JPH06177082A - Ｉｔｏ膜のエッチング方法 - Google Patents
Ｉｔｏ膜のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH06177082A JPH06177082A JP32288692A JP32288692A JPH06177082A JP H06177082 A JPH06177082 A JP H06177082A JP 32288692 A JP32288692 A JP 32288692A JP 32288692 A JP32288692 A JP 32288692A JP H06177082 A JPH06177082 A JP H06177082A
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- Japan
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- gas
- ito
- metal
- etching
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】エッチング時に発生する熱からレジストの変質
を防ぎ、金属膜，ＩＴＯ膜の多層膜を一括でエッチング
することである。 【構成】ＩＴＯ膜のエッチングは、塩素系ガス（例えば
Ｃｌ2）及びＨｅガスの混合ガスで行なう。金属膜，Ｉ
ＴＯ膜の多層膜の一括エッチングは、ＢＣｌ3ガス，Ｃ
ｌ2ガス及び、Ｈｅガスの混合ガスもしくは、Ａｒガ
ス，Ｃｌ2ガス及び、Ｈｅガスの混合ガスで行なう。 【効果】塩素系ガスにＢＣｌ3 ガスを添加することによ
り金属の表面酸化膜がエッチングでき金属膜，ＩＴＯ膜
の積層膜の一括エッチングが可能となる。また、同様に
塩素系ガスにＡｒガスを添加することにより金属の表面
酸化膜をスパッタリングできるため、金属膜，ＩＴＯ膜
の積層膜の一括エッチングが可能となる。
を防ぎ、金属膜，ＩＴＯ膜の多層膜を一括でエッチング
することである。 【構成】ＩＴＯ膜のエッチングは、塩素系ガス（例えば
Ｃｌ2）及びＨｅガスの混合ガスで行なう。金属膜，Ｉ
ＴＯ膜の多層膜の一括エッチングは、ＢＣｌ3ガス，Ｃ
ｌ2ガス及び、Ｈｅガスの混合ガスもしくは、Ａｒガ
ス，Ｃｌ2ガス及び、Ｈｅガスの混合ガスで行なう。 【効果】塩素系ガスにＢＣｌ3 ガスを添加することによ
り金属の表面酸化膜がエッチングでき金属膜，ＩＴＯ膜
の積層膜の一括エッチングが可能となる。また、同様に
塩素系ガスにＡｒガスを添加することにより金属の表面
酸化膜をスパッタリングできるため、金属膜，ＩＴＯ膜
の積層膜の一括エッチングが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＴＯ膜のエッチング
方法及び、それを用いた液晶表示装置に関するものであ
る。
方法及び、それを用いた液晶表示装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ膜のドライエッチングに関して
は、例えば、Japanese Journal of Applied Physics, v
ol.29, No.10,Oct., pp.2243−2246(1990)に記載されて
いるようにＣＣｌ4，ＣＦ2Ｃｌ2，ＣＦ3Ｃｌ等の塩素系
ガスが使用されていた。
は、例えば、Japanese Journal of Applied Physics, v
ol.29, No.10,Oct., pp.2243−2246(1990)に記載されて
いるようにＣＣｌ4，ＣＦ2Ｃｌ2，ＣＦ3Ｃｌ等の塩素系
ガスが使用されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、次の２
つの問題点があげられる。１つは、ＩＴＯ膜をエッチン
グする際に発生する熱でレジストが変質してしまうこ
と。もう１つは、金属膜，ＩＴＯ膜で構成される多層膜
を一括でエッチングする際、塩素系のガスだけではエッ
チングできないことである。
つの問題点があげられる。１つは、ＩＴＯ膜をエッチン
グする際に発生する熱でレジストが変質してしまうこ
と。もう１つは、金属膜，ＩＴＯ膜で構成される多層膜
を一括でエッチングする際、塩素系のガスだけではエッ
