施例回路の基本的な構成は図2
の回路と同じであり、図2と同一機能の部分には同一の
参照番号を付してある。また図中の比較器61〜64は
種々のレベルの入力信号をIC回路用の0〜5V電圧に
変換するための回路である。
構成が示される。この実施例回路の基本的な構成は図2
の回路と同じであり、図2と同一機能の部分には同一の
参照番号を付してある。また図中の比較器61〜64は
種々のレベルの入力信号をIC回路用の0〜5V電圧に
変換するための回路である。
【0027】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、従来方式で必要であった調整用の部品点数を減らす
ことができ、調整作業を簡単化し、また調整に関しての
量産時のコストダウンを図ることができる。
ば、従来方式で必要であった調整用の部品点数を減らす
ことができ、調整作業を簡単化し、また調整に関しての
量産時のコストダウンを図ることができる。
【図1】本発明に係る原理説明図である。
【図2】本発明の一実施例としてのレーザダイオード駆
動回路を示す図である。
動回路を示す図である。
【図3】実施例回路の各部信号のタイムチャートであ
る。
る。
【図4】発光遅延量td を説明するための図である。
【図5】図2の実施例回路を更に具体化した例を示す図
である。
である。
【図6】レーザダイオードの各パラメータを説明する図
である。
である。
【図7】各温度によるレーザダイオードの電流制御状態
を説明する図である。
を説明する図である。
【図8】各温度によるレーザダイオードの直流バイアス
電流IDCとパルス電流IP の関係を説明する図である。
電流IDCとパルス電流IP の関係を説明する図である。
【図9】レーザダイオード駆動回路の従来例を示す図で
ある。
ある。
1 レーザダイオード 2 レーザダイオード駆動部 3 波形モニター部 4 パルス電流制御部 5 直流バイアス電流制御部 20、33 抵抗、可変抵抗 21〜24 トランジスタ 31 ホトダイオード 32 高帯域増幅器 41、57 ピーク検出回路 42、59 増幅器 44、58 基準電圧源 43 時定数回路1 50 時定数回路2 51 アンドゲート 52、53 スイッチ 54、55 電流源 56 キャパシタ 61〜64 比較器
Claims (3)
- 【請求項1】 レーザダイオード(11)と、 該レーザダイオードの出力光をモニタするモニタ部(1
2)と、 該モニタ部の出力に基づいて該レーザダイオードに流す
パルス電流を制御するパルス電流制御部(13)と、 該レーザダイオードの出力光の発光遅延を検出する発光
遅延検出部(14)と、 該発光遅延検出部で検出した発光遅延の大きさを小とす
るように該レーザダイオードに流す直流バイアス電流の
大きさを制御する直流バイアス電流制御部(15)とを
備えたレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項2】該モニタ部は、レーザダイオードの出力光
をホトダイオードによりモニタし、そのモニタ出力電流
を広帯域増幅器を用いた並列帰還回路からなる電流/電
圧変換回路で電圧値に変換するよう構成されたものであ
る請求項1記載のレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項3】 該発光遅延検出部は、キャパシタと、パ
ルス電流の印加信号と該モニタ部のモニタ出力とを比較
して発光遅延期間を検出する比較手段と、該比較手段で
検出した期間中充電電流を該キャパシタに流すスイッチ
手段と、該パルス電流の印加停止中に該キャパシタの充
電電荷を放電させる第2のスイッチ手段とを備えてなる
請求項1記載のレーザダイオード駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35417392A JPH06181351A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | レーザダイオード駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35417392A JPH06181351A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | レーザダイオード駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06181351A true JPH06181351A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18435783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35417392A Withdrawn JPH06181351A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | レーザダイオード駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06181351A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003061126A1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-07-24 | Advantest Corporation | Delay circuit and test apparatus |
CN109326954A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 科大国盾量子技术股份有限公司 | 一种用于量子通信单光子源的激光器高速驱动模块 |
-
1992
- 1992-12-15 JP JP35417392A patent/JPH06181351A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003061126A1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-07-24 | Advantest Corporation | Delay circuit and test apparatus |
US7339152B2 (en) | 2002-01-09 | 2008-03-04 | Advantest Corporation | Delay circuit and test apparatus |
CN109326954A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 科大国盾量子技术股份有限公司 | 一种用于量子通信单光子源的激光器高速驱动模块 |
CN109326954B (zh) * | 2017-07-31 | 2024-01-26 | 科大国盾量子技术股份有限公司 | 一种用于量子通信单光子源的激光器高速驱动模块 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |