JPH06168685A - 電子サイクロトロン共振多価イオン源 - Google Patents
電子サイクロトロン共振多価イオン源Info
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- JPH06168685A JPH06168685A JP31831092A JP31831092A JPH06168685A JP H06168685 A JPH06168685 A JP H06168685A JP 31831092 A JP31831092 A JP 31831092A JP 31831092 A JP31831092 A JP 31831092A JP H06168685 A JPH06168685 A JP H06168685A
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- electron cyclotron
- ion source
- plasma chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 最適の電子サイクロトロン共振磁場を形成す
るための調整が容易な電子サイクロトロン共振多価イオ
ン源を提供する。 【構成】 永久磁石２と１対のソレノイドコイル３，３
とにより所定周波数の高周波８に適合する電子サイクロ
トロン共振磁場Ｍをプラズマチャンバ１内に形成する電
子サイクロトロン共振多価イオン源Ａにおいて、１対の
ソレノイドコイル３，３の間に補助コイル４を配設し、
永久磁石２と１対のソレノイドコイル３，３とによる磁
場に補助コイル４による磁場を重畳させる。 【効果】 電子サイクロトロン共振磁場の最適化を十分
に図ることが出来る。イオン電流を大きく出来る。
るための調整が容易な電子サイクロトロン共振多価イオ
ン源を提供する。 【構成】 永久磁石２と１対のソレノイドコイル３，３
とにより所定周波数の高周波８に適合する電子サイクロ
トロン共振磁場Ｍをプラズマチャンバ１内に形成する電
子サイクロトロン共振多価イオン源Ａにおいて、１対の
ソレノイドコイル３，３の間に補助コイル４を配設し、
永久磁石２と１対のソレノイドコイル３，３とによる磁
場に補助コイル４による磁場を重畳させる。 【効果】 電子サイクロトロン共振磁場の最適化を十分
に図ることが出来る。イオン電流を大きく出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子サイクロトロン
共振多価イオン源に関し、さらに詳しくは、永久磁石と
１対のソレノイドコイルとにより所定周波数の高周波に
適合する電子サイクロトロン共振磁場をプラズマチャン
バ内に形成する電子サイクロトロン共振多価イオン源に
関する。
共振多価イオン源に関し、さらに詳しくは、永久磁石と
１対のソレノイドコイルとにより所定周波数の高周波に
適合する電子サイクロトロン共振磁場をプラズマチャン
バ内に形成する電子サイクロトロン共振多価イオン源に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の電子サイクロトロン共振
多価イオン源の一例の断面図である。この電子サイクロ
トロン共振イオン源Ｃでは、その中央部に、円筒状のプ
ラズマチャンバ１を備えている。永久磁石２は、プラズ
マチャンバ１の径方向（図中、上下方向）に磁場を形成
する。ソレノイドコイル３，３は、鉄ヨーク３ａ，３ａ
に保持され、プラズマチャンバ１の軸線方向（図中、左
右方向）に移動できるようになっている。また、図示せ
ぬソレノイドコイル用電源から供給されるソレノイドコ
イル用コイル電流により励磁され、プラズマチャンバ１
の軸線方向に磁場を形成する。
多価イオン源の一例の断面図である。この電子サイクロ
トロン共振イオン源Ｃでは、その中央部に、円筒状のプ
ラズマチャンバ１を備えている。永久磁石２は、プラズ
マチャンバ１の径方向（図中、上下方向）に磁場を形成
する。ソレノイドコイル３，３は、鉄ヨーク３ａ，３ａ
に保持され、プラズマチャンバ１の軸線方向（図中、左
右方向）に移動できるようになっている。また、図示せ
ぬソレノイドコイル用電源から供給されるソレノイドコ
イル用コイル電流により励磁され、プラズマチャンバ１
の軸線方向に磁場を形成する。
【０００３】前記永久磁石２とソレノイドコイル３，３
