JPH06171980A - 低温焼成基板用組成物 - Google Patents
低温焼成基板用組成物Info
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- JPH06171980A JPH06171980A JP35011292A JP35011292A JPH06171980A JP H06171980 A JPH06171980 A JP H06171980A JP 35011292 A JP35011292 A JP 35011292A JP 35011292 A JP35011292 A JP 35011292A JP H06171980 A JPH06171980 A JP H06171980A
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- Japan
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- powder
- glass
- weight
- composition
- thermal expansion
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 機械的強度が高く、熱膨張率を３．５〜６．
５×１０-6／℃の間で選択することのできる電子工業用
部品に適した低温焼成基板用組成物を提供する。 【構成】 ＢａＯまたはＣａＯの少なくとも一種を２．
５重量％以上含みガラス粉末（ＢａＯ，ＣａＯ，Ａｌ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯ，ＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ
3 ）５０〜８０重量％とＡｌ2 Ｏ3 粉末５〜５０重量％
とＺｒＳｉＯ4 粉末０〜４５重量％からなることを特徴
とする。
５×１０-6／℃の間で選択することのできる電子工業用
部品に適した低温焼成基板用組成物を提供する。 【構成】 ＢａＯまたはＣａＯの少なくとも一種を２．
５重量％以上含みガラス粉末（ＢａＯ，ＣａＯ，Ａｌ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯ，ＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ
3 ）５０〜８０重量％とＡｌ2 Ｏ3 粉末５〜５０重量％
とＺｒＳｉＯ4 粉末０〜４５重量％からなることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子工業用材料として
用いられる低温焼成基板用組成物に関する。
用いられる低温焼成基板用組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の電子機器の小型化に伴い、電子回
路を高密度に集積化する要求が高まってきており、電子
機器用の基板に対しても、多層化、抵抗やコンデンサ等
の機能部品の内層化、回路のファインピッチ化、チップ
のベア実装等の要求が強くなってきている。これらの要
求を満たすには、基板材料が以下に示すような特性を有
することが必要となる。
路を高密度に集積化する要求が高まってきており、電子
機器用の基板に対しても、多層化、抵抗やコンデンサ等
の機能部品の内層化、回路のファインピッチ化、チップ
のベア実装等の要求が強くなってきている。これらの要
求を満たすには、基板材料が以下に示すような特性を有
することが必要となる。
【０００３】（Ａ） 導体抵抗が低くファインパターン
化の可能なＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の導体及び印刷抵抗、コ
ンデンサ等の機能部品と同時焼成のできる温度、すなわ
ち１０００℃以下で焼成が可能なこと。 （Ｂ） 基板に実装されるシリコンやガリウムヒソのチ
ップや抵抗などの機能部品と熱膨張率を合わすことが可
能なこと。
化の可能なＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の導体及び印刷抵抗、コ
ンデンサ等の機能部品と同時焼成のできる温度、すなわ
ち１０００℃以下で焼成が可能なこと。 （Ｂ） 基板に実装されるシリコンやガリウムヒソのチ
ップや抵抗などの機能部品と熱膨張率を合わすことが可
能なこと。
