JPH06181351A - レーザダイオード駆動回路 - Google Patents
レーザダイオード駆動回路Info
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- JPH06181351A JPH06181351A JP35417392A JP35417392A JPH06181351A JP H06181351 A JPH06181351 A JP H06181351A JP 35417392 A JP35417392 A JP 35417392A JP 35417392 A JP35417392 A JP 35417392A JP H06181351 A JPH06181351 A JP H06181351A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザダイオードに駆動電流を流すためのレ
ーザダイオード駆動回路に関するものであり、調整部品
点数を削減し調整が簡単なようにすることを目的とす
る。 【構成】 レーザダイオード１１と、レーザダイオード
１１の出力光をモニタするモニタ部１２と、モニタ部１
２の出力に基づいてレーザダイオード１１に流すパルス
電流ＩP を制御するパルス電流制御部１３と、レーザダ
イオード１１の出力光の発光遅延ｔd を検出する発光遅
延検出部１４と、発光遅延検出部１４で検出した発光遅
延の大きさを小とするようにレーザダイオード１１に流
す直流バイアス電流ＩDCの大きさを制御する直流バアイ
ス電流制御部１５とを備えたものである。
ーザダイオード駆動回路に関するものであり、調整部品
点数を削減し調整が簡単なようにすることを目的とす
る。 【構成】 レーザダイオード１１と、レーザダイオード
１１の出力光をモニタするモニタ部１２と、モニタ部１
２の出力に基づいてレーザダイオード１１に流すパルス
電流ＩP を制御するパルス電流制御部１３と、レーザダ
イオード１１の出力光の発光遅延ｔd を検出する発光遅
延検出部１４と、発光遅延検出部１４で検出した発光遅
延の大きさを小とするようにレーザダイオード１１に流
す直流バイアス電流ＩDCの大きさを制御する直流バアイ
ス電流制御部１５とを備えたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザダイオードに駆動
電流を流すためのレーザダイオード駆動回路に関するも
のである。
電流を流すためのレーザダイオード駆動回路に関するも
のである。
【０００２】レーザダイオード駆動回路は電気信号をレ
ーザダイオードを用いて光信号に変調する光変調部の電
気回路部に適用できる。かかるレーザダイオード駆動回
路では、その駆動電流の調整を手間をかけずに簡単にで
きることが必要とされる。
ーザダイオードを用いて光信号に変調する光変調部の電
気回路部に適用できる。かかるレーザダイオード駆動回
路では、その駆動電流の調整を手間をかけずに簡単にで
きることが必要とされる。
【０００３】
【従来の技術】電気信号を光信号に変換するレーザダイ
オードは、図６に示されるように、しきい値電流Ｉth、
微分効率η、発光遅延ｔd 、バイアス発光Ｐthなどを主
たるパラメータとして持つが、これらのパラメータはそ
れぞれ温度特性とチップごとのバラツキを有する。これ
に起因してレーザダイオードは光出力パワー変動あるい
は波形劣化を引き起こすため、レーザダイオードの駆動
にあたっては負帰還回路を用いて光出力パワー変動を抑
え、またバラツキからくる波形劣化は各レーザダイオー
ドのチップごとに可変抵抗器等を用いて調整を行ってい
る。
オードは、図６に示されるように、しきい値電流Ｉth、
微分効率η、発光遅延ｔd 、バイアス発光Ｐthなどを主
たるパラメータとして持つが、これらのパラメータはそ
れぞれ温度特性とチップごとのバラツキを有する。これ
に起因してレーザダイオードは光出力パワー変動あるい
は波形劣化を引き起こすため、レーザダイオードの駆動
にあたっては負帰還回路を用いて光出力パワー変動を抑