チングできないことである。
【０００４】本発明の第１の目的は、レジストの変質を
防ぐことである。また、第２の目的は、金属膜，ＩＴＯ
膜の多層膜を一括でエッチングすることである。
防ぐことである。また、第２の目的は、金属膜，ＩＴＯ
膜の多層膜を一括でエッチングすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的に対して
は、エッチングガスにＨｅガスを添加することにより達
成される。上記第２の目的に対しては、塩素系ガスにＢ
Ｃｌ3ガスもしくは、Ａｒガスを添加することにより達
成される。
は、エッチングガスにＨｅガスを添加することにより達
成される。上記第２の目的に対しては、塩素系ガスにＢ
Ｃｌ3ガスもしくは、Ａｒガスを添加することにより達
成される。
【０００６】
【作用】エッチングガスにレジストの冷却作用に効果が
あるＨｅガスを添加することにより、エッチング時の熱
によるレジストの変質を防ぐことができる。また、金属
膜，ＩＴＯ膜の多層膜のエッチングは、塩素系のガスだ
けでは金属の表面酸化膜が塩素系ガスの侵入を妨げるた
めエッチングできない。そこで、塩素系ガスにＢＣｌ3
ガスを添加することによりＢＣｌ3ガスが金属の表面酸
化膜をエッチングし、金属膜，ＩＴＯ膜の多層膜を一括
でエッチングすることが可能となる。また、同様に塩素
系ガスにＡｒガスを添加することにより、Ａｒガスが金
属の表面酸化膜をスパッタリングするため、金属膜，Ｉ
ＴＯ膜の多層膜を一括でエッチングすることが可能とな
る。
あるＨｅガスを添加することにより、エッチング時の熱
によるレジストの変質を防ぐことができる。また、金属
膜，ＩＴＯ膜の多層膜のエッチングは、塩素系のガスだ
けでは金属の表面酸化膜が塩素系ガスの侵入を妨げるた
めエッチングできない。そこで、塩素系ガスにＢＣｌ3
ガスを添加することによりＢＣｌ3ガスが金属の表面酸
化膜をエッチングし、金属膜，ＩＴＯ膜の多層膜を一括
でエッチングすることが可能となる。また、同様に塩素
系ガスにＡｒガスを添加することにより、Ａｒガスが金
属の表面酸化膜をスパッタリングするため、金属膜，Ｉ
ＴＯ膜の多層膜を一括でエッチングすることが可能とな
る。
【０００７】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
【０００８】図１は、本発明の第１実施例を示したもの
である。図中において１はガラス基板、２はＩＴＯ膜、
３はレジストである。ＩＴＯ膜のエッチングガスは、Ｃ
ｌ2ガス及びＨｅガスの混合ガスである。Ｈｅガスは、
エッチングする際に発生する熱でレジストが変質してし
まうのを防ぐ為のものでレジストの冷却作用の効果があ
る。図２は、本発明の第２実施例を示したものである。
図中において１はガラス基板、２はＩＴＯ膜、３はレジ
スト、４はＭｏ膜、５はＡｌ膜でありレジスト３をマス
クにしてＢＣｌ3ガス，Ｃｌ2ガス及びＨｅガスの混合ガ
スでＡｌ膜／Ｍｏ膜／ＩＴＯ膜の積層膜を一括エッチン
グする様子を示したものである。BCl3ガスは、Ａｌ膜の
表面酸化膜をエッチングする目的で添加したものであ
る。また、Ｈｅガスは、エッチングする際に発生する熱
でレジストが変質してしまうのを防ぐ為のものでレジス
トの冷却作用の効果がある。図３は、本発明の第３実施
例を示したものである。図中において１はガラス基板、
２はＩＴＯ膜、３はレジスト、４はＭｏ膜、５はＡｌ膜
でありレジスト３をマスクにしてＡｒガス，Ｃｌ2ガス
及びＨｅガスの混合ガスでＡｌ膜／Ｍｏ膜／ＩＴＯ膜の
積層膜を一括エッチングする様子を示したものである。
Ａｒガスは、Ａｌ膜の表面酸化膜をスパッタリングする
目的で添加したものである。また、Ｈｅガスは、エッチ
ングする際に発生する熱でレジストが変質してしまうの
を防ぐ為のものでレジストの冷却効果の作用がある。
である。図中において１はガラス基板、２はＩＴＯ膜、
３はレジストである。ＩＴＯ膜のエッチングガスは、Ｃ
ｌ2ガス及びＨｅガスの混合ガスである。Ｈｅガスは、
エッチングする際に発生する熱でレジストが変質してし
まうのを防ぐ為のものでレジストの冷却作用の効果があ
る。図２は、本発明の第２実施例を示したものである。
図中において１はガラス基板、２はＩＴＯ膜、３はレジ
スト、４はＭｏ膜、５はＡｌ膜でありレジスト３をマス
