JPH06169756A - 微小流路素子 - Google Patents
微小流路素子Info
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- G01N30/02—Column chromatography
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 充填材の不要な微小流路素子を提供する。
【構成】 流体を通過させ、分離することのできる微小
な素子であって、半導体基板の表面の１部が陽極化成さ
れて多孔質流路が形成されてなる微小流路素子。
な素子であって、半導体基板の表面の１部が陽極化成さ
れて多孔質流路が形成されてなる微小流路素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気体または液体等の流
体を通過させ、分離することのできる素子に関する。
体を通過させ、分離することのできる素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】流体の分離手段としては、従来よりクロ
マトグラフィー法が広く利用されてきた。
マトグラフィー法が広く利用されてきた。
【０００３】例えば、最近では、"Design of Open-tubu
lar Colum Liquid Chromatograph Using Silicon Chip
Technology"(Sensors and Actuators,1990,pp.249-255)
に半導体基板上に形成されたクロマトグラフィー素子を
具備するクロマトグラフ装置が開示されている。このよ
うな素子を使用することによって装置の小型化が可能に
なり、性能が安定した装置を量産することが可能にな
る。このようなクロマトグラフ装置においては流体が通
過する流路に多孔質微粒子を充填したり、ゲルを充填重
合するなどして装置の分離性能を挙げていた。
lar Colum Liquid Chromatograph Using Silicon Chip
Technology"(Sensors and Actuators,1990,pp.249-255)
に半導体基板上に形成されたクロマトグラフィー素子を
具備するクロマトグラフ装置が開示されている。このよ
うな素子を使用することによって装置の小型化が可能に
なり、性能が安定した装置を量産することが可能にな
る。このようなクロマトグラフ装置においては流体が通
過する流路に多孔質微粒子を充填したり、ゲルを充填重
合するなどして装置の分離性能を挙げていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
基板上に形成される素子においては、流体が通過する流
路が非常に細く、例えば、前出の装置の場合は流路径が
１０μｍ以下である。このような、流路内に充填材を均
一且つ密に分散させて充填することは非常に困難であっ
た。
基板上に形成される素子においては、流体が通過する流
路が非常に細く、例えば、前出の装置の場合は流路径が
１０μｍ以下である。このような、流路内に充填材を均
一且つ密に分散させて充填することは非常に困難であっ
た。
【０００５】従って、従来技術に鑑み、本発明は、充填
材を必要とせずに、充分な分離能が得られる微小な流路
素子を提供することを目的とする。
材を必要とせずに、充分な分離能が得られる微小な流路
素子を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、流体を通過させ、分離することのできる微小な素
子であって、半導体基板の表面の１部が陽極化成されて
多孔質流路が形成されてなる微小流路素子である。
明は、流体を通過させ、分離することのできる微小な素
子であって、半導体基板の表面の１部が陽極化成されて
多孔質流路が形成されてなる微小流路素子である。
【０００７】また、本発明は、多孔質流路が、流路方向
に連続的につながった空洞を有することを含むものであ
る。
に連続的につながった空洞を有することを含むものであ
る。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】本発明における流体とは、気体または液体
を指し、ここで液体とは微小粒子を含む液体も含むもの
とする。
を指し、ここで液体とは微小粒子を含む液体も含むもの
とする。
【００１０】また、「微小な」とは、流路径が数ｍｍ以
下、好ましくは数１００μｍ以下のものを指し、流路長
は限定されるものではないが、流路径より長く、１つの
素子につき１０μｍ〜１０ｍが好ましい。
下、好ましくは数１００μｍ以下のものを指し、流路長
は限定されるものではないが、流路径より長く、１つの
素子につき１０μｍ〜１０ｍが好ましい。
【００１１】半導体基板としては、陽極化成によって、
多孔質が形成され得るものであればよく、通常半導体基