え、またバラツキからくる波形劣化は各レーザダイオー
ドのチップごとに可変抵抗器等を用いて調整を行ってい
る。
【０００４】レーザダイオードの従来の駆動方法を説明
する。レーザダイオードは、図７に示されるように、入
力電流Ｉ対光パワー出力Ｐの特性は温度によって変動
し、また発光遅延などの問題があるため、駆動電流を直
流バイアス電流ＩDCとパルス電流ＩP の２つに分けて、
レーザダイオードの駆動を制御している。
する。レーザダイオードは、図７に示されるように、入
力電流Ｉ対光パワー出力Ｐの特性は温度によって変動
し、また発光遅延などの問題があるため、駆動電流を直
流バイアス電流ＩDCとパルス電流ＩP の２つに分けて、
レーザダイオードの駆動を制御している。
【０００５】この直流バイアス電流ＩDCとパルス電流Ｉ
P の温度による値を図８に示されるように複数のサンプ
ル値についてプロットして直線に結ぶと、直流バイアス
電流ＩDCとパルス電流ＩP の関係は各サンプル値により
次の関数に近似できる。 ＩP ＝α・ＩDC＋β ・・・（１） よって出力パワーおよび波形を安定化するためには、こ
のαとβを各レーザダイオードのチップごとに設定する
必要がある。
P の温度による値を図８に示されるように複数のサンプ
ル値についてプロットして直線に結ぶと、直流バイアス
電流ＩDCとパルス電流ＩP の関係は各サンプル値により
次の関数に近似できる。 ＩP ＝α・ＩDC＋β ・・・（１） よって出力パワーおよび波形を安定化するためには、こ
のαとβを各レーザダイオードのチップごとに設定する
必要がある。
【０００６】このαとβを各チップごとに設定する方式
の従来のレーザダイオード駆動回路の概略構成が図９に
示される。図９において、１はレーザダイオードであ
り、２４’はレーザダイオード１に流す直流バイアス電
流ＩDCの電流源、２３’はレーザダイオード１に流すパ
ルス電流ＩP の電流源、２１’はデータ入力に応じてパ
ルス電流ＩP の通電をオン／オフするスイッチ回路、３
１はレーザダイオード１の出力光をモニタするホトダイ
オード、Ｒ１は出力パワーの調整を行うための可変抵抗
器、３２’はモニタした出力光を電圧に変換する増幅
器、７は増幅器３２’の出力に基づいてパルス電流源２
３’のパルス電流ＩP と直流バイアス電流源２４’の直
流バイアス電流ＩDCを適正値に制御する制御回路であ
る。制御回路７には可変抵抗器Ｒ２とＲ３が外付けされ
ており、これらの可変抵抗器Ｒ２とＲ３はα、βの設定
を行うために用いられる。
の従来のレーザダイオード駆動回路の概略構成が図９に
示される。図９において、１はレーザダイオードであ
り、２４’はレーザダイオード１に流す直流バイアス電
流ＩDCの電流源、２３’はレーザダイオード１に流すパ
ルス電流ＩP の電流源、２１’はデータ入力に応じてパ
ルス電流ＩP の通電をオン／オフするスイッチ回路、３
１はレーザダイオード１の出力光をモニタするホトダイ
オード、Ｒ１は出力パワーの調整を行うための可変抵抗
器、３２’はモニタした出力光を電圧に変換する増幅
器、７は増幅器３２’の出力に基づいてパルス電流源２
３’のパルス電流ＩP と直流バイアス電流源２４’の直
流バイアス電流ＩDCを適正値に制御する制御回路であ
る。制御回路７には可変抵抗器Ｒ２とＲ３が外付けされ
ており、これらの可変抵抗器Ｒ２とＲ３はα、βの設定
を行うために用いられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のレーザダイオード駆動回路では、出力パワーの調整と
α、βの設定を行うために可変抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
を必要とし、それらの調整に手間がかかる。またこれら
調整用の部品点数（Ｒ１〜Ｒ３）をこれ以上減らすこと
ができず、調整に関しての量産時のコストダウンを図れ
ない。
のレーザダイオード駆動回路では、出力パワーの調整と
α、βの設定を行うために可変抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