とにより所定周波数のマイクロ波（以下、所定周波数の
マイクロ波をマイクロ波８と表記する。）に適合する電
子サイクロトロン共振磁場Ｍがプラズマチャンバ１内に
形成される。電子サイクロトロン共振領域は、その電子
サイクロトロン共振磁場Ｍに前記マイクロ波８が導入さ
れることによって構成される。
とにより所定周波数のマイクロ波（以下、所定周波数の
マイクロ波をマイクロ波８と表記する。）に適合する電
子サイクロトロン共振磁場Ｍがプラズマチャンバ１内に
形成される。電子サイクロトロン共振領域は、その電子
サイクロトロン共振磁場Ｍに前記マイクロ波８が導入さ
れることによって構成される。
【０００４】プラズマチャンバ１の一端（図中、左端）
１ａ側には、電子サイクロトロン共振領域で生成された
イオンを、外部へ導出するための引出電極５が配設され
ている。プラズマチャンバ１の他端（図中、右端）１ｂ
側には、延長筒体６を介して、プラズマチャンバ１内を
高真空下に保つための真空ポンプ７およびプラズマチャ
ンバ１内へマイクロ波８を導入するためのマイクロ波導
入管９が配設されている。また、前記延長筒体６内に
は、プラズマチャンバ１内へガス１０を導入するための
ガス導入管１１が配設されている。
１ａ側には、電子サイクロトロン共振領域で生成された
イオンを、外部へ導出するための引出電極５が配設され
ている。プラズマチャンバ１の他端（図中、右端）１ｂ
側には、延長筒体６を介して、プラズマチャンバ１内を
高真空下に保つための真空ポンプ７およびプラズマチャ
ンバ１内へマイクロ波８を導入するためのマイクロ波導
入管９が配設されている。また、前記延長筒体６内に
は、プラズマチャンバ１内へガス１０を導入するための
ガス導入管１１が配設されている。
【０００５】真空ポンプ７にてプラズマチャンバ１内を
例えば１０-6Torrの真空状態とした後、ソレノイドコイ
ル３，３の位置とソレノイドコイル用コイル電流とを調
整して、例えば図４に示すようなミラー磁場を形成す
る。マイクロ波８に適合する電子サイクロトロン共振磁
場Ｍ（図４中、点線で示す。）は、ミラー磁場の中央部
分に位置し、プラズマチャンバ１内に形成される。そし
て、マイクロ波８をプラズマチャンバ１内へ導入し、電
子サイクロトロン共振領域を構成する。
例えば１０-6Torrの真空状態とした後、ソレノイドコイ
ル３，３の位置とソレノイドコイル用コイル電流とを調
整して、例えば図４に示すようなミラー磁場を形成す
る。マイクロ波８に適合する電子サイクロトロン共振磁
場Ｍ（図４中、点線で示す。）は、ミラー磁場の中央部
分に位置し、プラズマチャンバ１内に形成される。そし
て、マイクロ波８をプラズマチャンバ１内へ導入し、電
子サイクロトロン共振領域を構成する。
【０００６】電子サイクロトロン共振領域にガス１０を
供給すると、サイクロトロン共振により加速された電子
がガス分子に衝突し、ガス分子をイオン化する。電子
は、イオンにも衝突し、多価イオン化する。こうして、
電子サイクロトロン共振により多価イオンが次第に高濃
度になる。高濃度になった多価イオンの一部は、引出電
極５側に拡散し、引出電極５の電界により引き出され、
外部へ導出される。
供給すると、サイクロトロン共振により加速された電子
がガス分子に衝突し、ガス分子をイオン化する。電子
は、イオンにも衝突し、多価イオン化する。こうして、
電子サイクロトロン共振により多価イオンが次第に高濃
度になる。高濃度になった多価イオンの一部は、引出電
極５側に拡散し、引出電極５の電界により引き出され、
外部へ導出される。
【０００７】
【発明が解決しょうとする課題】上記従来の電子サイク
ロトロン共振多価イオン源Ｂにおいて、イオン電流を大
きくするためには、最適の電子サイクロトロン共振磁場
Ｍを形成すればよいが、ソレノイドコイル３，３の位置
とソレノイドコイル用コイル電流とによる調整が煩雑で
あるため、電子サイクロトロン共振磁場Ｍの最適化が十
分に図れない問題点がある。そこで、この発明の目的
は、最適の電子サイクロトロン共振磁場を形成するため
の調整が容易である電子サイクロトロン共振多価イオン
源を提供することにある。
ロトロン共振多価イオン源Ｂにおいて、イオン電流を大
きくするためには、最適の電子サイクロトロン共振磁場
Ｍを形成すればよいが、ソレノイドコイル３，３の位置
とソレノイドコイル用コイル電流とによる調整が煩雑で