板として使用されるシリコン基板、アルミニウム、イリ
ジウム等が使用できるが、半導体プロセスで加工できる
点からシリコン基板が特に好ましい。
多孔質が形成され得るものであればよく、通常半導体基
板として使用されるシリコン基板、アルミニウム、イリ
ジウム等が使用できるが、半導体プロセスで加工できる
点からシリコン基板が特に好ましい。
【００１２】陽極化成は、フッ化水素酸溶液、フッ化水
素酸にエチルアルコールを混合した溶液等の溶液中に、
予め所望のパターンにマスキングした基板を浸し、基板
のマスキング面近傍に配した白金電極を陰極とし、基板
のマスキング面とは反対の面を陽極に接続し、電圧を印
加することにより実施する。その結果、マスキング面の
非マスキング部が多孔質層を形成する。溶液の濃度は５
〜５０ｖｏｌ．％、溶液温度５〜７０℃、陽極電流密度
５〜３００ｍＡ／ｃｍ2とすることが好ましい。
素酸にエチルアルコールを混合した溶液等の溶液中に、
予め所望のパターンにマスキングした基板を浸し、基板
のマスキング面近傍に配した白金電極を陰極とし、基板
のマスキング面とは反対の面を陽極に接続し、電圧を印
加することにより実施する。その結果、マスキング面の
非マスキング部が多孔質層を形成する。溶液の濃度は５
〜５０ｖｏｌ．％、溶液温度５〜７０℃、陽極電流密度
５〜３００ｍＡ／ｃｍ2とすることが好ましい。
【００１３】続いて、８００〜１０００℃で高温処理す
ることにより、多孔質の孔径、孔の枝を広げて、流路方
向に空洞が連続的につながりを持ち、スポンジのように
泡がつながる状態をつくりだし（以下、連続気泡化とい
う）、多孔質流路を形成する。
ることにより、多孔質の孔径、孔の枝を広げて、流路方
向に空洞が連続的につながりを持ち、スポンジのように
泡がつながる状態をつくりだし（以下、連続気泡化とい
う）、多孔質流路を形成する。
【００１４】多孔質流路は、直線状、曲線状、螺旋状等
の任意の形状でよく、多孔度は１０〜９０％程度が好ま
しい。
の任意の形状でよく、多孔度は１０〜９０％程度が好ま
しい。
【００１５】本発明の微小流路素子は、微細加工技術に
より製造されるものであるが、１連の半導体プロセスを
利用して、精度良く大量に製造することができ、更に、
搬送、検出等の制御用ＩＣを該素子内に作り込むことが
可能となる。
より製造されるものであるが、１連の半導体プロセスを
利用して、精度良く大量に製造することができ、更に、
搬送、検出等の制御用ＩＣを該素子内に作り込むことが
可能となる。
【００１６】本発明の微小流路素子は、気体、液体の流
速の差を利用した分離はもとより、固気分離、固液分
離、更には、吸着性を利用して、酵素反応に応用するこ
ともできる。
速の差を利用した分離はもとより、固気分離、固液分
離、更には、吸着性を利用して、酵素反応に応用するこ
ともできる。
【００１７】酵素反応に応用する例としては、多孔質流
路に酵素を固定化して、各種の反応を実施する態様、例
えば、酵素インベルターゼを多孔質流路に固定してショ
糖の加水分解反応を行わせたり、ウリカーゼを多孔質流
路に固定して、血清中の尿酸の量を調べること等ができ
る。酵素を多孔質流路に固定することによって反応液が
汚染されない、酵素の繰り返し利用が可能である等の利
点がある。
路に酵素を固定化して、各種の反応を実施する態様、例
えば、酵素インベルターゼを多孔質流路に固定してショ
糖の加水分解反応を行わせたり、ウリカーゼを多孔質流
路に固定して、血清中の尿酸の量を調べること等ができ
る。酵素を多孔質流路に固定することによって反応液が
汚染されない、酵素の繰り返し利用が可能である等の利
点がある。
【００１８】また、例えば生化学６４巻２号（１９９
２）ｐ１１３に示されているように電気泳動クロマトグ
ラフィーにおいては多波長吸光検出器、蛍光検出器等を
備えたキャピラリーの上で検出を行うイオンカラム検出
がよく行われている。この場合、入射光、反射光または
蛍光が透過するようにセルの検出部が透明である方がよ
い。また、セルの光の透過部の形状に関しても平面であ
る方が光の利用効率がよい。
２）ｐ１１３に示されているように電気泳動クロマトグ
ラフィーにおいては多波長吸光検出器、蛍光検出器等を
備えたキャピラリーの上で検出を行うイオンカラム検出
がよく行われている。この場合、入射光、反射光または
蛍光が透過するようにセルの検出部が透明である方がよ
い。また、セルの光の透過部の形状に関しても平面であ
る方が光の利用効率がよい。
【００１９】このような場合には、以下のようにして素
子を作製することもよい方法である。シリコン基板の表
面に前出の方法で深さ８０μｍの多孔質流路を作製す
る。このシリコン基板と、ガラスとを接合した後にシリ
コン側よりシリコンの厚さが２０μｍになるまで、グラ
インダ等により研磨する。その後シリコン面と別のガラ
スとを接合することにより上下両面とも透明な素子を作
製することができる。
子を作製することもよい方法である。シリコン基板の表
