JPH06177043A - 誘電体薄膜の製造方法及びその装置 - Google Patents
誘電体薄膜の製造方法及びその装置Info
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- JPH06177043A JPH06177043A JP33027292A JP33027292A JPH06177043A JP H06177043 A JPH06177043 A JP H06177043A JP 33027292 A JP33027292 A JP 33027292A JP 33027292 A JP33027292 A JP 33027292A JP H06177043 A JPH06177043 A JP H06177043A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ
発光の強度比を測定して、この強度比がプラズマ空間中
で実質的に一定になるように基板または前記ターゲット
とは異なるターゲットを真空槽内の空間に取り付けるこ
とにより、ペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組成
等の膜特性を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜を
得る。 【構成】スパッタチャンバー７内で発生させたプラズマ
を覗き窓から光ファイバーにによって受光し、フォトマ
ルを通して各波長に対する発光強度スペクトルとしてプ
ラズマ発光分析の情報を得る。プラズマ発光スペクトル
は時間に対してリアルタイムにモニタでき、この発光ス
ペクトルにおける発光強度や経時変化等のデータ処理を
する。このプラズマ発光の強度比がプラズマ空間中で実
質的に一定になるように基板２またはターゲット６を真
空槽内の空間に取り付ける。
発光の強度比を測定して、この強度比がプラズマ空間中
で実質的に一定になるように基板または前記ターゲット
とは異なるターゲットを真空槽内の空間に取り付けるこ
とにより、ペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組成
等の膜特性を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜を
得る。 【構成】スパッタチャンバー７内で発生させたプラズマ
を覗き窓から光ファイバーにによって受光し、フォトマ
ルを通して各波長に対する発光強度スペクトルとしてプ
ラズマ発光分析の情報を得る。プラズマ発光スペクトル
は時間に対してリアルタイムにモニタでき、この発光ス
ペクトルにおける発光強度や経時変化等のデータ処理を
する。このプラズマ発光の強度比がプラズマ空間中で実
質的に一定になるように基板２またはターゲット６を真
空槽内の空間に取り付ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜の製造方法及びそ
の装置に関するものである。とくに、誘電体薄膜の製造
方法及びその装置に関する。
の装置に関するものである。とくに、誘電体薄膜の製造
方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜化技術は、エレクトロニクス分野、
特に、半導体製造プロセスを中心に発展し、新材料の開
発と共に進歩してきた。これらの薄膜は、単体元素の場
合はごくまれで、一般に合金あるいは化合物である場合
が多く、形成方法により著しく特性が変化する。これら
新材料の創成およびそのデバイス化は、人工格子材料な
どに代表されるように、薄膜化技術の向上によるところ
が多い。
特に、半導体製造プロセスを中心に発展し、新材料の開
発と共に進歩してきた。これらの薄膜は、単体元素の場
合はごくまれで、一般に合金あるいは化合物である場合
が多く、形成方法により著しく特性が変化する。これら
新材料の創成およびそのデバイス化は、人工格子材料な
どに代表されるように、薄膜化技術の向上によるところ
が多い。
【０００３】近年注目されている薄膜材料に、ＡＢＯ3
で構成されるペロブスカイト型構造を有する誘電体材料
がある。ここで、Ａサイトは、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒまたは
Ｌａの少なくとも１種、Ｂサイトは、ＴｉおよびＺｒの
うち少なくとも１種の元素を含む。（Ｐｂ1-x Ｌａx ）
（Ｚｒy Ｔｉ1-y ）1-x/4 Ｏ3 系、ＢａＴｉＯ3 系に代
表される強誘電体は、優れた強誘電性、圧電性、焦電
性、電気光学特性等を示し、これを利用した種々の機能
デバイスが検討されている。特に、半導体ＩＣの分野に
おいては、新しいデバイス、不揮発性メモリーへの応用
が期待されている。また、ＳｒＴｉＯ3 系は強誘電性こ
そ示さないものの、高誘電率材料として超高密度ＤＲＡ
Ｍ（ダイナミックランダムアクセスメモリー）のキャパ
シタ絶縁膜への応用が期待されている。
で構成されるペロブスカイト型構造を有する誘電体材料
がある。ここで、Ａサイトは、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒまたは
Ｌａの少なくとも１種、Ｂサイトは、ＴｉおよびＺｒの
うち少なくとも１種の元素を含む。（Ｐｂ1-x Ｌａx ）
（Ｚｒy Ｔｉ1-y ）1-x/4 Ｏ3 系、ＢａＴｉＯ3 系に代
表される強誘電体は、優れた強誘電性、圧電性、焦電
性、電気光学特性等を示し、これを利用した種々の機能
デバイスが検討されている。特に、半導体ＩＣの分野に
おいては、新しいデバイス、不揮発性メモリーへの応用
が期待されている。また、ＳｒＴｉＯ3 系は強誘電性こ
そ示さないものの、高誘電率材料として超高密度ＤＲＡ
Ｍ（ダイナミックランダムアクセスメモリー）のキャパ
シタ絶縁膜への応用が期待されている。
【０００４】これらの材料の特性の向上または集積化の
ためには、その薄膜化が非常に重要である。その高性能
化を考えた場合、単結晶薄膜あるいは配向膜であること
が望ましい。これらに関する研究は、様々な薄膜堆積法
に基づいて、多くの研究機関で行われてきた。また、こ
れらの誘電体薄膜に限らず、同時に大量の膜を得るため
の薄膜堆積法についても色々な研究がなされてきてお
り、大型スパッタリング装置を用いた成膜も行なわれて
いる。しかし、大きな基板ホルダ−上で薄膜を形成する
際、基板ホルダ−内での組成、結晶性等に分布が生じ
る。そのため結晶構造等を制御して所望の特性を持つ薄
膜を常に安定して、かつ大量に得ることは、一般には容
易ではなかった。
ためには、その薄膜化が非常に重要である。その高性能
化を考えた場合、単結晶薄膜あるいは配向膜であること
が望ましい。これらに関する研究は、様々な薄膜堆積法
に基づいて、多くの研究機関で行われてきた。また、こ
れらの誘電体薄膜に限らず、同時に大量の膜を得るため
の薄膜堆積法についても色々な研究がなされてきてお
り、大型スパッタリング装置を用いた成膜も行なわれて
いる。しかし、大きな基板ホルダ−上で薄膜を形成する
際、基板ホルダ−内での組成、結晶性等に分布が生じ
る。そのため結晶構造等を制御して所望の特性を持つ薄