を必要とし、それらの調整に手間がかかる。またこれら
調整用の部品点数（Ｒ１〜Ｒ３）をこれ以上減らすこと
ができず、調整に関しての量産時のコストダウンを図れ
ない。
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、調整部品点数を削
減し調整を簡単に行えるようにすることにある。
のであり、その目的とするところは、調整部品点数を削
減し調整を簡単に行えるようにすることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は本発明に係る原理
説明図である。本発明に係るレーザダイオード駆動回路
は、レーザダイオード１１と、レーザダイオード１１の
出力光をモニタするモニタ部１２と、モニタ部１２の出
力に基づいてレーザダイオード１１に流すパルス電流Ｉ
P を制御するパルス電流制御部１３と、レーザダイオー
ド１１の出力光の発光遅延ｔd を検出する発光遅延検出
部１４と、発光遅延検出部１４で検出した発光遅延の大
きさを小とするようにレーザダイオード１１に流す直流
バイアス電流ＩDCの大きさを制御する直流バアイス電流
制御部１５とを備えたものである。
説明図である。本発明に係るレーザダイオード駆動回路
は、レーザダイオード１１と、レーザダイオード１１の
出力光をモニタするモニタ部１２と、モニタ部１２の出
力に基づいてレーザダイオード１１に流すパルス電流Ｉ
P を制御するパルス電流制御部１３と、レーザダイオー
ド１１の出力光の発光遅延ｔd を検出する発光遅延検出
部１４と、発光遅延検出部１４で検出した発光遅延の大
きさを小とするようにレーザダイオード１１に流す直流
バイアス電流ＩDCの大きさを制御する直流バアイス電流
制御部１５とを備えたものである。
【００１０】上述のレーザダイオード駆動回路におい
て、モニタ部１２は、レーザダイオード１１の出力光を
ホトダイオードによりモニタし、そのモニタ出力電流を
広帯域増幅器を用いた並列帰還回路からなる電流／電圧
変換回路で電圧値に変換するよう構成することができ
る。
て、モニタ部１２は、レーザダイオード１１の出力光を
ホトダイオードによりモニタし、そのモニタ出力電流を
広帯域増幅器を用いた並列帰還回路からなる電流／電圧
変換回路で電圧値に変換するよう構成することができ
る。
【００１１】また上述のレーザダイオード駆動回路にお
いて、発光遅延検出部１４は、キャパシタと、パルス電
流の印加信号と該モニタ部のモニタ出力とを比較して発
光遅延期間を検出する比較手段と、この比較手段で検出
した期間中充電電流をキャパシタに流すスイッチ手段
と、パルス電流の印加停止中にキャパシタの充電電荷を
放電させる第２のスイッチ手段とで構成することができ
る。
いて、発光遅延検出部１４は、キャパシタと、パルス電
流の印加信号と該モニタ部のモニタ出力とを比較して発
光遅延期間を検出する比較手段と、この比較手段で検出
した期間中充電電流をキャパシタに流すスイッチ手段
と、パルス電流の印加停止中にキャパシタの充電電荷を
放電させる第２のスイッチ手段とで構成することができ
る。
【００１２】
【作用】本発明のレーザダイオード駆動回路において
は、レーザダイオード１１の出力光をモニタ部１２でモ
ニタし、このモニタ部１２の出力に基づいてレーザダイ
オード１１に流すパルス電流ＩP をパルス電流制御部１
３で制御し、さらにレーザダイオード１１の出力光の発
光遅延ｔd を発光遅延検出部１４で検出してこの発光遅
延の大きさを小とするようにレーザダイオード１１に流
す直流バイアス電流ＩDCの大きさを直流バイアス電流制
御部１５で制御する。
は、レーザダイオード１１の出力光をモニタ部１２でモ
ニタし、このモニタ部１２の出力に基づいてレーザダイ
オード１１に流すパルス電流ＩP をパルス電流制御部１
３で制御し、さらにレーザダイオード１１の出力光の発
光遅延ｔd を発光遅延検出部１４で検出してこの発光遅
延の大きさを小とするようにレーザダイオード１１に流