面に前出の方法で深さ８０μｍの多孔質流路を作製す
る。このシリコン基板と、ガラスとを接合した後にシリ
コン側よりシリコンの厚さが２０μｍになるまで、グラ
インダ等により研磨する。その後シリコン面と別のガラ
スとを接合することにより上下両面とも透明な素子を作
製することができる。
【００２０】測定する物質により最適な孔径が異なるの
で基板の選定（ドーパントの種類、濃度）、陽極化成時
の電極配置、電流、高温処理の温度、時間等の設定によ
りその測定物質に適当な孔形状を得ることができる。
で基板の選定（ドーパントの種類、濃度）、陽極化成時
の電極配置、電流、高温処理の温度、時間等の設定によ
りその測定物質に適当な孔形状を得ることができる。
【００２１】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００２２】実施例１ 図１は、本発明の微小流路素子の製造工程例を示す工程
図である。
図である。
【００２３】まず、パイレックスガラスをＮａＯＨ溶液
に入れ、溶液中に２本の電極を差し込み５０Ｖの電圧を
印加しながらマイナス電極をパイレックスガラスに接触
させて、直径０．５ｍｍの孔を２箇所に形成し、それぞ
れ流入口１１、流出口１２とした。同図（Ａ）に、流体
の流入口１１、流出口１２を形成したパイレックスガラ
ス１０を示した。
に入れ、溶液中に２本の電極を差し込み５０Ｖの電圧を
印加しながらマイナス電極をパイレックスガラスに接触
させて、直径０．５ｍｍの孔を２箇所に形成し、それぞ
れ流入口１１、流出口１２とした。同図（Ａ）に、流体
の流入口１１、流出口１２を形成したパイレックスガラ
ス１０を示した。
【００２４】一方、抵抗率が０．００１〜１００Ωｃｍ
程度のｐ型単結晶シリコン基板２０の表面上に、作製す
る流路に対応する表面部分を残してマスキングをした
後、濃度２５vol.％のフッ化水素酸（ＨＦ）溶液中に浸
した。溶液中のシリコン基板２０の該マスキング面付近
に白金電極を配置し、これを陰極とし、シリコン基板２
０の裏面を陽極に接続した。陽極電流密度２０ｍＡ／ｃ
ｍ2、溶液温度２５℃で、陽極化成を行い、シリコン基
板表面上の長さ３ｍｍ、幅５０μｍの直線状の非マスキ
ング部に、表面からの深さ３０μｍまで、多孔質部分を
形成した。更に、８５０℃で、６０分間高温処理し、多
孔質の孔径及び孔の枝を広げて連続気泡化し、多孔質流
路２１を得た。同図（Ｂ）に表面に多孔質流路２１を形
成したシリコン基板２０を示す。
程度のｐ型単結晶シリコン基板２０の表面上に、作製す
る流路に対応する表面部分を残してマスキングをした
後、濃度２５vol.％のフッ化水素酸（ＨＦ）溶液中に浸
した。溶液中のシリコン基板２０の該マスキング面付近
に白金電極を配置し、これを陰極とし、シリコン基板２
０の裏面を陽極に接続した。陽極電流密度２０ｍＡ／ｃ
ｍ2、溶液温度２５℃で、陽極化成を行い、シリコン基
板表面上の長さ３ｍｍ、幅５０μｍの直線状の非マスキ
ング部に、表面からの深さ３０μｍまで、多孔質部分を
形成した。更に、８５０℃で、６０分間高温処理し、多
孔質の孔径及び孔の枝を広げて連続気泡化し、多孔質流
路２１を得た。同図（Ｂ）に表面に多孔質流路２１を形
成したシリコン基板２０を示す。
【００２５】次に、前記パイレックスガラス１０をシリ
コン基板２０の流路が形成された面に、流入口及び流出
口と流路とを対応させて重ねて４００℃のヒーター上に
置き、２００Ｖの電圧を印加して陽極接合を行った。同
図（Ｃ）に作製した微小流路素子３０を示す。
コン基板２０の流路が形成された面に、流入口及び流出
口と流路とを対応させて重ねて４００℃のヒーター上に
置き、２００Ｖの電圧を印加して陽極接合を行った。同
図（Ｃ）に作製した微小流路素子３０を示す。
【００２６】上記のごとく作製した微小流路素子３０の
流入口１１からスチレン微粒子と水との混合液を注入し
た。この混合液は、水に１μｍ径のスチレン微粒子を濃
度が１ｎｍｏｌになるように混合したものである。
流入口１１からスチレン微粒子と水との混合液を注入し
た。この混合液は、水に１μｍ径のスチレン微粒子を濃
度が１ｎｍｏｌになるように混合したものである。
【００２７】注入された混合液の成分の内、水は毛細管
現象により、多孔質流路２１を経て流出口１２より流出
したが、スチレン微粒子は多孔質流路２１がフィルター
となり、流入口１１に取り残され、水と微粒子とが分離
された。
現象により、多孔質流路２１を経て流出口１２より流出
したが、スチレン微粒子は多孔質流路２１がフィルター
となり、流入口１１に取り残され、水と微粒子とが分離
された。
【００２８】尚、本態様の素子により、不要細胞の除去
等も可能である。
等も可能である。
【００２９】実施例２ 次に、本発明微小流路素子を液体クロマトグラフフィー
に応用した例を示す。図２は本実施例により作製した微
小流路素子４０の構成を示す模式図である。厚さ１．０