【０００４】従来、電子機器用の基板としては、アルミ
ナや有機基板が用いられている。しかし、有機基板では
熱膨張率が５０×１０-6／℃程度と大きい、熱伝導率が
アルミナと比較すると悪い等、上記要求を満たすには不
向きである。また、アルミナにおいても、焼成に１６０
０℃を要するため、多層化する場合の内部導体として導
体抵抗の比較的高いＷやＭｏ等しか用いることができ
ず、回路のファインパターン化に限界があった。この様
な問題に対応するため、導体抵抗の低いＡｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ等を内部導体として使用でき、熱伝導率も有機基板よ
り優れた低温焼成基板組成の開発が進められている。た
だし、これまで公表されている低温焼成基板では、アル
ミナ基板より熱膨張率の低いものが得られているもの
の、曲げ強度の面でアルミナ基板の３０００〜４０００
ｋｇｆ／ｃｍ2 と比較してかなり低いという問題があ
る。たとえば、特公平３−５３２６９では、ＣａＯ−Ｓ
ｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスにＡｌ2 Ｏ3 粉末を加え、
８００〜１０００℃で焼成し、アノーサイト結晶を析出
させ、曲げ強度が２０００ｋｇｆ／ｃｍ2 程度、熱膨張
率が５〜７×１０-6／℃程度の基板を得ている。また、
特公平４−２１６３０では、フッ化物を含むガラスとセ
ルシアンの混合物を８００〜１０００℃で焼成し、曲げ
強度が２１５０〜２７５０ｋｇｆ／ｃｍ2 熱膨張率が５
〜８×１０-6／℃程度の基板を得ている。ただし、おお
むね曲げ強度は２５００ｋｇｆ／ｃｍ2 以下であり、熱
膨張率もアルミナの７×１０-6／℃よりは小さいが、シ
リコンチップの３．６×１０-6／℃よりも大きい。
ナや有機基板が用いられている。しかし、有機基板では
熱膨張率が５０×１０-6／℃程度と大きい、熱伝導率が
アルミナと比較すると悪い等、上記要求を満たすには不
向きである。また、アルミナにおいても、焼成に１６０
０℃を要するため、多層化する場合の内部導体として導
体抵抗の比較的高いＷやＭｏ等しか用いることができ
ず、回路のファインパターン化に限界があった。この様
な問題に対応するため、導体抵抗の低いＡｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ等を内部導体として使用でき、熱伝導率も有機基板よ
り優れた低温焼成基板組成の開発が進められている。た
だし、これまで公表されている低温焼成基板では、アル
ミナ基板より熱膨張率の低いものが得られているもの
の、曲げ強度の面でアルミナ基板の３０００〜４０００
ｋｇｆ／ｃｍ2 と比較してかなり低いという問題があ
る。たとえば、特公平３−５３２６９では、ＣａＯ−Ｓ
ｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスにＡｌ2 Ｏ3 粉末を加え、
８００〜１０００℃で焼成し、アノーサイト結晶を析出
させ、曲げ強度が２０００ｋｇｆ／ｃｍ2 程度、熱膨張
率が５〜７×１０-6／℃程度の基板を得ている。また、
特公平４−２１６３０では、フッ化物を含むガラスとセ
ルシアンの混合物を８００〜１０００℃で焼成し、曲げ
強度が２１５０〜２７５０ｋｇｆ／ｃｍ2 熱膨張率が５
〜８×１０-6／℃程度の基板を得ている。ただし、おお
むね曲げ強度は２５００ｋｇｆ／ｃｍ2 以下であり、熱
膨張率もアルミナの７×１０-6／℃よりは小さいが、シ
リコンチップの３．６×１０-6／℃よりも大きい。
【０００５】また、特公平４−１９１７６では８５０〜
１１００℃で焼成可能なガラスとし、ガラス成分のう
ち、アルカリ分を調整することで、熱膨張率を４．５〜
９．８×１０-6／℃と幅を持たせることを可能としてい
る。ただし、曲げ強度が８００〜１４８０ｋｇｆ／ｃｍ
2 と、アルミナに比べかなり劣る。
１１００℃で焼成可能なガラスとし、ガラス成分のう
ち、アルカリ分を調整することで、熱膨張率を４．５〜
９．８×１０-6／℃と幅を持たせることを可能としてい
る。ただし、曲げ強度が８００〜１４８０ｋｇｆ／ｃｍ
2 と、アルミナに比べかなり劣る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、機械的強度
が強く、熱膨張率を３．５〜６．５×１０-6／℃の間で
選択することが可能な、特に電子工業用部品に適した特
性を持つ低温焼成基板用組成物を提供するものである。
が強く、熱膨張率を３．５〜６．５×１０-6／℃の間で
選択することが可能な、特に電子工業用部品に適した特
性を持つ低温焼成基板用組成物を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の低温焼成基板用組成物は、ＢａＯまたはＣ
ａＯの少なくとも一種を２．５重量％以上を含み、 ＢａＯ ０〜２０重量％ ＣａＯ ０〜２０重量％ Ａｌ2 Ｏ3 １０〜２０重量％ ＳｉＯ2 ２５〜４５重量％ ＺｎＯ ２．５〜２０重量％ ＰｂＯ １０〜２５重量％ Ｂ2 Ｏ3 ０〜５重量％ Ｓｂ2 Ｏ3 ０〜１重量％ からなる組成のガラス粉末５０〜８０重量％とＡｌ2 Ｏ
3 粉末５〜５０重量％とＺｒＳｉＯ4 粉末０〜４５重量
％からなる点に特徴がある。
に、本発明の低温焼成基板用組成物は、ＢａＯまたはＣ
ａＯの少なくとも一種を２．５重量％以上を含み、 ＢａＯ ０〜２０重量％ ＣａＯ ０〜２０重量％ Ａｌ2 Ｏ3 １０〜２０重量％ ＳｉＯ2 ２５〜４５重量％ ＺｎＯ ２．５〜２０重量％ ＰｂＯ １０〜２５重量％ Ｂ2 Ｏ3 ０〜５重量％ Ｓｂ2 Ｏ3 ０〜１重量％ からなる組成のガラス粉末５０〜８０重量％とＡｌ2 Ｏ
3 粉末５〜５０重量％とＺｒＳｉＯ4 粉末０〜４５重量
％からなる点に特徴がある。
【０００８】
【作用】本発明の低温焼成基板用組成物における該ガラ
ス組成は、８００〜１０００℃、望ましくは８５０℃〜
９００℃の熱処理によって結晶相を析出する結晶化ガラ
スである。さらに詳しく述べると、ＢａＯとＣａＯの組
成比によって熱処理後の結晶相が変化し、析出する結晶
によって該熱処理後の熱膨張率が３．０〜７．０×１０
-6／℃の間で変化する。さらに、上記混合ガラス粉末
に、フィラーとしてＡｌ2 Ｏ3 及びＺｒＳｉｏ4 粉末を
加えることにより、２０００ｋｇｆ／ｃｍ2以上の曲げ
強度を具備させることができる。
ス組成は、８００〜１０００℃、望ましくは８５０℃〜
９００℃の熱処理によって結晶相を析出する結晶化ガラ
スである。さらに詳しく述べると、ＢａＯとＣａＯの組
成比によって熱処理後の結晶相が変化し、析出する結晶
によって該熱処理後の熱膨張率が３．０〜７．０×１０
-6／℃の間で変化する。さらに、上記混合ガラス粉末
に、フィラーとしてＡｌ2 Ｏ3 及びＺｒＳｉｏ4 粉末を
加えることにより、２０００ｋｇｆ／ｃｍ2以上の曲げ
強度を具備させることができる。
【０００９】該ガラス組成の限定理由は以下の通りであ
る。該ガラス組成において析出する結晶相はＣａＯとＢ
ａＯの組成比によってアノーサイト（ＣａＯ・Ａｌ2 Ｏ
3 ・２ＳｉＯ2 ）及びガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2Ｏ
3 ）を主結晶相とするものからセルシアン（ＢａＯ・Ａ
ｌ2 Ｏ2 ・２ＳｉＯ2）及びウィレマイト（２ＺｎＯ・
ＳｉＯ2 ）を主結晶相とするものまで変化する。しか
し、それぞれの結晶の化学量論比で調合した場合には、
アノーサイトで１５５０℃、セルシアンで１７００℃以
上の熔融温度が必要となり、８００〜１０００℃におけ
る低温焼成が不可能となる。このため、上記３成分の他
に、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 を添加し、
熔融温度を低下させる必要がある。上記酸化物の中で、
ＺｎＯは熔融温度を低下する効果に加えてガーナイト及
びウィレマイトの成分となる。
る。該ガラス組成において析出する結晶相はＣａＯとＢ
ａＯの組成比によってアノーサイト（ＣａＯ・Ａｌ2 Ｏ
3 ・２ＳｉＯ2 ）及びガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2Ｏ
3 ）を主結晶相とするものからセルシアン（ＢａＯ・Ａ
ｌ2 Ｏ2 ・２ＳｉＯ2）及びウィレマイト（２ＺｎＯ・
ＳｉＯ2 ）を主結晶相とするものまで変化する。しか
し、それぞれの結晶の化学量論比で調合した場合には、
アノーサイトで１５５０℃、セルシアンで１７００℃以
上の熔融温度が必要となり、８００〜１０００℃におけ
る低温焼成が不可能となる。このため、上記３成分の他
に、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 を添加し、
熔融温度を低下させる必要がある。上記酸化物の中で、
ＺｎＯは熔融温度を低下する効果に加えてガーナイト及
びウィレマイトの成分となる。
【００１０】ＣａＯはアノーサイト及びＣａＯ・ＺｎＯ
・２ＳｉＯ2 の成分であって、２０重量％を越えると熱
膨張率がおおきくなる。ＢａＯはセルシアンの成分であ
って、２０重量％を越えて添加すると分相が起こる。ま
た、ＣａＯとＢａＯの少なくとも一方が２．５重量％以
上含まれていないと、全体としての結晶相の量が少な
く、曲げ強度の低下を招く。Ａｌ2 Ｏ3 はアノーサイト
及びガーナイト、セルシアンの成分であって、１０重量
％未満では結晶相の析出量が少なく、有効な曲げ強度が
得られず、２０重量％を越えるとガラスの軟化点が上昇
し、１０００℃以下の焼成では十分な焼結性が得られず
曲げ強度が低くなる。ＳｉＯ2 はアノーサイト及びウィ
レマイト、セルシアン、ＰｂＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ
2 の成分であってガラス形成の主成分でもある。３０重
量％未満では結晶相の析出量が少なく、４５重量％を越
えるとガラスの軟化点が上昇し、焼成温度が高くなりす
ぎる。ＺｎＯはガラスの軟化点、熔融温度を下げる目的
で使用と、さらにガーナイト及びウィレマイトの成分で
あって、析出する結晶量を増加させる効果がある。
・２ＳｉＯ2 の成分であって、２０重量％を越えると熱
膨張率がおおきくなる。ＢａＯはセルシアンの成分であ
って、２０重量％を越えて添加すると分相が起こる。ま
た、ＣａＯとＢａＯの少なくとも一方が２．５重量％以
上含まれていないと、全体としての結晶相の量が少な
く、曲げ強度の低下を招く。Ａｌ2 Ｏ3 はアノーサイト
及びガーナイト、セルシアンの成分であって、１０重量
％未満では結晶相の析出量が少なく、有効な曲げ強度が
得られず、２０重量％を越えるとガラスの軟化点が上昇
し、１０００℃以下の焼成では十分な焼結性が得られず
曲げ強度が低くなる。ＳｉＯ2 はアノーサイト及びウィ
レマイト、セルシアン、ＰｂＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ
2 の成分であってガラス形成の主成分でもある。３０重
量％未満では結晶相の析出量が少なく、４５重量％を越
えるとガラスの軟化点が上昇し、焼成温度が高くなりす
ぎる。ＺｎＯはガラスの軟化点、熔融温度を下げる目的
で使用と、さらにガーナイト及びウィレマイトの成分で
あって、析出する結晶量を増加させる効果がある。
【００１１】ガーナイト及びウィレマイトを析出させる
ためには最低２．５重量％は必要であり、２０重量％を
越えると分相を引き起こす。ＰｂＯはガラスの軟化点、
熔融温度を下げる目的で使用し、ＰｂＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ・
２ＳｉＯ2 の成分となる。また、ＰｂＯの量により、ア
ノーサイトの析出量及び析出温度が変化する。１０重量
％未満では軟化点が上昇し、焼成温度が高くなりすぎ
る。さらにアノーサイトの析出量も減少する。２５重量
％を越えると熱膨張率が大きくなる。Ｂ2 Ｏ3 はガラス
の軟化温度、熔融温度を下げる効果があるが、５重量％
を越えて添加すると、結晶化のバランスを崩し、結晶相
の析出量が低下する。Ｓｂ2 Ｏ3 は熔融温度を低下させ
る効果があり、１重量％を越えて添加してもその効果は
小さく、熱膨張率を上昇させる。
ためには最低２．５重量％は必要であり、２０重量％を
越えると分相を引き起こす。ＰｂＯはガラスの軟化点、
熔融温度を下げる目的で使用し、ＰｂＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ・
２ＳｉＯ2 の成分となる。また、ＰｂＯの量により、ア
ノーサイトの析出量及び析出温度が変化する。１０重量
％未満では軟化点が上昇し、焼成温度が高くなりすぎ
る。さらにアノーサイトの析出量も減少する。２５重量
％を越えると熱膨張率が大きくなる。Ｂ2 Ｏ3 はガラス
の軟化温度、熔融温度を下げる効果があるが、５重量％
を越えて添加すると、結晶化のバランスを崩し、結晶相
の析出量が低下する。Ｓｂ2 Ｏ3 は熔融温度を低下させ
る効果があり、１重量％を越えて添加してもその効果は
小さく、熱膨張率を上昇させる。
【００１２】上記組成のガラス粉末にフィラーとしてＡ
ｌ2 Ｏ3 粉末を加えることによって、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の