す直流バイアス電流ＩDCの大きさを直流バイアス電流制
御部１５で制御する。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図２には本発明の一実施例としてのレーザダイオ
ード駆動回路が示される。図２において、１はレーザダ
イオードである。２はこのレーザダイオード１に駆動電
流（パルス電流ＩP と直流バイアス電流ＩDC）を通電す
るＬＤ駆動部であり、パルス電流ＩP の大きさを制御す
るための定電流源としてのトランジスタ２３と、直流バ
イアス電流ＩDCの大きさを制御するための定電流源とし
てのトランジスタ２４と、入力データに応じてパルス電
流ＩP の通電のオン／オフを制御する差動対トランジス
タ２１、２２とにて構成される。
する。図２には本発明の一実施例としてのレーザダイオ
ード駆動回路が示される。図２において、１はレーザダ
イオードである。２はこのレーザダイオード１に駆動電
流（パルス電流ＩP と直流バイアス電流ＩDC）を通電す
るＬＤ駆動部であり、パルス電流ＩP の大きさを制御す
るための定電流源としてのトランジスタ２３と、直流バ
イアス電流ＩDCの大きさを制御するための定電流源とし
てのトランジスタ２４と、入力データに応じてパルス電
流ＩP の通電のオン／オフを制御する差動対トランジス
タ２１、２２とにて構成される。
【００１４】３は波形モニター部であり、この波形モニ
ター部３では、ホトダイオード３１によりレーザダイオ
ード１の出力光の波形をモニターし、このホトダイオー
ド３１の出力電流を高帯域増幅器３２と抵抗器３３を用
いた並列帰還回路からなるＩ／Ｖ変換回路により電圧信
号に変換するように構成することで、Ｉ／Ｖ変換回路の
高速化を図っている。
ター部３では、ホトダイオード３１によりレーザダイオ
ード１の出力光の波形をモニターし、このホトダイオー
ド３１の出力電流を高帯域増幅器３２と抵抗器３３を用
いた並列帰還回路からなるＩ／Ｖ変換回路により電圧信
号に変換するように構成することで、Ｉ／Ｖ変換回路の
高速化を図っている。
【００１５】４はパルス電流制御部であり、このパルス
電流制御部４は、波形モニター部３の出力波形のピーク
電圧を検出するピーク検出回路４１、基準電圧源４４の
基準電圧Ｖref1を発生する基準電圧源４４、ピーク検出
回路４１のピーク電圧（ｆ）と基準電圧Ｖref1との誤差
を増幅する増幅器４２、および、フィードバックループ
の時定数τ1 を決定するτ1 部４３により構成され、モ
ニター波形の振幅が一定になるようにパルス電流ＩP 用
のトランジスタ２３のベース電圧を制御する。
電流制御部４は、波形モニター部３の出力波形のピーク
電圧を検出するピーク検出回路４１、基準電圧源４４の
基準電圧Ｖref1を発生する基準電圧源４４、ピーク検出
回路４１のピーク電圧（ｆ）と基準電圧Ｖref1との誤差
を増幅する増幅器４２、および、フィードバックループ
の時定数τ1 を決定するτ1 部４３により構成され、モ
ニター波形の振幅が一定になるようにパルス電流ＩP 用
のトランジスタ２３のベース電圧を制御する。
【００１６】５は直流バイアス電流制御部であり、この
直流バイアス電流制御部５は、波形モニター部３のモニ
ター波形（ａ）と駆動パルス電流ＩP を抵抗器２０によ
り電圧変換した波形（ｂ）（基準パルス）とのアンド論
理をとるアンドゲート５１、このアンドゲート５１の出
力信号（ｃ）のパルス幅に応じてキャパシタ５６に充電
を行うスイッチ５２、充電電流Ｉ1 を発生する定電流源
５４、キャパシタ５６にチャージされた電荷を基準パル
ス（ｂ）のレベルにより放電を行うスイッチ５３、放電
電流Ｉ2 を発生する定電流源５５、そのチャージ波形の
ピーク検出を行うピーク検出回路５７、基準電圧Ｖref2
を発生する基準電圧源５８、ピーク検出回路５７の出力
電圧（ｅ）と基準電圧Ｖref2との誤差を増幅する増幅器
５９、および、フィードバックループの時定数τ2 を決
定するτ2 部５０により構成される。この直流バイアス
電流制御部５はモニター波形（ａ）の立上りと基準パル