クにしてＢＣｌ3ガス，Ｃｌ2ガス及びＨｅガスの混合ガ
スでＡｌ膜／Ｍｏ膜／ＩＴＯ膜の積層膜を一括エッチン
グする様子を示したものである。BCl3ガスは、Ａｌ膜の
表面酸化膜をエッチングする目的で添加したものであ
る。また、Ｈｅガスは、エッチングする際に発生する熱
でレジストが変質してしまうのを防ぐ為のものでレジス
トの冷却作用の効果がある。図３は、本発明の第３実施
例を示したものである。図中において１はガラス基板、
２はＩＴＯ膜、３はレジスト、４はＭｏ膜、５はＡｌ膜
でありレジスト３をマスクにしてＡｒガス，Ｃｌ2ガス
及びＨｅガスの混合ガスでＡｌ膜／Ｍｏ膜／ＩＴＯ膜の
積層膜を一括エッチングする様子を示したものである。
Ａｒガスは、Ａｌ膜の表面酸化膜をスパッタリングする
目的で添加したものである。また、Ｈｅガスは、エッチ
ングする際に発生する熱でレジストが変質してしまうの
を防ぐ為のものでレジストの冷却効果の作用がある。
【０００９】図４から図９を用いて本発明のエッチング
をアクティブマトリクス液晶ディスプレイに適用した場
合の製作手順を説明する。ガラス基板１上に順次ＩＴＯ
膜２，Ｍｏ膜４、及びＡｌ膜５をスパッタリングした後
にレジスト３を塗布，パターンニングする（図４参
照）。次にＢＣｌ3ガス，Ｃｌ2ガス、及びＨｅガスの混
合ガスでレジスト３をマスクにＡｌ膜５，Ｍｏ膜４，Ｉ
ＴＯ膜２の多層膜を一括エッチングする（図５参照）。
次にレジスト３を剥離後、ゲート絶縁膜である窒化シリ
コン膜６、及び真性半導体膜７を順次堆積した後にレジ
スト８を塗布，パターンニングする（図６参照）。その
後、レジスト８をマスクにして真性半導体膜７，窒化シ
リコン膜６，Ａｌ膜５，Ｍｏ膜４を順次パターンニング
する（図７参照）。次にレジスト８を剥離後、Ｃｒから
なるソース／ドレイン電極９をスパッタリング及びパタ
ーンニングした後、薄膜トランジスタの保護膜である窒
化シリコン膜１０を堆積する（図８参照）。図９は上記
基板、すなわちＴＦＴ付きガラス基板とＩＴＯ付きガラ
ス基板の間に液晶を封入したＴＦＴ−ＬＣＤ(Thin Film
Transistor−Liquid Crystal Display）基板の断面図を
示したものである。図中の１１はＴＦＴ付きガラス基
板、１２と１４は配向膜、１３は液晶、１５はITO付き
ガラス基板である。
をアクティブマトリクス液晶ディスプレイに適用した場
合の製作手順を説明する。ガラス基板１上に順次ＩＴＯ
膜２，Ｍｏ膜４、及びＡｌ膜５をスパッタリングした後
にレジスト３を塗布，パターンニングする（図４参
照）。次にＢＣｌ3ガス，Ｃｌ2ガス、及びＨｅガスの混
合ガスでレジスト３をマスクにＡｌ膜５，Ｍｏ膜４，Ｉ
ＴＯ膜２の多層膜を一括エッチングする（図５参照）。
次にレジスト３を剥離後、ゲート絶縁膜である窒化シリ
コン膜６、及び真性半導体膜７を順次堆積した後にレジ
スト８を塗布，パターンニングする（図６参照）。その
後、レジスト８をマスクにして真性半導体膜７，窒化シ
リコン膜６，Ａｌ膜５，Ｍｏ膜４を順次パターンニング
する（図７参照）。次にレジスト８を剥離後、Ｃｒから
なるソース／ドレイン電極９をスパッタリング及びパタ
ーンニングした後、薄膜トランジスタの保護膜である窒
化シリコン膜１０を堆積する（図８参照）。図９は上記
基板、すなわちＴＦＴ付きガラス基板とＩＴＯ付きガラ
ス基板の間に液晶を封入したＴＦＴ−ＬＣＤ(Thin Film
Transistor−Liquid Crystal Display）基板の断面図を
示したものである。図中の１１はＴＦＴ付きガラス基
板、１２と１４は配向膜、１３は液晶、１５はITO付き
ガラス基板である。
【００１０】図１０は本発明のエッチング方法を用いて
形成したアクティブマトリクス液晶ディスプレイのシス
テム構成を示した一実施例である。図中において、１６
はＴＦＴ−ＬＣＤ基板、１７は走査側ドライバ、１８は
信号側ドライバ、１９はコントローラ、２０は画像信号
源である。
形成したアクティブマトリクス液晶ディスプレイのシス
テム構成を示した一実施例である。図中において、１６
はＴＦＴ−ＬＣＤ基板、１７は走査側ドライバ、１８は
信号側ドライバ、１９はコントローラ、２０は画像信号
源である。
【００１１】図１１は、本発明のエッチング方法を用