周囲にアノーサイト及びセルシアンの結晶を析出させる
ことができ、また析出量もガラス単体時より増大し、機
械的強度を向上させる。これは、添加したＡｌ2 Ｏ3 粉
末が焼成中に周囲のガラス中へ一部溶解し、残存したＡ
ｌ2 Ｏ3 粉末を核に結晶が成長するためであると考えら
れる。ただし、セルシアン結晶内にＡｌ2 Ｏ3 粉末を導
入する場合には、セルシアンの熱膨張率３．０×１０-6
／℃と、Ａｌ2 Ｏ3 の熱膨張率７．０×１０-6／℃との
差により、セルシアン結晶内に微細なクラックが発生
し、強度を低下させる場合があり注意が必要である。こ
の様な場合にはＡｌ2 Ｏ3 粉末を熱膨張率が４．５×１
０-6／℃であるＺｒＳｉＯ4 と一部置き換えることによ
って高い機械的強度を具備させることができる。これら
２つのフィラーの他に、ムライト等のフィラーを加えて
もよい。Ａｌ2 Ｏ3 粉末とＺｒＳｉＯ4 粉末を合わせて
５０重量％を越えると８００〜１０００℃での焼結が困
難となり、有効な曲げ強度が得られず、また、２０重量
％未満では曲げ強度の向上の効果が充分得られない。ま
た、Ａｌ2 Ｏ3 粉末が５重量％未満では析出する結晶量
が減少するため、有効な曲げ強度が得られない。
ｌ2 Ｏ3 粉末を加えることによって、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の
周囲にアノーサイト及びセルシアンの結晶を析出させる
ことができ、また析出量もガラス単体時より増大し、機
械的強度を向上させる。これは、添加したＡｌ2 Ｏ3 粉
末が焼成中に周囲のガラス中へ一部溶解し、残存したＡ
ｌ2 Ｏ3 粉末を核に結晶が成長するためであると考えら
れる。ただし、セルシアン結晶内にＡｌ2 Ｏ3 粉末を導
入する場合には、セルシアンの熱膨張率３．０×１０-6
／℃と、Ａｌ2 Ｏ3 の熱膨張率７．０×１０-6／℃との
差により、セルシアン結晶内に微細なクラックが発生
し、強度を低下させる場合があり注意が必要である。こ
の様な場合にはＡｌ2 Ｏ3 粉末を熱膨張率が４．５×１
０-6／℃であるＺｒＳｉＯ4 と一部置き換えることによ
って高い機械的強度を具備させることができる。これら
２つのフィラーの他に、ムライト等のフィラーを加えて
もよい。Ａｌ2 Ｏ3 粉末とＺｒＳｉＯ4 粉末を合わせて
５０重量％を越えると８００〜１０００℃での焼結が困
難となり、有効な曲げ強度が得られず、また、２０重量
％未満では曲げ強度の向上の効果が充分得られない。ま
た、Ａｌ2 Ｏ3 粉末が５重量％未満では析出する結晶量
が減少するため、有効な曲げ強度が得られない。
【００１３】本発明組成物を用いて基板を作るには、ま
ず該結晶化ガラスの所定の配合比となるように、Ｂａ
Ｏ、ＣａＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯ、ＰｂＯ、
Ｂ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 を秤量、混合する。原料として
は、上記酸化物の他に、炭酸塩や水酸化物の形態でもよ
い。この混合物を１３００〜１５００℃で熔融し、たと
えばローラークエンチ等を用いて急冷し、粉砕して該結
晶化ガラス粉末とする。さらに、ボールミル等を用いて
粒径を調製し、望ましくは平均粒径が１〜３μｍとなる
ように調製する。粒径の調製は、焼成時の焼成収縮や、
結晶の析出形態に大きく影響するので注意が必要であ
る。次に上記方法で調製した該結晶化ガラス粉末とＡｌ
2 Ｏ3 粉末、ＺｒＳｉＯ4 粉末を所定の割合になるよ
う、たとえばボールミル等を用いて混合し、これをプレ
ス法やテープキャスティング法、スリップキャスティン
グ法等の成形法を用いて成形し、８００〜１０００℃で
焼成する。焼成温度が８００〜１０００℃であることか
ら、グリーンシート多層法を用いて、内部に印刷抵抗や
コンデンサ等の機能部品を内蔵することも可能である。
ず該結晶化ガラスの所定の配合比となるように、Ｂａ
Ｏ、ＣａＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯ、ＰｂＯ、
Ｂ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 を秤量、混合する。原料として
は、上記酸化物の他に、炭酸塩や水酸化物の形態でもよ
い。この混合物を１３００〜１５００℃で熔融し、たと
えばローラークエンチ等を用いて急冷し、粉砕して該結