ス（ｂ）の立上りとの差（すなわち発光遅延量ｔd ）が
目標値ｔs となるように、直流バイアス電流ＩDC用のト
ランジスタ２４のベース電圧を制御する。
直流バイアス電流制御部５は、波形モニター部３のモニ
ター波形（ａ）と駆動パルス電流ＩP を抵抗器２０によ
り電圧変換した波形（ｂ）（基準パルス）とのアンド論
理をとるアンドゲート５１、このアンドゲート５１の出
力信号（ｃ）のパルス幅に応じてキャパシタ５６に充電
を行うスイッチ５２、充電電流Ｉ1 を発生する定電流源
５４、キャパシタ５６にチャージされた電荷を基準パル
ス（ｂ）のレベルにより放電を行うスイッチ５３、放電
電流Ｉ2 を発生する定電流源５５、そのチャージ波形の
ピーク検出を行うピーク検出回路５７、基準電圧Ｖref2
を発生する基準電圧源５８、ピーク検出回路５７の出力
電圧（ｅ）と基準電圧Ｖref2との誤差を増幅する増幅器
５９、および、フィードバックループの時定数τ2 を決
定するτ2 部５０により構成される。この直流バイアス
電流制御部５はモニター波形（ａ）の立上りと基準パル
ス（ｂ）の立上りとの差（すなわち発光遅延量ｔd ）が
目標値ｔs となるように、直流バイアス電流ＩDC用のト
ランジスタ２４のベース電圧を制御する。
【００１７】ここで、目標値ｔd は、キャパシタ５６の
静電容量をＣchとすると、 （Ｉ1 ／Ｃch）×ｔd ＝Ｖref2 であるから、 ｔd ＝Ｃch・Ｖref2／Ｉ1 ・・・（２） となる。この（２）式から分かるように、目標値ｔd は
基準電圧Ｖref2を変化させることによって所望の値に設
定することができる。
静電容量をＣchとすると、 （Ｉ1 ／Ｃch）×ｔd ＝Ｖref2 であるから、 ｔd ＝Ｃch・Ｖref2／Ｉ1 ・・・（２） となる。この（２）式から分かるように、目標値ｔd は
基準電圧Ｖref2を変化させることによって所望の値に設
定することができる。
【００１８】なお、τ1 部４３とτ2 部５０は、ＬＤ駆
動部２のパルス電流ＩP と直流バイアス電流ＩDCが同時
に変化されないようにするために、それらの電流制御の
タイミングに遅延を持たせるためのものであり、時定数
はτ2 ≫τ1 に設定する。
動部２のパルス電流ＩP と直流バイアス電流ＩDCが同時
に変化されないようにするために、それらの電流制御の
タイミングに遅延を持たせるためのものであり、時定数
はτ2 ≫τ1 に設定する。
【００１９】この実施例回路の動作が図３のタイムチャ
ートを参照して以下に説明される。図３において、
（ａ）は波形モニター部３からのモニター波形、（ｂ）
はＬＤ駆動部２の駆動電気波形（基準パルス）、（ｃ）
はアンドゲート５１からの発光遅延パルス、（ｄ）はキ
ャパシタ５６の端子に現れる発光遅延量の電圧波形、
（ｅ）はピーク検出回路５７で検出された電圧波形
（ｄ）のピーク検出波形、（ｆ）はピーク検出回路４１
で検出されたモニター波形（ａ）のピーク検出波形であ
る。
ートを参照して以下に説明される。図３において、
（ａ）は波形モニター部３からのモニター波形、（ｂ）
はＬＤ駆動部２の駆動電気波形（基準パルス）、（ｃ）
はアンドゲート５１からの発光遅延パルス、（ｄ）はキ
ャパシタ５６の端子に現れる発光遅延量の電圧波形、
（ｅ）はピーク検出回路５７で検出された電圧波形
（ｄ）のピーク検出波形、（ｆ）はピーク検出回路４１
で検出されたモニター波形（ａ）のピーク検出波形であ
る。
【００２０】この実施例回路では、波形モニター部３に
おいては、レーザダイオード１の光出力をホトダイオー
ド３１にて高速モニターし、パルス電流制御部４におい
ては、光波形モニター電流のピーク値が一定になるよう
に、パルス電流ＩP に負帰還をかけるＩP 制御用のフィ
ードバック制御を行い、一方、直流バイアス電流制御部
５においては、光波形立上りの遅延量（発光遅延量
ｔd ）をパルス幅で検出し、このパルス幅が一定になる
ように直流バイアス電流ＩDCに負帰還をかけるＩDC制御
用のフィードバック制御を行い、この二つのフィードバ
