JPH06176406A

JPH06176406A - 光メモリカードとその記録装置

Info

Publication number: JPH06176406A
Application number: JP4323268A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Kawasaki; 真一川崎; Hiroaki Murase; 裕明村瀬; Yoshiyuki Yamada; 良行山田; Koji Kawada; 浩二川田
Original assignee: Osaka Gas Co Ltd
Current assignee: Osaka Gas Co Ltd
Priority date: 1992-12-02
Filing date: 1992-12-02
Publication date: 1994-06-24

Abstract

(57)【要約】【目的】記憶容量を大幅に増やすことができ、その大
きさも現在のクレジットカード程度に抑えることがで
き、可撓性がある光メモリカードを提供する。【構成】負電極１２に強誘電体等よりなる記録材１４
を積層し、記録材１４にポリシラン１６を積層し、前記
ポリシラン１６に透明な正電極１８を積層したものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光メモリカードに関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、医療用カルテや金融関係の個人用
記録カードとして、書換えのできないカードが要望され
ている。そして、そのようなカードの１つとして、メモ
リカードの記録部をゼラチンと銀から形成したものが知
られている（ＤｒｅｘｌｅｒＴｅｃｈ．社製「Ｄｒｅ
ｘｏｎＬａｓｅｒＣａｒｄ（商標名）」）この光メ
モリカードに信号を記録する場合には、ゼラチンと銀か
らなるクラスト層にレーザ光で熱記録（ピット穴あけ）
を行なう。再生の場合には、出力の弱いレーザ光を用い
て、ピットの反射率（６％）とクラスト層の反射率（銀
４０％）との差を利用して、信号の記録の有無を検出す
る。

【０００３】この光メモリカードの記憶容量としては、
クレジットカード程度の大きさで１〜５ＭＢｙｔｅであ
る。使用される半導体レーザ光の波長は、０．７８〜
０．８３μｍであり、その出力は３ｍＷ程度である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、記憶容
量が最大５ＭＢｙｔｅ程度であると、この光メモリカー
ドを、医療用カルテに使用した場合に、生まれた時から
の病気の経過を記録していくと、老年期における病気の
記録が、容量不足で記録できない場合が予想される。

【０００５】従って、この記憶容量を増加させるために
は、光メモリカードの形状を大きくすることが考えられ
るが、個人が持ち運ぶためには大きさにも限度があり、
現在のクレジットカード程度の大きさが好適といえる。

【０００６】そのため、現在の光メモリカードの大きさ
を維持しつつ記憶容量を大きくするには、ピットの径を
小さくして容量を上げることが考えられる。そのために
は、記録再生用に用いられている現在のレーザ光の波長
（λ＝０．７８〜０．８３μｍ）よりも、短い波長のレ
ーザ光（例えば、紫外域である）を用いることにより、
記憶容量の増加が図れる。ところが、この短い波長領域
での記録ができる光メモリカードは存在しない。

【０００７】また、光メモリカードとしては、その持運
びのために可撓性も要求される。

【０００８】そこで、本発明は上記問題点に鑑み、記憶
容量を大幅に増やすことができ、その大きさも現在のク
レジットカード程度に抑えることができ、さらに可撓性
がある光メモリカードと、その記録装置を提供するもの
である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１の光メ
モリカードは、負電極にポリアクリロ＝トリル、シアン
化ピニルポリマ―、ハロゲン化ビニルポリマ―等の強誘
電体よりなる記録材を積層し、前記記録材にポリシラン
を積層し、前記ポリシランに透明な正電極を積層したも
のである。

【００１０】このポリシランとしては、直鎖状のポリシ
ランと三次元的に架橋した構造のポリシランとがあり、
直鎖状のポリシランとしては下記のようなものである。

【００１１】

【化１】但し、式中のＲは、水素原子、炭素数１〜１４のアルキ
ル基、アリ―ル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ア
ミノ基、シリル基またはその誘導体を示し、ｎは、１０
〜１００００程度である。

【００１２】三次元的に架橋した構造のポリシランとし
ては下記のようなものがある。

【００１３】

【化２】但し、式中のＲは、水素原子、炭素数１〜１４のアルキ
ル基、アリ―ル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ア
ミノ基、シリル基またはその誘導体を示し、ｎは、１０
〜１００００程度である。

【００１４】または、

【化３】但し、式中のＲは、水素原子、炭素数１〜１４のアルキ
ル基、アリール基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ア
ミノ基、シリル基またはその誘導体を示し、Ｘ，Ｙ及び
Ｚはそれぞれ１０〜１００００程度であり、そして、こ
れらで示される構造単位を２以上を有したＳｉ−Ｓｉ結
合を骨格とする網目状ポリマーである。また、これらの
ポリマーは、Ｓｉの全部または一部がＧｅであるポリマ
ーでもよい。なお、これらのポリマーは、公知であり、
それぞれの構造単位を有するモノマーを原料として、公
知の方法により製造される。より具体的には、アルカリ
金属の存在下にクロロシラン類を脱塩素重縮合させる方
法（キッピング法）、電極還元によりクロロシラン類を
脱塩素重縮合させる方法、金属触媒の存在下にヒドロシ
ラン類を脱水素重縮合させる方法、ビフェニルなどで架
橋されたジシレンのアニオン重合による方法、環状シラ
ン類の開環重合による方法などが例示される。

【００１５】記録材に対するポリシラン薄膜の形成方法
は、特に限定されず、スピンコ―ト法，ティッピング
法，キャスト法等の通常のポリシラン薄膜の形成方法が
採用できる。