晶化ガラス粉末とする。さらに、ボールミル等を用いて
粒径を調製し、望ましくは平均粒径が１〜３μｍとなる
ように調製する。粒径の調製は、焼成時の焼成収縮や、
結晶の析出形態に大きく影響するので注意が必要であ
る。次に上記方法で調製した該結晶化ガラス粉末とＡｌ
2 Ｏ3 粉末、ＺｒＳｉＯ4 粉末を所定の割合になるよ
う、たとえばボールミル等を用いて混合し、これをプレ
ス法やテープキャスティング法、スリップキャスティン
グ法等の成形法を用いて成形し、８００〜１０００℃で
焼成する。焼成温度が８００〜１０００℃であることか
ら、グリーンシート多層法を用いて、内部に印刷抵抗や
コンデンサ等の機能部品を内蔵することも可能である。
【００１４】
【実施例】まず、ガラス粉末の調製に当り、後掲の表１
に示した組成になるように各原料を秤量し、１３００℃
〜１５００℃に加熱して熔融し、炭素板上に流しだし、
ガラス板とした。次にこのガラス板をボールミルを用
い、平均粒径１．５〜２．５μｍに調製した。上記方法
で調製したガラス粉末の特性を表２に示す。特性は、上
記ガラス粉末をプレス成形し、８００℃〜１０００℃で
熱処理した試料について、熱膨張係数、ガラス転移温
度、１０ｇ荷重時の屈伏温度を測定した。また、粉末Ｘ
線回折法により、析出する結晶相を同定した。
に示した組成になるように各原料を秤量し、１３００℃
〜１５００℃に加熱して熔融し、炭素板上に流しだし、
ガラス板とした。次にこのガラス板をボールミルを用
い、平均粒径１．５〜２．５μｍに調製した。上記方法
で調製したガラス粉末の特性を表２に示す。特性は、上
記ガラス粉末をプレス成形し、８００℃〜１０００℃で
熱処理した試料について、熱膨張係数、ガラス転移温
度、１０ｇ荷重時の屈伏温度を測定した。また、粉末Ｘ
線回折法により、析出する結晶相を同定した。
【００１５】次に、上記ガラス粉末とＡｌ2 Ｏ3 粉末、
ＺｒＳｉＯ4 粉末を表３に示した比率となるようにボー
ルミルを用いて混合し、低温焼成基板用組成物を得た。
なお、Ａｌ2 Ｏ3 粉末は平均粒径０．５〜１μｍ、Ｚｒ
ＳｉＯ4 粉末は平均粒径１〜２μｍ程度のものを用い
た。得られた低温焼成基板用組成物１００重量部に対し
てブチラール樹脂１０重量部、可塑剤としてフタル酸ジ
ブチル７０重量部、溶剤としてイソプロピルアルコール
５０重量部及びメチルエチルケトン５０重量部を加え、
４８時間ボールミル混合し、スラリーを作製し、ＰＥＴ
フィルム上にドクターブレード法によりグリーンシート
を作製し、このグリーンシート複数枚を１００ｋｇｆ／
ｃｍ2 、６０〜８０℃、５分の条件下で圧着し、所定の
大きさに外形を切断し、最高温度８００℃〜１０００
℃、最高温度保持時間２０分にて焼成した。上記製造法
により得た低温焼成基板についての特性を表４に示す。
特性は３点曲げ試験法による曲げ強度及び熱膨張係数を
測定した。表４から、本発明例は１０００℃以下の温度
で焼成でき、熱膨張係数が３．５×１０-6／℃から６．
５×１０-6／℃の間で選択でき、２０００ｋｇｆ／ｃｍ
2以上の曲げ強度を有する組成物であることがわかる。
ＺｒＳｉＯ4 粉末を表３に示した比率となるようにボー
ルミルを用いて混合し、低温焼成基板用組成物を得た。
なお、Ａｌ2 Ｏ3 粉末は平均粒径０．５〜１μｍ、Ｚｒ
ＳｉＯ4 粉末は平均粒径１〜２μｍ程度のものを用い
た。得られた低温焼成基板用組成物１００重量部に対し
てブチラール樹脂１０重量部、可塑剤としてフタル酸ジ
ブチル７０重量部、溶剤としてイソプロピルアルコール
５０重量部及びメチルエチルケトン５０重量部を加え、
４８時間ボールミル混合し、スラリーを作製し、ＰＥＴ
フィルム上にドクターブレード法によりグリーンシート
を作製し、このグリーンシート複数枚を１００ｋｇｆ／
ｃｍ2 、６０〜８０℃、５分の条件下で圧着し、所定の
大きさに外形を切断し、最高温度８００℃〜１０００
℃、最高温度保持時間２０分にて焼成した。上記製造法
により得た低温焼成基板についての特性を表４に示す。
特性は３点曲げ試験法による曲げ強度及び熱膨張係数を
測定した。表４から、本発明例は１０００℃以下の温度
で焼成でき、熱膨張係数が３．５×１０-6／℃から６．
５×１０-6／℃の間で選択でき、２０００ｋｇｆ／ｃｍ
2以上の曲げ強度を有する組成物であることがわかる。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【表３】
【００１９】
【表４】