ｍｍの感光性ガラス（商品名：ＰＥＧ３、ＨＯＹＡ株式
会社製）４１に流入口、流出口のパターンを描いたマス
クを載せ、エッチングを容易にするために、紫外線露光
によりエッチングする部分を結晶化させた。再露光の
後、裏面まで達するようにエッチングを行い、口径１ｍ
ｍの流入口４２及び流出口４３をそれぞれ形成した。
に応用した例を示す。図２は本実施例により作製した微
小流路素子４０の構成を示す模式図である。厚さ１．０
ｍｍの感光性ガラス（商品名：ＰＥＧ３、ＨＯＹＡ株式
会社製）４１に流入口、流出口のパターンを描いたマス
クを載せ、エッチングを容易にするために、紫外線露光
によりエッチングする部分を結晶化させた。再露光の
後、裏面まで達するようにエッチングを行い、口径１ｍ
ｍの流入口４２及び流出口４３をそれぞれ形成した。
【００３０】シリコン基板４４の表面上に前記流入口４
２及び流出口４３に対応して、螺旋上の多孔質流路４５
を以下の要領で形成した。まず、ｐ型シリコン基板４４
表面に流路パターンに対応する部分を残してｎ型薄層を
形成した。ｎ型薄層は、熱酸化によりＳｉＯ2層を形成
した後に、イオン注入法により形成してもよく、また気
相拡散法、エピタキシャル法等により形成してもよい。
その後、濃度４９vol.％のフッ化水素酸（ＨＦ）とエチ
ルアルコールとを１：１に混合した溶液中に浸し、溶液
中のシリコン基板４４の該マスキング面付近に白金電極
を配置し、これを陰極とし、シリコン基板４４の表裏の
溶液を分離して裏面を溶液を介して陽極に接続した。陽
極電流密度３０ｍＡ／ｃｍ2、溶液温度３０℃で、陽極
化成を行った。ｎ型層とｐ型層との陽極化成速度の差を
利用して、ｐ型層部分のみを多孔質化した。更に、１０
００℃の高温処理を４０分間実施し、多孔質の孔径及び
孔の枝を広げて連続気泡化し、螺旋状の多孔質流路４５
を形成した。
２及び流出口４３に対応して、螺旋上の多孔質流路４５
を以下の要領で形成した。まず、ｐ型シリコン基板４４
表面に流路パターンに対応する部分を残してｎ型薄層を
形成した。ｎ型薄層は、熱酸化によりＳｉＯ2層を形成
した後に、イオン注入法により形成してもよく、また気
相拡散法、エピタキシャル法等により形成してもよい。
その後、濃度４９vol.％のフッ化水素酸（ＨＦ）とエチ
ルアルコールとを１：１に混合した溶液中に浸し、溶液
中のシリコン基板４４の該マスキング面付近に白金電極
を配置し、これを陰極とし、シリコン基板４４の表裏の
溶液を分離して裏面を溶液を介して陽極に接続した。陽
極電流密度３０ｍＡ／ｃｍ2、溶液温度３０℃で、陽極
化成を行った。ｎ型層とｐ型層との陽極化成速度の差を
利用して、ｐ型層部分のみを多孔質化した。更に、１０
００℃の高温処理を４０分間実施し、多孔質の孔径及び
孔の枝を広げて連続気泡化し、螺旋状の多孔質流路４５
を形成した。
【００３１】次に、前記感光性ガラス４１を、シリコン
基板４４の多孔質流路４５を形成した面に重ね合わせ
て、ＣＯ2レーザーをシリコン基板４４側から照射しな
がら、ガラスと基板との間に１ｋＶの電圧を印加して陽
極接合を行い微小流路素子４０を得た。このように、光
を照射しながら接合を行うことにより、接合時の加熱温
度を低く抑えることができるので、多孔質の孔径または
孔の枝等の変化を防止することができる。
基板４４の多孔質流路４５を形成した面に重ね合わせ
て、ＣＯ2レーザーをシリコン基板４４側から照射しな
がら、ガラスと基板との間に１ｋＶの電圧を印加して陽
極接合を行い微小流路素子４０を得た。このように、光
を照射しながら接合を行うことにより、接合時の加熱温
度を低く抑えることができるので、多孔質の孔径または
孔の枝等の変化を防止することができる。
【００３２】上記のごとく作製した微小流路素子４０の
流入口４２からポリエチレングリコール（分子量１００
０）とテトラエチレングリコール（分子量２４２）との
混合溶液を流入して、不図示のキャピラリーを接続し
て、不図示のポンプに連結した。ポンプにより、流入口
４２に圧力をかけて混合溶液を多孔質流路４５に送り込
んだ。混合溶液は多孔質流路４５を通過する間に多孔質
流路により分離作用を受けて流出口４３に到達した。流
出口４３には不図示のキャピラリーが接続されており、
流出口４３に到達した溶液はキャピラリーを通過して不
図示の示差屈折率検出器により同定された。
流入口４２からポリエチレングリコール（分子量１００
０）とテトラエチレングリコール（分子量２４２）との
混合溶液を流入して、不図示のキャピラリーを接続し
て、不図示のポンプに連結した。ポンプにより、流入口
４２に圧力をかけて混合溶液を多孔質流路４５に送り込
んだ。混合溶液は多孔質流路４５を通過する間に多孔質
流路により分離作用を受けて流出口４３に到達した。流
出口４３には不図示のキャピラリーが接続されており、
流出口４３に到達した溶液はキャピラリーを通過して不
図示の示差屈折率検出器により同定された。