【００１６】請求項２の光メモリカードの記録装置は、
請求項１記載の光メモリカードの負電極と透明な正電極
との間に電圧を印加する電圧印加手段と、前記透明な正
電極に波長が２７０〜４２０ｎｍ付近のレーザ光を照射
して信号の記録を行なう記録手段とよりなるものであ
る。

【００１７】

【作用】上記構成の光メモリカードとその記録装置を
用いて信号を記録する場合について説明する。

【００１８】まず、電圧印加手段によって、光メモリカ
ードの負電極と透明な正電極との間に電圧を印加する。
そして、記録手段より、透明な正電極に対し波長が２７
０〜４２０ｎｍ付近のレーザ光を信号に合わせて照射す
る。このレーザ光が照射された部分のポリシランにおい
てホールが形成されるとともに、ホールの移動により強
誘電体に電圧が印加され、前記ポリシランとともに強誘
電体もレーザ光の吸収を行なう。そのため、強誘電体が
分極処理に最適な温度まで温度上昇することにより、そ
の部分だけ分極が形成される。これにより信号の記録が
達成できる。また、レーザー光の照射されない部分にお
いては、分極が形成されない。

【００１９】また、光メモリカードは高分子材料である
ポリシランを使用しているため、可撓性を有する。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面に基
づいて説明する。

【００２１】図１は、本発明の一実施例を示す光メモリ
カードの斜視図である。この光メモリカード１０の大き
さは、従来のクレジットカードとほぼ同じ大きさに設定
されている。

【００２２】図２は、光メモリカード１０の縦断面図で
ある。

【００２３】符号１２は、負電極を示し、符号１４は、
負電極１２に積層された強誘電体よりなる記録材であ
る。符号１６は、記録材１４に積層されたメチルフェニ
ルポリシランである。このメチルフェニルポリシラン１
６は、下記のような構造を有している。

【００２４】

【化４】符号１８は、直鎖状のポリシラン１６に積層された透明
な正電極である。正電極１８は、ＩＴＯなどが挙げられ
る。

【００２５】次に、上記構成の光メモリカード１０に信
号を記録する装置について、図３に基づいて説明する。

【００２６】符号２０は、正電極１８と負電極１２との
間に電圧を印加する電池である。

【００２７】符号２２は、レーザー装置であって、この
レーザー装置２２から照射されたレーザー光は、レンズ
２４によって集光されて、光メモリカード１０の透明な
正電極１８に照射される。

【００２８】上記装置を使用して信号を記録する場合に
ついて説明する。

【００２９】メチルフェニルポリシランは、波長が３４
０ｎｍ付近に吸収があり、ホールの移動が可能な光導電
層となる。そのため、直鎖状のポリシランと未分極の強
誘電体との２層からなる記録媒体を考え、その記録媒体
の両面に電池２０を用いて電圧を印加しておく。そし
て、例えば、可視域で発光している６８０ｎｍのレーザ
ー装置２２の第２高調波（３４０ｎｍ）のレーザー光を
透明な正電極１８に照射する。

【００３０】図３に示すように、レーザー光が照射され
た直鎖状のポリシランでは、ホールが形成されるととも
に、ホールの移動により強誘電体に電圧が印加され、ポ
リシラン１６とともに記録材１４もレーザー光の吸収を
行なう。そのため、記録材１４が温度上昇し、その部分
だけ分極が形成される。この分極が形成されることによ
り信号の記録が達成できる。また、レーザー光が照射さ
れていない記録材１４の部分は、未分極のままである。

【００３１】信号が記録された光メモリカード１０を再
生する場合には、記録時よりも弱い出力に、直線偏光の
レーザー光を照射する。これにより分極を消滅させず、
例えば膜の透過光の偏光の回転角（ファラデー回転）を
検出することにより、分極と未分極の識別が可能となっ
た。なお、再生方法は、これに限られない。

【００３２】光メモリカード１０であると下記のような
効果がある。

【００３３】直鎖状のポリシランは、可撓性のよい高分
子材料であるため、曲げ圧力に強く、持ち運びの際に便
利である。また、クレジットカード程度の大きさにおい
ても、高密度の記録容量（２０ＭＢｙｔｅ〜５０ＭＢｙ
ｔｅ）の容量を実現することができる。

【００３４】なお、ポリシランとしては、メチルフェニ
ルポリシランに代えて、下記の構造式を持つフェニルポ
リシリン（フェニル基を有する架橋ポリシラン）である

【化５】でもよい。

【００３５】また、メチルフェニルポリシランとフェニ
ルポリシリン（フェニル基を有する架橋ポリシラン）と
の重合比１：１の共重合体を用いてもよい。

【００３６】さらに、本発明の光メモリカードは、書換
え可能なカードに使用することも可能である。

【００３７】

【発明の効果】以上により、高分子材料であるポリシラ
ンを使用することにより可撓性のよい光メモリカードを
実現でき、また、高密度の記憶容量を持つものを実現す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す光メモリカードの斜視
図である。

【図２】同じく縦断面図である。

【図３】光メモリカードに信号を記録する場合の説明図
である。

【符号の説明】

１０……光メモリカード１２……負電極１４……記録材１６……ポリシラン１８……正電極２０……電池２２……レーザー装置２４……レンズ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川田浩二京都市右京区太秦海正寺町３−２西京都マンション703

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】負電極に強誘電体等よりなる記録材を積層
し、前記記録材にポリシランを積層し、前記ポリシランに透明な正電極を積層したことを特徴と
する光メモリカード。
【請求項２】請求項１記載の光メモリカードの負電極と
透明な正電極との間に電圧を印加する電圧印加手段と、前記透明な正電極に波長が２７０〜４２０ｎｍ付近のレ
ーザ光を照射して信号の記録を行なう記録手段とよりな
ることを特徴とする光メモリカードの記録装置。