膜を常に安定して、かつ大量に得ることは、一般には容
易ではなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】薄膜の結晶性は、基本
的に基板材料・化学組成・形成温度で制御される。酸化
物誘電体の薄膜化において従来最も一般的に用いられて
いたスパッタリング法では、ターゲット材料である酸化
物焼結体と形成された被膜とのあいだで、化学組成にず
れが生じ易く、しかもスパッタリング条件に大きく左右
されていた。また、真空槽内におけるターゲット−基板
ホルダー間でのプラズマ密度には大きな差があり、空間
内での各原子・分子の存在数比も空間内の位置によって
大きく異なる。これは、基板を設置する面積が大きい
程、影響が大きくなり、同時に多くの基板上に薄膜を堆
積する際、組成や構造のばらつきの原因となる。このこ
とから、従来は同様の膜特性を持つ薄膜を同時に、かつ
大量に得ることは容易ではなかった。そのため、薄膜形
成後の膜の結晶性や組成などの諸特性を、膜堆積前ある
いは堆積中に推定できるようなモニタリングシステム、
さらにはこのようなプラズマ空間中の各原子分子の存在
比を補正するような装置構造が要請されている。
的に基板材料・化学組成・形成温度で制御される。酸化
物誘電体の薄膜化において従来最も一般的に用いられて
いたスパッタリング法では、ターゲット材料である酸化
物焼結体と形成された被膜とのあいだで、化学組成にず
れが生じ易く、しかもスパッタリング条件に大きく左右
されていた。また、真空槽内におけるターゲット−基板
ホルダー間でのプラズマ密度には大きな差があり、空間
内での各原子・分子の存在数比も空間内の位置によって
大きく異なる。これは、基板を設置する面積が大きい
程、影響が大きくなり、同時に多くの基板上に薄膜を堆
積する際、組成や構造のばらつきの原因となる。このこ
とから、従来は同様の膜特性を持つ薄膜を同時に、かつ
大量に得ることは容易ではなかった。そのため、薄膜形
成後の膜の結晶性や組成などの諸特性を、膜堆積前ある
いは堆積中に推定できるようなモニタリングシステム、
さらにはこのようなプラズマ空間中の各原子分子の存在
比を補正するような装置構造が要請されている。
【０００６】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、ペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組成等の膜
特性を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜を得るこ
とができる誘電体薄膜の製造方法を提供することを目的
とする。
め、ペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組成等の膜
特性を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜を得るこ
とができる誘電体薄膜の製造方法を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の誘電体薄膜の第１の製造方法は、スパッタ
リング法による物理的気相堆積法を用いたＡＢＯ3 で構
成される誘電体薄膜の製造方法において、真空槽内に存
在する少なくとも２種のプラズマ発光の強度比を測定し
て、この強度比がプラズマ空間中で実質的に一定になる
ように前記ターゲットとは異なるターゲットを真空槽内
の空間に取り付けることを特徴とする。（ここで、Ａサ
イトは、Ｐｂ、Ｂａ、ＳｒまたはＬａの少なくとも１
種、Ｂサイトは、ＴｉおよびＺｒのうち少なくとも１種
の元素を含む。）前記構成においては、スパッタリング
法のターゲット材料として、Ｔｉ，Ｚｒのうちの少なく
とも１種の元素を含む材料を用いることが好ましい。
め、本発明の誘電体薄膜の第１の製造方法は、スパッタ
リング法による物理的気相堆積法を用いたＡＢＯ3 で構
成される誘電体薄膜の製造方法において、真空槽内に存
在する少なくとも２種のプラズマ発光の強度比を測定し
て、この強度比がプラズマ空間中で実質的に一定になる
ように前記ターゲットとは異なるターゲットを真空槽内
の空間に取り付けることを特徴とする。（ここで、Ａサ
イトは、Ｐｂ、Ｂａ、ＳｒまたはＬａの少なくとも１
種、Ｂサイトは、ＴｉおよびＺｒのうち少なくとも１種
の元素を含む。）前記構成においては、スパッタリング
法のターゲット材料として、Ｔｉ，Ｚｒのうちの少なく
とも１種の元素を含む材料を用いることが好ましい。
【０００８】また前記構成においては、スパッタリング
にＡｒＦ（１９３ｎｍ）のエキシマレーザーを用いるこ
とが好ましい。次に本発明の誘電体薄膜の第２の製造方
法は、スパッタリング法による物理的気相堆積法を用い
たＡＢＯ3 で構成される誘電体薄膜の製造方法におい
て、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ発光
の強度比を測定して、この強度比がプラズマ空間中で実
質的に一定になるように空間に基板を設置したことを特
徴とする。（ここで、Ａサイトは、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒま
たはＬａの少なくとも１種、Ｂサイトは、ＴｉおよびＺ
ｒのうち少なくとも１種の元素を含む。）次に本発明の
誘電体薄膜の製造装置は、スパッタリング法による物理
的気相堆積法を用いた誘電体薄膜の製造装置において、
真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ発光の強
度比を測定する手段を備え、この強度比をプラズマ空間
中で実質的に一定にするため基板または前記ターゲット
とは異なるターゲットを、真空槽内の空間に取り付けた
ことを特徴とする。
にＡｒＦ（１９３ｎｍ）のエキシマレーザーを用いるこ
とが好ましい。次に本発明の誘電体薄膜の第２の製造方
法は、スパッタリング法による物理的気相堆積法を用い
たＡＢＯ3 で構成される誘電体薄膜の製造方法におい
て、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ発光
の強度比を測定して、この強度比がプラズマ空間中で実
質的に一定になるように空間に基板を設置したことを特
徴とする。（ここで、Ａサイトは、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒま
たはＬａの少なくとも１種、Ｂサイトは、ＴｉおよびＺ
ｒのうち少なくとも１種の元素を含む。）次に本発明の
誘電体薄膜の製造装置は、スパッタリング法による物理
的気相堆積法を用いた誘電体薄膜の製造装置において、
真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ発光の強
度比を測定する手段を備え、この強度比をプラズマ空間
中で実質的に一定にするため基板または前記ターゲット
とは異なるターゲットを、真空槽内の空間に取り付けた
ことを特徴とする。
【０００９】
【作用】前記した本発明の第１発明の製造方法の構成に
よれば、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ
発光の強度比を測定して、この強度比がプラズマ空間中
で実質的に一定になるように前記ターゲットとは異なる
ターゲットを真空槽内の空間に取り付けることにより、
ペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組成等の膜特性
を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜を得ることが
できる誘電体薄膜の製造方法を実現できる。
よれば、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ
発光の強度比を測定して、この強度比がプラズマ空間中
で実質的に一定になるように前記ターゲットとは異なる
ターゲットを真空槽内の空間に取り付けることにより、
ペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組成等の膜特性
を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜を得ることが
できる誘電体薄膜の製造方法を実現できる。
【００１０】前記、スパッタリング法のターゲット材料
として、Ｔｉ，Ｚｒのうちの少なくとも１種の元素を含
む材料を用いるという本発明の好ましい構成によれば、
さらに優れたペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組
成等の膜特性を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜
を得ることができる。
として、Ｔｉ，Ｚｒのうちの少なくとも１種の元素を含
む材料を用いるという本発明の好ましい構成によれば、
さらに優れたペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組
成等の膜特性を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜
を得ることができる。
【００１１】また前記、スパッタリングにＡｒＦ（１９
３ｎｍ）のエキシマレーザーを用いるという本発明の好
まし構成によれば、さらに優れたペロブスカイト型酸化
物薄膜を得ることができる。
３ｎｍ）のエキシマレーザーを用いるという本発明の好
まし構成によれば、さらに優れたペロブスカイト型酸化
物薄膜を得ることができる。
【００１２】次に本発明の第２発明の製造方法の構成に
よれば、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ
発光の強度比を測定して、この強度比がプラズマ空間中
で実質的に一定になるように空間に基板を設置したこと
により、ペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組成等
の膜特性を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜を得
ることができる。
よれば、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ
発光の強度比を測定して、この強度比がプラズマ空間中
で実質的に一定になるように空間に基板を設置したこと
により、ペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組成等
の膜特性を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜を得
ることができる。
【００１３】次に本発明の誘電体薄膜の製造装置によれ
ば、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ発光
の強度比を測定する手段を備え、この強度比をプラズマ
空間中で実質的に一定にするため基板または前記ターゲ
ットとは異なるターゲットを、真空槽内の空間に取り付
けたことにより、前記した誘電体薄膜を効率よく合理的
に製造できる。
ば、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ発光
の強度比を測定する手段を備え、この強度比をプラズマ
空間中で実質的に一定にするため基板または前記ターゲ
ットとは異なるターゲットを、真空槽内の空間に取り付
けたことにより、前記した誘電体薄膜を効率よく合理的
に製造できる。
【００１４】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。 実施例１ 本実施例を図面とともに説明する。まず最初に、強誘電
体薄膜の一例であるＰｂ0.9 Ｌａ0.1 Ｔｉ0.975 Ｏ3 膜
（ＰＬＴ薄膜）の成膜に用いた薄膜製造装置の基本構成
断面図を図１に示す。本装置は、ペロブスカイト型酸化
物誘電体薄膜を作製する際、最も一般的に用いられるマ
グネトロンスパッタ装置にＡｒＦ（１９３ｎｍ）のエキ
シマレーザーを取り付けた構造になっている。ここで、
真空槽内の基板−ターゲット間距離は３０ｍｍとした。
この装置のターゲット１の寸法は４ｉｎｃｈのものを用
いており、さらに６インチの直径の基板ホルダー２には
12mm角のMgO 基板３を２１枚設置可能な構造にした。さ
らに、スパッタチャンバー上部の蓋にはＡｒＦエキシマ
レーザー発振源４を設置し、この発振源４から発振した
ＡｒＦレーザーは、チャンバー蓋に取り付けた石英窓５
を通してチャンバー内に導入される。そして、組成補正
用のターゲット６には本実施例ではＴｉの金属ターゲッ
トを２個用い、基板ホルダーに対して４５゜の角度で設
置した。
に説明する。 実施例１ 本実施例を図面とともに説明する。まず最初に、強誘電
体薄膜の一例であるＰｂ0.9 Ｌａ0.1 Ｔｉ0.975 Ｏ3 膜
（ＰＬＴ薄膜）の成膜に用いた薄膜製造装置の基本構成
断面図を図１に示す。本装置は、ペロブスカイト型酸化
物誘電体薄膜を作製する際、最も一般的に用いられるマ
グネトロンスパッタ装置にＡｒＦ（１９３ｎｍ）のエキ
シマレーザーを取り付けた構造になっている。ここで、
真空槽内の基板−ターゲット間距離は３０ｍｍとした。
この装置のターゲット１の寸法は４ｉｎｃｈのものを用
いており、さらに６インチの直径の基板ホルダー２には
12mm角のMgO 基板３を２１枚設置可能な構造にした。さ
らに、スパッタチャンバー上部の蓋にはＡｒＦエキシマ
レーザー発振源４を設置し、この発振源４から発振した
ＡｒＦレーザーは、チャンバー蓋に取り付けた石英窓５
を通してチャンバー内に導入される。そして、組成補正
用のターゲット６には本実施例ではＴｉの金属ターゲッ
トを２個用い、基板ホルダーに対して４５゜の角度で設
置した。
【００１５】最初に、レーザーを導入しないで作製した
場合について説明する。図１の装置を用いて、高周波
（ＲＦ）電力＝１６０ｗ、基板温度＝５８０℃, ガス圧
=0.5Pa、Ａｒ／Ｏ2 ガス流量比=10/1sccm/sccmの成膜条
件とし、PLT 薄膜を堆積した。この際、ＭｇＯ基板はＡ
点及びＢ点の２点に設置した。この場合の、PLT 薄膜の