【００３３】屈折率測定の結果、ポリエチレングリコー
ルとテトラエチレングリコールの溶離時間の差に基づい
た２本の明瞭な出力信号ピークを得ることができた。
ルとテトラエチレングリコールの溶離時間の差に基づい
た２本の明瞭な出力信号ピークを得ることができた。
【００３４】尚、本実施例では、疎水性の多孔質シリコ
ンにより逆層クロマトグラフィーとしたが、多孔質流路
を熱酸化することにより、親水化して利用することも可
能である。
ンにより逆層クロマトグラフィーとしたが、多孔質流路
を熱酸化することにより、親水化して利用することも可
能である。
【００３５】また、上記２つの実施例では、シリコン基
板に流路を作製し、ガラスを接合して微小流路素子を陽
極接合により作製したが、これに限らず一般の接着剤に
より接合しても構わない。また、多孔質シリコンの上に
単結晶シリコンの成膜が可能なことを利用して流路を作
製したシリコン基板の上に単結晶シリコンを成膜して蓋
を作製してもよい。この場合には、陽極接合が不要とな
り、１枚のシリコン基板のみにより微小流路素子を作製
することができる。
板に流路を作製し、ガラスを接合して微小流路素子を陽
極接合により作製したが、これに限らず一般の接着剤に
より接合しても構わない。また、多孔質シリコンの上に
単結晶シリコンの成膜が可能なことを利用して流路を作
製したシリコン基板の上に単結晶シリコンを成膜して蓋
を作製してもよい。この場合には、陽極接合が不要とな
り、１枚のシリコン基板のみにより微小流路素子を作製
することができる。
【００３６】また、上記２つの実施例では、それぞれ固
液分離、液液分離を例示したが、上記態様の素子は、実
施例に限定されず、ガスクロマトグラフィー等の気体の
分離にも利用できる。
液分離、液液分離を例示したが、上記態様の素子は、実
施例に限定されず、ガスクロマトグラフィー等の気体の
分離にも利用できる。
【００３７】また、本発明にかかる多孔質流路は、従来
の微小流路と組み合わせて使用することも可能である。
の微小流路と組み合わせて使用することも可能である。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、充填材を必要とせず
に、充分な分離能が得られる微小な流路素子を提供する
ことができる。
に、充分な分離能が得られる微小な流路素子を提供する
ことができる。
【００３９】また、１連の半導体プロセスを利用できる
ので、流体を通過させ、分離することのできる微小な素
子を精度良く、大量に生産することができる。
ので、流体を通過させ、分離することのできる微小な素
子を精度良く、大量に生産することができる。
【図１】本発明の微小流路素子の製造工程の１例を示す
工程図である。
工程図である。
【図２】本発明の微小流路素子の他の態様を示す斜視図
である。
である。
１０ パイレックスガラス １１ 流入口 １２ 流出口 ２０ シリコン基板 ２１ 多孔質流路 ３０ 微小流路素子 ４０ 微小流路素子 ４１ 感光性ガラス ４２ 流入口 ４３ 流出口 ４４ シリコン基板 ４５ 多孔質流路
Claims (2)
- 【請求項１】 流体を通過させ、分離することのできる
微小な素子であって、半導体基板の表面の１部が陽極化
成されて多孔質流路が形成されてなる微小流路素子。 - 【請求項２】 多孔質流路が、流路方向に連続的につな
がった空洞を有する請求項１に記載の微小流路素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32811992A JP3402635B2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 微小流路素子 |
| US08/160,857 US5482598A (en) | 1992-12-08 | 1993-12-03 | Micro channel element and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32811992A JP3402635B2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 微小流路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06169756A true JPH06169756A (ja) | 1994-06-21 |
| JP3402635B2 JP3402635B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=18206697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32811992A Expired - Fee Related JP3402635B2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 微小流路素子 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5482598A (ja) |