い、同一基板上に駆動回路を同時形成したアクティブマ
トリクス液晶ディスプレイの平面構造を示したものであ
る。図中の１はガラス基板、２１は液晶表示領域、２２
は信号側駆動回路、２３は走査側駆動回路である。
い、同一基板上に駆動回路を同時形成したアクティブマ
トリクス液晶ディスプレイの平面構造を示したものであ
る。図中の１はガラス基板、２１は液晶表示領域、２２
は信号側駆動回路、２３は走査側駆動回路である。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、ＩＴＯ膜のドライエッ
チングにおいて、塩素系のガスにＨｅガスを添加するこ
とによりエッチング時に発生する熱からレジストを保護
することができる。さらに、金属膜とＩＴＯ膜の多層膜
は、ＢＣｌ3ガス，Ｃｌ2ガス、及びＨｅガスの混合ガス
あるいはＡｒガス，Ｃｌ2 ガス、及びＨｅガスの混合ガ
スで多層膜の一括加工が可能となる。上記手法をアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置に適用することにより、工
程数削減、及びスループットが向上する。
チングにおいて、塩素系のガスにＨｅガスを添加するこ
とによりエッチング時に発生する熱からレジストを保護
することができる。さらに、金属膜とＩＴＯ膜の多層膜
は、ＢＣｌ3ガス，Ｃｌ2ガス、及びＨｅガスの混合ガス
あるいはＡｒガス，Ｃｌ2 ガス、及びＨｅガスの混合ガ
スで多層膜の一括加工が可能となる。上記手法をアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置に適用することにより、工
程数削減、及びスループットが向上する。
【図１】本発明の第１実施例を示す図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す図である。
【図３】本発明の第３実施例を示す図である。
【図４】本発明をアクティブマトリクス液晶ディスプレ
イに適用した場合の製作手順その１を示す図である。
イに適用した場合の製作手順その１を示す図である。
【図５】本発明をアクティブマトリクス液晶ディスプレ
イに適用した場合の製作手順その２を示す図である。
イに適用した場合の製作手順その２を示す図である。
【図６】本発明をアクティブマトリクス液晶ディスプレ
イに適用した場合の製作手順その３を示す図である。
イに適用した場合の製作手順その３を示す図である。
【図７】本発明をアクティブマトリクス液晶ディスプレ
イに適用した場合の製作手順その４を示す図である。
イに適用した場合の製作手順その４を示す図である。
【図８】本発明をアクティブマトリクス液晶ディスプレ
イに適用した場合の製作手順その５を示す図である。
イに適用した場合の製作手順その５を示す図である。
【図９】本発明をアクティブマトリクス液晶ディスプレ
イに適用した場合の製作手順その６を示す図である。
イに適用した場合の製作手順その６を示す図である。
【図１０】本発明を用いたアクティブマトリクス液晶デ
ィスプレイのシステム構成図である。
ィスプレイのシステム構成図である。
【図１１】本発明を用い駆動回路を同時形成したアクテ
ィブマトリクス液晶ディスプレイの平面図である。
ィブマトリクス液晶ディスプレイの平面図である。
１…ガラス基板、２…ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)膜、
３，８…ホトレジスト、４…モリブデン膜、５…アルミ
ニウム膜、６…窒化シリコン膜（ゲート絶縁膜）、７…
真性半導体膜、９…ソース／ドレイン電極、１０…窒化
シリコン膜（保護膜）、１１…ＴＦＴ付きガラス基板、
１２，１４…配向膜、１３…液晶、１５…ＩＴＯ付きガ
ラス基板、１６…ＴＦＴ−ＬＣＤ基板、１７…走査側ド
ライバ、１８…信号側ドライバ、１９…コントローラ、
２０…画像信号源、２１…液晶表示領域、２２…信号側
駆動回路、２３…走査側駆動回路。
３，８…ホトレジスト、４…モリブデン膜、５…アルミ
ニウム膜、６…窒化シリコン膜（ゲート絶縁膜）、７…
真性半導体膜、９…ソース／ドレイン電極、１０…窒化
シリコン膜（保護膜）、１１…ＴＦＴ付きガラス基板、
１２，１４…配向膜、１３…液晶、１５…ＩＴＯ付きガ