X 線回折(XRD) のPLT （001 ）ピークの半値幅（Δθ）
及び電子線マイクロアナライザ(EPMA ）によって測定し
たPb/Ti 比を表１に示す。
場合について説明する。図１の装置を用いて、高周波
（ＲＦ）電力＝１６０ｗ、基板温度＝５８０℃, ガス圧
=0.5Pa、Ａｒ／Ｏ2 ガス流量比=10/1sccm/sccmの成膜条
件とし、PLT 薄膜を堆積した。この際、ＭｇＯ基板はＡ
点及びＢ点の２点に設置した。この場合の、PLT 薄膜の
X 線回折(XRD) のPLT （001 ）ピークの半値幅（Δθ）
及び電子線マイクロアナライザ(EPMA ）によって測定し
たPb/Ti 比を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】ここで、基板ホルダ−のＡ，Ｂ点それぞれ
の位置に設置した基板上に堆積した薄膜のΔθ及びPb/T
i を比較してみると、Ｂ点で成膜したPLT 膜の方がＡ点
で成膜したPLT 膜に比べて若干Ｐｂ含量が高かった（Pb
-rich ）。また、結晶性においても両者では差がみられ
ており、基板ホルダ−内で組成や構造に分布があること
がわかる。このようなPLT 薄膜に限らず、薄膜の実用化
にはスループットが重要となる。同一面積で、均一な特
性を持つ薄膜がいかに多く得られるかが大切であり、こ
の様なＡ，Ｂ各点での特性の差は望ましくない。
の位置に設置した基板上に堆積した薄膜のΔθ及びPb/T
i を比較してみると、Ｂ点で成膜したPLT 膜の方がＡ点
で成膜したPLT 膜に比べて若干Ｐｂ含量が高かった（Pb
-rich ）。また、結晶性においても両者では差がみられ
ており、基板ホルダ−内で組成や構造に分布があること
がわかる。このようなPLT 薄膜に限らず、薄膜の実用化
にはスループットが重要となる。同一面積で、均一な特
性を持つ薄膜がいかに多く得られるかが大切であり、こ
の様なＡ，Ｂ各点での特性の差は望ましくない。
【００１８】そこで、本実施例で用いたプラズマ発光分
光分析器及び制御システムの概略図を図２に示す。スパ
ッタチャンバー７に取り付けられた覗き窓８（石英ガラ
ス等を装着）の真空槽外部にプラズマ発光受光用の光フ
ァイバー９を設置した。さらに、この光ファイバーをフ
ォトマル１０および端末１２に接続してある。この装置
構成において、スパッタチャンバー７内で発生させたプ
ラズマを、覗き窓８から光ファイバーに９によって受光
し、フォトマル１０を通して各波長に対する発光強度ス
ペクトルとしてプラズマ発光分析の情報を得る。この
際、端末１１およびディスプレイ１２を用いることによ
り、プラズマ発光スペクトルは時間に対してリアルタイ
ムにモニタでき、さらにこの発光スペクトルにおける発
光強度や経時変化等のデータ処理をすることが可能であ
る。このシステムを用いてPLT 成膜時のＰｂ* , Ｔｉ*
等の各プラズマ発光強度を測定した。その結果、Ａ点で
はＰｂ* ／Ｔｉ* の発光強度比が４．２であったのに対
して、Ｂ点では同発光強度比が４．６となり、Ａ点で作
製したPLT 薄膜に比べてＢ点で作製したPLT 薄膜の方が
その組成がPb-rich であったことと対応していた。通
常、Ｐｂに比べてＴｉはスパッタ率が小さいが、Ｐｂに
くらべてターゲットからの指向性が強い。従ってＴｉ
が、ターゲットの直径より外側に設置された基板上に到
達して膜に取り込まれる割合は小さくなる。このため、
大面積にわたって良質な膜が容易には得られない。実際
に大面積の基板ホルダー上に均一な膜質のPLT 薄膜を作
製するには、基板ホルダー上で測定位置に対して上記の
ようなＰｂ* ／Ｔｉ* 発光強度比が均一になることが必
要である。
光分析器及び制御システムの概略図を図２に示す。スパ
ッタチャンバー７に取り付けられた覗き窓８（石英ガラ
ス等を装着）の真空槽外部にプラズマ発光受光用の光フ
ァイバー９を設置した。さらに、この光ファイバーをフ
ォトマル１０および端末１２に接続してある。この装置
構成において、スパッタチャンバー７内で発生させたプ
ラズマを、覗き窓８から光ファイバーに９によって受光
し、フォトマル１０を通して各波長に対する発光強度ス
ペクトルとしてプラズマ発光分析の情報を得る。この
際、端末１１およびディスプレイ１２を用いることによ
り、プラズマ発光スペクトルは時間に対してリアルタイ
ムにモニタでき、さらにこの発光スペクトルにおける発
光強度や経時変化等のデータ処理をすることが可能であ
る。このシステムを用いてPLT 成膜時のＰｂ* , Ｔｉ*
等の各プラズマ発光強度を測定した。その結果、Ａ点で
はＰｂ* ／Ｔｉ* の発光強度比が４．２であったのに対
して、Ｂ点では同発光強度比が４．６となり、Ａ点で作
製したPLT 薄膜に比べてＢ点で作製したPLT 薄膜の方が
その組成がPb-rich であったことと対応していた。通
常、Ｐｂに比べてＴｉはスパッタ率が小さいが、Ｐｂに
くらべてターゲットからの指向性が強い。従ってＴｉ
が、ターゲットの直径より外側に設置された基板上に到
達して膜に取り込まれる割合は小さくなる。このため、
大面積にわたって良質な膜が容易には得られない。実際
に大面積の基板ホルダー上に均一な膜質のPLT 薄膜を作
製するには、基板ホルダー上で測定位置に対して上記の
ようなＰｂ* ／Ｔｉ* 発光強度比が均一になることが必
要である。
【００１９】そこで本実施例では、図１に示すようなレ
ーザーアブレーション導入の構造を製作し、Ａ点及びＢ
点にそれぞれ12mm角のMgO 基板を設置した。そして、RF
電力=160W,基板温度=580℃, ガス圧=0.5Pa, Ａｒ／Ｏ2
ガス流量比=10/1sccm/sccm、さらにはArF レーザーをP=
0.1 J/cm2 ・shot,f=10Hz の成膜条件にてPLT 薄膜を堆
積した。この場合の、PLT 薄膜のX 線回折(XRD) のPLT
（001 ）ピークの半値幅（Δθ）及び電子線マイクロア
ナライザ(EPMA ）によって測定したPb/Ti 比を表２に示
す。
ーザーアブレーション導入の構造を製作し、Ａ点及びＢ
点にそれぞれ12mm角のMgO 基板を設置した。そして、RF
電力=160W,基板温度=580℃, ガス圧=0.5Pa, Ａｒ／Ｏ2
ガス流量比=10/1sccm/sccm、さらにはArF レーザーをP=
0.1 J/cm2 ・shot,f=10Hz の成膜条件にてPLT 薄膜を堆
積した。この場合の、PLT 薄膜のX 線回折(XRD) のPLT
（001 ）ピークの半値幅（Δθ）及び電子線マイクロア
ナライザ(EPMA ）によって測定したPb/Ti 比を表２に示
す。
【００２０】
【表２】
【００２１】前記において、改良前の装置を用いた時に
は、Ｂ点で成膜したPLT 膜の方がＡ点で成膜したPLT 膜
に比べて若干Pb-rich であった。これに対して、レーザ
ーアブレーションによるＴｉの補助ターゲットを用いて
作製したPLT 薄膜においては、プラズマ発光強度比でＡ
点がＰｂ* ／Ｔｉ* ＝４．２に対してＢ点がＰｂ* ／Ｔ
ｉ* ＝４．３と均質化できた。さらに、基板ホルダ−２
のＡ，Ｂ点それぞれの位置に設置した基板上に堆積した
薄膜のΔθ及びPb/Ti を比較してみても、Δθ=0.22,0.