ック制御を独立にかけてレーザダイオード１の光出力の
安定化を図るものである。
おいては、レーザダイオード１の光出力をホトダイオー
ド３１にて高速モニターし、パルス電流制御部４におい
ては、光波形モニター電流のピーク値が一定になるよう
に、パルス電流ＩP に負帰還をかけるＩP 制御用のフィ
ードバック制御を行い、一方、直流バイアス電流制御部
５においては、光波形立上りの遅延量（発光遅延量
ｔd ）をパルス幅で検出し、このパルス幅が一定になる
ように直流バイアス電流ＩDCに負帰還をかけるＩDC制御
用のフィードバック制御を行い、この二つのフィードバ
ック制御を独立にかけてレーザダイオード１の光出力の
安定化を図るものである。
【００２１】ここで、発光遅延量ｔd は、図４に示され
るように、レーザダイオード１にパルス電流ＩP 波形を
通電してからレーザダイオード１の出力光をモニターし
た光波形モニター電流（ａ）が出力されるまでの遅延時
間であり、この発光遅延量ｔd を直流バイアス電流ＩDC
とパルス電流ＩP で表すと、 ｔd ＝τs ・log e 〔ＩP ／（ＩDC＋ＩP −Ｉth）〕 となる。ここで、Ｉthはしきい値電流である。，また、
τs はレーザダイオードが固有に持つ係数である。
るように、レーザダイオード１にパルス電流ＩP 波形を
通電してからレーザダイオード１の出力光をモニターし
た光波形モニター電流（ａ）が出力されるまでの遅延時
間であり、この発光遅延量ｔd を直流バイアス電流ＩDC
とパルス電流ＩP で表すと、 ｔd ＝τs ・log e 〔ＩP ／（ＩDC＋ＩP −Ｉth）〕 となる。ここで、Ｉthはしきい値電流である。，また、
τs はレーザダイオードが固有に持つ係数である。
【００２２】図３に示されるように、モニター波形
（ａ）と駆動基準パルス（ｂ）とがアンドゲート５１に
入力されると、アンドゲート５１は両者が“Ｈ”の期間
だけ“Ｈ”となる発光遅延パルス（ｃ）を出力する。こ
の発光遅延パルス（ｃ）が“Ｈ”の期間はスイッチ５２
がオンになり、定電流源５４の充電電流Ｉ1 によってキ
ャパシタ５６が充電される。よってスイッチ５２がオン
の期間（すなわち発光遅延量ｔd の期間）が大きいほど
キャパシタ５６の端子電圧（ｄ）は大きくなるので、こ
のキャパシタ５６により発光遅延量ｔd は電圧値からな
る波形（ｄ）に変換される。
（ａ）と駆動基準パルス（ｂ）とがアンドゲート５１に
入力されると、アンドゲート５１は両者が“Ｈ”の期間
だけ“Ｈ”となる発光遅延パルス（ｃ）を出力する。こ
の発光遅延パルス（ｃ）が“Ｈ”の期間はスイッチ５２
がオンになり、定電流源５４の充電電流Ｉ1 によってキ
ャパシタ５６が充電される。よってスイッチ５２がオン
の期間（すなわち発光遅延量ｔd の期間）が大きいほど
キャパシタ５６の端子電圧（ｄ）は大きくなるので、こ
のキャパシタ５６により発光遅延量ｔd は電圧値からな
る波形（ｄ）に変換される。
【００２３】キャパシタ５６の発光遅延量の電圧波形
（ｄ）のピーク電圧はピーク検出回路５７により検出さ
れ、そのピーク検出波形（ｅ）が増幅器５９で基準電圧
Ｖref2と比較され、その誤差がτ2 部５０を経てトラン
ジスタ２４に帰還され、その直流バイアス電流ＩDCを誤
差がなくなる方向に変化させる。これにより発光遅延量
ｔd は基準電圧Ｖref2により設定される目標値ｔs に逐
次収束していく。
（ｄ）のピーク電圧はピーク検出回路５７により検出さ
れ、そのピーク検出波形（ｅ）が増幅器５９で基準電圧
Ｖref2と比較され、その誤差がτ2 部５０を経てトラン
ジスタ２４に帰還され、その直流バイアス電流ＩDCを誤
差がなくなる方向に変化させる。これにより発光遅延量
ｔd は基準電圧Ｖref2により設定される目標値ｔs に逐
次収束していく。
【００２４】よって、目標値ｔs の値としては、基準電
圧Ｖref2を調整することによって、しきい値ｔthをやや
下回る値になるように設定しておけば、発光遅延量ｔd
を最小とすることができる。
圧Ｖref2を調整することによって、しきい値ｔthをやや