| JP (1) | JP3402635B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996020401A1 (fr) * | 1994-12-26 | 1996-07-04 | Kabushiki Kaisya Advance | Dispositif de chromatographie a canal poreux |
| US6733648B2 (en) * | 2001-12-18 | 2004-05-11 | Hitachi, Ltd. | Electrophoresis chip |
| JP2006292636A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Kyoto Univ | マイクロカラムアレイシステム及びマイクロチャネル粒子構造体 |
| US7357864B2 (en) | 2003-03-11 | 2008-04-15 | Kawamura Institute Of Chemical Research | Microfluidic device |
| JP2009291758A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Sharp Corp | マイクロ流体デバイスおよびその製造方法 |
| JP2010041973A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-02-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 酵素−シリカ系ナノ空孔材料複合体担持マイクロリアクター及びその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5948697A (en) * | 1996-05-23 | 1999-09-07 | Lsi Logic Corporation | Catalytic acceleration and electrical bias control of CMP processing |
| JPH10282130A (ja) * | 1997-04-01 | 1998-10-23 | Canon Inc | プローブとそれを用いた走査型プローブ顕微鏡 |
| US6103590A (en) * | 1997-12-12 | 2000-08-15 | Texas Instruments Incorporated | SiC patterning of porous silicon |
| EP1124939B1 (en) | 1998-10-08 | 2003-04-23 | AstraZeneca AB | Microfabricated cell injector |
| US6762057B1 (en) * | 1998-10-23 | 2004-07-13 | Micron Technology, Inc. | Separation apparatus including porous silicon column |
| US7115422B1 (en) * | 1998-10-23 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Separation apparatus including porous silicon column |
| JP3858537B2 (ja) * | 1999-11-02 | 2006-12-13 | 富士ゼロックス株式会社 | 基板接合方法、接合体、インクジェットヘッド、および画像形成装置 |
| DE10103399A1 (de) * | 2001-01-26 | 2002-08-22 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
| US20030178641A1 (en) * | 2002-01-23 | 2003-09-25 | Blair Steven M. | Microfluidic platforms for use with specific binding assays, specific binding assays that employ microfluidics, and methods |
| US20080044939A1 (en) * | 2002-01-24 | 2008-02-21 | Nassiopoulou Androula G | Low power silicon thermal sensors and microfluidic devices based on the use of porous sealed air cavity technology or microchannel technology |
| GR1004106B (el) * | 2002-01-24 | 2003-01-13 | Εκεφε "Δημοκριτος" Ινστιτουτο Μικροηλεκτρονικης | Ολοκληρωμενοι θερμικοι αισθητηρες πυριτιου χαμηλης ισχυος και διαταξεις μικρο-ροης βασισμενοι στην χρηση τεχνολογιας κοιλοτητας αερα σφραγισμενης με μεμβρανη πορωδους πυριτιου ή τεχνολογιας μικρο-καναλιων |
| US20050032238A1 (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-10 | Nanostream, Inc. | Vented microfluidic separation devices and methods |
| EP1966605A1 (en) * | 2005-12-12 | 2008-09-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Substrate material for analyzing fluids |
| JP5196304B2 (ja) | 2008-07-29 | 2013-05-15 | 大日本印刷株式会社 | エマルジョン形成用マイクロチップおよびその製造方法 |
| EP2572788B1 (en) * | 2011-09-23 | 2015-03-18 | Imec | Method and device for thermal insulation of micro-reactors |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1138401A (en) * | 1965-05-06 | 1969-01-01 | Mallory & Co Inc P R | Bonding |
| US3640806A (en) * | 1970-01-05 | 1972-02-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Semiconductor device and method of producing the same |
| JPS6027179B2 (ja) * | 1975-11-05 | 1985-06-27 | 日本電気株式会社 | 多孔質シリコンの形成方法 |
| US5139624A (en) * | 1990-12-06 | 1992-08-18 | Sri International | Method for making porous semiconductor membranes |
-
1992
- 1992-12-08 JP JP32811992A patent/JP3402635B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-12-03 US US08/160,857 patent/US5482598A/en not_active Expired - Lifetime
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| WO1996020401A1 (fr) * | 1994-12-26 | 1996-07-04 | Kabushiki Kaisya Advance | Dispositif de chromatographie a canal poreux |
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| US7357864B2 (en) | 2003-03-11 | 2008-04-15 | Kawamura Institute Of Chemical Research | Microfluidic device |
| JP2006292636A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Kyoto Univ | マイクロカラムアレイシステム及びマイクロチャネル粒子構造体 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5482598A (en) | 1996-01-09 |
| JP3402635B2 (ja) | 2003-05-06 |
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