20、またPb/Ti=1.00,1.01 であり、従来に比べて膜特性
の均質化ができていた。
は、Ｂ点で成膜したPLT 膜の方がＡ点で成膜したPLT 膜
に比べて若干Pb-rich であった。これに対して、レーザ
ーアブレーションによるＴｉの補助ターゲットを用いて
作製したPLT 薄膜においては、プラズマ発光強度比でＡ
点がＰｂ* ／Ｔｉ* ＝４．２に対してＢ点がＰｂ* ／Ｔ
ｉ* ＝４．３と均質化できた。さらに、基板ホルダ−２
のＡ，Ｂ点それぞれの位置に設置した基板上に堆積した
薄膜のΔθ及びPb/Ti を比較してみても、Δθ=0.22,0.
20、またPb/Ti=1.00,1.01 であり、従来に比べて膜特性
の均質化ができていた。
【００２２】実施例２ まず、強誘電体薄膜の一例であるＰｂ0.9 Ｌａ0.1 Ｔｉ
0.975 Ｏ3 膜（PLT 薄膜）の成膜に用いた薄膜製造装置
の基本構成断面図を前記図１に示す。本装置は、ペロブ
スカイト型酸化物誘電体薄膜を作製する際、最も一般的
に用いられるマグネトロンスパッタ装置である。ここ
で、真空槽内の基板−ターゲット間距離は３０ｍｍとし
た。今回の装置のターゲット１１寸法は４ｉｎｃｈの物
を用いており、12mm角のMgO 基板１２を２１枚設置可能
な構造にしている。ここで本実施例では、Ａ，Ｂの各２
点の位置に基板を設置した。そして、RF電力=160W,基板
温度=580℃, ガス圧=0.5Pa、Ａｒ／Ｏ2 ガス流量比=10/
1sccm/sccmの成膜条件にてPLT 薄膜を堆積した。この場
合の、PLT 薄膜のX 線回折(XRD) のPLT （001)ピークの
半値幅（Δθ）及び電子線マイクロアナライザ(EPMA)に
よって測定したPb/Ti比を表３に示す。ここで、基板ホ
ルダーのＡ，Ｂ点それぞれの位置に設置した基板上に堆
積した薄膜のΔθ及びPb/Ti を比較すると、Ｂ点で成膜
したPLT 膜の方がＡ点で成膜したPLT 膜に比べて若干Pb
-rich であった。また、結晶性においても両者では差が
みられており、基板ホルダー内で組成や構造に分布があ
ることがわかる。このようなPLT 薄膜に限らず、薄膜の
実用化にはスループットが重要となる。同一面積で、均
一な特性を持つ薄膜がいかに多く得られるかという意味
でこの様なＡ，Ｂ各点での特性の差は望ましくない。
0.975 Ｏ3 膜（PLT 薄膜）の成膜に用いた薄膜製造装置
の基本構成断面図を前記図１に示す。本装置は、ペロブ
スカイト型酸化物誘電体薄膜を作製する際、最も一般的
に用いられるマグネトロンスパッタ装置である。ここ
で、真空槽内の基板−ターゲット間距離は３０ｍｍとし
た。今回の装置のターゲット１１寸法は４ｉｎｃｈの物
を用いており、12mm角のMgO 基板１２を２１枚設置可能
な構造にしている。ここで本実施例では、Ａ，Ｂの各２
点の位置に基板を設置した。そして、RF電力=160W,基板
温度=580℃, ガス圧=0.5Pa、Ａｒ／Ｏ2 ガス流量比=10/
1sccm/sccmの成膜条件にてPLT 薄膜を堆積した。この場
合の、PLT 薄膜のX 線回折(XRD) のPLT （001)ピークの
半値幅（Δθ）及び電子線マイクロアナライザ(EPMA)に
よって測定したPb/Ti比を表３に示す。ここで、基板ホ
ルダーのＡ，Ｂ点それぞれの位置に設置した基板上に堆
積した薄膜のΔθ及びPb/Ti を比較すると、Ｂ点で成膜
したPLT 膜の方がＡ点で成膜したPLT 膜に比べて若干Pb
-rich であった。また、結晶性においても両者では差が
みられており、基板ホルダー内で組成や構造に分布があ
ることがわかる。このようなPLT 薄膜に限らず、薄膜の
実用化にはスループットが重要となる。同一面積で、均
一な特性を持つ薄膜がいかに多く得られるかという意味
でこの様なＡ，Ｂ各点での特性の差は望ましくない。
【００２３】実施例３ 次に本発明の第２番目の製造方法の一実施例を説明す
る。まず最初に、強誘電体薄膜の一例であるＰｂ0.9 Ｌ
ａ0.1 Ｔｉ0.975 Ｏ3 膜（PLT 薄膜）の成膜に用いた薄
膜製造装置の基本構成断面図を図３に示す。本装置は、
ペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜を作製する際、最も
一般的に用いられるマグネトロンスパッタ装置である。
ここで、真空槽内の基板−ターゲット間距離は３０ｍｍ
とした。この装置のターゲット２１寸法は４ｉｎｃｈの
ものを用いており、12mm角のMgO 基板２２を２１枚設置
可能な構造にしている。ここで本実施例では、Ａ，Ｂの
各２点の位置に基板を設置した。そして、RF電力=160W,