下回る値になるように設定しておけば、発光遅延量ｔd
を最小とすることができる。
【００２５】このように、本実施例回路では、 光出力波形モニター部３の応答を速くして光出力波
形の立上りの発光遅延量ｔd を検出することによる直流
バイアス電流ＩDCの制御 光出力波形のピーク値を検出することによるパルス
電流ＩP の制御 の２つのフィードバックコントロールを行っており、こ
れにより従来回路の調整抵抗器Ｒ２、Ｒ３を削除してい
る。
形の立上りの発光遅延量ｔd を検出することによる直流
バイアス電流ＩDCの制御 光出力波形のピーク値を検出することによるパルス
電流ＩP の制御 の２つのフィードバックコントロールを行っており、こ
れにより従来回路の調整抵抗器Ｒ２、Ｒ３を削除してい
る。
【００２６】図５には上述の実施例回路の更に具体的な
構成が示される。この実施例回路の基本的な構成は図２
の回路と同じであり、図２と同一機能の部分には同一の
参照番号を付してある。また図中の比較器６１〜６４は
種々のレベルの入力信号をＩＣ回路用の０〜５Ｖ電圧に
変換するための回路である。
構成が示される。この実施例回路の基本的な構成は図２
の回路と同じであり、図２と同一機能の部分には同一の
参照番号を付してある。また図中の比較器６１〜６４は
種々のレベルの入力信号をＩＣ回路用の０〜５Ｖ電圧に
変換するための回路である。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、従来方式で必要であった調整用の部品点数を減らす
ことができ、調整作業を簡単化し、また調整に関しての
量産時のコストダウンを図ることができる。
ば、従来方式で必要であった調整用の部品点数を減らす
ことができ、調整作業を簡単化し、また調整に関しての
量産時のコストダウンを図ることができる。
【図１】本発明に係る原理説明図である。
【図２】本発明の一実施例としてのレーザダイオード駆
動回路を示す図である。
動回路を示す図である。
【図３】実施例回路の各部信号のタイムチャートであ
る。
る。
【図４】発光遅延量ｔd を説明するための図である。
【図５】図２の実施例回路を更に具体化した例を示す図
である。
である。
【図６】レーザダイオードの各パラメータを説明する図
である。
である。
【図７】各温度によるレーザダイオードの電流制御状態
を説明する図である。
を説明する図である。
【図８】各温度によるレーザダイオードの直流バイアス
電流ＩDCとパルス電流ＩP の関係を説明する図である。
電流ＩDCとパルス電流ＩP の関係を説明する図である。
【図９】レーザダイオード駆動回路の従来例を示す図で
ある。
ある。
１ レーザダイオード ２ レーザダイオード駆動部 ３ 波形モニター部 ４ パルス電流制御部 ５ 直流バイアス電流制御部 ２０、３３ 抵抗、可変抵抗 ２１〜２４ トランジスタ ３１ ホトダイオード ３２ 高帯域増幅器 ４１、５７ ピーク検出回路 ４２、５９ 増幅器 ４４、５８ 基準電圧源 ４３ 時定数回路１ ５０ 時定数回路２ ５１ アンドゲート ５２、５３ スイッチ ５４、５５ 電流源 ５６ キャパシタ ６１〜６４ 比較器
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザダイオード（１１）と、 該レーザダイオードの出力光をモニタするモニタ部（１
２）と、 該モニタ部の出力に基づいて該レーザダイオードに流す
パルス電流を制御するパルス電流制御部（１３）と、 該レーザダイオードの出力光の発光遅延を検出する発光
遅延検出部（１４）と、 該発光遅延検出部で検出した発光遅延の大きさを小とす
るように該レーザダイオードに流す直流バイアス電流の
大きさを制御する直流バイアス電流制御部（１５）とを
備えたレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項２】該モニタ部は、レーザダイオードの出力光
をホトダイオードによりモニタし、そのモニタ出力電流
を広帯域増幅器を用いた並列帰還回路からなる電流／電