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、１０００℃以下で焼成
が可能であるために、多層基板とした際の内部導体に電
気抵抗値の低いＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ等を用いることがで
き、実装する部品に合わせて熱膨張係数を選択でき、高
い曲げ強度を有する優れた低温焼成基板用組成物が得ら
れる。
が可能であるために、多層基板とした際の内部導体に電
気抵抗値の低いＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ等を用いることがで
き、実装する部品に合わせて熱膨張係数を選択でき、高
い曲げ強度を有する優れた低温焼成基板用組成物が得ら
れる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】
【表２】
Claims (1)
- 【請求項１】 ＢａＯまたはＣａＯの少なくとも一種を
２．５重量％以上含み、 ＢａＯ ０〜２０重量％ ＣａＯ ０〜２０重量％ Ａｌ2 Ｏ3 １０〜２０重量％ ＳｉＯ2 ２５〜４５重量％ ＺｎＯ ２．５〜２０重量％ ＰｂＯ １０〜２５重量％ Ｂ2 Ｏ3 ０〜５重量％ Ｓｂ2 Ｏ3 ０〜１重量％ からなる組成のガラス粉末５０〜８０重量％とＡｌ2 Ｏ
3 粉末５〜５０重量％とＺｒＳｉＯ4 粉末０〜４５重量
％からなることを特徴とする低温焼成基板用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35011292A JPH06171980A (ja) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | 低温焼成基板用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35011292A JPH06171980A (ja) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | 低温焼成基板用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06171980A true JPH06171980A (ja) | 1994-06-21 |
Family
ID=18408319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35011292A Pending JPH06171980A (ja) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | 低温焼成基板用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06171980A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011132554A1 (ja) * | 2010-04-22 | 2011-10-27 | 日本電気硝子株式会社 | 耐火性フィラー粉末、封着材料及び耐火性フィラー粉末の製造方法 |
-
1992
- 1992-12-04 JP JP35011292A patent/JPH06171980A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011132554A1 (ja) * | 2010-04-22 | 2011-10-27 | 日本電気硝子株式会社 | 耐火性フィラー粉末、封着材料及び耐火性フィラー粉末の製造方法 |
| JP2011225402A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 耐火性フィラー粉末、封着材料及び耐火性フィラー粉末の製造方法 |
| US8853111B2 (en) | 2010-04-22 | 2014-10-07 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Refractory filler powder, sealing material, and method for producing refractory filler powder |
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