基板温度=580℃, ガス圧=0.5Pa,Ar/O2ガス流量比=10/1s
ccm/sccmの成膜条件にてPLT 薄膜を堆積した。この場合
の、PLT 薄膜のX 線回折(XRD) のPLT （001 ）ピークの
半値幅（Δθ）及び電子線マイクロアナライザ(EPMA ）
によって測定したPb/Ti 比を表３に示す。
る。まず最初に、強誘電体薄膜の一例であるＰｂ0.9 Ｌ
ａ0.1 Ｔｉ0.975 Ｏ3 膜（PLT 薄膜）の成膜に用いた薄
膜製造装置の基本構成断面図を図３に示す。本装置は、
ペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜を作製する際、最も
一般的に用いられるマグネトロンスパッタ装置である。
ここで、真空槽内の基板−ターゲット間距離は３０ｍｍ
とした。この装置のターゲット２１寸法は４ｉｎｃｈの
ものを用いており、12mm角のMgO 基板２２を２１枚設置
可能な構造にしている。ここで本実施例では、Ａ，Ｂの
各２点の位置に基板を設置した。そして、RF電力=160W,
基板温度=580℃, ガス圧=0.5Pa,Ar/O2ガス流量比=10/1s
ccm/sccmの成膜条件にてPLT 薄膜を堆積した。この場合
の、PLT 薄膜のX 線回折(XRD) のPLT （001 ）ピークの
半値幅（Δθ）及び電子線マイクロアナライザ(EPMA ）
によって測定したPb/Ti 比を表３に示す。
【００２４】
【表３】
【００２５】ここで、基板ホルダーのＡ，Ｂ点それぞれ
の位置に設置した基板上に堆積した薄膜のΔθ及びPb/T
i を比較してみると、Ｂ点で成膜したPLT 膜の方がＡ点
で成膜したPLT 膜に比べて若干Pb-rich であった。ま
た、結晶性においても両者では差がみられており、基板
ホルダー内で組成や構造に分布があることが分かる。こ
のようなPLT 薄膜に限らず、薄膜の実用化にはスループ
ットが重要となる。同一面積で、均一な特性を持つ薄膜
がいかに多く得られるかという意味でこの様なＡ，Ｂ各
点での特性の差は望ましくない。
の位置に設置した基板上に堆積した薄膜のΔθ及びPb/T
i を比較してみると、Ｂ点で成膜したPLT 膜の方がＡ点
で成膜したPLT 膜に比べて若干Pb-rich であった。ま
た、結晶性においても両者では差がみられており、基板
ホルダー内で組成や構造に分布があることが分かる。こ
のようなPLT 薄膜に限らず、薄膜の実用化にはスループ
ットが重要となる。同一面積で、均一な特性を持つ薄膜
がいかに多く得られるかという意味でこの様なＡ，Ｂ各
点での特性の差は望ましくない。
【００２６】そこで、前記図２に示したプラズマ発光分
光分析器及び制御システムを用いて制御した。図３に示
した装置を用いてPLT 成膜時のＰｂ* , Ｔｉ* 等の各プ
ラズマ発光強度を測定した。ターゲット表面からの距離
に対する、Ｐｂ* (406nm) のプラズマ発光強度の関係を
図４に示し、Ｔｉ* (399nm) のプラズマ発光強度の関係
を図５に示す。ここで、Ｘ軸に、ターゲット表面から測
定点までの距離を、そしてＹ軸方向に各プラズマ発光強
度をとっている。ここで、上記実験におけるＡ，Ｂの各
点の距離依存性をそれぞれ示したが、Ｐｂ* ，Ｔｉ* の
各発光強度は、ターゲット表面から遠ざかるに従って大
きく減少していた。これは、スパッタされたターゲット
の成分であるPb及びTi原子が、ターゲットから遠ざかる
に従い、反応・付着・排気等により減衰する傾向を表わ
しているものであるが、測定位置によってその絶対値に
差が出ていた。一例として、ターゲット表面から垂直に
30mmの距離で比較してみると、Ｐｂ* ，Ｔｉ* 各発光強
度比はＡ点に設置した基板上ではＰｂ* ／Ｔｉ* ＝0.09
3/0.021=4.43であるのに対して、Ｂ点に設置した基板上
では、Ｐｂ* ／Ｔｉ* ＝0.074/0.016=4.63となることに
なり、Ａ点にある基板上のPLT 薄膜に比べてＢ点に設置
した基板上のPLT 薄膜の方が若干Pb-rich となる。
光分析器及び制御システムを用いて制御した。図３に示
した装置を用いてPLT 成膜時のＰｂ* , Ｔｉ* 等の各プ
ラズマ発光強度を測定した。ターゲット表面からの距離
に対する、Ｐｂ* (406nm) のプラズマ発光強度の関係を
図４に示し、Ｔｉ* (399nm) のプラズマ発光強度の関係
を図５に示す。ここで、Ｘ軸に、ターゲット表面から測
定点までの距離を、そしてＹ軸方向に各プラズマ発光強
度をとっている。ここで、上記実験におけるＡ，Ｂの各
点の距離依存性をそれぞれ示したが、Ｐｂ* ，Ｔｉ* の