あるため、電子サイクロトロン共振磁場Ｍの最適化が十
分に図れない問題点がある。そこで、この発明の目的
は、最適の電子サイクロトロン共振磁場を形成するため
の調整が容易である電子サイクロトロン共振多価イオン
源を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の電子サイクロ
トロン共振多価イオン源は、永久磁石とその永久磁石の
両側に配設した１対のソレノイドコイルとにより所定周
波数の高周波に適合する電子サイクロトロン共振磁場を
プラズマチャンバ内に形成し、そのプラズマチャンバ内
で生成されたイオンを引出電極により外部へ導出する電
子サイクロトロン共振多価イオン源において、１対のソ
レノイドコイルの間に補助コイルを配設し、永久磁石と
１対のソレノイドコイルとによる磁場に前記補助コイル
による磁場を重畳させることを構成上の特徴とするもの
である。
トロン共振多価イオン源は、永久磁石とその永久磁石の
両側に配設した１対のソレノイドコイルとにより所定周
波数の高周波に適合する電子サイクロトロン共振磁場を
プラズマチャンバ内に形成し、そのプラズマチャンバ内
で生成されたイオンを引出電極により外部へ導出する電
子サイクロトロン共振多価イオン源において、１対のソ
レノイドコイルの間に補助コイルを配設し、永久磁石と
１対のソレノイドコイルとによる磁場に前記補助コイル
による磁場を重畳させることを構成上の特徴とするもの
である。
【０００９】
【作用】この発明の電子サイクロトロン共振多価イオン
源では、１対のソレノイドコイルの間に補助コイルが配
設されている。そこで、永久磁石と１対のソレノイドコ
イルとによるミラー磁場に前記補助コイルによる磁場を
重畳させると、前記ミラー磁場の中央部分に顕著な変化
をもたらすことが出来る。換言すると、電子サイクロト
ロン共振磁場は前記ミラー磁場の中央部分に位置するの
で、前記ソレノイドコイルに供給するソレノイドコイル
用コイル電流と前記補助コイルに供給する補助コイル用
コイル電流とを調整すれば、電子サイクロトロン共振磁
場の最適化を図ることが出来る。
源では、１対のソレノイドコイルの間に補助コイルが配
設されている。そこで、永久磁石と１対のソレノイドコ
イルとによるミラー磁場に前記補助コイルによる磁場を
重畳させると、前記ミラー磁場の中央部分に顕著な変化
をもたらすことが出来る。換言すると、電子サイクロト
ロン共振磁場は前記ミラー磁場の中央部分に位置するの
で、前記ソレノイドコイルに供給するソレノイドコイル
用コイル電流と前記補助コイルに供給する補助コイル用
コイル電流とを調整すれば、電子サイクロトロン共振磁
場の最適化を図ることが出来る。
【００１０】ソレノイドコイル用コイル電流と補助コイ
ル用コイル電流とによる調整は、従来のソレノイドコイ
ルの位置とソレノイドコイル用コイル電流とによる調整
に比較して、容易であり，且つ，正確である。このた
め、電子サイクロトロン共振磁場の最適化を十分に図る
ことが出来、イオン電流を大きく出来るようになる。
ル用コイル電流とによる調整は、従来のソレノイドコイ
ルの位置とソレノイドコイル用コイル電流とによる調整
に比較して、容易であり，且つ，正確である。このた
め、電子サイクロトロン共振磁場の最適化を十分に図る
ことが出来、イオン電流を大きく出来るようになる。
【００１１】また、ソレノイドコイルの位置を調整し直
すことなく、ソレノイドコイル用コイル電流と補助コイ
ル用コイル電流とを調整して、周波数の異なる高周波に
適合する電子サイクロトロン共振磁場について最適化を
図ることも出来る。また、例えば、周波数の異なる複数
の高周波に適合する複数の電子サイクロトロン共振磁場
について同時に最適化を図ることも出来る。
すことなく、ソレノイドコイル用コイル電流と補助コイ
ル用コイル電流とを調整して、周波数の異なる高周波に
適合する電子サイクロトロン共振磁場について最適化を
図ることも出来る。また、例えば、周波数の異なる複数
の高周波に適合する複数の電子サイクロトロン共振磁場
について同時に最適化を図ることも出来る。
【００１２】
【実施例】以下、図に示す実施例に基づいてこの発明を
さらに詳細に説明する。なお、これによりこの発明が限
定されるものではない。図１は、この発明の電子サイク
ロトロン共振多価イオン源の一実施例の断面図である。