ラス基板、１６…ＴＦＴ−ＬＣＤ基板、１７…走査側ド
ライバ、１８…信号側ドライバ、１９…コントローラ、
２０…画像信号源、２１…液晶表示領域、２２…信号側
駆動回路、２３…走査側駆動回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小西 信武 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 折付 良二 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内
Claims (7)
- 【請求項１】透明導電膜であるＩＴＯ(Indium Tin Oxid
e)膜のエッチング手法において、Ｃｌ2 ガス及びＨｅガ
スの混合ガスでエッチングすることを特徴とするＩＴＯ
膜のエッチング方法。 - 【請求項２】金属膜とＩＴＯ膜で構成する多層膜を一括
エッチングする手法において、金属膜とＩＴＯ膜の多層
膜をＢＣｌ3ガス，Ｃｌ2ガス及びＨｅガスの混合ガスで
一括エッチングすることを特徴とする金属膜，ＩＴＯ膜
の多層膜のエッチング方法。 - 【請求項３】金属膜とＩＴＯ膜で構成する多層膜を一括
エッチングする手法において、金属膜とＩＴＯ膜の多層
膜をＡｒガス，Ｃｌ2 ガス及びＨｅガスの混合ガスで一
括エッチングすることを特徴とする金属膜，ＩＴＯ膜の
多層膜のエッチング方法。 - 【請求項４】請求項２又は３において、金属は、Ａｌ膜
と高融点金属の積層構造であることを特徴とする金属
膜，ＩＴＯ膜の多層膜のエッチング方法。 - 【請求項５】請求項２又は３において、ＩＴＯ膜は、多
結晶化していることを特徴とする金属膜，ＩＴＯ膜の多
層膜のエッチング方法。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項に記載のエッ
チング手法を用いたことを特徴とするアクティブマトリ
クス液晶表示装置。 - 【請求項７】請求項１〜５のいずれか１項に記載のエッ
チング手法を用い、同一基板内に駆動回路を同時形成す
ることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32288692A JPH06177082A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | Ｉｔｏ膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32288692A JPH06177082A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | Ｉｔｏ膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177082A true JPH06177082A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18148719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32288692A Pending JPH06177082A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | Ｉｔｏ膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5165388B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2013-03-21 | 出光興産株式会社 | 積層構造及びそれを用いた電気回路用電極 |
-
1992
- 1992-12-02 JP JP32288692A patent/JPH06177082A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5165388B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2013-03-21 | 出光興産株式会社 | 積層構造及びそれを用いた電気回路用電極 |
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