各発光強度は、ターゲット表面から遠ざかるに従って大
きく減少していた。これは、スパッタされたターゲット
の成分であるPb及びTi原子が、ターゲットから遠ざかる
に従い、反応・付着・排気等により減衰する傾向を表わ
しているものであるが、測定位置によってその絶対値に
差が出ていた。一例として、ターゲット表面から垂直に
30mmの距離で比較してみると、Ｐｂ* ，Ｔｉ* 各発光強
度比はＡ点に設置した基板上ではＰｂ* ／Ｔｉ* ＝0.09
3/0.021=4.43であるのに対して、Ｂ点に設置した基板上
では、Ｐｂ* ／Ｔｉ* ＝0.074/0.016=4.63となることに
なり、Ａ点にある基板上のPLT 薄膜に比べてＢ点に設置
した基板上のPLT 薄膜の方が若干Pb-rich となる。
【００２７】図６に、ターゲット表面からの距離に対す
る、Ｐｂ* (406nm) ／Ｔｉ* (399nm) のプラズマ発光強
度比の変化を示す。ここでも、Ａ，Ｂの各点の距離依存
性をそれぞれ記しているが、ターゲット表面からの距離
が大きくなるに従って両発光強度比の差が大きくなって
いた。ターゲットからの距離がd=30mmで比較してみる
と、Ａ点ではＰｂ* ／Ｔｉ* ＝4.40に対してＢ点ではＰ
ｂ* ／Ｔｉ* ＝4.60と4%の差が生じている。一定の面積
内で同様の膜特性をもつ薄膜を得るためには、これらの
差が限りなく０に近い必要がある。これらの差をなくす
ためには、図６からみてＡ点に設置する基板を34.3mmと
するのが適正であった。
る、Ｐｂ* (406nm) ／Ｔｉ* (399nm) のプラズマ発光強
度比の変化を示す。ここでも、Ａ，Ｂの各点の距離依存
性をそれぞれ記しているが、ターゲット表面からの距離
が大きくなるに従って両発光強度比の差が大きくなって
いた。ターゲットからの距離がd=30mmで比較してみる
と、Ａ点ではＰｂ* ／Ｔｉ* ＝4.40に対してＢ点ではＰ
ｂ* ／Ｔｉ* ＝4.60と4%の差が生じている。一定の面積
内で同様の膜特性をもつ薄膜を得るためには、これらの
差が限りなく０に近い必要がある。これらの差をなくす
ためには、図６からみてＡ点に設置する基板を34.3mmと
するのが適正であった。
【００２８】そこで本実施例では、図７に示すような構
造の基板ホルダー１９を製作し、Ａ点及びＢ点にそれぞ
れ12mm角のMgO 基板を設置した。そして、RF電力=160W,
基板温度=580℃, ガス圧=0.5Pa, Ａｒ／Ｏ2 ガス流量比
=10/1sccm/sccmの成膜条件にてPLT 薄膜を堆積した。こ
の場合の、PLT 薄膜のX 線回折(XRD) のPLT （001 ）ピ
ークの半値幅（Δθ）及び電子線マイクロアナライザ(E
PMA ）によって測定したPb/Ti 比を表４に示す。
造の基板ホルダー１９を製作し、Ａ点及びＢ点にそれぞ
れ12mm角のMgO 基板を設置した。そして、RF電力=160W,
基板温度=580℃, ガス圧=0.5Pa, Ａｒ／Ｏ2 ガス流量比
=10/1sccm/sccmの成膜条件にてPLT 薄膜を堆積した。こ
の場合の、PLT 薄膜のX 線回折(XRD) のPLT （001 ）ピ
ークの半値幅（Δθ）及び電子線マイクロアナライザ(E
PMA ）によって測定したPb/Ti 比を表４に示す。
【００２９】
【表４】
【００３０】前記した改良前の基板ホルダーを用いた時
には、Ｂ点で成膜したPLT 膜の方がＡ点で成膜したPLT
膜に比べて若干Pb-rich であった。これに対して、本実
施例の基板ホルダー１９を用いて作製したPLT 薄膜にお
いては、基板ホルダ−１９のＡ，Ｂ点それぞれの位置に
設置した基板上に堆積した薄膜のΔθ及びPb/Ti を比較
してみても、Δθ=0.20,0.21、またＰｂ* ／Ｔｉ* ＝1.
07, 0.08と同程度の特性が得られた。本実施例では、基
板ホルダーの構造は図７のようにＡ，Ｂの２点（ステッ
プ数は２）の構造を示したが、多量の基板設置の場合は
ステップ数≧３とする事で良質の薄膜を多量に得ること
ができる。本発明の実施例では、４ｉｎｃｈのスパッタ
装置を用いているが、８，１０ｉｎｃｈ等の大型スパッ
タ装置を用いることで、さらに大きな効果がある。
には、Ｂ点で成膜したPLT 膜の方がＡ点で成膜したPLT
膜に比べて若干Pb-rich であった。これに対して、本実
施例の基板ホルダー１９を用いて作製したPLT 薄膜にお
いては、基板ホルダ−１９のＡ，Ｂ点それぞれの位置に
設置した基板上に堆積した薄膜のΔθ及びPb/Ti を比較
してみても、Δθ=0.20,0.21、またＰｂ* ／Ｔｉ* ＝1.