圧変換回路で電圧値に変換するよう構成されたものであ
る請求項１記載のレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項３】 該発光遅延検出部は、キャパシタと、パ
ルス電流の印加信号と該モニタ部のモニタ出力とを比較
して発光遅延期間を検出する比較手段と、該比較手段で
検出した期間中充電電流を該キャパシタに流すスイッチ
手段と、該パルス電流の印加停止中に該キャパシタの充
電電荷を放電させる第２のスイッチ手段とを備えてなる
請求項１記載のレーザダイオード駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35417392A JPH06181351A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | レーザダイオード駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35417392A JPH06181351A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | レーザダイオード駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181351A true JPH06181351A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18435783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35417392A Withdrawn JPH06181351A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | レーザダイオード駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181351A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003061126A1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-07-24 | Advantest Corporation | Delay circuit and test apparatus |
| CN109326954A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 科大国盾量子技术股份有限公司 | 一种用于量子通信单光子源的激光器高速驱动模块 |
-
1992
- 1992-12-15 JP JP35417392A patent/JPH06181351A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003061126A1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-07-24 | Advantest Corporation | Delay circuit and test apparatus |
| US7339152B2 (en) | 2002-01-09 | 2008-03-04 | Advantest Corporation | Delay circuit and test apparatus |
| CN109326954A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 科大国盾量子技术股份有限公司 | 一种用于量子通信单光子源的激光器高速驱动模块 |
| CN109326954B (zh) * | 2017-07-31 | 2024-01-26 | 科大国盾量子技术股份有限公司 | 一种用于量子通信单光子源的激光器高速驱动模块 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |