JPH06168996A - 拡散層のシート抵抗率の測定方法 - Google Patents
拡散層のシート抵抗率の測定方法Info
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- JPH06168996A JPH06168996A JP5206811A JP20681193A JPH06168996A JP H06168996 A JPH06168996 A JP H06168996A JP 5206811 A JP5206811 A JP 5206811A JP 20681193 A JP20681193 A JP 20681193A JP H06168996 A JPH06168996 A JP H06168996A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 連続する製造バッチに使用される標準ウエハ
の数を減少でき、現在使用している装置と異なる装置を
導入することのない拡散層のシート抵抗率の測定方法を
提供する。 【構成】 ドーピング及び拡散工程にさらされる各ウエ
ハバッチ内に、試験すべき層より実質的に低いドーピン
グレベルに及び／又は試験すべき層の導電型と逆の導電
型に初期的にドープされており同じ工程を受ける少なく
とも１つの標準ウエハを挿入し、各標準ウエハの複数の
領域における拡散層のシート抵抗率を測定するシート抵
抗率測定方法である。ドーピング及び拡散動作が測定が
次々に行われる各領域の一部分についてのみ実施される
ように、各ドーピング及び拡散工程の前に、標準ウエハ
の各測定領域内にウィンドウが開口される。
の数を減少でき、現在使用している装置と異なる装置を
導入することのない拡散層のシート抵抗率の測定方法を
提供する。 【構成】 ドーピング及び拡散工程にさらされる各ウエ
ハバッチ内に、試験すべき層より実質的に低いドーピン
グレベルに及び／又は試験すべき層の導電型と逆の導電
型に初期的にドープされており同じ工程を受ける少なく
とも１つの標準ウエハを挿入し、各標準ウエハの複数の
領域における拡散層のシート抵抗率を測定するシート抵
抗率測定方法である。ドーピング及び拡散動作が測定が
次々に行われる各領域の一部分についてのみ実施される
ように、各ドーピング及び拡散工程の前に、標準ウエハ
の各測定領域内にウィンドウが開口される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体部品の製造、よ
り特定的には集積回路の製造における拡散層のシート抵
抗率の測定方法に関する。
り特定的には集積回路の製造における拡散層のシート抵
抗率の測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の部品の製造には、通常はシリコ
ンであるが例えばガリウムひ素でもあり得る半導体材料
からなるウエハを用いることが含まれており、そこでは
種々のＮ型又はＰ型領域を提供するために種々の連続す
るマスキング及びドーピング工程が実施される。
ンであるが例えばガリウムひ素でもあり得る半導体材料
からなるウエハを用いることが含まれており、そこでは
種々のＮ型又はＰ型領域を提供するために種々の連続す
るマスキング及びドーピング工程が実施される。
【０００３】この種の工程は、極めて重要なものであり
かつ多数のパラメータの関数として変化可能である。そ
れゆえ、製造中は、製造工程において起こり得るあらゆ
る逸脱を検出するべく、形成されたＮ型又はＰ型領域の
各々の物理的特性のチェックを行わなければならない。
かつ多数のパラメータの関数として変化可能である。そ
れゆえ、製造中は、製造工程において起こり得るあらゆ
る逸脱を検出するべく、形成されたＮ型又はＰ型領域の
各々の物理的特性のチェックを行わなければならない。
【０００４】ドーピング工程は、通常、ドーパント打込
み工程及び／又は拡散前工程とその後に拡散炉内で行わ
れるドーパント拡散工程とを含んでいる。この拡散工程
は、多数のウエハ例えば２００個のウエハが炉内の２５
〜５０個のウエハをそれぞれ含むボート内に同時に載置
された状態で実行される。チェックを行うために、同一
の初期工程にさらされる標準ウエハが、異なる層で占有
される領域が適切に局在している部品ウエハと同時に、
拡散炉に置かれる。次いで、シート抵抗率（表面抵抗率
又は平方当りの抵抗とも称される）が、従来からの四探
針法（Ｌ．Ｂ．Ｖａｌｄｅｓ、「トランジスタ用ゲルマ
ニウムの抵抗率測定」、Ｐｒｏｃ．ＩＲＥ、１９５４年
２月、第４２０〜４２７頁参照）によって測定される。
この抵抗率は、その厚みで割られた層の平均抵抗率に等
しく、平方毎のΩで表される。
み工程及び／又は拡散前工程とその後に拡散炉内で行わ
れるドーパント拡散工程とを含んでいる。この拡散工程
は、多数のウエハ例えば２００個のウエハが炉内の２５
〜５０個のウエハをそれぞれ含むボート内に同時に載置
された状態で実行される。チェックを行うために、同一
の初期工程にさらされる標準ウエハが、異なる層で占有
される領域が適切に局在している部品ウエハと同時に、
拡散炉に置かれる。次いで、シート抵抗率（表面抵抗率
又は平方当りの抵抗とも称される）が、従来からの四探
針法（Ｌ．Ｂ．Ｖａｌｄｅｓ、「トランジスタ用ゲルマ
ニウムの抵抗率測定」、Ｐｒｏｃ．ＩＲＥ、１９５４年
２月、第４２０〜４２７頁参照）によって測定される。
この抵抗率は、その厚みで割られた層の平均抵抗率に等
しく、平方毎のΩで表される。
【０００５】従来のこの種の測定装置は、市販装置にお
いてはある数学的表現を単純化した１／２πｃｍに、即
ち１．５９ｍｍにしばしば等しく設定される、任意の距
離だけ離れた４つの探針を備えている。２つの探針（通
常、最も外側の２つの探針）間に電流Ｉが流され、他の
探針間の電圧Ｖが測定される。これによりシート抵抗率
は、ＫＶ／Ｉに等しくなる。ここで、Ｋはその試料の形
状に従う係数である。試料が無限平面の表面でありかつ
電流が最も外側の２つの探針を介して供給された場合、
Ｋは一般にπ／Ｌｎ２＝４．５３に等しくなる。１００
ｍｍの直径を有するウエハは探針間の１．５９ｍｍの距
離に対して無限平面であるとみなされるので、上述のケ
ースはウエハの中央で行われる測定にかなり近似してい
る。ウエハの端縁に近い部分で測定が行われた場合、適
切な修正係数を計算して適用しなければならない（Ｄａ
ｖｉｄ Ｓ．Ｐｅｒｌｏｆｆ、「ドープされた大直径の
半導体ウエハ測定用の四探針修正係数」、Ｊ．Ｅ．Ｃ．
Ｓ．、１９７６年１１月参照）。
いてはある数学的表現を単純化した１／２πｃｍに、即
ち１．５９ｍｍにしばしば等しく設定される、任意の距
離だけ離れた４つの探針を備えている。２つの探針（通
常、最も外側の２つの探針）間に電流Ｉが流され、他の
探針間の電圧Ｖが測定される。これによりシート抵抗率
は、ＫＶ／Ｉに等しくなる。ここで、Ｋはその試料の形
状に従う係数である。試料が無限平面の表面でありかつ
電流が最も外側の２つの探針を介して供給された場合、
Ｋは一般にπ／Ｌｎ２＝４．５３に等しくなる。１００
ｍｍの直径を有するウエハは探針間の１．５９ｍｍの距
離に対して無限平面であるとみなされるので、上述のケ
ースはウエハの中央で行われる測定にかなり近似してい
る。ウエハの端縁に近い部分で測定が行われた場合、適
切な修正係数を計算して適用しなければならない（Ｄａ
ｖｉｄ Ｓ．Ｐｅｒｌｏｆｆ、「ドープされた大直径の
半導体ウエハ測定用の四探針修正係数」、Ｊ．Ｅ．Ｃ．
Ｓ．、１９７６年１１月参照）。
【０００６】従来のシステムは、コンピュータ及び測定
装置に結合しており標準ウエハについての作図を行うと
共に同じシート抵抗率を有する点を結ぶ曲線を描くこと
ができるｘ−ｙ可動テーブルを含んでいる。この種のシ
ステムは、拡散層のシート抵抗率の値及びこの抵抗率の
均一性を高い精度で提供する。このシステムは、製造工
程の開始段階又は高度なチェック工程においてのみ用い
られる。
装置に結合しており標準ウエハについての作図を行うと
共に同じシート抵抗率を有する点を結ぶ曲線を描くこと
ができるｘ−ｙ可動テーブルを含んでいる。この種のシ
ステムは、拡散層のシート抵抗率の値及びこの抵抗率の
均一性を高い精度で提供する。このシステムは、製造工
程の開始段階又は高度なチェック工程においてのみ用い
られる。
【０００７】最近の製造チェック工程では、ウエハ上で
の５点測定のみ、即ちウエハの中央での１回の測定と４
つの象限におけるウエハの周辺での４回の測定とのみが
行われている。この測定は、自動測定、結果の表示、差
の平均値、及び５点測定領域への探針の自動配置を得る
ために、適切な修正係数を用い、多少は自動化された装
置を用いることによって行われる。
の５点測定のみ、即ちウエハの中央での１回の測定と４
つの象限におけるウエハの周辺での４回の測定とのみが
行われている。この測定は、自動測定、結果の表示、差
の平均値、及び５点測定領域への探針の自動配置を得る
ために、適切な修正係数を用い、多少は自動化された装
置を用いることによって行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】これらチェック工程
は、上述したように、ウエハ表面全体に拡散がなされた
標準ウエハを用いて行われる。ウエハバッチの拡散工程
をモニタするために通常は３つの標準ウエハ（１つはバ
ッチの中央、他はこのバッチの各端の近傍）が使用され
るため、月に１００バッチが製造され、各バッチが２０
０個のウエハを含んでいる製造システムについては３０
０個の標準ウエハを用意する必要がある。これは、最近
の傾向としてウエハのコストが高いより大きい径の、通
常は１００、２００又は３００ｍｍのウエハを使用する
ので、無視できないコストとなる。
は、上述したように、ウエハ表面全体に拡散がなされた
標準ウエハを用いて行われる。ウエハバッチの拡散工程
をモニタするために通常は３つの標準ウエハ（１つはバ
ッチの中央、他はこのバッチの各端の近傍）が使用され
るため、月に１００バッチが製造され、各バッチが２０
０個のウエハを含んでいる製造システムについては３０
０個の標準ウエハを用意する必要がある。これは、最近
の傾向としてウエハのコストが高いより大きい径の、通
常は１００、２００又は３００ｍｍのウエハを使用する
ので、無視できないコストとなる。
【０００９】このコストを低減化しかつ材料のロスを減
らすために、従来技術においては、再使用するために、
拡散工程及びチェック工程の後に標準ウエハを平らにす
ることが行われていた。しかしながら、この作業は比較
的高価でありしかも困難であるばかりか、シリコンウエ
ハの厚みが通常は０．３〜０．５ｍｍの範囲にあること
からあまり頻繁には繰り返すことができなかった。
らすために、従来技術においては、再使用するために、
拡散工程及びチェック工程の後に標準ウエハを平らにす
ることが行われていた。しかしながら、この作業は比較
的高価でありしかも困難であるばかりか、シリコンウエ
ハの厚みが通常は０．３〜０．５ｍｍの範囲にあること
からあまり頻繁には繰り返すことができなかった。
【００１０】従って本発明は、連続する製造バッチに使
用される標準ウエハの数を減少できる方法を提供するこ
とを目的としている。
用される標準ウエハの数を減少できる方法を提供するこ
とを目的としている。
【００１１】本発明の他の目的は、現在使用している装
置と異なる装置を導入することのないこの種の方法を提
供することを目的としている。
置と異なる装置を導入することのないこの種の方法を提
供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ドーピ
ング及び拡散工程にさらされる各ウエハバッチ内に、試
験すべき層より実質的に低いドーピングレベルに及び／
又は試験すべき層の導電型と逆の導電型に初期的にドー
プされており同じ工程を受ける少なくとも１つの標準ウ
エハを挿入し、各標準ウエハの複数の領域における拡散
層の点試験測定を行う拡散層のシート抵抗率の測定方法
が提供される。ドーピング及び拡散動作が上述の測定が
次々に行われる各領域の一部分についてのみ実施される
ように、各ドーピング及び拡散工程の前に、標準ウエハ
の各測定領域内にウィンドウが開口される。
ング及び拡散工程にさらされる各ウエハバッチ内に、試
験すべき層より実質的に低いドーピングレベルに及び／
又は試験すべき層の導電型と逆の導電型に初期的にドー
プされており同じ工程を受ける少なくとも１つの標準ウ
エハを挿入し、各標準ウエハの複数の領域における拡散
層の点試験測定を行う拡散層のシート抵抗率の測定方法
が提供される。ドーピング及び拡散動作が上述の測定が
次々に行われる各領域の一部分についてのみ実施される
ように、各ドーピング及び拡散工程の前に、標準ウエハ
の各測定領域内にウィンドウが開口される。
【００１３】本発明の一実施態様によれば、測定領域は
ウエハの中央領域及びウエハの４象限に分配された４つ
の領域を含んでいる。
ウエハの中央領域及びウエハの４象限に分配された４つ
の領域を含んでいる。
【００１４】本発明の一実施態様によれば、ウエハがシ
リコンで形成されており、ウィンドウが標準ウエハの少
なくとも１つの主表面上に形成された酸化シリコン層内
に開口されている。
リコンで形成されており、ウィンドウが標準ウエハの少
なくとも１つの主表面上に形成された酸化シリコン層内
に開口されている。
【００１５】
【実施例】本発明の上述した目的及び他の目的、特徴、
実施態様並びに効果は、添付の図面を用いた本発明の以
下の詳細な説明によって明らかとなるであろう。
実施態様並びに効果は、添付の図面を用いた本発明の以
下の詳細な説明によって明らかとなるであろう。
【００１６】図１Ａ及び図１Ｂは、従来の試験方法を説
明するのに有用な、標準ウエハの平面図及び断面図であ
る。
明するのに有用な、標準ウエハの平面図及び断面図であ
る。
【００１７】この従来方法によれば、全面（又は両面）
に試験すべき拡散層と同様の拡散層２を有する標準ウエ
ハ１が用いられる。このウエハは、特性を試験すべき拡
散層と逆の導電型を有していることが好ましい。ウエハ
は、試験すべき拡散層と同じ型の導電型を有することも
できるが、その場合、はるかに低いドーピングレベルを
有するようにする。
に試験すべき拡散層と同様の拡散層２を有する標準ウエ
ハ１が用いられる。このウエハは、特性を試験すべき拡
散層と逆の導電型を有していることが好ましい。ウエハ
は、試験すべき拡散層と同じ型の導電型を有することも
できるが、その場合、はるかに低いドーピングレベルを
有するようにする。
【００１８】そして、試験は、ウエハ上の種々の領域、
例えば中央領域３並びに横の領域４、５、６及び７で行
われる。
例えば中央領域３並びに横の領域４、５、６及び７で行
われる。
【００１９】図２Ａ及び図２Ｂは、本発明による試験方
法を示している。従来技術のごとく、標準ウエハ１１が
用いられる。しかしながら、打込み工程又は拡散前工程
が標準ウエハ及び製造されるウエハにおいて実施される
が、標準ウエハにおけるこれら打込み動作又は拡散前動
作は、各領域３、４、５、６及び７内にそれぞれ含まれ
る選択された部分内のみで行われる。例えば、標準ウエ
ハを最初に使用する際は、このウエハは例えばＳｉＯ2
（酸化シリコン）層１３（ウエハがシリコンの場合）等
のマスキング層によってコーティングされており、これ
らを通してドーピングが行われる第１のウィンドウ３
１、４１、５１、６１及び７１が、この層に開口されて
いる。
法を示している。従来技術のごとく、標準ウエハ１１が
用いられる。しかしながら、打込み工程又は拡散前工程
が標準ウエハ及び製造されるウエハにおいて実施される
が、標準ウエハにおけるこれら打込み動作又は拡散前動
作は、各領域３、４、５、６及び７内にそれぞれ含まれ
る選択された部分内のみで行われる。例えば、標準ウエ
ハを最初に使用する際は、このウエハは例えばＳｉＯ2
（酸化シリコン）層１３（ウエハがシリコンの場合）等
のマスキング層によってコーティングされており、これ
らを通してドーピングが行われる第１のウィンドウ３
１、４１、５１、６１及び７１が、この層に開口されて
いる。
【００２０】これら第１のウィンドウ内の拡散領域が試
験された後、隣接するウィンドウ３２、４２、５２、６
２及び７２等が開口される。この第２の開口工程は、例
えばシリコンの場合に新しい酸化層をデポジット又は成
長させて前のウィンドウを閉じることからまず実施され
る。
験された後、隣接するウィンドウ３２、４２、５２、６
２及び７２等が開口される。この第２の開口工程は、例
えばシリコンの場合に新しい酸化層をデポジット又は成
長させて前のウィンドウを閉じることからまず実施され
る。
【００２１】図２Ａでは各領域内に一連の３つのウィン
ドウのみが示されている。実際には、探針先端及び要求
された表面間において通常の間隔が与えられた場合、各
々がほぼ１．５９×１０ｍｍの寸法を有するウィンドウ
を開口することができる。これは、１００ｍｍの直径を
有するウエハの場合、各領域内に、４〜８個の一連のウ
ィンドウを隣り合わせて形成可能であることを意味す
る。各ウィンドウの間隔は、各拡散工程において横方向
の拡散が発生するように選択される。好ましくは、ウィ
ンドウは例えば互いに１ｍｍ離れて隣り合って配置され
ており、隣り合うウィンドウは、最初の拡散がなされた
領域内で実施される種々の熱処理工程によりこの拡散の
横方向の広がりが最後の試験すべきウィンドウに至らな
いように最も外側のウィンドウからこれより最も遠いウ
ィンドウへと順次使用される。
ドウのみが示されている。実際には、探針先端及び要求
された表面間において通常の間隔が与えられた場合、各
々がほぼ１．５９×１０ｍｍの寸法を有するウィンドウ
を開口することができる。これは、１００ｍｍの直径を
有するウエハの場合、各領域内に、４〜８個の一連のウ
ィンドウを隣り合わせて形成可能であることを意味す
る。各ウィンドウの間隔は、各拡散工程において横方向
の拡散が発生するように選択される。好ましくは、ウィ
ンドウは例えば互いに１ｍｍ離れて隣り合って配置され
ており、隣り合うウィンドウは、最初の拡散がなされた
領域内で実施される種々の熱処理工程によりこの拡散の
横方向の広がりが最後の試験すべきウィンドウに至らな
いように最も外側のウィンドウからこれより最も遠いウ
ィンドウへと順次使用される。
【００２２】公知の計算手段は、各ウィンドウ内に形成
された領域のシート抵抗率を、ウエハ全体を拡散した場
合の精度に等しい精度で求めることが可能である。
された領域のシート抵抗率を、ウエハ全体を拡散した場
合の精度に等しい精度で求めることが可能である。
【００２３】選択された全てのウィンドウが使用された
後、拡散領域を除去して同様の動作を繰り返すべく、従
来技術の場合と同様にウエハ表面を平らにすることが可
能である。
後、拡散領域を除去して同様の動作を繰り返すべく、従
来技術の場合と同様にウエハ表面を平らにすることが可
能である。
【００２４】当業者によれば明らかであるように、上述
した好ましい実施態様に種々の変更、特に、選択した各
領域内で開口する一連のウィンドウの形状、数及び配置
についての変更、を行うことが可能である。各探針配置
工程において、１つの測定領域から他の領域へ移動配置
される１つの測定ヘッドの代わりに、同時測定可能な５
つのヘッドの組合せ体を用いることができる。
した好ましい実施態様に種々の変更、特に、選択した各
領域内で開口する一連のウィンドウの形状、数及び配置
についての変更、を行うことが可能である。各探針配置
工程において、１つの測定領域から他の領域へ移動配置
される１つの測定ヘッドの代わりに、同時測定可能な５
つのヘッドの組合せ体を用いることができる。
【００２５】以上本発明について１つの特定な実施態様
で説明したが、当業者によれば種々の変更、修正及び改
善を容易に行うことが可能である。このような変更、修
正及び改善は本明細書の開示の一部をなすものであり、
本発明の思想及び範囲内に含まれるものである。従っ
て、前述の開示は単なる例であって本発明を限定するも
のではなく、本発明は特許請求の範囲で定義した内容及
びそれに均等なものによってのみ限定されるものであ
る。
で説明したが、当業者によれば種々の変更、修正及び改
善を容易に行うことが可能である。このような変更、修
正及び改善は本明細書の開示の一部をなすものであり、
本発明の思想及び範囲内に含まれるものである。従っ
て、前述の開示は単なる例であって本発明を限定するも
のではなく、本発明は特許請求の範囲で定義した内容及
びそれに均等なものによってのみ限定されるものであ
る。
【図１Ａ】従来の試験方法を説明する平面図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＢＢ線に沿った断面図である。
【図２Ａ】本発明の試験方法を説明する平面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＢＢ線に沿った断面図である。
３、４、５、６、７ 領域 １１ ウエハ １３ ＳｉＯ2 層 ３１、４１、５１、６１、７１、３２、４２、５２、６
２、７２ ウィンドウ
２、７２ ウィンドウ
Claims (5)
- 【請求項１】 ドーピング及び拡散工程にさらされる各
ウエハバッチ内に、試験すべき層より実質的に低いドー
ピングレベルに及び／又は試験すべき層の導電型と逆の
導電型に初期的にドープされており同じ工程を受ける少
なくとも１つの標準ウエハ（１１）を挿入し、各標準ウ
エハの複数の領域における拡散層のシート抵抗率を測定
する測定方法であって、ドーピング及び拡散動作が前記
測定が次々に行われる前記各領域の一部分についてのみ
実施されるように、各ドーピング及び拡散工程の前に、
前記標準ウエハの各測定領域内にウィンドウを開口する
ことを特徴とする拡散層のシート抵抗率の測定方法。 - 【請求項２】 前記測定の後、当該領域内に新たな隣り
合うウィンドウを開口することを特徴とする請求項１に
記載の測定方法。 - 【請求項３】 当該領域内に新たな隣り合うウィンドウ
を開口する前に、該領域内に形成されているウィンドウ
を閉じることを特徴とする請求項２に記載の測定方法。 - 【請求項４】 前記領域がウエハの中央領域及びウエハ
の４象限に分配された４つの領域を含んでいることを特
徴とする請求項１に記載の測定方法。 - 【請求項５】 前記ウエハがシリコンで形成されてお
り、前記ウィンドウが前記標準ウエハの少なくとも１つ
の主表面上に形成された酸化シリコン層内に開前してい
ることを特徴とする請求項１に記載の測定方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9209797A FR2694410B1 (fr) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | Procédé de test de la résistance par carré de couches diffusées. |
| FR92/09797 | 1992-07-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168996A true JPH06168996A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=9432698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5206811A Withdrawn JPH06168996A (ja) | 1992-07-30 | 1993-07-30 | 拡散層のシート抵抗率の測定方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5434089A (ja) |
| EP (1) | EP0581703B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06168996A (ja) |
| DE (1) | DE69305450T2 (ja) |
| FR (1) | FR2694410B1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706209A3 (en) * | 1994-10-06 | 1996-12-27 | Applied Materials Inc | Thin film resistance measurement |
| FR2742864B1 (fr) * | 1995-12-20 | 1998-03-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Realisation d'un echantillon de reference pour appareil de caracterisation de doses implantees |
| US5923947A (en) * | 1997-05-06 | 1999-07-13 | Vlsi Technology, Inc. | Method for achieving low capacitance diffusion pattern filling |
| FR2769753B1 (fr) * | 1997-10-09 | 1999-12-03 | Commissariat Energie Atomique | Caracterisation electrique d'une couche isolante recouvrant un substrat conducteur ou semiconducteur |