なお、従来例と同様の構成要素には、同じ参照番号を付
している。この電子サイクロトロン共振イオン源Ａで
は、その中央部に、円筒状のプラズマチャンバ１を備え
ている。
さらに詳細に説明する。なお、これによりこの発明が限
定されるものではない。図１は、この発明の電子サイク
ロトロン共振多価イオン源の一実施例の断面図である。
なお、従来例と同様の構成要素には、同じ参照番号を付
している。この電子サイクロトロン共振イオン源Ａで
は、その中央部に、円筒状のプラズマチャンバ１を備え
ている。
【００１３】永久磁石２は、プラズマチャンバ１の径方
向（図中、上下方向）に磁場を形成する。ソレノイドコ
イル３，３は、鉄ヨーク３ａ，３ａに保持され、プラズ
マチャンバ１の軸線方向（図中、左右方向）に移動でき
るようになっている。また、図示せぬソレノイドコイル
用電源から供給されるソレノイドコイル用コイル電流に
より励磁され、プラズマチャンバ１の軸線方向に磁場を
形成する。補助コイル４は、図示せぬ補助コイル用電源
から供給される補助コイル用コイル電流により励磁さ
れ、プラズマチャンバ１の軸線方向に磁場を形成する。
向（図中、上下方向）に磁場を形成する。ソレノイドコ
イル３，３は、鉄ヨーク３ａ，３ａに保持され、プラズ
マチャンバ１の軸線方向（図中、左右方向）に移動でき
るようになっている。また、図示せぬソレノイドコイル
用電源から供給されるソレノイドコイル用コイル電流に
より励磁され、プラズマチャンバ１の軸線方向に磁場を
形成する。補助コイル４は、図示せぬ補助コイル用電源
から供給される補助コイル用コイル電流により励磁さ
れ、プラズマチャンバ１の軸線方向に磁場を形成する。
【００１４】前記永久磁石２，ソレノイドコイル３，３
および補助コイル４により所定周波数のマイクロ波（以
下、所定周波数のマイクロ波をマイクロ波８と表記す
る。）に適合する電子サイクロトロン共振磁場Ｍがプラ
ズマチャンバ１内に形成される。電子サイクロトロン共
振領域は、その電子サイクロトロン共振磁場Ｍに前記マ
イクロ波８が導入されることによって構成される。
および補助コイル４により所定周波数のマイクロ波（以
下、所定周波数のマイクロ波をマイクロ波８と表記す
る。）に適合する電子サイクロトロン共振磁場Ｍがプラ
ズマチャンバ１内に形成される。電子サイクロトロン共
振領域は、その電子サイクロトロン共振磁場Ｍに前記マ
イクロ波８が導入されることによって構成される。
【００１５】プラズマチャンバ１の一端（図中、左端）
１ａ側には、電子サイクロトロン共振領域で生成された
イオンを、外部へ導出するための引出電極５が配設され
ている。プラズマチャンバ１の他端（図中、右端）１ｂ
側には、延長筒体６を介して、プラズマチャンバ１内を
高真空下に保つための真空ポンプ７およびプラズマチャ
ンバ１内へマイクロ波８を導入するためのマイクロ波導
入管９が配設されている。また、前記延長筒体６内に
は、プラズマチャンバ１内へガス１０を導入するための
ガス導入管１１が配設されている。
１ａ側には、電子サイクロトロン共振領域で生成された
イオンを、外部へ導出するための引出電極５が配設され
ている。プラズマチャンバ１の他端（図中、右端）１ｂ
側には、延長筒体６を介して、プラズマチャンバ１内を
高真空下に保つための真空ポンプ７およびプラズマチャ
ンバ１内へマイクロ波８を導入するためのマイクロ波導
入管９が配設されている。また、前記延長筒体６内に
は、プラズマチャンバ１内へガス１０を導入するための
ガス導入管１１が配設されている。
【００１６】次に、動作について説明する。まず、真空
ポンプ７にてプラズマチャンバ１内を例えば１０-6Torr
の真空状態とした後、ソレノイドコイル用コイル電流を
供給してソレノイドコイル３，３を励磁してミラー磁場
を形成する。従来例と略同様に、マイクロ波８に適合す
る電子サイクロトロン共振磁場Ｍが、プラズマチャンバ
１内に形成される。また、実用には供されないが、前記
マイクロ波８と周波数の異なるマイクロ波に適合する電
子サイクロトロン共振磁場もプラズマチャンバ１内に形
成される。
ポンプ７にてプラズマチャンバ１内を例えば１０-6Torr
の真空状態とした後、ソレノイドコイル用コイル電流を
供給してソレノイドコイル３，３を励磁してミラー磁場
を形成する。従来例と略同様に、マイクロ波８に適合す
る電子サイクロトロン共振磁場Ｍが、プラズマチャンバ
１内に形成される。また、実用には供されないが、前記
マイクロ波８と周波数の異なるマイクロ波に適合する電
子サイクロトロン共振磁場もプラズマチャンバ１内に形
成される。
【００１７】次に、例えば電子サイクロトロン共振磁場
Ｍが広がるように、ソレノイドコイル用コイル電流と補
助コイル用コイル電流とを調整して、電子サイクロトロ
ン共振磁場Ｍの最適化を図る。そして、マイクロ波８を
プラズマチャンバ１内へ導入し、電子サイクロトロン共
振領域を構成する。
Ｍが広がるように、ソレノイドコイル用コイル電流と補
助コイル用コイル電流とを調整して、電子サイクロトロ
ン共振磁場Ｍの最適化を図る。そして、マイクロ波８を
プラズマチャンバ１内へ導入し、電子サイクロトロン共
振領域を構成する。
【００１８】電子サイクロトロン共振領域にガス１０を
供給すると、サイクロトロン共振により加速された電子
がガス分子に衝突し、ガス分子をイオン化する。電子
は、イオンにも衝突し、多価イオン化する。こうして、
電子サイクロトロン共振により多価イオンが次第に高濃
度になる。高濃度になった多価イオンの一部は、引出電
極５側に拡散し、引出電極５の電界により引き出され、
外部へ導出される。
供給すると、サイクロトロン共振により加速された電子
がガス分子に衝突し、ガス分子をイオン化する。電子
は、イオンにも衝突し、多価イオン化する。こうして、
電子サイクロトロン共振により多価イオンが次第に高濃
度になる。高濃度になった多価イオンの一部は、引出電
極５側に拡散し、引出電極５の電界により引き出され、
外部へ導出される。
【００１９】この電子サイクロトロン共振多価イオン源
Ａでは、最適の電子サイクロトロン共振磁場を形成する
ための調整作業が容易であり，且つ，正確であるため、
電子サイクロトロン共振磁場の最適化を十分に図ること
が出来る。したがって、電子加速が効率的に行なえ、そ
れだけ多価イオンを高濃度化することが可能となり、イ
オン電流を大きく出来るようになる。
Ａでは、最適の電子サイクロトロン共振磁場を形成する
ための調整作業が容易であり，且つ，正確であるため、
電子サイクロトロン共振磁場の最適化を十分に図ること
が出来る。したがって、電子加速が効率的に行なえ、そ
れだけ多価イオンを高濃度化することが可能となり、イ
オン電流を大きく出来るようになる。
【００２０】また、例えば１４ＧＨｚのマイクロ波に適
合する電子サイクロトロン共振磁場について最適化を図
ったのち、ソレノイドコイル３，３の位置を調整し直す
ことなく、ソレノイドコイル用コイル電流と補助コイル
用コイル電流とを調整して、例えば１０ＧＨｚのマイク
ロ波に適合する電子サイクロトロン共振磁場について最
適化を図ることも出来る。
合する電子サイクロトロン共振磁場について最適化を図
ったのち、ソレノイドコイル３，３の位置を調整し直す
ことなく、ソレノイドコイル用コイル電流と補助コイル
用コイル電流とを調整して、例えば１０ＧＨｚのマイク
ロ波に適合する電子サイクロトロン共振磁場について最
適化を図ることも出来る。
【００２１】図２は、この発明の電子サイクロトロン共
振多価イオン源の他の実施例の断面図である。この電子
サイクロトロン共振イオン源Ｂは、プラズマチャンバ１
内へマイクロ波８を導入するためのマイクロ波導入管９
の他に、前記マイクロ波８と周波数の異なるマイクロ波
８Ｂを導入するためのマイクロ波導入管９Ｂを備えてい
るところが、前記電子サイクロトロン共振イオン源Ａと
異なっている。
振多価イオン源の他の実施例の断面図である。この電子
サイクロトロン共振イオン源Ｂは、プラズマチャンバ１
内へマイクロ波８を導入するためのマイクロ波導入管９
の他に、前記マイクロ波８と周波数の異なるマイクロ波
８Ｂを導入するためのマイクロ波導入管９Ｂを備えてい
るところが、前記電子サイクロトロン共振イオン源Ａと
異なっている。
【００２２】この電子サイクロトロン共振イオン源Ｂで
は、まず、真空ポンプ７にてプラズマチャンバ１内を例
えば１０-6Torrの真空状態とした後、ソレノイドコイル
用コイル電流を供給してソレノイドコイル３，３を励磁
してミラー磁場を形成する。前記実施例と同様に、マイ
クロ波８に適合する電子サイクロトロン共振磁場Ｍと共
に前記マイクロ波８と周波数の異なるマイクロ波に適合
する電子サイクロトロン共振磁場がプラズマチャンバ１
内に形成される。前記マイクロ波８と周波数の異なるマ
イクロ波を８Ｂとし、そのマイクロ波８Ｂに適合する電
子サイクロトロン共振磁場をＭＢとする。次に、ソレノ
イドコイル用コイル電流と補助コイル用コイル電流とを
調整して、電子サイクロトロン共振磁場Ｍの最適化と電
子サイクロトロン共振磁場ＭＢの最適化とを図る。そし
て、マイクロ波８とマイクロ波８Ｂとをプラズマチャン
バ１内へ導入し、電子サイクロトロン共振磁場Ｍと電子
サイクロトロン共振磁場ＭＢとのそれぞれに電子サイク
ロトロン共振領域を構成する。
は、まず、真空ポンプ７にてプラズマチャンバ１内を例
えば１０-6Torrの真空状態とした後、ソレノイドコイル
用コイル電流を供給してソレノイドコイル３，３を励磁
してミラー磁場を形成する。前記実施例と同様に、マイ
クロ波８に適合する電子サイクロトロン共振磁場Ｍと共
に前記マイクロ波８と周波数の異なるマイクロ波に適合
する電子サイクロトロン共振磁場がプラズマチャンバ１
内に形成される。前記マイクロ波８と周波数の異なるマ
イクロ波を８Ｂとし、そのマイクロ波８Ｂに適合する電
子サイクロトロン共振磁場をＭＢとする。次に、ソレノ
イドコイル用コイル電流と補助コイル用コイル電流とを
調整して、電子サイクロトロン共振磁場Ｍの最適化と電
子サイクロトロン共振磁場ＭＢの最適化とを図る。そし
て、マイクロ波８とマイクロ波８Ｂとをプラズマチャン
バ１内へ導入し、電子サイクロトロン共振磁場Ｍと電子
サイクロトロン共振磁場ＭＢとのそれぞれに電子サイク
ロトロン共振領域を構成する。
【００２３】ガス１０を供給すると、２つの電子サイク
ロトロン共振領域のそれぞれでは、サイクロトロン共振
により加速された電子が、ガス分子に衝突して、ガス分
子をイオン化する。また、電子は、イオンにも衝突し、
多価イオン化する。こうして、２つの電子サイクロトロ
ン共振領域で加速された電子との衝突により多価イオン
が次第に高濃度になる。高濃度になった多価イオンの一
部は、引出電極５側に拡散し、引出電極５の電界により
引き出され、外部へ導出される。
ロトロン共振領域のそれぞれでは、サイクロトロン共振
により加速された電子が、ガス分子に衝突して、ガス分
子をイオン化する。また、電子は、イオンにも衝突し、
多価イオン化する。こうして、２つの電子サイクロトロ
ン共振領域で加速された電子との衝突により多価イオン
が次第に高濃度になる。高濃度になった多価イオンの一
部は、引出電極５側に拡散し、引出電極５の電界により
引き出され、外部へ導出される。
【００２４】この電子サイクロトロン共振イオン源Ｂで
は、２つの電子サイクロトロン共振磁場Ｍ，ＭＢについ
て同時に最適化を図り、それぞれに電子サイクロトロン
共振領域が構成されているため、全体として電子サイク
ロトロン共振領域が大きくなり、多価イオンをより高濃
度にすることが可能である。そして、これにより、大き
なイオン電流を取り出せるようになる。
は、２つの電子サイクロトロン共振磁場Ｍ，ＭＢについ
て同時に最適化を図り、それぞれに電子サイクロトロン
共振領域が構成されているため、全体として電子サイク
ロトロン共振領域が大きくなり、多価イオンをより高濃
度にすることが可能である。そして、これにより、大き
なイオン電流を取り出せるようになる。
【００２５】
【発明の効果】この発明の電子サイクロトロン共振多価
イオン源によれば、最適の電子サイクロトロン共振磁場
を形成するための調整が容易，且つ，正確になるため、
電子サイクロトロン共振磁場の最適化を十分に図ること
が出来るようになる。そこで、常に最適の電子サイクロ
トロン共振磁場が形成されて、イオン電流を大きく出来
るようになる。
イオン源によれば、最適の電子サイクロトロン共振磁場
を形成するための調整が容易，且つ，正確になるため、
電子サイクロトロン共振磁場の最適化を十分に図ること
が出来るようになる。そこで、常に最適の電子サイクロ
トロン共振磁場が形成されて、イオン電流を大きく出来
るようになる。
【図１】この発明の電子サイクロトロン共振多価イオン
源の一実施例についての断面図である。
源の一実施例についての断面図である。
【図２】この発明の電子サイクロトロン共振多価イオン
源の他の実施例の断面図である。
源の他の実施例の断面図である。
【図３】従来の電子サイクロトロン共振多価イオン源の
一例の断面図である。
一例の断面図である。
【図４】図３の装置に係るミラー磁場と電子サイクロト
ロン共振磁場とについての説明図である。
ロン共振磁場とについての説明図である。
Ａ，Ｂ 電子サイクロトロン共振多価イオン源 Ｍ，ＭＢ 電子サイクロトロン共振磁場 １ プラズマチャンバ ２ 永久磁石 ３，３ ソレノイドコイル ４ 補助コイル ５ 引出電極 ８，８Ｂ マイクロ波 １０ ガス
Claims (1)
- 【請求項１】 永久磁石とその永久磁石の両側に配設し
た１対のソレノイドコイルとにより所定周波数の高周波
に適合する電子サイクロトロン共振磁場をプラズマチャ
ンバ内に形成し、そのプラズマチャンバ内で生成された
イオンを引出電極により外部へ導出する電子サイクロト
ロン共振多価イオン源において、１対のソレノイドコイ
ルの間に補助コイルを配設し、永久磁石と１対のソレノ
イドコイルとによる磁場に前記補助コイルによる磁場を
重畳させることを特徴とする電子サイクロトロン共振多
価イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31831092A JPH06168685A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 電子サイクロトロン共振多価イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31831092A JPH06168685A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 電子サイクロトロン共振多価イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168685A true JPH06168685A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18097775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31831092A Pending JPH06168685A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 電子サイクロトロン共振多価イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06168685A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184624B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-02-06 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion source |
| JP2006012575A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Ulvac Japan Ltd | ジャイラック加速電子型ｅｃｒイオン源及び多価イオン生成方法 |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP31831092A patent/JPH06168685A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184624B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-02-06 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion source |
| JP2006012575A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Ulvac Japan Ltd | ジャイラック加速電子型ｅｃｒイオン源及び多価イオン生成方法 |
| JP4580698B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2010-11-17 | 株式会社アルバック | ジャイラック加速電子型ｅｃｒイオン源及び多価イオン生成方法 |
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