07, 0.08と同程度の特性が得られた。本実施例では、基
板ホルダーの構造は図７のようにＡ，Ｂの２点（ステッ
プ数は２）の構造を示したが、多量の基板設置の場合は
ステップ数≧３とする事で良質の薄膜を多量に得ること
ができる。本発明の実施例では、４ｉｎｃｈのスパッタ
装置を用いているが、８，１０ｉｎｃｈ等の大型スパッ
タ装置を用いることで、さらに大きな効果がある。
【００３１】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の第１発明の
製造方法によれば、真空槽内に存在する少なくとも２種
のプラズマ発光の強度比を測定して、この強度比がプラ
ズマ空間中で実質的に一定になるように前記ターゲット
とは異なるターゲットを真空槽内の空間に取り付けるこ
とにより、ペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組成
等の膜特性を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜を
得ることができる誘電体薄膜の製造方法を実現できる。
製造方法によれば、真空槽内に存在する少なくとも２種
のプラズマ発光の強度比を測定して、この強度比がプラ
ズマ空間中で実質的に一定になるように前記ターゲット
とは異なるターゲットを真空槽内の空間に取り付けるこ
とにより、ペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組成
等の膜特性を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜を
得ることができる誘電体薄膜の製造方法を実現できる。
【００３２】次に本発明の第２発明の製造方法によれ
ば、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ発光
の強度比を測定して、この強度比がプラズマ空間中で実
質的に一定になるように空間に基板を設置したことによ
り、ペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組成等の膜
特性を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜を得るこ
とができる。
ば、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ発光
の強度比を測定して、この強度比がプラズマ空間中で実
質的に一定になるように空間に基板を設置したことによ
り、ペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶性、組成等の膜
特性を変えることなく、同時にかつ大量に薄膜を得るこ
とができる。
【００３３】次に本発明の誘電体薄膜の製造装置によれ
ば、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ発光
の強度比を測定する手段と、この強度比をプラズマ空間
中で実質的に一定にするため基板または前記ターゲット
とは異なるターゲットを、真空槽内の空間に取り付けた
ことにより、前記した誘電体薄膜を効率よく合理的に製
造できる。
ば、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズマ発光
の強度比を測定する手段と、この強度比をプラズマ空間
中で実質的に一定にするため基板または前記ターゲット
とは異なるターゲットを、真空槽内の空間に取り付けた
ことにより、前記した誘電体薄膜を効率よく合理的に製
造できる。
【図１】本発明の一実施例の薄膜製造装置の基本構成断
面図。
面図。
【図２】本発明の一実施例のプラズマ発光分光分析器及
び制御システムの概略図。
び制御システムの概略図。
【図３】本発明の一実施例の薄膜製造装置の基本構成断
面図。
面図。
【図４】本発明の強誘電体薄膜の一実施例であるＰｂ
0.9 Ｌａ0.1 Ｔｉ0.975 Ｏ3 膜の成膜におけるターゲッ
ト表面からの距離に対する、Ｐｂ* (406nm) のプラズマ
発光強度の関係を示す図。
0.9 Ｌａ0.1 Ｔｉ0.975 Ｏ3 膜の成膜におけるターゲッ
ト表面からの距離に対する、Ｐｂ* (406nm) のプラズマ
発光強度の関係を示す図。
【図５】本発明の強誘電体薄膜の一実施例であるＰｂ
0.9 Ｌａ0.1 Ｔｉ0.975 Ｏ3 膜の成膜におけるターゲッ
ト表面からの距離に対する、Ｔｉ* (399nm) のプラズマ
発光強度の関係を示す図。
0.9 Ｌａ0.1 Ｔｉ0.975 Ｏ3 膜の成膜におけるターゲッ
ト表面からの距離に対する、Ｔｉ* (399nm) のプラズマ
発光強度の関係を示す図。
【図６】本発明の強誘電体薄膜の一実施例であるＰｂ
0.9 Ｌａ0.1 Ｔｉ0.975 Ｏ3 膜の成膜におけるターゲッ
ト表面からの距離に対する、Ｐｂ* (406nm) 及びＴｉ*
(399nm) の各プラズマ発光強度比の関係を示す図。
0.9 Ｌａ0.1 Ｔｉ0.975 Ｏ3 膜の成膜におけるターゲッ
ト表面からの距離に対する、Ｐｂ* (406nm) 及びＴｉ*
(399nm) の各プラズマ発光強度比の関係を示す図。
【図７】本発明の一実施例の基板固定ホルダーの概略
図。
図。
１ ターゲット ２ 基板ホルダー ３ ＭｇＯ基板 ４ エキシマレーザー発振器 ５ 石英窓 ６ 補助ターゲット ７ スパッタリングチャンバー ８ 覗き窓 ９ 光ファイバー １０ フォトマル １１ 端末 １２ ディスプレイ ２１ ターゲット ２２ ＭｇＯ基板 ２３ スパッタチャンバー
フロントページの続き (72)発明者 北川 雅俊 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 平尾 孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 スパッタリング法による物理的気相堆積
法を用いたＡＢＯ3 で構成される誘電体薄膜の製造方法
において、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズ
マ発光の強度比を測定して、この強度比がプラズマ空間
中で実質的に一定になるように前記ターゲットとは異な
るターゲットを真空槽内の空間に取り付けることを特徴
とする誘電体薄膜の製造方法。（ここで、Ａサイトは、
Ｐｂ、Ｂａ、ＳｒまたはＬａの少なくとも１種、Ｂサイ
トは、ＴｉおよびＺｒのうち少なくとも１種の元素を含
む。） - 【請求項２】 スパッタリング法のターゲット材料とし
て、Ｔｉ，Ｚｒのうちの少なくとも１種の元素を含む材
料を用いる請求項１に記載の誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 スパッタリングにＡｒＦ（１９３ｎｍ）
のエキシマレーザーを用いる請求項１に記載の誘電体薄
膜の製造方法。 - 【請求項４】 スパッタリング法による物理的気相堆積
法を用いたＡＢＯ3 で構成される誘電体薄膜の製造方法
において、真空槽内に存在する少なくとも２種のプラズ
マ発光の強度比を測定して、この強度比がプラズマ空間
中で実質的に一定になるように空間に基板を設置したこ
とを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。（ここで、Ａサ
イトは、Ｐｂ、Ｂａ、ＳｒまたはＬａの少なくとも１
種、Ｂサイトは、ＴｉおよびＺｒのうち少なくとも１種
の元素を含む。） - 【請求項５】 スパッタリング法による物理的気相堆積
法を用いた誘電体薄膜の製造装置において、真空槽内に
存在する少なくとも２種のプラズマ発光の強度比を測定
する手段を備え、この強度比をプラズマ空間中で実質的
に一定にするため基板または前記ターゲットとは異なる
ターゲットを、真空槽内の空間に取り付けたことを特徴
とする誘電体薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33027292A JPH06177043A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 誘電体薄膜の製造方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33027292A JPH06177043A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 誘電体薄膜の製造方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177043A true JPH06177043A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18230797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33027292A Pending JPH06177043A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 誘電体薄膜の製造方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177043A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000025354A1 (fr) * | 1998-10-23 | 2000-05-04 | Nissin Electric Co., Ltd. | Procede de formation de couche mince de silicium polycristallin et appareil de formation de ladite couche mince |
| KR20020001351A (ko) * | 2000-06-28 | 2002-01-09 | 황인길 | 플라스마 모니터 장치 |
-
1992
- 1992-12-10 JP JP33027292A patent/JPH06177043A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000025354A1 (fr) * | 1998-10-23 | 2000-05-04 | Nissin Electric Co., Ltd. | Procede de formation de couche mince de silicium polycristallin et appareil de formation de ladite couche mince |
| US6447850B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-09-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | Polycrystalline silicon thin film forming method |
| US6620247B2 (en) | 1998-10-23 | 2003-09-16 | Nissin Electric Co., Ltd. | Thin polycrystalline silicon film forming apparatus |
| KR20020001351A (ko) * | 2000-06-28 | 2002-01-09 | 황인길 | 플라스마 모니터 장치 |
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