| US6433541B1 (en) | 1999-12-23 | 2002-08-13 | Kla-Tencor Corporation | In-situ metalization monitoring using eddy current measurements during the process for removing the film |
| US6707540B1 (en) | 1999-12-23 | 2004-03-16 | Kla-Tencor Corporation | In-situ metalization monitoring using eddy current and optical measurements |
| TW442880B (en) * | 2000-02-02 | 2001-06-23 | Promos Technologies Inc | Method for automatically classifying the wafer with failure mode |
| KR100563096B1 (ko) * | 2003-08-22 | 2006-03-27 | 동부아남반도체 주식회사 | 이온 주입의 오정렬 판단 방법 |
| US20090291510A1 (en) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | International Business Machines Corporation | Method for creating wafer test pattern |
| CN103000545B (zh) * | 2011-09-13 | 2016-06-01 | 康可电子（无锡）有限公司 | 磷/硼预扩散工艺用测试片的复用方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3134077A (en) * | 1961-09-18 | 1964-05-19 | Tektronix Inc | Electrical probe apparatus for measuring the characteristics of semiconductor material |
| NL6715013A (ja) * | 1967-11-04 | 1969-05-06 | ||
| US4151019A (en) * | 1974-12-27 | 1979-04-24 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing integrated injection logic semiconductor devices utilizing self-aligned double-diffusion techniques |
| US4257825A (en) * | 1978-08-30 | 1981-03-24 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices having improvements in device reliability by thermally treating selectively implanted test figures in wafers |
| US4440799A (en) * | 1982-10-22 | 1984-04-03 | Rca Corporation | Monitor for impurity levels in aluminum deposition |
| JPS59201436A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-15 | Sony Corp | 半導体キヤリア密度分布の測定方法 |
| US4706015A (en) * | 1986-01-09 | 1987-11-10 | Chen James T C | Method and circuit for reducing contact resistance of the potential probes of a four-point-probe in contact with a III-V compound semiconductor wafer |
| US5010029A (en) * | 1989-02-22 | 1991-04-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of detecting the width of spacers and lightly doped drain regions |
| DE3942861A1 (de) * | 1989-12-23 | 1991-06-27 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur bestimmung der lage eines pn-uebergangs |
-
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